JPH04362922A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents
液晶表示素子の製造方法Info
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- JPH04362922A JPH04362922A JP1082891A JP1082891A JPH04362922A JP H04362922 A JPH04362922 A JP H04362922A JP 1082891 A JP1082891 A JP 1082891A JP 1082891 A JP1082891 A JP 1082891A JP H04362922 A JPH04362922 A JP H04362922A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】［発明の目的］
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子の製造方
法に係わり、特に気泡の残存がなく特性の良好な液晶表
示素子を製造する方法に関する。
法に係わり、特に気泡の残存がなく特性の良好な液晶表
示素子を製造する方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】近年液晶表示素子は、軽量、低消費電力
の利点を生かして、テレビジョン、ワードプロセッサ、
パーソナル・コンピュータ等のディスプレイとして数多
く市場に出回るようになっている。
の利点を生かして、テレビジョン、ワードプロセッサ、
パーソナル・コンピュータ等のディスプレイとして数多
く市場に出回るようになっている。
【０００４】このような液晶表示素子の構造を、図２に
示す。図において符号１、２は、互いに平行に配置され
た２枚のガラス基板を示し、その対向面にはそれぞれ透
明電極３、４が形成されており、その上には、配向処理
が施された配向膜５、６が形成されている。またこのよ
うな電極基板の間には、液晶組成物７が配向膜５、６に
接して挟持されており、これらの基板はエポキシ樹脂系
等の接着剤８により貼り合わせられ、内部が気密に封止
されている。
示す。図において符号１、２は、互いに平行に配置され
た２枚のガラス基板を示し、その対向面にはそれぞれ透
明電極３、４が形成されており、その上には、配向処理
が施された配向膜５、６が形成されている。またこのよ
うな電極基板の間には、液晶組成物７が配向膜５、６に
接して挟持されており、これらの基板はエポキシ樹脂系
等の接着剤８により貼り合わせられ、内部が気密に封止
されている。
【０００５】従来からこのような液晶表示素子を製造す
るには、以下に示す方法が行われている。
るには、以下に示す方法が行われている。
【０００６】すなわち、まず２枚のガラス基板１、２の
表面にそれぞれ透明電極３、４を形成し、さらにその上
に配向処理が施された配向膜５、６を形成して、電極基
板を形成する。次いで、一方の電極基板の表面（配向膜
面）に、基板間距離とほぼ同径の球状や円柱状の粒子を
間隙材（スペーサ）として均一に散布する。また、他方
の電極基板上の配向膜の周辺部に、接着剤を塗布する。 このとき、周辺部の一部に接着剤の非塗布部をつくり、
液晶組成物を注入するための開口（注入口）とする。そ
して、このような２枚の電極基板を重ね、均一に圧着し
て空状セル（セル）を作製する。
表面にそれぞれ透明電極３、４を形成し、さらにその上
に配向処理が施された配向膜５、６を形成して、電極基
板を形成する。次いで、一方の電極基板の表面（配向膜
面）に、基板間距離とほぼ同径の球状や円柱状の粒子を
間隙材（スペーサ）として均一に散布する。また、他方
の電極基板上の配向膜の周辺部に、接着剤を塗布する。 このとき、周辺部の一部に接着剤の非塗布部をつくり、
液晶組成物を注入するための開口（注入口）とする。そ
して、このような２枚の電極基板を重ね、均一に圧着し
て空状セル（セル）を作製する。
【０００７】次いで、このようなセルを真空槽内に配置
し、真空吸引装置によりセルの内、外部をともに真空減
圧状態としてから、液晶組成物７を注入口に接するよう
に導き、この状態でセルの外部（真空槽内）を大気圧ま
たは加圧状態まで戻し、セル内部と外部との間に圧力差
を設ける。そしてこの差圧により、液晶組成物７を注入
口からセル内に注入（圧入）し、しかる後注入口を外側
から接着剤等で封止する方法が採られている。
し、真空吸引装置によりセルの内、外部をともに真空減
圧状態としてから、液晶組成物７を注入口に接するよう
に導き、この状態でセルの外部（真空槽内）を大気圧ま
たは加圧状態まで戻し、セル内部と外部との間に圧力差
を設ける。そしてこの差圧により、液晶組成物７を注入
口からセル内に注入（圧入）し、しかる後注入口を外側
から接着剤等で封止する方法が採られている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な従来の方法では、電極基板上にカラー・フィルター（
ＣＦ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成されてい
る場合には、セルの内部を完全に排気することができな
かった。すなわち、ＣＦやＴＦＴの形成部にガスが吸着
されており、真空槽内を３×１０−３ｔｏｒｒの真空度
まで６時間以上かけて減圧吸引しても、前記吸着ガスを
セル外へ完全に排出除去することができなかった。その
ため、例えば注入範囲が２２０ ×１８０ ｍｍのセル
に液晶組成物を注入充填した場合には、注入口と対角側
に気泡が残存してしまうという問題があった。
な従来の方法では、電極基板上にカラー・フィルター（
ＣＦ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成されてい
る場合には、セルの内部を完全に排気することができな
かった。すなわち、ＣＦやＴＦＴの形成部にガスが吸着
されており、真空槽内を３×１０−３ｔｏｒｒの真空度
まで６時間以上かけて減圧吸引しても、前記吸着ガスを
セル外へ完全に排出除去することができなかった。その
ため、例えば注入範囲が２２０ ×１８０ ｍｍのセル
に液晶組成物を注入充填した場合には、注入口と対角側
に気泡が残存してしまうという問題があった。
【０００９】本発明はこれらの問題を解決するためにな
されたもので、液晶組成物の注入工程でセル内部に気泡
を残存させることがなく、極めて信頼性の高い液晶表示
素子を製造する方法を提供することを目的とする。
されたもので、液晶組成物の注入工程でセル内部に気泡
を残存させることがなく、極めて信頼性の高い液晶表示
素子を製造する方法を提供することを目的とする。
【００１０】［発明の構成］
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子は
、互いに平行に配置された一対の電極基板の周りを、注
入口を除いて封止して空状セルを形成し、このセル内に
前記注入口から液晶組成物を注入充填した後、前記注入
口を外側から封止する液晶表示素子の製造方法において
、真空槽内で前記セルの内部を真空減圧した後、このセ
ルに超音波振動エネルギーを加えて共振させ、内周面に
吸着されたガスを完全に排気し、しかる後セル内に前記
液晶組成物を注入充填することを特徴としている。
、互いに平行に配置された一対の電極基板の周りを、注
入口を除いて封止して空状セルを形成し、このセル内に
前記注入口から液晶組成物を注入充填した後、前記注入
口を外側から封止する液晶表示素子の製造方法において
、真空槽内で前記セルの内部を真空減圧した後、このセ
ルに超音波振動エネルギーを加えて共振させ、内周面に
吸着されたガスを完全に排気し、しかる後セル内に前記
液晶組成物を注入充填することを特徴としている。
【００１２】本発明の別の液晶表示素子は互いに平行に
配置された一対の電極基板の周りを、注入口を除いて封
止して空状セルを形成し、このセル内に前記注入口から
液晶組成物を注入充填した後、前記注入口を外側から封
止する液晶表示素子の製造方法において、真空槽内で前
記セルに超音波振動エネルギーを加えて共振させ、内周
面に吸着されたガスを完全に排気し、前記セルの内部を
真空減圧した後、セル内に前乱液晶組成物を注入充填す
ることを特徴としている。
配置された一対の電極基板の周りを、注入口を除いて封
止して空状セルを形成し、このセル内に前記注入口から
液晶組成物を注入充填した後、前記注入口を外側から封
止する液晶表示素子の製造方法において、真空槽内で前
記セルに超音波振動エネルギーを加えて共振させ、内周
面に吸着されたガスを完全に排気し、前記セルの内部を
真空減圧した後、セル内に前乱液晶組成物を注入充填す
ることを特徴としている。
【００１３】
【作用】本発明の液晶表示素子の製造方法においては、
セル内部が真空減圧された後、このセルに、超音波発振
子から発振された超音波振動エネルギーが加えられ、そ
の結果セルが共振する。また、真空槽内でセルに超音波
振動エネルギーを加えて共振させ、内周面に吸着された
ガスを完全に排気し、セルの内部を真空減圧させる。そ
してこの共振により、セル内部のＣＦ、ＴＦＴ等の搭載
部上に吸着されたガスの、セル外への排出が著しく促さ
れ、しかる後セル内への液晶組成物の注入充填が行われ
る。したがって、セル内の排気が従来より短時間でしか
も完全に行われ、セル内部に気泡が残存することがない
。
セル内部が真空減圧された後、このセルに、超音波発振
子から発振された超音波振動エネルギーが加えられ、そ
の結果セルが共振する。また、真空槽内でセルに超音波
振動エネルギーを加えて共振させ、内周面に吸着された
ガスを完全に排気し、セルの内部を真空減圧させる。そ
してこの共振により、セル内部のＣＦ、ＴＦＴ等の搭載
部上に吸着されたガスの、セル外への排出が著しく促さ
れ、しかる後セル内への液晶組成物の注入充填が行われ
る。したがって、セル内の排気が従来より短時間でしか
も完全に行われ、セル内部に気泡が残存することがない
。
【００１４】このように本発明の製造方法によれば、生
産性が向上されるうえに、特性の改善された液晶表示素
子が得られる。
産性が向上されるうえに、特性の改善された液晶表示素
子が得られる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の液晶表示素子の製造方法の実
施例を図面に基づいて説明する。 図１は、本発明の
実施例における液晶組成物の注入工程を説明するための
断面図である。
施例を図面に基づいて説明する。 図１は、本発明の
実施例における液晶組成物の注入工程を説明するための
断面図である。
【００１６】実施例においては、まず２枚のガラス基板
１、２の表面に、それぞれＩＴＯ（インジウム−錫酸化
物）などの透明電極３、４を形成した後、各基板の電極
上に、ＴＦＴ９およびＣＦ１０をそれぞれ形成する。次
いで、ＴＦＴ９とＣＦ１０の上にポリイミド膜を形成し
た後ラビング処理を行い、配向膜５、６を形成する。次
に、こうして得られた電極基板の一方の表面（配向膜面
）に、プラスチックビーズ等の間隙材（スペーサ）を均
一に散布する。また、他方の電極基板上の配向膜の周辺
部に、液晶組成物を注入するための注入口１１を除いて
エポキシ樹脂系等の接着剤を塗布する。そして、このよ
うな２枚の電極基板を重ね、均一に圧着してセルを作製
する。
１、２の表面に、それぞれＩＴＯ（インジウム−錫酸化
物）などの透明電極３、４を形成した後、各基板の電極
上に、ＴＦＴ９およびＣＦ１０をそれぞれ形成する。次
いで、ＴＦＴ９とＣＦ１０の上にポリイミド膜を形成し
た後ラビング処理を行い、配向膜５、６を形成する。次
に、こうして得られた電極基板の一方の表面（配向膜面
）に、プラスチックビーズ等の間隙材（スペーサ）を均
一に散布する。また、他方の電極基板上の配向膜の周辺
部に、液晶組成物を注入するための注入口１１を除いて
エポキシ樹脂系等の接着剤を塗布する。そして、このよ
うな２枚の電極基板を重ね、均一に圧着してセルを作製
する。
【００１７】次いで、こうして作製されたセルを、下面
に超音波発振子１２が取着された保持治具１３の上面に
、水平に載置した後、これら全体を、真空吸引装置が具
備された真空槽１４内に配置する。そして、真空槽１４
を３×１０−３ｔｏｒｒの真空度になるまで減圧吸引し
、セル内を排気する。次に、超音波発振子１２を出力
６００（Ｗ） で作動させて周波数４０（ｋＨｚ） の
超音波を発振し、保持治具１３を介して接触配置された
セルを共振させる。 こうしてセル内のＴＦＴ９およびＣＦ１０の形成部に吸
着されたガスを外部へ排出させた後、超音波発振を停止
する。そして、注入口１１から液晶組成物をセル内に注
入充填した後、真空槽１４内を大気圧まで戻し、注入口
１１の外側に紫外線硬化型接着剤等を塗布して硬化させ
、注入口１１を完全に封止する。
に超音波発振子１２が取着された保持治具１３の上面に
、水平に載置した後、これら全体を、真空吸引装置が具
備された真空槽１４内に配置する。そして、真空槽１４
を３×１０−３ｔｏｒｒの真空度になるまで減圧吸引し
、セル内を排気する。次に、超音波発振子１２を出力
６００（Ｗ） で作動させて周波数４０（ｋＨｚ） の
超音波を発振し、保持治具１３を介して接触配置された
セルを共振させる。 こうしてセル内のＴＦＴ９およびＣＦ１０の形成部に吸
着されたガスを外部へ排出させた後、超音波発振を停止
する。そして、注入口１１から液晶組成物をセル内に注
入充填した後、真空槽１４内を大気圧まで戻し、注入口
１１の外側に紫外線硬化型接着剤等を塗布して硬化させ
、注入口１１を完全に封止する。
【００１８】このように構成される実施例の方法によれ
ば、セル内に吸着されたガスが完全に排出除去された後
に、液晶組成物の注入が行われるので、セル内部に気泡
が残存することがない。また、超音波エネルギーを受け
ても、セルや液晶組成物が加熱されることがなく、これ
により特性が損ねられることがないので、特性の良好な
液晶表示素子が得られる。さらに、セル内の排気が従来
より短時間でしかも完全に行われ、生産性の向上が達成
される。
ば、セル内に吸着されたガスが完全に排出除去された後
に、液晶組成物の注入が行われるので、セル内部に気泡
が残存することがない。また、超音波エネルギーを受け
ても、セルや液晶組成物が加熱されることがなく、これ
により特性が損ねられることがないので、特性の良好な
液晶表示素子が得られる。さらに、セル内の排気が従来
より短時間でしかも完全に行われ、生産性の向上が達成
される。
【００１９】なお、超音波発振子１２の発振周波数は、
例えば２８〜４２（ｋＨｚ） の範囲を使用することが
でき、出力としては６５〜７２０（Ｗ） の範囲で選択
することができるが、前記範囲に限定されるものではな
い。また、このような超音波発振子１２は、保持治具１
３の下面に密着させて取り付けるだけでなく、内部に埋
め込むことも可能である。さらに、超音波発振子１２を
連続的に使用した場合には、発振子自体が発熱して好ま
しくないので、断続的に運転して適宜冷却することが好
ましい。またさらに本発明の方法は、ＣＦ１０やＴＦＴ
９を使用した液晶表示素子に限らず、透明電極３、４の
みで非常にセル厚の薄い、強誘電性液晶を使用した素子
の製造においても、同様の効果を挙げることができる。
例えば２８〜４２（ｋＨｚ） の範囲を使用することが
でき、出力としては６５〜７２０（Ｗ） の範囲で選択
することができるが、前記範囲に限定されるものではな
い。また、このような超音波発振子１２は、保持治具１
３の下面に密着させて取り付けるだけでなく、内部に埋
め込むことも可能である。さらに、超音波発振子１２を
連続的に使用した場合には、発振子自体が発熱して好ま
しくないので、断続的に運転して適宜冷却することが好
ましい。またさらに本発明の方法は、ＣＦ１０やＴＦＴ
９を使用した液晶表示素子に限らず、透明電極３、４の
みで非常にセル厚の薄い、強誘電性液晶を使用した素子
の製造においても、同様の効果を挙げることができる。
【００２０】また、上述の実施例以外に、本発明では真
空槽内でセルに超音波振動エネルギーを加えて共振させ
、内周面に吸着されたガスを完全に排気し、セルの内部
を真空減圧した後、セル内に液晶組成物を注入充填して
も良いことは言うまでもない。
空槽内でセルに超音波振動エネルギーを加えて共振させ
、内周面に吸着されたガスを完全に排気し、セルの内部
を真空減圧した後、セル内に液晶組成物を注入充填して
も良いことは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、超
音波振動エネルギーを利用して、空状セル内部の吸着ガ
スの排気が完全かつ速やかに行われるので、液晶組成物
の注入に要する時間を大幅に短縮することができる。ま
た、セル内の真空到達度を、真空槽内の真空度と等しく
するまでに要していた時間を、従来の４０％に低減する
ことができ、液晶表示素子の生産性を飛躍的に向上させ
ることができる。
音波振動エネルギーを利用して、空状セル内部の吸着ガ
スの排気が完全かつ速やかに行われるので、液晶組成物
の注入に要する時間を大幅に短縮することができる。ま
た、セル内の真空到達度を、真空槽内の真空度と等しく
するまでに要していた時間を、従来の４０％に低減する
ことができ、液晶表示素子の生産性を飛躍的に向上させ
ることができる。
【００２２】さらに、本発明で使用する超音波振動エネ
ルギーは、セルや液晶組成物を加熱することなく、セル
内を脱ガスすることができるので、セルや液晶組成物の
特性低下を生じさせない。
ルギーは、セルや液晶組成物を加熱することなく、セル
内を脱ガスすることができるので、セルや液晶組成物の
特性低下を生じさせない。
【００２３】またさらに、セル内外の圧力差を利用した
従来の注入方法で問題となっていた、電極基板間での気
泡も発生しなくなり、セルの低温における空隙の発生防
止にも効果が大きい。
従来の注入方法で問題となっていた、電極基板間での気
泡も発生しなくなり、セルの低温における空隙の発生防
止にも効果が大きい。
【図１】 本発明の実施例における液晶組成物の注入
工程を説明するための断面図
工程を説明するための断面図
【図２】 従来の液晶表示素子の構造を示す断面図で
ある。
ある。
１、２…ガラス基板
３、４…透明電極
５、６…配向膜
７………液晶組成物
８………接着剤
９………ＴＦＴ
１０………ＣＦ
１１………注入口
１２………超音波発振子
１３………保持治具
１４………真空槽。
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに平行に配置された一対の電極基
板の周りを、注入口を除いて封止して空状セルを形成し
、このセル内に前記注入口から液晶組成物を注入充填し
た後、前記注入口を外側から封止する液晶表示素子の製
造方法において、真空槽内で前記セルの内部を真空減圧
した後、このセルに超音波振動エネルギーを加えて共振
させ、内周面に吸着されたガスを完全に排気し、しかる
後セル内に前記液晶組成物を注入充填することを特徴と
する液晶表示素子の製造方法。 - 【請求項２】 互いに平行に配置された一対の電極基
板の周りを、注入口を除いて封止して空状セルを形成し
、このセル内に前記注入口から液晶組成物を注入充填し
た後、前記注入口を外側から封止する液晶表示素子の製
造方法において、真空槽内で前記セルに超音波振動エネ
ルギーを加えて共振させ、内周面に吸着されたガスを完
全に排気し、前記セルの内部を真空減圧した後、セル内
に全乱液晶組成物を注入充填することを特徴とする液晶
表示素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082891A JPH04362922A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 液晶表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1082891A JPH04362922A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 液晶表示素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04362922A true JPH04362922A (ja) | 1992-12-15 |
Family
ID=11761225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1082891A Withdrawn JPH04362922A (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 液晶表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04362922A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7958914B2 (en) | 2005-12-30 | 2011-06-14 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal dropping apparatus for liquid crystal display device |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP1082891A patent/JPH04362922A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7958914B2 (en) | 2005-12-30 | 2011-06-14 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal dropping apparatus for liquid crystal display device |
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