JPH04352678A - 黒鉛製ウエハ保持治具 - Google Patents

黒鉛製ウエハ保持治具

Info

Publication number
JPH04352678A
JPH04352678A JP12355191A JP12355191A JPH04352678A JP H04352678 A JPH04352678 A JP H04352678A JP 12355191 A JP12355191 A JP 12355191A JP 12355191 A JP12355191 A JP 12355191A JP H04352678 A JPH04352678 A JP H04352678A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
graphite
pyrolytic carbon
holding jig
wafer holding
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12355191A
Other languages
English (en)
Inventor
Taishin Horio
堀尾 泰臣
Seiji Minoura
誠司 箕浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ibiden Co Ltd filed Critical Ibiden Co Ltd
Priority to JP12355191A priority Critical patent/JPH04352678A/ja
Publication of JPH04352678A publication Critical patent/JPH04352678A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Packaging Of Annular Or Rod-Shaped Articles, Wearing Apparel, Cassettes, Or The Like (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子用の原料ウ
エハを保持して、炉内に挿入するためのウエハ保持治具
に関し、特にその大部分を黒鉛材によって形成したウエ
ハ保持治具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ウエハ保持治具は、半導体素子を製造す
るプロセスにおいて、その原料となるシリコン等によっ
て形成したウエハに酸化膜を形成するために、図3に示
すように、多数のウエハを保持したまま高温炉内に挿入
されるものである。このウエハ上に酸化膜を形成する工
程では、同時に治具にも酸化膜が形成されるが、この治
具を繰り返し使用すると酸化膜がしだいに厚く堆積する
こととなり、これが使用中に剥離し、ウエハに悪影響を
及ぼすため、定期的にフッ酸による酸化膜の洗浄が必要
となる。
【0003】この種のウエハ保持治具としては、一般に
は石英素材を使用して形成されているが、この石英素材
はフッ酸に弱いため、フッ酸洗浄を何回も繰り返すとこ
の石英素材からなるウエハ保持治具は細ってしまって使
用できなくなることから、耐久性に劣るものであった。
【0004】そこで、フッ酸に対する耐触性を有するセ
ラミックスによって、この種のウエハ保持治具を形成す
ることも考えられているのであるが、近年の技術の進歩
に伴ってウエハ自体の径が大きくなってきており、セラ
ミックスの焼成収縮を考慮しながら大型化したウエハ保
持治具を形成することは非常に困難となってきているの
である。特に、セラミックスは、その優れた硬度が災い
して加工性が非常に悪いものであり、寸法精度において
も大型化すればするほど劣るものであるのである。そし
て、何よりも、セラミックスは、焼成助剤を使用して焼
成されるものであるが、この焼成助剤が焼成後に不純物
として残留するものであり、この残留不純物はウエハ保
持治具として問題となるのである。
【0005】そこで、現在は、耐熱性、易加工性、耐薬
品等のウエハ保持治具を構成するものとしての長所を多
く有した黒鉛材を使用したものも提案されてきている。 このようなウエハ保持治具用の材料として使用されてい
る高密度黒鉛は、少なくとも優れた化学的安定性を備え
、高密度化も容易であることから、特性的に極めて好適
な材料である。
【0006】ところが、黒鉛材を使用して形成したウエ
ハ保持治具においては、その使用を繰り返すと、黒鉛材
の一部が微細な粒子となって脱落することがあり、これ
がウエハの汚損の原因となることがあったのである。ま
た、この高密度黒鉛は、コークスあるいはカーボンの微
粉をタールピッチなどのバインダー成分と共に高密度に
形成した後焼成することにより黒鉛化したものであり、
巨視的には黒鉛の粒体集合による組織構造を有している
ため、粒体脱落による消耗が発生するだけでなく、脱落
した黒鉛粒子がウエハ上面を汚染する等の欠点を招く不
都合がある。さらには、高密度黒鉛は、その組織構造に
おいて気孔(細孔)を有するため、黒鉛製治具をフッ酸
で洗浄するとその気孔にフッ酸が入り込み、一旦気孔内
に入り込んだフッ酸はぬけにくいという不都合もある。
【0007】以上のような、この種のウエハ保持治具に
おける開発・改良経過を詳細に検討した結果、本発明者
等は、この種のウエハ保持治具を構成するための材料と
しては全ての面を考慮するとやはり黒鉛材が優れている
との結論を得たのであるが、黒鉛材を使用するためには
上述した問題を解決しなければならないことになった。 そこで、本発明者等は、黒鉛材からの粒子の脱落をどの
ように防止するか、またフッ酸洗浄の際、フッ酸の入り
込みをどのように防止するかについて種々研究してきた
結果、所謂熱分解炭素を採用することが良い結果を生む
ことに気付き、本発明を完成したのである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の経緯
に基づいてなされたもので、その解決しようとする課題
は、ウエハ保持治具を黒鉛材によって形成した場合の黒
鉛粒子の脱落である。
【0009】そして、本発明の目的とするところは、黒
鉛材から黒鉛粒子が脱落しないようにして、ウエハへの
汚損の問題を解決しながら黒鉛材の長所を十分生かすこ
とのできるウエハ保持治具を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
めに、本発明の採った手段は、「全体が等方性高密度高
純度で、かつ水銀圧入法で測定される平均細孔半径が1
8000オングストローム以下である黒鉛材によって形
成されて、半導体素子用の原料ウエハ20を保持するた
めのウエハ保持治具10であって、黒鉛材の表面に、熱
分解炭素からなる被膜を形成したことを特徴とするウエ
ハ保持治具10」である。
【0011】特に、本発明に係るウエハ保持治具10に
おいて、その基材である黒鉛材が、水銀圧入法で測定さ
れる平均細孔半径が18000オングストローム以下の
ものであることが必要である。その理由は、黒鉛材表面
に形成した熱分解炭素被膜14のアンカー効果を十分な
ものとする必要があるからである。また、もし、この黒
鉛材の水銀圧入法で測定される平均細孔半径が1800
0よりも大きいと、黒鉛材の表面に形成された熱分解炭
素被膜14の十分な平坦性を確保することができなくて
、当該ウエハ保持治具10を激しいヒートサイクル中に
置いたとき、熱分解炭素被膜14に集中応力が部分的に
かかり易くなって折角形成した熱分解炭素被膜14に亀
裂が早期に入ってしまったり、場合によっては剥離して
しまうからである。
【0012】
【発明の作用】以上のように構成した本発明に係るウエ
ハ保持治具10の作用について説明すると、次の通りで
ある。
【0013】まず、本発明に係るウエハ保持治具10は
、その支持台11や棚棒12等の構成部材を黒鉛材によ
って形成してあるから、その加工が容易なものとなって
いるだけでなく、寸法精度にも優れており、これによっ
て保持するウエハ20に酸化膜を形成する場合の温度に
十分耐え得るものとなっている。
【0014】本発明に係るウエハ保持治具10は、黒鉛
材によって形成した支持台11等の各構成部材の表面に
熱分解炭素被膜14を形成したのであるから、その表面
全体が熱分解炭素被膜14によって覆われたものとなっ
ている。この熱分解炭素被膜14は、その内側に位置す
る黒鉛材が粒体の集合体としての組織構造を有している
のに対して、粒体集合体とは異なる緻密組織となってい
る。つまり、この熱分解炭素被膜14は気孔がほとんど
存在せず、しかも密度が大きく、ガラスなみの非常に低
い気体透過率を有したものとなっているのである。
【0015】そして、特に重要なことは、このウエハ保
持治具10の各構成部材を形成している黒鉛材として、
水銀圧入法で測定される平均細孔半径が18000オン
グストローム以下であるものを使用したから、この黒鉛
材の表面に形成されるべき熱分解炭素被膜14の黒鉛材
に対するアンカー効果が非常に優れたものとなっており
、この熱分解炭素被膜14の黒鉛材に対する接着強度は
十分なものとなっているのである。
【0016】また、このウエハ保持治具10を構成して
いる黒鉛材が前述したようなものであるため、その表面
に形成された熱分解炭素被膜14は、十分な平坦性・平
面性を有したものとなっており、当該ウエハ保持治具1
0を激しいヒートサイクル中に置いたとしても、熱分解
炭素被膜14に部分的な集中応力がかかることはない。 このことによっても、熱分解炭素被膜14の黒鉛材に対
する接着性は良好なものとなっているのであり、熱分解
炭素被膜14自体の耐久性も向上しているのである。
【0017】一方、ウエハ保持治具10の外表面全てが
、以上のような性質を有する熱分解炭素被膜14によっ
て、図2に示すように被覆されているから、このウエハ
保持治具10を図3に示したような炉内に入れて加熱し
その後に室温状態に置くというヒートサイクル中に何回
も曝した場合に、ウエハ保持治具10表面の熱分解炭素
被膜は、上記ヒートサイクルによって影響されず、黒鉛
材のように粒子が脱落することはないのである。また、
気孔がほとんど存在しないため、炉外へ出し、大気にふ
れた場合でも、水分及びガス等の吸着はなく、使用時に
放出されるガス分は極めて少ない。従って、このウエハ
保持治具10を使用すれば、ウエハ20の汚損は解避さ
れるのである。なお、熱分解炭素被膜14自体が含有す
る全灰分を、後述の実施例にて示すように、10ppm
以下に抑えることが可能であるから、この熱分解炭素被
膜14の灰分によるウエハ20の汚損は全く無視し得る
ものである。
【0018】また、熱分解炭素被膜14自体はフッ酸に
対する耐触性に非常に優れた性質を有しているので、こ
れによって被覆したウエハ保持治具10をフッ酸によっ
て何回洗浄したとしても、これによりウエハ保持治具1
0が消耗することはないのである。従って、このウエハ
保持治具10は、その耐久性に非常に優れたものとなっ
ているのである。さらに、熱分解炭素被膜は、粒体集合
体としての組織構造を有する黒鉛材とは異なる緻密組織
を有し、気孔をほとんど内在しないため、フッ酸が入り
込んでぬけにくいという不都合は生じない。
【0019】
【実施例】次に、本発明に係るウエハ保持治具10を、
図面に示した実施例に従って説明すると、このウエハ保
持治具10は、図1に示すように、一対の支持台11間
に多数の保持溝13を有する棚棒12を連結して一体化
したものであり、これらの支持台11及び棚棒12は、
等方性を有し、高密度(1.7〜2.0g/cm3)で
しかも高純度(全灰分10ppm以下)の黒鉛材によっ
て形成したものである。また、このウエハ保持治具10
を構成している支持台11等の構造部材を形成している
黒鉛材は、水銀圧入法で測定される平均細孔半径が18
000オングストローム以下のものである。そして、こ
れら支持台11及び棚棒12等の構成部材の表面には、
図2に示したように、厚さ10〜500μm程度の熱分
解炭素被膜14が形成してある。
【0020】また、本実施例において使用している黒鉛
材にあっては、その上記の範囲の平均細孔半径を有する
細孔の占める容積が、0.02cc/g〜0.20cc
/gとしてある。このような容積の細孔を形成したのは
、この黒鉛材表面に形成される熱分解炭素被膜14のア
ンカー効果をより効果的にするためであり、熱分解炭素
被膜14の密着性確保と、熱分解炭素被膜14に対する
ヒートサイクル中での集中応力の発生がないようにする
ためである。
【0021】このウエハ保持治具10は、本実施例にお
いては次のように形成している。まず、前述したような
黒鉛材を使用して各支持台11及び棚棒12を形成する
。勿論、各棚棒12には予め保持溝13を形成しておく
。そして、これらを図1に示したような状態のものとし
て組み付けてから、その全体表面に熱分解炭素被膜14
を形成したのである。
【0022】熱分解炭素の被覆14を、黒鉛基材表面に
形成する方法としては、通常用いられる各種化学蒸着法
(CVD)により行うことができ、黒鉛基材上を800
〜2600℃に加熱しておき、炭化水素あるいはハロゲ
ン化炭化水素を水素ガス共存下で基材と接触させ、多数
の気孔を有する黒鉛基材上に熱分解炭素の緻密な層を形
成させる。これらの反応は常圧もしくは減圧下で行われ
るが、熱分解炭素被膜の均一性、平滑性を考えると減圧
下、特に300Torr以下で行うことが望ましい。ま
た、熱分解炭素表面層の厚みは、10μm〜500μm
が望ましい。その理由は、10μm以下では十分な耐消
耗性が得られないからであり、500μm以上では基材
との熱膨張差により被膜にクラックを生じる可能性が大
きいからである。
【0023】勿論、以上のように形成した熱分解炭素そ
れ自体は高純度であるが、これを積層させるために使用
した黒鉛基材中に種々な不純物、例えば、鉄、ニッケル
、コバルト、バナジウムが混入していることがあり、こ
れらが熱分解炭素側に残留することがある。熱分解炭素
中に不純物が混入する経路として考えられるのは、前述
した黒鉛基材中の不純物が、熱分解炭素形成中に拡散す
ること、及び供給ガス中に不純物が混入していることが
あげられる。これらの不純物は、高純度の黒鉛基材を用
いること及び供給ガスの純度(ガス供給部品、供給管及
び反応容器等の構造、材質を選択する)により、熱分解
炭素中に混入しないようにすることができるものである
。このような方法によって、当該熱分解炭素被膜14中
の全灰分(鉄などの不純物)の量を10ppm以下とす
ることができるのである。
【0024】熱分解炭素被膜14を形成するための原料
ガスとしては、不純物を十分除去したメタン、プロパン
あるいはベンゼン等の炭化水素ガスを用い、その濃度の
調整をも行なうキャリアガスとして水素ガス及びアルゴ
ンガスを使用した。これにより、原料ガスは、高温にな
っている支持台11等の表面で、分解、結合などにより
、熱分解炭素となって沈積した。
【0025】以上の図1に示したウエハ保持治具10は
、所謂横型のものであるが、本発明は図4に示すような
縦型のウエハ保持治具10にも適用できることは言うま
でもない。
【0026】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明においては
、上記実施例にて例示した如く、「全体が等方性高密度
高純度で、かつ水銀圧入法で測定される平均細孔半径が
18000オングストローム以下である黒鉛材によって
形成されて、半導体素子用の原料ウエハ20を保持する
ためのウエハ保持治具10であって、黒鉛材の表面に、
熱分解炭素からなる被膜を形成したこと」にその特徴が
あり、これにより、黒鉛材から黒鉛粒子が剥がれないよ
うにして、ウエハへの汚損の問題を解決しながら黒鉛材
の長所を十分生かすことのできるウエハ保持治具を提供
することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る横型のウエハ保持治具にウエハを
保持させた状態を示す斜視図である。
【図2】ウエハ保持治具の表面に形成した熱分解炭素被
膜を示す部分拡大断面図である。
【図3】ウエハ保持治具を使用している状態の断面図で
ある。
【図4】縦型のウエハ保持治具の斜視図である。
【符号の説明】
10  ウエハ保持治具 11  支持台 12  棚棒 13  保持溝 14  熱分解炭素被膜 20  ウエハ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  全体が等方性高密度高純度で、かつ水
    銀圧入法で測定される平均細孔半径が18000オング
    ストローム以下である黒鉛材によって形成されて、半導
    体素子用の原料ウエハを保持するためのウエハ保持治具
    であって、前記黒鉛材の表面に、熱分解炭素からなる被
    膜を形成したことを特徴とするウエハ保持治具。
JP12355191A 1991-05-28 1991-05-28 黒鉛製ウエハ保持治具 Pending JPH04352678A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12355191A JPH04352678A (ja) 1991-05-28 1991-05-28 黒鉛製ウエハ保持治具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12355191A JPH04352678A (ja) 1991-05-28 1991-05-28 黒鉛製ウエハ保持治具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04352678A true JPH04352678A (ja) 1992-12-07

Family

ID=14863404

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12355191A Pending JPH04352678A (ja) 1991-05-28 1991-05-28 黒鉛製ウエハ保持治具

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04352678A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7732739B2 (en) * 2004-10-19 2010-06-08 Canon Anelva Corporation Substrate heat treatment apparatus and substrate transfer tray used in substrate heat treatment

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6374995A (ja) * 1986-09-19 1988-04-05 Toyo Tanso Kk エピタキシヤル成長用黒鉛材料

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6374995A (ja) * 1986-09-19 1988-04-05 Toyo Tanso Kk エピタキシヤル成長用黒鉛材料

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7732739B2 (en) * 2004-10-19 2010-06-08 Canon Anelva Corporation Substrate heat treatment apparatus and substrate transfer tray used in substrate heat treatment
EP1804284B1 (en) * 2004-10-19 2016-05-11 Canon Anelva Corporation Substrate heat treatment apparatus and substrate transfer tray used in substrate heat treatment

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI534289B (zh) A carbonaceous material coated with tantalum carbide and a method for producing the same
TWI388686B (zh) Acceptor
EP0582444A1 (en) Ultra pure silicon carbide and high temperature semiconductor processing equipment made therefrom
KR20150074790A (ko) 응력 완충층을 포함하는 SiC 코팅 탄소 부재 및 그 제조 방법
WO2021117498A1 (ja) 炭化タンタル被覆グラファイト部材及びその製造方法
JPH04352678A (ja) 黒鉛製ウエハ保持治具
US20060003567A1 (en) MoSi2-SiC nanocomposite coating, and manufacturing method thereof
JPH04352680A (ja) 黒鉛製ウエハ保持治具
JP2719664B2 (ja) 黒鉛製ウエハ保持治具
US6881262B1 (en) Methods for forming high purity components and components formed thereby
JP3220730B2 (ja) 常圧cvd装置のための黒鉛製ウエハ保持治具
JPS62189726A (ja) 半導体気相成長用サセプタ
JPH04352679A (ja) 黒鉛製ウエハ保持治具
JP3937072B2 (ja) ダミーウェハー
JPH06135793A (ja) 複層セラミックスるつぼ
JP2855458B2 (ja) 半導体用処理部材
JP3553744B2 (ja) 積層部材の製造方法
JPH01282153A (ja) 炭化珪素質反応管
JPH092876A (ja) 熱処理炉用部材
JP2004111686A (ja) 半導体処理用部材及び半導体処理用部材の洗浄方法
JPH07147277A (ja) 半導体用部材
JPH10265265A (ja) SiC部材及びその製造方法
JPH0471880B2 (ja)
JP2003045812A (ja) 炭化珪素質半導体製造装置用部材およびその製造方法
JPH06163439A (ja) 半導体拡散炉用ボート及びその製造方法