JPH04293212A - 高圧パルストランス - Google Patents
高圧パルストランスInfo
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- JPH04293212A JPH04293212A JP3058744A JP5874491A JPH04293212A JP H04293212 A JPH04293212 A JP H04293212A JP 3058744 A JP3058744 A JP 3058744A JP 5874491 A JP5874491 A JP 5874491A JP H04293212 A JPH04293212 A JP H04293212A
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、高圧放電ランプを始
動させるイグナイタ回路等に使用される高圧パルストラ
ンスに関するものである。
動させるイグナイタ回路等に使用される高圧パルストラ
ンスに関するものである。
【0002】
【従来の技術】高圧放電ランプを始動,再始動するには
、イグナイタ回路(高電圧パルス発生装置)により、高
圧放電ランプに高電圧パルスを印加する必要がある。 その電圧は初始動時には数kV程度であるが、瞬時再始
動時には数10kVの非常に高い電圧にする必要がある
。
、イグナイタ回路(高電圧パルス発生装置)により、高
圧放電ランプに高電圧パルスを印加する必要がある。 その電圧は初始動時には数kV程度であるが、瞬時再始
動時には数10kVの非常に高い電圧にする必要がある
。
【0003】図6に代表的な高圧放電灯点灯回路を示す
。図6において、70はイグナイタ部、71は高圧放電
ランプ、72は放電灯安定器である。電源73,74を
投入すると、放電灯安定器72と高圧パルストランス7
5の2次巻線75−2を介して高圧放電ランプ71に電
源電圧が印加される。同時に、パルス発生回路76から
パルス信号が発生する。
。図6において、70はイグナイタ部、71は高圧放電
ランプ、72は放電灯安定器である。電源73,74を
投入すると、放電灯安定器72と高圧パルストランス7
5の2次巻線75−2を介して高圧放電ランプ71に電
源電圧が印加される。同時に、パルス発生回路76から
パルス信号が発生する。
【0004】パルス発生回路76は、例えば図7に示す
ように構成されている。図7において、電源74に整流
回路77とトランジスタからなるスイッチング素子78
を介してフライバックトランス79の1次巻線が接続さ
れている。電源74がオンの時、スイッチング素子78
をオンにすると、電流Ifが流れて、フライバックトラ
ンス79の1次巻線に電圧が発生する。つぎに、スイッ
チング素子78がオフの時、フライバックトランス79
の2次巻線にフライバック電圧が生じ、電流Icが流れ
、コンデンサ80が充電される。
ように構成されている。図7において、電源74に整流
回路77とトランジスタからなるスイッチング素子78
を介してフライバックトランス79の1次巻線が接続さ
れている。電源74がオンの時、スイッチング素子78
をオンにすると、電流Ifが流れて、フライバックトラ
ンス79の1次巻線に電圧が発生する。つぎに、スイッ
チング素子78がオフの時、フライバックトランス79
の2次巻線にフライバック電圧が生じ、電流Icが流れ
、コンデンサ80が充電される。
【0005】このスイッチング素子78のオン,オフを
繰り返すことにより、コンデンサ80の両端の電圧は次
第に上昇する。この電圧が2点ギャップスイッチ81の
放電開始電圧より高くなると、2点ギャップスイッチ8
1の電極間で放電し、コンデンサ80に充電されていた
電荷が瞬時に放出され、電流Igが瞬時に流れようとす
る。この時、高圧パルストランス75の1次巻線75−
1には、電流Igの変化率に比例して、高電圧のパルス
が発生する。
繰り返すことにより、コンデンサ80の両端の電圧は次
第に上昇する。この電圧が2点ギャップスイッチ81の
放電開始電圧より高くなると、2点ギャップスイッチ8
1の電極間で放電し、コンデンサ80に充電されていた
電荷が瞬時に放出され、電流Igが瞬時に流れようとす
る。この時、高圧パルストランス75の1次巻線75−
1には、電流Igの変化率に比例して、高電圧のパルス
が発生する。
【0006】なお、このパルス発生回路76において、
例えばコンデンサ80の容量を数百〜数千pF、高圧パ
ルストランス75の1次側のインダクタンスを数mHに
設定すると、非常に急峻な立ち上がりのパルス電圧が得
られる。このようにして得られたパルスを高圧パルスト
ランス75で昇圧し、図6に示すコンデンサ82を介し
て高電圧パルスを高圧放電ランプ71の両端に印加する
。この時の高圧パルス電圧が高圧放電灯71の放電開始
電圧より高いと、高圧放電ランプ71が始動する。始動
後、イグナイタ部70を停止させる。
例えばコンデンサ80の容量を数百〜数千pF、高圧パ
ルストランス75の1次側のインダクタンスを数mHに
設定すると、非常に急峻な立ち上がりのパルス電圧が得
られる。このようにして得られたパルスを高圧パルスト
ランス75で昇圧し、図6に示すコンデンサ82を介し
て高電圧パルスを高圧放電ランプ71の両端に印加する
。この時の高圧パルス電圧が高圧放電灯71の放電開始
電圧より高いと、高圧放電ランプ71が始動する。始動
後、イグナイタ部70を停止させる。
【0007】上記の高圧放電灯点灯回路において、高圧
放電ランプ71を再始動するには、数10kVの高圧パ
ルスを印加する必要があり、高圧パルストランス75の
絶縁性の確保が重要となる。また、高圧パルストランス
75は、通常高圧放電ランプ71の近傍に接地するため
、照明器具に組み込む必要があり、小型化が要求される
。
放電ランプ71を再始動するには、数10kVの高圧パ
ルスを印加する必要があり、高圧パルストランス75の
絶縁性の確保が重要となる。また、高圧パルストランス
75は、通常高圧放電ランプ71の近傍に接地するため
、照明器具に組み込む必要があり、小型化が要求される
。
【0008】このように、高電圧印加ならびに小型化と
いった相反することがらを同時に満たすために、従来の
高圧パルストランス75では下記のような対策がなされ
てきた。■ 図8に示すように、コア85を内嵌した
ボビン86の外周に、1次巻線87ならびに2次巻線8
8を巻回し、これら1次巻線87および2次巻線88間
にシリコン樹脂等からなる絶縁シート89を介装して高
圧パルストランス本体Bを形成する。そして、高圧パル
ストランス本体Bを主要構成要素とする高圧パルストラ
ンス全体に絶縁充填材を充填する。
いった相反することがらを同時に満たすために、従来の
高圧パルストランス75では下記のような対策がなされ
てきた。■ 図8に示すように、コア85を内嵌した
ボビン86の外周に、1次巻線87ならびに2次巻線8
8を巻回し、これら1次巻線87および2次巻線88間
にシリコン樹脂等からなる絶縁シート89を介装して高
圧パルストランス本体Bを形成する。そして、高圧パル
ストランス本体Bを主要構成要素とする高圧パルストラ
ンス全体に絶縁充填材を充填する。
【0009】■ 図9(a),(b)に示すように、
2次巻線91を巻回した絶縁物製のボビン90内に、1
次巻線92を巻回したボビン93を内嵌し、かつボビン
93内にコア94を内嵌して高圧パルストランス本体C
を形成する。そして、高圧パルストランス本体Cを主要
構成要素とする高圧パルストランス全体に絶縁充填材を
充填する。
2次巻線91を巻回した絶縁物製のボビン90内に、1
次巻線92を巻回したボビン93を内嵌し、かつボビン
93内にコア94を内嵌して高圧パルストランス本体C
を形成する。そして、高圧パルストランス本体Cを主要
構成要素とする高圧パルストランス全体に絶縁充填材を
充填する。
【0010】上記■,■の構成の高圧パルストランスに
おいて、全体に絶縁充填材を充填する方法としては、減
圧充填法が用いられてきた。この方法は、ケース(図示
せず)内に高圧パルストランス本体BまたはCとエポキ
シ樹脂やシリコン樹脂等の絶縁充填材とを入れ、このケ
ースを減圧機内に入れて圧力を徐々に低下させ、空気を
抜きながら絶縁充填材を充填するというものである。
おいて、全体に絶縁充填材を充填する方法としては、減
圧充填法が用いられてきた。この方法は、ケース(図示
せず)内に高圧パルストランス本体BまたはCとエポキ
シ樹脂やシリコン樹脂等の絶縁充填材とを入れ、このケ
ースを減圧機内に入れて圧力を徐々に低下させ、空気を
抜きながら絶縁充填材を充填するというものである。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来の高圧パルストラ
ンスでは、減圧充填法によって絶縁充填材を充填する際
に、絶縁充填材中に空気が残ることがあった。残った空
気は気泡となり、高圧パルストランスの絶縁性の低下に
つながるという問題があった。また、空気を完全に抜く
には、充填に長時間を要するという問題があった。
ンスでは、減圧充填法によって絶縁充填材を充填する際
に、絶縁充填材中に空気が残ることがあった。残った空
気は気泡となり、高圧パルストランスの絶縁性の低下に
つながるという問題があった。また、空気を完全に抜く
には、充填に長時間を要するという問題があった。
【0012】そこで、短時間に空気を完全に抜くために
、下記の■,■の方法を考えた。■ 図10に示すよ
うに、高圧パルストランス本体Cと絶縁充填材99とを
入れたケース95を、傾斜した作業台96に載せる。し
かし、この方法では、傾斜した分だけ絶縁充填材99の
量よりケース95の容量を大きくしなければならず、大
型化するという問題があった。
、下記の■,■の方法を考えた。■ 図10に示すよ
うに、高圧パルストランス本体Cと絶縁充填材99とを
入れたケース95を、傾斜した作業台96に載せる。し
かし、この方法では、傾斜した分だけ絶縁充填材99の
量よりケース95の容量を大きくしなければならず、大
型化するという問題があった。
【0013】■ 図11に示すように、高圧パルスト
ランス本体Cを起立姿勢でケース97内に入れる。しか
し、この方法では、ケース97から取り出した2次巻線
91どうしの間隔が狭くなり、絶縁性が悪くなるという
問題があった。■ 図12に示すように、高圧パルス
トランス本体Aを底面に高低差を有したケース19内に
転倒姿勢で入れる。なお、10はコア、11は1次側ボ
ビン、12は2次側ボビン、13は1次巻線、14は2
次巻線、17,18はケースに設けた段部、23は絶縁
充填材である。
ランス本体Cを起立姿勢でケース97内に入れる。しか
し、この方法では、ケース97から取り出した2次巻線
91どうしの間隔が狭くなり、絶縁性が悪くなるという
問題があった。■ 図12に示すように、高圧パルス
トランス本体Aを底面に高低差を有したケース19内に
転倒姿勢で入れる。なお、10はコア、11は1次側ボ
ビン、12は2次側ボビン、13は1次巻線、14は2
次巻線、17,18はケースに設けた段部、23は絶縁
充填材である。
【0014】しかし、この方法においても、ケース19
に設けた高低差の寸法分はケース19を大きくする必要
があるという難点を有するものであった。したがって、
この発明の目的は、小型化することができ、しかも絶縁
充填材の充填時間を短縮することができる高圧パルスト
ランスを提供することである。
に設けた高低差の寸法分はケース19を大きくする必要
があるという難点を有するものであった。したがって、
この発明の目的は、小型化することができ、しかも絶縁
充填材の充填時間を短縮することができる高圧パルスト
ランスを提供することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】この発明の高圧パルスト
ランスは、1次巻線を巻回した1次側ボビンと1次巻線
に対して絶縁して2次巻線を巻回した2次側ボビンとを
、1次側ボビンを内側にしてコアに同心状に外嵌して高
圧パルストランス本体を構成している。そして、底面が
平坦となったケース内に高圧パルストランス本体を転倒
姿勢で収容し、この状態でケース内に絶縁充填材を充填
している。
ランスは、1次巻線を巻回した1次側ボビンと1次巻線
に対して絶縁して2次巻線を巻回した2次側ボビンとを
、1次側ボビンを内側にしてコアに同心状に外嵌して高
圧パルストランス本体を構成している。そして、底面が
平坦となったケース内に高圧パルストランス本体を転倒
姿勢で収容し、この状態でケース内に絶縁充填材を充填
している。
【0016】高圧パルストランス本体をケース内に転倒
姿勢で収容したときに、コアと1次側ボビンの内周面と
の接合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボビンの
内周面との接合面がそれぞれ上面でケースの底面に対し
て傾斜した状態になるように、2次側ボビンの高圧側端
部となる一端部から2次側ボビンの低圧側端部となる他
端部にかけて、2次側ボビンの肉厚を漸次減少させ、さ
らに1次側ボビンの肉厚およびコアの形状を設定してい
る。
姿勢で収容したときに、コアと1次側ボビンの内周面と
の接合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボビンの
内周面との接合面がそれぞれ上面でケースの底面に対し
て傾斜した状態になるように、2次側ボビンの高圧側端
部となる一端部から2次側ボビンの低圧側端部となる他
端部にかけて、2次側ボビンの肉厚を漸次減少させ、さ
らに1次側ボビンの肉厚およびコアの形状を設定してい
る。
【0017】
【作用】高圧パルストランス本体をケース内に転倒姿勢
で収容したときに、コアと1次側ボビンの内周面との接
合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボビンの内周
面との接合面がそれぞれ上面でケースの底面に対して傾
斜した状態になる。この結果、コアと1次側ボビンの内
周面との接合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボ
ビンの内周面との接合面に残存する空気が浮力によって
前記接合面に沿って移動し、高圧パルストランス本体の
外部へ抜けやすくなり、気泡の残留を防止して絶縁性能
を高めることができ、あるいは残留気泡を充分に少なく
するまでに要する充填時間を短縮することができる。
で収容したときに、コアと1次側ボビンの内周面との接
合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボビンの内周
面との接合面がそれぞれ上面でケースの底面に対して傾
斜した状態になる。この結果、コアと1次側ボビンの内
周面との接合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボ
ビンの内周面との接合面に残存する空気が浮力によって
前記接合面に沿って移動し、高圧パルストランス本体の
外部へ抜けやすくなり、気泡の残留を防止して絶縁性能
を高めることができ、あるいは残留気泡を充分に少なく
するまでに要する充填時間を短縮することができる。
【0018】また、コアと1次側ボビンの内周面との接
合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボビンの内周
面との接合面をそれぞれケースの底面に対して傾斜させ
るために、2次側ボビンの肉厚を一端部から他端部にか
けて漸次変化させているが、2次側ボビンの低圧側端部
となる他端部の絶縁距離が2次側ボビンの高圧側端部と
なる一端部に比べて小さくてもよいということに着目し
て、2次側ボビンの一端部から他端部にかけて2次側ボ
ビンの肉厚を漸次減少させている。
合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボビンの内周
面との接合面をそれぞれケースの底面に対して傾斜させ
るために、2次側ボビンの肉厚を一端部から他端部にか
けて漸次変化させているが、2次側ボビンの低圧側端部
となる他端部の絶縁距離が2次側ボビンの高圧側端部と
なる一端部に比べて小さくてもよいということに着目し
て、2次側ボビンの一端部から他端部にかけて2次側ボ
ビンの肉厚を漸次減少させている。
【0019】このため、高圧パルストランス本体の最外
径を大きくすることなく、コアと1次側ボビンの内周面
との接合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボビン
の内周面との接合面を傾斜させることができ、しかも、
傾斜をさせるためにケースに高低差を設けることは不要
である。したがって、高圧パルストランスの小型化を実
現することができる。
径を大きくすることなく、コアと1次側ボビンの内周面
との接合面および1次側ボビンの外周面と2次側ボビン
の内周面との接合面を傾斜させることができ、しかも、
傾斜をさせるためにケースに高低差を設けることは不要
である。したがって、高圧パルストランスの小型化を実
現することができる。
【0020】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。この発明は、以下に点に着目して成された
ものである。図7に示したパルス発生回路76において
、高圧パルストランス75の2次巻線75−2に発生す
る電圧は、図2に示すように、当該2次巻線75−2の
低圧側端子aを0Vとして、高圧側端子bに近づくに従
って電圧が漸次上昇し、高圧側端子bで最大電圧となる
。
ら説明する。この発明は、以下に点に着目して成された
ものである。図7に示したパルス発生回路76において
、高圧パルストランス75の2次巻線75−2に発生す
る電圧は、図2に示すように、当該2次巻線75−2の
低圧側端子aを0Vとして、高圧側端子bに近づくに従
って電圧が漸次上昇し、高圧側端子bで最大電圧となる
。
【0021】つまり、1次巻線75−1と2次巻線75
−2間の絶縁性能を確保するためのボビンの板厚も上記
2次巻線75−2の各部に発生する電圧に対応した板厚
を確保すればよい。 第1の実施例 図1にこの発明の第1の実施例の高圧パルストランスの
概略断面図を示す。
−2間の絶縁性能を確保するためのボビンの板厚も上記
2次巻線75−2の各部に発生する電圧に対応した板厚
を確保すればよい。 第1の実施例 図1にこの発明の第1の実施例の高圧パルストランスの
概略断面図を示す。
【0022】この高圧パルストランスは、1次巻線13
を巻回した1次側ボビン11と1次巻線13に対して絶
縁して2次巻線14を巻回した2次側ボビン12Aとを
、1次側ボビン11を内側にしてコア10に同心状に外
嵌して高圧パルストランス本体Dを構成している。そし
て、底面が平坦となったケース19内に高圧パルストラ
ンス本体Dを転倒姿勢で収容し、この状態でケース19
内に絶縁充填材23を充填して硬化させている。1次側
ボビン11および2次側ボビン12Aは、ともに絶縁物
で作られている。充填される絶縁充填材23としては、
例えばシリコン樹脂あるいはエポキシ樹脂などが考えら
れ、減圧充填法によって高圧パルストランス本体Dに充
填される。
を巻回した1次側ボビン11と1次巻線13に対して絶
縁して2次巻線14を巻回した2次側ボビン12Aとを
、1次側ボビン11を内側にしてコア10に同心状に外
嵌して高圧パルストランス本体Dを構成している。そし
て、底面が平坦となったケース19内に高圧パルストラ
ンス本体Dを転倒姿勢で収容し、この状態でケース19
内に絶縁充填材23を充填して硬化させている。1次側
ボビン11および2次側ボビン12Aは、ともに絶縁物
で作られている。充填される絶縁充填材23としては、
例えばシリコン樹脂あるいはエポキシ樹脂などが考えら
れ、減圧充填法によって高圧パルストランス本体Dに充
填される。
【0023】高圧パルストランス本体Dは、ケース19
内に転倒姿勢で収容したときに、コア10と1次側ボビ
ン11の内周面との接合面および1次側ボビン11の外
周面と2次側ボビン12Aの内周面との接合面がそれぞ
れケース19の底面と最も離れた箇所でつまり設置状態
での上面でケース19の底面に対して傾斜した状態にな
るように、コア10,1次側ボビン11および2次側ボ
ビン12の形状を設定している。
内に転倒姿勢で収容したときに、コア10と1次側ボビ
ン11の内周面との接合面および1次側ボビン11の外
周面と2次側ボビン12Aの内周面との接合面がそれぞ
れケース19の底面と最も離れた箇所でつまり設置状態
での上面でケース19の底面に対して傾斜した状態にな
るように、コア10,1次側ボビン11および2次側ボ
ビン12の形状を設定している。
【0024】この場合、1次巻線13に対して高圧側と
なる2次巻線14の端部(図7の回路では高圧側端子b
が対応する)が位置する2次側ボビン12Aの一端部(
高圧側端部)12aから、1次巻線13に対して低圧側
となる2次巻線14の端部(図7の回路では低圧側端子
aが対応する)が位置する2次側ボビン12Aの他端部
(低圧側端部)12bにかけて、2次側ボビン12Aの
肉厚を漸次減少させている。
なる2次巻線14の端部(図7の回路では高圧側端子b
が対応する)が位置する2次側ボビン12Aの一端部(
高圧側端部)12aから、1次巻線13に対して低圧側
となる2次巻線14の端部(図7の回路では低圧側端子
aが対応する)が位置する2次側ボビン12Aの他端部
(低圧側端部)12bにかけて、2次側ボビン12Aの
肉厚を漸次減少させている。
【0025】また、2次側ボビン12Aの肉厚は、2次
巻線14と1次巻線13との間の絶縁性能を確保できる
ように設定されており、全体形状としては円錐筒状の構
造である。この実施例では、外周面が高圧パルストラン
ス本体Dの中心軸に対して傾斜しており、内周面が高圧
パルストランス本体Dの中心軸と平行としている。また
、1次側ボビン11は通常の円筒形であり、肉厚が均一
で外周面および内周面の両方が高圧パルストランス本体
Dの中心軸と平行になっている。コア10も通常の円柱
形である。
巻線14と1次巻線13との間の絶縁性能を確保できる
ように設定されており、全体形状としては円錐筒状の構
造である。この実施例では、外周面が高圧パルストラン
ス本体Dの中心軸に対して傾斜しており、内周面が高圧
パルストランス本体Dの中心軸と平行としている。また
、1次側ボビン11は通常の円筒形であり、肉厚が均一
で外周面および内周面の両方が高圧パルストランス本体
Dの中心軸と平行になっている。コア10も通常の円柱
形である。
【0026】このように構成すると、高圧パルストラン
ス本体Dをケース19内に転倒姿勢で収容したときに、
コア10と1次側ボビン11の内周面との接合面および
1次側ボビン11の外周面と2次側ボビン12Aの内周
面との接合面がそれぞれケース19の底面と最も離れた
箇所で、つまり設置状態での上面でケース19の底面に
対して傾斜した状態になる。
ス本体Dをケース19内に転倒姿勢で収容したときに、
コア10と1次側ボビン11の内周面との接合面および
1次側ボビン11の外周面と2次側ボビン12Aの内周
面との接合面がそれぞれケース19の底面と最も離れた
箇所で、つまり設置状態での上面でケース19の底面に
対して傾斜した状態になる。
【0027】この結果、コア10と1次側ボビン11の
内周面との接合面および1次側ボビン11の外周面と2
次側ボビン12Aの内周面との接合面に残存する空気が
浮力によって前記接合面に沿って移動し、高圧パルスト
ランス本体Dの外部へ抜けやすくなり、気泡の残留を防
止して絶縁性能を高めることができ、あるいは残留気泡
を充分に少なくするまでに要する充填時間を短縮するこ
とができる。
内周面との接合面および1次側ボビン11の外周面と2
次側ボビン12Aの内周面との接合面に残存する空気が
浮力によって前記接合面に沿って移動し、高圧パルスト
ランス本体Dの外部へ抜けやすくなり、気泡の残留を防
止して絶縁性能を高めることができ、あるいは残留気泡
を充分に少なくするまでに要する充填時間を短縮するこ
とができる。
【0028】また、コア10と1次側ボビン11の内周
面との接合面および1次側ボビン11の外周面と2次側
ボビン12Aの内周面との接合面をケース19の底面に
対して傾斜させるために、2次側ボビン12Aの肉厚を
一端部12aから他端部12bにかけて漸次変化させる
必要があるが、2次側ボビン12Aの低圧側端部となる
他端部12bの絶縁距離が2次側ボビン12Aの高圧側
端部となる一端部12aに比べて小さくてもよいという
ことに着目して、2次側ボビン12Aの一端部12aか
ら他端部12bにかけて2次側ボビン12Aの肉厚を漸
次減少させている。
面との接合面および1次側ボビン11の外周面と2次側
ボビン12Aの内周面との接合面をケース19の底面に
対して傾斜させるために、2次側ボビン12Aの肉厚を
一端部12aから他端部12bにかけて漸次変化させる
必要があるが、2次側ボビン12Aの低圧側端部となる
他端部12bの絶縁距離が2次側ボビン12Aの高圧側
端部となる一端部12aに比べて小さくてもよいという
ことに着目して、2次側ボビン12Aの一端部12aか
ら他端部12bにかけて2次側ボビン12Aの肉厚を漸
次減少させている。
【0029】このため、高圧パルストランス本体Dの最
外径を大きくすることなく、コア10と1次側ボビン1
1の内周面との接合面および1次側ボビン11の外周面
と2次側ボビン12Aの内周面との接合面を傾斜させる
ことができる。したがって、高圧パルストランスの小型
化を実現することができる。また、高圧パルストランス
本体Dを収容するケース19の底面に高低差を設ける必
要はなく、ケース19の構造の簡略化を図ることができ
、ケース19の底面に高低差を設けない分、ケース19
の小型化を図ることができ、この点でも高圧パルストラ
ンスの小型化を図ることができる。また、2次側ボビン
12Aの肉厚が他端部12bで薄くなったことにより、
材料コストも削減することが可能である。
外径を大きくすることなく、コア10と1次側ボビン1
1の内周面との接合面および1次側ボビン11の外周面
と2次側ボビン12Aの内周面との接合面を傾斜させる
ことができる。したがって、高圧パルストランスの小型
化を実現することができる。また、高圧パルストランス
本体Dを収容するケース19の底面に高低差を設ける必
要はなく、ケース19の構造の簡略化を図ることができ
、ケース19の底面に高低差を設けない分、ケース19
の小型化を図ることができ、この点でも高圧パルストラ
ンスの小型化を図ることができる。また、2次側ボビン
12Aの肉厚が他端部12bで薄くなったことにより、
材料コストも削減することが可能である。
【0030】第2の実施例
図3にこの発明の第2の実施例の高圧パルストランスの
概略断面図を示す。この高圧パルストランスは、図1の
高圧パルストランス本体Dに代えて、高圧パルストラン
ス本体Eを用いている。この高圧パルストランス本体E
は、コア10の外周面と1次側ボビン11の内周面との
接合面および1次側ボビン11の外周面と2次側ボビン
12Bの内周面との接合面のそれぞれ少なくとも一部(
この実施例では、2次側ボビン12Bで言えば、一端部
12aの付近)を、中心軸に対して同一状態に傾斜させ
たものである。その他の構成は図1のものと同様である
。
概略断面図を示す。この高圧パルストランスは、図1の
高圧パルストランス本体Dに代えて、高圧パルストラン
ス本体Eを用いている。この高圧パルストランス本体E
は、コア10の外周面と1次側ボビン11の内周面との
接合面および1次側ボビン11の外周面と2次側ボビン
12Bの内周面との接合面のそれぞれ少なくとも一部(
この実施例では、2次側ボビン12Bで言えば、一端部
12aの付近)を、中心軸に対して同一状態に傾斜させ
たものである。その他の構成は図1のものと同様である
。
【0031】このように構成すると、2次側ホビン12
Bに対する1次側ボビン11およびコア10の抜け防止
および位置決めを行うことができるという効果を奏する
。その他の効果は第1の実施例と同様である。 第3の実施例 図4にこの発明の第3の実施例の高圧パルストランスの
概略断面図を示す。
Bに対する1次側ボビン11およびコア10の抜け防止
および位置決めを行うことができるという効果を奏する
。その他の効果は第1の実施例と同様である。 第3の実施例 図4にこの発明の第3の実施例の高圧パルストランスの
概略断面図を示す。
【0032】この高圧パルストランスは、図1の高圧パ
ルストランス本体Dに代えて、高圧パルストランス本体
Fを用いている。この高圧パルストランス本体Fは、コ
ア10の外周面と1次側ボビン11の内周面との接合面
および1次側ボビン11の外周面と2次側ボビン12C
の内周面との接合面のそれぞれ少なくとも一部(この実
施例では、2次側ボビン12Cで言えば、他端部12b
の付近)を、中心軸に対して同一状態に傾斜させたもの
である。その他の構成は図1のものと同様である。
ルストランス本体Dに代えて、高圧パルストランス本体
Fを用いている。この高圧パルストランス本体Fは、コ
ア10の外周面と1次側ボビン11の内周面との接合面
および1次側ボビン11の外周面と2次側ボビン12C
の内周面との接合面のそれぞれ少なくとも一部(この実
施例では、2次側ボビン12Cで言えば、他端部12b
の付近)を、中心軸に対して同一状態に傾斜させたもの
である。その他の構成は図1のものと同様である。
【0033】この実施例は、第2の実施例と同様の効果
を奏する。 第4の実施例 図5にこの発明の第4の実施例の高圧パルストランスの
概略断面図を示す。この高圧パルストランスは、図1の
高圧パルストランス本体Dに代えて、高圧パルストラン
ス本体Gを用いている。この高圧パルストランス本体G
は、2次側ボビン12Dの外周面を高圧パルストランス
本体Dの中心軸に対して平行とし、内周面を高圧パルス
トランス本体Gの中心軸に対して傾斜させている。また
、1次側ボビン11は円錐筒形であり、肉厚が均一で外
周面および内周面の両方が高圧パルストランス本体Dの
中心軸に対して傾斜している。コア10も円錐台形であ
る。
を奏する。 第4の実施例 図5にこの発明の第4の実施例の高圧パルストランスの
概略断面図を示す。この高圧パルストランスは、図1の
高圧パルストランス本体Dに代えて、高圧パルストラン
ス本体Gを用いている。この高圧パルストランス本体G
は、2次側ボビン12Dの外周面を高圧パルストランス
本体Dの中心軸に対して平行とし、内周面を高圧パルス
トランス本体Gの中心軸に対して傾斜させている。また
、1次側ボビン11は円錐筒形であり、肉厚が均一で外
周面および内周面の両方が高圧パルストランス本体Dの
中心軸に対して傾斜している。コア10も円錐台形であ
る。
【0034】その他の構成は図1の高圧パルストランス
と同様である。この実施例は、前記各実施例と同様の効
果を奏する上に、高圧パルストランス本体Gの外形が円
柱形となることによって、半完成品状態での高圧パルス
トランス本体Gの取り扱いが容易になり、またケースに
収容したときの位置ずれを低減できるという効果を奏す
る。
と同様である。この実施例は、前記各実施例と同様の効
果を奏する上に、高圧パルストランス本体Gの外形が円
柱形となることによって、半完成品状態での高圧パルス
トランス本体Gの取り扱いが容易になり、またケースに
収容したときの位置ずれを低減できるという効果を奏す
る。
【0035】
【発明の効果】この発明の高圧パルストランスによれば
、コアと1次側ボビンの内周面との接合面および1次側
ボビンの外周面と2次側ボビンの内周面との接合面に残
存する空気が浮力によって前記接合面に沿って移動し、
高圧パルストランス本体の外部へ抜けやすくなり、気泡
の残留を防止して絶縁性能を高めることができ、あるい
は残留気泡を充分に少なくするまでに要する充填時間を
短縮することができる。
、コアと1次側ボビンの内周面との接合面および1次側
ボビンの外周面と2次側ボビンの内周面との接合面に残
存する空気が浮力によって前記接合面に沿って移動し、
高圧パルストランス本体の外部へ抜けやすくなり、気泡
の残留を防止して絶縁性能を高めることができ、あるい
は残留気泡を充分に少なくするまでに要する充填時間を
短縮することができる。
【0036】また、2次側ボビンの一端部から他端部に
かけて2次側ボビンの肉厚を漸次減少させているので、
高圧パルストランス本体の最外径を大きくすることなく
、コアと1次側ボビンの内周面との接合面および1次側
ボビンの外周面と2次側ボビンの内周面との接合面を傾
斜させることができ、しかも、傾斜をさせるためにケー
スに高低差を設けることは不要である。したがって、高
圧パルストランスの小型化を実現することができる。
かけて2次側ボビンの肉厚を漸次減少させているので、
高圧パルストランス本体の最外径を大きくすることなく
、コアと1次側ボビンの内周面との接合面および1次側
ボビンの外周面と2次側ボビンの内周面との接合面を傾
斜させることができ、しかも、傾斜をさせるためにケー
スに高低差を設けることは不要である。したがって、高
圧パルストランスの小型化を実現することができる。
【図1】この発明の第1の実施例の高圧パルストランス
の構成を示す概略断面図である。
の構成を示す概略断面図である。
【図2】高圧パルストランスにおける2次巻線の位置と
発生電圧の関係を示す説明図である。
発生電圧の関係を示す説明図である。
【図3】この発明の第2の実施例の高圧パルストランス
における高圧パルストランス本体の構成を示す概略断面
図である。
における高圧パルストランス本体の構成を示す概略断面
図である。
【図4】この発明の第3の実施例の高圧パルストランス
における高圧パルストランス本体の構成を示す概略断面
図である。
における高圧パルストランス本体の構成を示す概略断面
図である。
【図5】この発明の第4の実施例の高圧パルストランス
における高圧パルストランス本体の構成を示す概略断面
図である。
における高圧パルストランス本体の構成を示す概略断面
図である。
【図6】一般的な高圧放電灯点灯装置の構成を示す回路
図である。
図である。
【図7】パルス発生回路の具体構成を示す回路図である
。
。
【図8】従来の高圧パルストランスにおける高圧パルス
トランス本体の一例の構造を示す概略断面図である。
トランス本体の一例の構造を示す概略断面図である。
【図9】(a)は従来の高圧パルストランスにおける高
圧パルストランス本体の他の例の構造を示す概略断面図
、(b)は同じく側面図である。
圧パルストランス本体の他の例の構造を示す概略断面図
、(b)は同じく側面図である。
【図10】図9の高圧パルストランス本体をケースに収
容した状態の一例を示す概略断面図である。
容した状態の一例を示す概略断面図である。
【図11】図9の高圧パルストランス本体をケースに収
容した状態の他の例を示す概略断面図である。
容した状態の他の例を示す概略断面図である。
【図12】図9の高圧パルストランス本体をケースに収
容した状態のさらに他の例を示す概略断面図である。
容した状態のさらに他の例を示す概略断面図である。
10 コア
11 1次側ボビン
12A 2次側ボビン
13 1次巻線
14 2次巻線
19 ケース
23 絶縁充填材
Claims (1)
- 【請求項1】 1次巻線を巻回した1次側ボビンと前
記1次巻線に対して絶縁して2次巻線を巻回した2次側
ボビンとを、前記1次側ボビンを内側にしてコアに同心
状に外嵌した高圧パルストランス本体を、底面が平坦と
なったケース内に転倒姿勢で収容し、かつ前記ケース内
に絶縁充填材を充填した高圧パルストランスにおいて、
前記高圧パルストランス本体を前記ケース内に転倒姿勢
で収容したときに前記コアと前記1次側ボビンの内周面
との接合面および前記1次側ボビンの外周面と前記2次
側ボビンの内周面との接合面がそれぞれ上面で前記ケー
スの底面に対して傾斜した状態となるように、前記2次
側ボビンの高圧側端部となる一端部から前記2次側ボビ
ンの低圧側端部となる他端部にかけて前記2次側ボビン
の肉厚を漸次減少させるとともに、前記1次側ボビンの
肉厚および前記コアの形状を設定したことを特徴とする
高圧パルストランス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3058744A JPH04293212A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 高圧パルストランス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3058744A JPH04293212A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 高圧パルストランス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04293212A true JPH04293212A (ja) | 1992-10-16 |
Family
ID=13093046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3058744A Pending JPH04293212A (ja) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | 高圧パルストランス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04293212A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100823800B1 (ko) * | 2005-09-05 | 2008-04-21 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 초전도 코일용 보빈 및 초전도 솔레노이드 코일 |
JP2018160696A (ja) * | 2018-07-06 | 2018-10-11 | 株式会社デンソー | 内燃機関用の点火コイル |
-
1991
- 1991-03-22 JP JP3058744A patent/JPH04293212A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100823800B1 (ko) * | 2005-09-05 | 2008-04-21 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | 초전도 코일용 보빈 및 초전도 솔레노이드 코일 |
JP2018160696A (ja) * | 2018-07-06 | 2018-10-11 | 株式会社デンソー | 内燃機関用の点火コイル |
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