JPH04264751A - チップ保持治具 - Google Patents

チップ保持治具

Info

Publication number
JPH04264751A
JPH04264751A JP3049167A JP4916791A JPH04264751A JP H04264751 A JPH04264751 A JP H04264751A JP 3049167 A JP3049167 A JP 3049167A JP 4916791 A JP4916791 A JP 4916791A JP H04264751 A JPH04264751 A JP H04264751A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
holding jig
chips
porous material
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3049167A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Aono
青野 浩二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3049167A priority Critical patent/JPH04264751A/ja
Publication of JPH04264751A publication Critical patent/JPH04264751A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップの洗浄
の際などにチップを保持するチップ保持治具に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来行われていたチップ洗浄方法
を示す図である。図において、1はビーカ、2はチップ
に分割されたウェハを支持するためガラス板、3はチッ
プに分割されたウェハ、4はチップを洗浄するための洗
浄剤、3′はガラス板2から分離したチップである。
【0003】次にその洗浄方法について説明する。まず
、図5(a) に示すように、ビーカ1に洗浄剤4を満
たし、その中へガラス板2を支持基板としたウェハ3を
入れる。そして、図5(b) に示すように、ガラス板
2からチップ分割されたウェハ3が、チップ3′として
分離脱落するまで放置する。分離脱落後、洗浄剤4を何
回か繰り返し交換し、チップ洗浄を行い、ビーカ1の底
にあるチップ3′をひろい上げ、チップトレーに配置す
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来のチップ洗浄方法
は以上のように行われていたので、ガラス板から分離脱
落したチップが重なりあい、チップ表面を傷つけるとと
もに、チップとチップが重なり合った部分が洗浄不良と
なる原因となっていた。また、チップがばらばらに分割
されて洗浄されるため、そのチップがウェハ上のどの位
置に形成されたものかがわからず、抜取検査を行うこと
ができなかった。さらに、チップを1つ1つビーカから
拾いあげなければならず、この作業が煩雑であるなどの
問題点があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、第1の発明はチップ分割された
ウェハにおいて、チップ毎に真空吸着できるチップ保持
治具を得ることを目的とする。また、第2の発明は静電
気によるチップ破壊を防止できるようにしたチップ保持
治具を得ることを目的とする。また、第3の発明はチッ
プ洗浄時に真空吸着する側に洗浄液の侵入を最小とする
ことができるチップ保持治具を得ることを目的とする。 さらに、第4の発明はチップ洗浄後、真空吸着を開放し
た後もチップの位置を保持出来るようにしたチップ保持
治具を得ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の発明に
かかるチップ保持治具は、裏面からの真空引きによりチ
ップを吸着する部分の材料をポーラス(多孔質)な材料
としたものである。また、第2の発明にかかるチップ保
持治具は、ポーラス(多孔質)な材料とした部分に導電
性を持たせるようにしたものである。また、第3の発明
にかかるチップ保持治具は、ポーラス(多孔質)な材料
で形成する部分をチップサイズよりも小さくしたもので
ある。さらに、第4の発明にかかるチップ保持治具は、
チップとチップの間隔よりも狭い凸部を設け、凸部を含
むチップとチップの間隔よりも広い部分の材料を非ポー
ラスな材料としたものである。
【0007】
【作用】この発明におけるチップ保持治具は、チップを
吸着する部分がポーラス(多孔質)な材料により形成さ
れているため、真空吸着でき、チップごとに保持できる
。また、ポーラス(多孔質)な材料を導電性材料で形成
しているため、静電気による影響を抑制することができ
る。また、ポーラス(多孔質)な材料部分をチップサイ
ズよりも小さくしたので、チップ分割されたウェハの洗
浄を効率的に行うことができる。さらに、チップとチッ
プの間隔より狭い凸部を設けることにより、真空吸着を
開放してもチップの位置が保持できるので、洗浄後は保
持治具をチップトレーとしても使用できる。
【0008】
【実施例】図1(a),(b),(c) はこの発明の
第1ないし第3の実施例によるチップ保持治具を示す図
であり、図1(a) はチップ保持治具の平面図,図1
(b) はチップ保持治具の部分拡大断面図,図1(c
)は図1(a) の領域Aの拡大図である。図1(d)
,(e),(f) はこの発明の第4の実施例によるチ
ップ保持治具を示す図であり、図1(d) はチップ保
持治具の平面図,図1(e) はチップ保持治具の部分
拡大断面図,図1(f) は図1(d) の領域Bの拡
大図である。図において、5はチップ保持治具の全体、
6はポーラス(多孔質)な材料部、7は非ポーラスな材
料部、7aは非ポーラスな材料部7の凸部である。図2
はこの発明の一実施例の動作フローを説明するための部
分拡大断面図であり、図において、2はガラス板、9は
分割された半導体チップ、8は分割された半導体チップ
9の裏面に設けられたチップ裏面メタル、10は半導体
チップ9の表面を保護するためのチップ保護膜、11は
半導体ウェハをガラス板2に接着するためのワックスで
ある。なお、12は半導体チップ9を吸着するための真
空引きの方向を示す。図3はこの発明の一実施例の動作
フローを示す図であり、図において、100はガラス板
及びチップと治具との位置合せ、101はチップの真空
吸着オン、102はチップの洗浄、103はチップの乾
燥及び真空吸着オフである。図4はこの発明の第4の実
施例のチップとチップ保持治具の寸法の関係を示す部分
拡大図であり、図において、aはチップとチップの間隔
の寸法、bは非ポーラスな材料部7の凸部7aの寸法、
cはチップの寸法、dはポーラス(多孔質)な材料部6
の寸法である。
【0009】本発明の第1の実施例は図1(a),(b
),(c) に示すように、平坦な表面を持つチップ保
持治具のチップと接する部分を、ポーラス(多孔質)な
材料により形成し、それ以外の部分は非ポーラスな材料
で形成するようにしたものである。そして、このような
構成としたことにより、保持治具裏面から真空引きを行
なうことによって各チップが保持治具に吸着され、その
保持をチップ毎に確実にすることが可能になる。なお、
ポーラスな部分は例えばセラミック材料やプラスチック
等でスポンジ状の材質を形成することにより実現するこ
とができる。
【0010】また、本発明の第2の実施例は第1の実施
例でポーラスな材料とした部分6に導電性をもたせるよ
うにしたもので、これにより、チップが静電破壊するの
を防止できる。なお、この導電性の付与は、例えばポー
ラスな部分の表面に導電性樹脂層を形成することで実現
でき、また、この部分をメッキで覆うことによっても実
現することができる。
【0011】また、本発明の第3の実施例はポーラスな
材料とした部分6をチップサイズよりも小さくなるよう
にしたもので、これによりウエハがより強力に吸着でき
、洗浄に際して洗浄液が侵入するのを最小限に止めるこ
とができる。
【0012】また、本発明の第4の実施例は図1(d)
,(e),(f) に示すように、非ポーラスな部分に
凸部を設け、さらにこの非ポーラスな部分7とポーラス
な部分6との間に図4に示すような条件を持たせたもの
である。
【0013】この実施例におけるチップ保持治具に設け
る寸法条件は、図4に示すように、非ポーラスな材料部
7の凸部7aの寸法bはチップとチップの間隔の寸法a
よりも小さく(a>b)、ポーラス(多孔質)な材料部
6の寸法dは、チップの寸法cよりも小さく(c>d)
するというものである。
【0014】次に、この実施例装置を用いてウェハを洗
浄する際の動作について説明する。図2(a) に示す
ように、半導体プロセスにおいてチップ分割されたウェ
ハをチップ保持治具の凸部がチップとチップの間にくる
ように位置合わせを行い(図3の100参照)、図2(
b) に示すように、真空吸着をする(図3の101参
照)。この状態のまま、ウェハを洗浄液の中へ入れ、加
熱してガラス板2とチップとの分離剥離を行う。その後
、図2(c) に示すように、ガラス板2を取り去り、
何回かチップ洗浄を行う(図3の102参照)。その後
、乾燥を行い、真空吸着を開放する(図3の103参照
)。真空吸着を開放してもチップは凸部があるために元
の位置で支持されている。従って、チップ保持治具はそ
のままチップトレーとして使用できる。
【0015】なお、上記実施例では非ポーラス部とする
材料を用いているが、非ポーラスな材料部7と同一部の
表面のみを樹脂等により覆うことで代用することができ
る。
【0016】
【発明の効果】以上のように、この発明の第1の発明に
よれば、真空引きによりチップを保持する部分をポーラ
ス(多孔質)な材料で形成したので、チップがばらばら
にならず、チップとチップの洗浄中による接触による傷
,チップとチップの重なりによる洗浄不良を防止するこ
とができる。また、第2の発明によれば、ポーラス(多
孔質)な材料に導電性を持たせるようにしたので、静電
気による影響を抑制することができ、乾燥したチップの
静電破壊,あるいはチップの静電引力による吸着を防止
でき、チップの取扱いが容易となる。また、第3の発明
によれば、ポーラス(多孔質)な材料とする部分をチッ
プサイズよりも小さくしたので、チップ部のみを吸着で
き、吸引力が向上し、チップの移動を防止できるととも
に、チップ洗浄の際の真空側への洗浄液のまわり込みを
少なくすることができる。さらに、第4の発明によれば
、チップとチップの間隔よりも狭い凸部を設け、凸部を
含むチップとチップの間隔よりも広い部分を非ポーラス
(多孔質)な材料で形成したので、真空吸着を開放した
後にもチップの位置が保持でき、チップトレーとしても
機能させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例によるチップ保持治具を示す
図であり、図1(a)は第1ないし第3の実施例の平面
図、図1(b) はその部分拡大断面図、図1(c) 
は図1(a) の領域Aの拡大図、図1(d) は第4
の実施例の平面図、図1(e) はその部分拡大断面図
、図1(f)は図1(d) の領域Bの拡大図である。
【図2】この発明の第4の実施例の動作フローを説明す
るための部分拡大断面図である。
【図3】この発明の第4の実施例を説明するためのフロ
ー図である。
【図4】この発明の第4の実施例のチップとチップ保持
治具の寸法の関係を示す部分拡大断面図である。
【図5】従来のチップ洗浄方法を示す図である。
【符号の説明】 1    ビーカ 2    ガラス板 3    ウェハ 3′  チップ 4    洗浄剤 5    チップ保持治具 6    ポーラス(多孔質)な材料部7    非ポ
ーラスな材料部 8    チップ裏面メタル 9    半導体基板 10  チップ保護膜 11  ワックス 12  真空引きの方向

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  裏面からの真空引きによりチップを保
    持する部分を、ポーラス(多孔質)な材料で形成したこ
    とを特徴とするチップ保持治具。
  2. 【請求項2】  ポーラス(多孔質)な材料に導電性を
    持たせたことを特徴とする請求項1記載のチップ保持治
    具。
  3. 【請求項3】  ポーラス(多孔質)な材料で形成する
    部分を、保持すべきチップサイズよりも小さくしたこと
    を特徴とする請求項1または2記載のチップ保持治具。
  4. 【請求項4】  保持すべきチップ同士の間隔よりも狭
    い凸部を有し、この凸部を含むチップ同士の間隔よりも
    広い部分を非ポーラスな材料で形成したことを特徴とす
    る請求項1ないし3のいずれかに記載のチップ保持治具
JP3049167A 1991-02-19 1991-02-19 チップ保持治具 Pending JPH04264751A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3049167A JPH04264751A (ja) 1991-02-19 1991-02-19 チップ保持治具

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3049167A JPH04264751A (ja) 1991-02-19 1991-02-19 チップ保持治具

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04264751A true JPH04264751A (ja) 1992-09-21

Family

ID=12823521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3049167A Pending JPH04264751A (ja) 1991-02-19 1991-02-19 チップ保持治具

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04264751A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5588203A (en) * 1995-02-28 1996-12-31 Matsushita Communication Industrial Corporation Of America Nozzle for a vacuum mounting head
JP2007531986A (ja) * 2004-03-05 2007-11-08 ジプトロニクス・インコーポレイテッド ウェハスケールダイの取り扱い
US20140009183A1 (en) * 2012-07-04 2014-01-09 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor testing jig and semiconductor testing method performed by using the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5588203A (en) * 1995-02-28 1996-12-31 Matsushita Communication Industrial Corporation Of America Nozzle for a vacuum mounting head
JP2007531986A (ja) * 2004-03-05 2007-11-08 ジプトロニクス・インコーポレイテッド ウェハスケールダイの取り扱い
US7956447B2 (en) 2004-03-05 2011-06-07 Ziptronix, Inc. Wafer scale die handling
US20140009183A1 (en) * 2012-07-04 2014-01-09 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor testing jig and semiconductor testing method performed by using the same
US9347988B2 (en) * 2012-07-04 2016-05-24 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor testing jig and semiconductor testing method performed by using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0165467B1 (ko) 웨이퍼 디본더 및 이를 이용한 웨이퍼 디본딩법
JP2867526B2 (ja) 半導体製造装置
JP2002100595A (ja) ウエ−ハ剥離装置及び方法並びにこれを用いたウエ−ハ処理装置
JP2001298072A (ja) 静電吸着装置及びこれを用いた真空処理装置
KR101988096B1 (ko) 기판 세정 장치, 기판 처리 장치, 기판 세정 방법 및 기판 처리 방법
JPH04264751A (ja) チップ保持治具
JPH06252255A (ja) チップトレイ
JP2011171591A (ja) ウエーハの搬出入装置
JP6066861B2 (ja) 基板洗浄装置、基板の裏面洗浄方法及び洗浄機構
JP2004186430A (ja) 半導体ウェーハの加工方法
JPH11168132A (ja) 静電吸着装置
JPS63137448A (ja) 半導体ウエハ処理装置
JPH07176603A (ja) 基板保持装置
JP2000006072A (ja) 基板ハンドリング方法
JPH01184831A (ja) 洗浄方法
JPS62252147A (ja) 半導体ウエハ移し替え装置
JPH03132056A (ja) 半導体ウエハのダイシング方法
WO2023171249A1 (ja) チップ貼合装置、チップ処理システムおよびチップ処理方法
JP2004358598A (ja) 真空吸着装置
JP2004041977A (ja) 半導体製造装置用粘着シート及び異物除去方法
JPH10313045A (ja) 半導体チップの保持具
JPS6387728A (ja) ダイボンデイング装置
JP2000323504A (ja) 半導体チップ吸着用コレット
KR19990074931A (ko) 웨이퍼 세정설비
JPH03148127A (ja) 半導体湿式処理装置