JPH04257233A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
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- JPH04257233A JPH04257233A JP3018580A JP1858091A JPH04257233A JP H04257233 A JPH04257233 A JP H04257233A JP 3018580 A JP3018580 A JP 3018580A JP 1858091 A JP1858091 A JP 1858091A JP H04257233 A JPH04257233 A JP H04257233A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、CCD(電荷結合素子
)等に用いられる電荷転送装置に関するものである。
)等に用いられる電荷転送装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】民生用ムービーを始め、各種ビデオカメ
ラ用としてに普及している固体撮像素子の大半は、プレ
ーナ・チャネル形CCDと呼ばれる電荷転送素子(文献
:C.H.セクイン、 M.F.トンプセット(C.
H. Sequin & M. F. Tompset
t), ”チャーシ゛・トランスファー・ディバイス(
Charge Transfer Device)”,
アカデミック・プレス(Academic Press
)1975)である。
ラ用としてに普及している固体撮像素子の大半は、プレ
ーナ・チャネル形CCDと呼ばれる電荷転送素子(文献
:C.H.セクイン、 M.F.トンプセット(C.
H. Sequin & M. F. Tompset
t), ”チャーシ゛・トランスファー・ディバイス(
Charge Transfer Device)”,
アカデミック・プレス(Academic Press
)1975)である。
【0003】このプレーナ・チャネル形CCDの中で最
も原理的な表面チャネルCCDの構造は、図12、図1
3に示すようにp型シリコン基板301の上部に形成さ
れた厚さToxのゲート酸化膜(通常は厚さ約500〜
1000ÅのSiO2)302の上に形成されたポリシ
リコンのゲート電極303、304、305などで構成
される。
も原理的な表面チャネルCCDの構造は、図12、図1
3に示すようにp型シリコン基板301の上部に形成さ
れた厚さToxのゲート酸化膜(通常は厚さ約500〜
1000ÅのSiO2)302の上に形成されたポリシ
リコンのゲート電極303、304、305などで構成
される。
【0004】信号電荷の保持動作(または、蓄積動作と
もいう)は、図12のようにゲート電極304に正電圧
を印加して発生した空乏領域 306に電荷を蓄えるこ
とで実現する。
もいう)は、図12のようにゲート電極304に正電圧
を印加して発生した空乏領域 306に電荷を蓄えるこ
とで実現する。
【0005】また、信号電荷の転送動作は、図13のよ
うにゲート電極305にゲート電極304よりも大きな
電圧を印加することで、空乏領域306内の信号電荷は
より電位の深い空乏領域307へ移動(すなわち転送)
する。
うにゲート電極305にゲート電極304よりも大きな
電圧を印加することで、空乏領域306内の信号電荷は
より電位の深い空乏領域307へ移動(すなわち転送)
する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、シリコン基
板内に電荷の転送チャネルを形成する従来のプレーナ・
チャネル形CCDを使用した場合、素子の高密度化や小
型化の進めると、不要な光入射により生成された偽信号
電荷が転送チャネル中に混入することを避けるための遮
光領域の確保が不十分になり、偽信号の量を表わすスミ
アが増大する。また、CCDの転送チャネルを用いて転
送できる最大電荷量は転送チャネルの幅に依存するので
、DRAMのような微細化技術をそのままCCDには有
効に適用できず、CCDの微細化が進まない。
板内に電荷の転送チャネルを形成する従来のプレーナ・
チャネル形CCDを使用した場合、素子の高密度化や小
型化の進めると、不要な光入射により生成された偽信号
電荷が転送チャネル中に混入することを避けるための遮
光領域の確保が不十分になり、偽信号の量を表わすスミ
アが増大する。また、CCDの転送チャネルを用いて転
送できる最大電荷量は転送チャネルの幅に依存するので
、DRAMのような微細化技術をそのままCCDには有
効に適用できず、CCDの微細化が進まない。
【0007】これらの結果、画素を二次元配列したCC
D型撮像素子では、画素の主要部である受光領域と電荷
転送領域のトレード・オフとなり、結局撮像素子の基本
特性である感度とダイナミック・レンジのトレード・オ
フという課題が生じている。
D型撮像素子では、画素の主要部である受光領域と電荷
転送領域のトレード・オフとなり、結局撮像素子の基本
特性である感度とダイナミック・レンジのトレード・オ
フという課題が生じている。
【0008】本発明はこの様な従来CCD型撮像素子の
課題に注目し、スミアが少なく、しかもDRAM並の微
細化がそのまま適用できる電荷転送装置の提供を目的と
する。
課題に注目し、スミアが少なく、しかもDRAM並の微
細化がそのまま適用できる電荷転送装置の提供を目的と
する。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板表
面の絶縁膜と、前記絶縁膜に電荷転送領域として埋め込
まれた複数の半導体領域と、前記半導体領域の電位を制
御する為に前記半導体領域に対応して設けられた制御電
極と、前記各半導体領域を相互に隔てるトンネル絶縁膜
とを備えた電荷転送装置である。
面の絶縁膜と、前記絶縁膜に電荷転送領域として埋め込
まれた複数の半導体領域と、前記半導体領域の電位を制
御する為に前記半導体領域に対応して設けられた制御電
極と、前記各半導体領域を相互に隔てるトンネル絶縁膜
とを備えた電荷転送装置である。
【0010】また、本発明は、半導体基板表面に形成さ
れた高不純物領域と、前記半導体基板表面の第1の絶縁
膜に開孔された窓を通じて前記高不純物領域と接続され
た第1の制御電極と、前記第1の制御電極と全体的な重
なりを持ちしかも第1のトンネル絶縁膜で隔てられた第
1の半導体領域と、前記第1の半導体領域と部分的な重
なりを持ちしかも第2のトンネル絶縁膜で隔てられた第
2の半導体領域と、前記第1の半導体領域と部分的な重
なりを持ち、しかも第2の絶縁膜で隔てられた第2の制
御電極とを備えた電荷転送装置である。
れた高不純物領域と、前記半導体基板表面の第1の絶縁
膜に開孔された窓を通じて前記高不純物領域と接続され
た第1の制御電極と、前記第1の制御電極と全体的な重
なりを持ちしかも第1のトンネル絶縁膜で隔てられた第
1の半導体領域と、前記第1の半導体領域と部分的な重
なりを持ちしかも第2のトンネル絶縁膜で隔てられた第
2の半導体領域と、前記第1の半導体領域と部分的な重
なりを持ち、しかも第2の絶縁膜で隔てられた第2の制
御電極とを備えた電荷転送装置である。
【0011】また、本発明は、半導体基板表面に形成さ
れた第1の高不純物領域と、前記第1の不純物領域と同
一導電形で複数個の第2の高不純物領域と、前記第1の
不純物領域と全体的な重なりを持ちしかも前記半導体基
板表面の第1のトンネル絶縁膜で隔てられた第1の半導
体領域と、前記第1の半導体領域と部分的な重なりを持
ちしかも第2のトンネル絶縁膜で隔てられた第2の半導
体領域と、前記第1の半導体領域と部分的な重なりを持
ちしかも第2の絶縁膜で隔てられた第2の制御電極とを
備えた電荷転送装置である。
れた第1の高不純物領域と、前記第1の不純物領域と同
一導電形で複数個の第2の高不純物領域と、前記第1の
不純物領域と全体的な重なりを持ちしかも前記半導体基
板表面の第1のトンネル絶縁膜で隔てられた第1の半導
体領域と、前記第1の半導体領域と部分的な重なりを持
ちしかも第2のトンネル絶縁膜で隔てられた第2の半導
体領域と、前記第1の半導体領域と部分的な重なりを持
ちしかも第2の絶縁膜で隔てられた第2の制御電極とを
備えた電荷転送装置である。
【0012】
【作用】本発明は、絶縁膜中に閉じこめられた複数のシ
リコンなどの半導体領域の間をトンネル効果により電荷
を輸送する、(スタック・チャネル形)電荷転送素子を
用いているので、CCDの主要特性の最大転送電荷量に
悪影響を与えずにDRAMの微細化技術を適用してCC
Dの微細化を実現し、チャネル幅という概念が不要にな
るためダイナミイクレンジも大きくすること可能であり
、半導体基板に由来する特性(特に2次元撮像素子で重
要なスミア特性)の劣化も招かないため、CCDを信号
線のような感覚で各種デバイスに用いることが可能にな
る。
リコンなどの半導体領域の間をトンネル効果により電荷
を輸送する、(スタック・チャネル形)電荷転送素子を
用いているので、CCDの主要特性の最大転送電荷量に
悪影響を与えずにDRAMの微細化技術を適用してCC
Dの微細化を実現し、チャネル幅という概念が不要にな
るためダイナミイクレンジも大きくすること可能であり
、半導体基板に由来する特性(特に2次元撮像素子で重
要なスミア特性)の劣化も招かないため、CCDを信号
線のような感覚で各種デバイスに用いることが可能にな
る。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【0014】図1、図2は、本発明にかかる電荷転送装
置の第1の実施例の構造を示すものである。p形のシリ
コン基板(以下、p基板と呼ぶ)101の表面に電荷注
入源となるn+領域102と第1の制御電極となる複数
個のn+領域103a、103b、103cなどを形成
し、p基板101の表面に順次形成した第1のトンネル
絶縁膜104(代表的なトンネル絶縁膜としては100
〜200Åの薄いゲート酸化膜、あるいは20Åの薄い
窒化膜が利用できる)と絶縁膜105の上に複数個の第
1の半導体(ポリシリコン又は単結晶シリコン)領域1
07a、107b、107cなどを形成する。このとき
同時に、n+領域105とは窓形状に露出した第1のト
ンネル絶縁膜104だけで隔てられた電荷入力部となる
第1の半導体領域106を形成する。さらに、第1の半
導体領域106、107とは部分的な重なりを持ち、し
かも第2のトンネル絶縁膜114で隔てられた複数個の
第2の半導体領域108a、108b、108c、10
8dなどを形成し、続いて、絶縁膜109で隔てられた
複数個の第2の制御電極として110a、110b、1
10c、110dを形成する。なお、第2の制御電極1
10a、110b、110c、110dを形成するとき
に、電荷入力部の制御電極111も同時に形成される。 112a、112b、112cなどは金属(アルミニウ
ムなど)配線部である。
置の第1の実施例の構造を示すものである。p形のシリ
コン基板(以下、p基板と呼ぶ)101の表面に電荷注
入源となるn+領域102と第1の制御電極となる複数
個のn+領域103a、103b、103cなどを形成
し、p基板101の表面に順次形成した第1のトンネル
絶縁膜104(代表的なトンネル絶縁膜としては100
〜200Åの薄いゲート酸化膜、あるいは20Åの薄い
窒化膜が利用できる)と絶縁膜105の上に複数個の第
1の半導体(ポリシリコン又は単結晶シリコン)領域1
07a、107b、107cなどを形成する。このとき
同時に、n+領域105とは窓形状に露出した第1のト
ンネル絶縁膜104だけで隔てられた電荷入力部となる
第1の半導体領域106を形成する。さらに、第1の半
導体領域106、107とは部分的な重なりを持ち、し
かも第2のトンネル絶縁膜114で隔てられた複数個の
第2の半導体領域108a、108b、108c、10
8dなどを形成し、続いて、絶縁膜109で隔てられた
複数個の第2の制御電極として110a、110b、1
10c、110dを形成する。なお、第2の制御電極1
10a、110b、110c、110dを形成するとき
に、電荷入力部の制御電極111も同時に形成される。 112a、112b、112cなどは金属(アルミニウ
ムなど)配線部である。
【0015】尚、電荷入力部は、上述した様に、n+領
域102と第1のトンネル絶縁膜104と第1の半導体
領域106と入力部の制御電極111および第2のトン
ネル絶縁膜114で隔てられた第1の半導体領域108
aからなるが、この電荷入力部の対称的構造を最終段に
接続すれば電荷出力部として利用することが可能になる
。
域102と第1のトンネル絶縁膜104と第1の半導体
領域106と入力部の制御電極111および第2のトン
ネル絶縁膜114で隔てられた第1の半導体領域108
aからなるが、この電荷入力部の対称的構造を最終段に
接続すれば電荷出力部として利用することが可能になる
。
【0016】次に、上記第1の実施例の基本的な動作原
理を図1(c)、(d)、(e)、(f)、(g)(h
)(i)に示したエネルギー・バンド図を用いて説明す
る。
理を図1(c)、(d)、(e)、(f)、(g)(h
)(i)に示したエネルギー・バンド図を用いて説明す
る。
【0017】図2のY−Y’断面図に対応した熱平衡状
態のエネルギー・バンド図が図3である。左側からn+
領域102(バンド・ギャップ・エネルギー:Eg=1
.1eV)、トンネル絶縁膜104(Eg=8eV)、
第1の半導体領域106(Eg=1.1eV)、第2の
トンネル絶縁膜114と絶縁膜100(Eg=8eV)
、制御電極111(Eg=1.1eV)に対応している
。
態のエネルギー・バンド図が図3である。左側からn+
領域102(バンド・ギャップ・エネルギー:Eg=1
.1eV)、トンネル絶縁膜104(Eg=8eV)、
第1の半導体領域106(Eg=1.1eV)、第2の
トンネル絶縁膜114と絶縁膜100(Eg=8eV)
、制御電極111(Eg=1.1eV)に対応している
。
【0018】図4はn+領域102から電荷を第1の半
導体領域106へ入力する『書き込み状態』のエネルギ
ー・バンド図である。制御電極111に正電圧を印加し
、n+領域102の印加電圧を0vとすると、フローテ
ィング状態にある第1の半導体領域106は容量結合に
より正電圧となるためフォラーノルドハイム(以下Fo
wler−Nordheimという)トンネリングによ
りn+領域102から第1の半導体領域106へ電子が
注入される。
導体領域106へ入力する『書き込み状態』のエネルギ
ー・バンド図である。制御電極111に正電圧を印加し
、n+領域102の印加電圧を0vとすると、フローテ
ィング状態にある第1の半導体領域106は容量結合に
より正電圧となるためフォラーノルドハイム(以下Fo
wler−Nordheimという)トンネリングによ
りn+領域102から第1の半導体領域106へ電子が
注入される。
【0019】図5は『保持状態』のエネルギー・バンド
図である。n+領域102と制御電極111が0vなの
でフローティング状態の第1の半導体領域106に注入
された電子は蓄積状態に留まる。
図である。n+領域102と制御電極111が0vなの
でフローティング状態の第1の半導体領域106に注入
された電子は蓄積状態に留まる。
【0020】図6は電荷入力部を電荷出力部として利用
できることの説明ともなる電荷の『排出状態』のエネル
ギー・バンド図である。n+領域102に正電圧を印加
し、制御電極111を0vとするとフローティング状態
の第1の半導体領域106は容量結合により正電圧とな
るためFowler−Nordheimトンネリングに
より第1の半導体領域106からn+領域102へ電子
が排出される。
できることの説明ともなる電荷の『排出状態』のエネル
ギー・バンド図である。n+領域102に正電圧を印加
し、制御電極111を0vとするとフローティング状態
の第1の半導体領域106は容量結合により正電圧とな
るためFowler−Nordheimトンネリングに
より第1の半導体領域106からn+領域102へ電子
が排出される。
【0021】図2のZ−Z’およびW−W’断面に対応
する熱平衡状態のエネルギー・バンド図を図7に示す。 左側から第1の制御電極であるn+領域103a、トン
ネル絶縁膜104と絶縁膜105の総和、第1の半導体
領域108a、絶縁膜100、第2の制御電極110a
に対応している。
する熱平衡状態のエネルギー・バンド図を図7に示す。 左側から第1の制御電極であるn+領域103a、トン
ネル絶縁膜104と絶縁膜105の総和、第1の半導体
領域108a、絶縁膜100、第2の制御電極110a
に対応している。
【0022】図8はZ−Z’断面に対応する転送状態の
エネルギー・バンド図である。第2の制御電極110a
を0vとし、第1の制御電極であるn+領域103aに
正電圧Vを印加すると、第2の半導体領域108aの電
位V2 と第1の半導体領域107aの電位V1 は容
量結合により0<V2 <V1 <VとなるためFow
ler−Nordheimトンネリングにより、第2の
半導体領域108aから第1の半導体領域107aへ電
荷転送が実施される。
エネルギー・バンド図である。第2の制御電極110a
を0vとし、第1の制御電極であるn+領域103aに
正電圧Vを印加すると、第2の半導体領域108aの電
位V2 と第1の半導体領域107aの電位V1 は容
量結合により0<V2 <V1 <VとなるためFow
ler−Nordheimトンネリングにより、第2の
半導体領域108aから第1の半導体領域107aへ電
荷転送が実施される。
【0023】図9はW−W’断面に対応する転送状態の
エネルギー・バンド図である。第1の制御電極であるn
+領域103aを0vとし、第2の制御電極110aに
正電圧Vを印加すると、第1の半導体領域107aの電
位V1 と第2の半導体領域108aの電位V2は容量
結合により0<V1 <V2 <VとなるためFowl
er−Nordheimトンネリングにより、第1の半
導体領域107aから第2の半導体領域108aへ電荷
転送が実施される。このような図8、図9の転送動作を
繰り返ことにより、スタック・チャネル形のCCDが実
現する。
エネルギー・バンド図である。第1の制御電極であるn
+領域103aを0vとし、第2の制御電極110aに
正電圧Vを印加すると、第1の半導体領域107aの電
位V1 と第2の半導体領域108aの電位V2は容量
結合により0<V1 <V2 <VとなるためFowl
er−Nordheimトンネリングにより、第1の半
導体領域107aから第2の半導体領域108aへ電荷
転送が実施される。このような図8、図9の転送動作を
繰り返ことにより、スタック・チャネル形のCCDが実
現する。
【0024】以上説明したように、本実施例によれば、
転送領域となる半導体領域が半導体基板の上の絶縁膜中
に埋め込まれているため、電荷の蓄積容量はDRAMの
ように微細化を駆使したさまざまな手法が適用できるた
め、CCD自身の微細化と高性能化が一層推進できる。 しかも、半導体領域の容量は制御電極との間の絶縁膜の
誘電率や厚みで決定されることはDRAMのセル容量と
同じであるから、ダイナミックレンジもチャネル幅に依
存せず大きくすることが容易である。
転送領域となる半導体領域が半導体基板の上の絶縁膜中
に埋め込まれているため、電荷の蓄積容量はDRAMの
ように微細化を駆使したさまざまな手法が適用できるた
め、CCD自身の微細化と高性能化が一層推進できる。 しかも、半導体領域の容量は制御電極との間の絶縁膜の
誘電率や厚みで決定されることはDRAMのセル容量と
同じであるから、ダイナミックレンジもチャネル幅に依
存せず大きくすることが容易である。
【0025】図10、11は、本発明の第2の実施例の
構造を示すものである。第1の実施例との差異は、図1
の第2の制御電極110a、110b、110c、11
0dはもちろん、図1の第1の制御電極103a、10
3b、103cも半導体基板101中には形成しないと
ころである。即ち、p基板201の表面に電荷注入源と
なるn+領域202を形成し、p基板201の表面に形
成した絶縁膜203の上に複数個の第1の制御電極20
4a、204b、204cなどを形成し、同時に絶縁膜
に開孔した窓を通じてn+領域と接続する電極205が
形成される。電極205および第1の制御電極204a
、204b、204cなどの表面に順次形成した第1の
トンネル絶縁膜206と絶縁膜207の上に複数個の第
1の半導体領域208a、208b、208cなどを形
成する。同時に、電極205とは窓形状に露出した第1
のトンネル絶縁膜206だけで隔てられた電荷入力部の
第1の半導体領域209を形成する。さらに、第1の半
導体領域とは部分的な重なりを持ちしかも第2のトンネ
ル絶縁膜216だけで隔てられた複数個の第2の半導体
領域210a、210b、210cなどを形成し、続い
て、絶縁膜211で隔てられた複数個の第2の制御電極
として212a、212b、212cを形成する。なお
、第2の制御電極212a、212b、212cを形成
するときに、電荷入力部の制御電極213も同時に形成
される。214a、214b、214cなどは金属(ア
ルミニウムなど)配線部である。
構造を示すものである。第1の実施例との差異は、図1
の第2の制御電極110a、110b、110c、11
0dはもちろん、図1の第1の制御電極103a、10
3b、103cも半導体基板101中には形成しないと
ころである。即ち、p基板201の表面に電荷注入源と
なるn+領域202を形成し、p基板201の表面に形
成した絶縁膜203の上に複数個の第1の制御電極20
4a、204b、204cなどを形成し、同時に絶縁膜
に開孔した窓を通じてn+領域と接続する電極205が
形成される。電極205および第1の制御電極204a
、204b、204cなどの表面に順次形成した第1の
トンネル絶縁膜206と絶縁膜207の上に複数個の第
1の半導体領域208a、208b、208cなどを形
成する。同時に、電極205とは窓形状に露出した第1
のトンネル絶縁膜206だけで隔てられた電荷入力部の
第1の半導体領域209を形成する。さらに、第1の半
導体領域とは部分的な重なりを持ちしかも第2のトンネ
ル絶縁膜216だけで隔てられた複数個の第2の半導体
領域210a、210b、210cなどを形成し、続い
て、絶縁膜211で隔てられた複数個の第2の制御電極
として212a、212b、212cを形成する。なお
、第2の制御電極212a、212b、212cを形成
するときに、電荷入力部の制御電極213も同時に形成
される。214a、214b、214cなどは金属(ア
ルミニウムなど)配線部である。
【0026】この第2の実施例の動作原理は第1の実施
例の103と本実施例の204が対応し、エネルギー・
バンド図もまったく同じである。
例の103と本実施例の204が対応し、エネルギー・
バンド図もまったく同じである。
【0027】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電荷転送
領域の動作性能である最大転送電荷量に悪影響を与えず
微細化CCDが実現でき、しかも電荷の転送領域が半導
体基板の外に形成されるためスミアなどもきわめて少な
いCCDとなるため、本発明がもたらす実用的な効果は
大きい。
領域の動作性能である最大転送電荷量に悪影響を与えず
微細化CCDが実現でき、しかも電荷の転送領域が半導
体基板の外に形成されるためスミアなどもきわめて少な
いCCDとなるため、本発明がもたらす実用的な効果は
大きい。
【図1】本発明の第1の実施例の電荷転送素子の構造を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図2】第1の実施例の電荷転送素子の断面図である。
【図3】〜
【図9】それぞれ各種状態に対応するエネルギー・バン
ド図である。
ド図である。
【図10】本発明の第2の実施例の電荷転送素子を示す
平面図である。
平面図である。
【図11】本発明の第2の実施例の電荷転送素子を示す
断面図である。
断面図である。
【図12】及び
【図13】それぞれ従来のCCDの構造を示す斜視図で
ある。
ある。
100、109 絶縁膜
103、204 第1の制御電極
104、206 第1のトンネル絶縁膜107、20
8 第1の半導体領域 114、216 第2のトンネル絶縁膜108、21
0 第2の半導体領域 110、212 第2の制御電極
8 第1の半導体領域 114、216 第2のトンネル絶縁膜108、21
0 第2の半導体領域 110、212 第2の制御電極
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体基板表面の絶縁膜と、前記絶縁
膜に電荷転送領域として埋め込まれた複数の半導体領域
と、前記半導体領域の電位を制御する為に前記半導体領
域に対応して設けられた制御電極と、前記各半導体領域
を相互に隔てるトンネル絶縁膜とを備えたこと特徴とす
る電荷転送装置。 - 【請求項2】 電荷を転送する方向に1次元配列した
第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域の間隙部分
に対応するように平行させて1次元配列した第2の半導
体領域と、前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領
域の間に形成されたトンネル絶縁膜と、前記第1の半導
体領域の電位を制御する第1の制御電極と、前記第2の
半導体領域の電位を制御する第2の制御電極とを備えた
ことを特徴とする電荷転送装置。 - 【請求項3】 半導体基板表面に形成された高不純物
領域と、前記半導体基板表面の第1の絶縁膜に開孔され
た窓を通じて前記高不純物領域と接続された第1の制御
電極と、前記第1の制御電極と全体的な重なりを持ちし
かも第1のトンネル絶縁膜で隔てられた第1の半導体領
域と、前記第1の半導体領域と部分的な重なりを持ちし
かも第2のトンネル絶縁膜で隔てられた第2の半導体領
域と、前記第1の半導体領域と部分的な重なりを持ち、
しかも第2の絶縁膜で隔てられた第2の制御電極とを備
えたことを特徴とする電荷転送装置。 - 【請求項4】 半導体基板表面に形成された第1の高
不純物領域と、前記第1の不純物領域と同一導電形で複
数個の第2の高不純物領域と、前記第1の不純物領域と
全体的な重なりを持ちしかも前記半導体基板表面の第1
のトンネル絶縁膜で隔てられた第1の半導体領域と、前
記第1の半導体領域と部分的な重なりを持ちしかも第2
のトンネル絶縁膜で隔てられた第2の半導体領域と、前
記第1の半導体領域と部分的な重なりを持ちしかも第2
の絶縁膜で隔てられた第2の制御電極とを備えたことを
特徴とする電荷転送装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3018580A JPH04257233A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 電荷転送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3018580A JPH04257233A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 電荷転送装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04257233A true JPH04257233A (ja) | 1992-09-11 |
Family
ID=11975569
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3018580A Pending JPH04257233A (ja) | 1991-02-12 | 1991-02-12 | 電荷転送装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04257233A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120262A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電荷転送装置 |
KR20020057285A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-11 | 박종섭 | 3차원 구조의 집광수단을 구비하는 이미지 센서 및 그제조 방법 |
WO2014199642A1 (en) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Tadao Nakamura | A direct-transfer marching memory and a computer system using the same |
-
1991
- 1991-02-12 JP JP3018580A patent/JPH04257233A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06120262A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電荷転送装置 |
KR20020057285A (ko) * | 2000-12-30 | 2002-07-11 | 박종섭 | 3차원 구조의 집광수단을 구비하는 이미지 센서 및 그제조 방법 |
WO2014199642A1 (en) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Tadao Nakamura | A direct-transfer marching memory and a computer system using the same |
JP2016524264A (ja) * | 2013-06-13 | 2016-08-12 | 維男 中村 | 直接転送マーチングメモリ及びそれを用いた計算機システム |
US9449696B2 (en) | 2013-06-13 | 2016-09-20 | Tadao Nakamura | Direct-transfer marching memory and a computer system using the same |
TWI557749B (zh) * | 2013-06-13 | 2016-11-11 | 中村維男 | 直接轉移跨步記憶體及使用該記憶體之電腦系統 |
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