JPH04237115A - 描画パターンの精度モニタ方法 - Google Patents
描画パターンの精度モニタ方法Info
- Publication number
- JPH04237115A JPH04237115A JP1914791A JP1914791A JPH04237115A JP H04237115 A JPH04237115 A JP H04237115A JP 1914791 A JP1914791 A JP 1914791A JP 1914791 A JP1914791 A JP 1914791A JP H04237115 A JPH04237115 A JP H04237115A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- accuracy
- check
- fields
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title abstract 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造に
用いられるフォトマスクの描画あるいはウエハ直接描画
の精度をモニタする方法に関する。
用いられるフォトマスクの描画あるいはウエハ直接描画
の精度をモニタする方法に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路等の半導体装置を製造する場合
、一般にフォトリソグラフィ技術を用いたパターン形成
が行われる。近年、半導体装置の集積度が高くなるにつ
れて、フォトマスクにはパターン精度及び重ね合わせ精
度等の品質精度の向上が要求され、また製造工程も複雑
化している。このため、微細加工が容易で、高精度且つ
高速でフォトマスクのパターン形成が可能な電子ビーム
露光装置が用いられている。この電子ビーム露光装置に
は各種のものがあるが、従来のスポットビームラスター
スキャン方式に代わってより高精度なパターン形成がで
きる可変整形ビームベクタースキャン方式の露光装置が
使用されるようになった。
、一般にフォトリソグラフィ技術を用いたパターン形成
が行われる。近年、半導体装置の集積度が高くなるにつ
れて、フォトマスクにはパターン精度及び重ね合わせ精
度等の品質精度の向上が要求され、また製造工程も複雑
化している。このため、微細加工が容易で、高精度且つ
高速でフォトマスクのパターン形成が可能な電子ビーム
露光装置が用いられている。この電子ビーム露光装置に
は各種のものがあるが、従来のスポットビームラスター
スキャン方式に代わってより高精度なパターン形成がで
きる可変整形ビームベクタースキャン方式の露光装置が
使用されるようになった。
【0003】ここで、可変整形ビームベクタースキャン
方式による露光方法を説明する。図9に示すように、フ
ォトマスク(21)は複数のチップ部(23)を有して
おり、図10に示すようにチップ部(23)を所定の大
きさに分割した小領域であるフィールド(30)を順次
露光することにより各チップ部(23)を露光し、これ
によりフォトマスク(21)全面のパターンを形成する
。なお、図11に示されるように、各フィールド(30
)内においてはパターンがさらに小さな領域であるショ
ット(31)に分割され、このショット(31)を単位
として露光が行われる。基本的にはショット(32)の
ように矩形のショットに分割されるが、斜めパターン等
により台形図形(33)が生じた場合には、斜め部分を
精度よく形成するために図12のように台形図形(33
)をさらに細かな矩形のショット(34)に分割し、矩
形ショット(34)をオーバーラップさせながら露光し
ていた。
方式による露光方法を説明する。図9に示すように、フ
ォトマスク(21)は複数のチップ部(23)を有して
おり、図10に示すようにチップ部(23)を所定の大
きさに分割した小領域であるフィールド(30)を順次
露光することにより各チップ部(23)を露光し、これ
によりフォトマスク(21)全面のパターンを形成する
。なお、図11に示されるように、各フィールド(30
)内においてはパターンがさらに小さな領域であるショ
ット(31)に分割され、このショット(31)を単位
として露光が行われる。基本的にはショット(32)の
ように矩形のショットに分割されるが、斜めパターン等
により台形図形(33)が生じた場合には、斜め部分を
精度よく形成するために図12のように台形図形(33
)をさらに細かな矩形のショット(34)に分割し、矩
形ショット(34)をオーバーラップさせながら露光し
ていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように、一つのチ
ップ部(23)のパターンデータは多数のフィールド(
30)に分割され、さらにフィールド(30)内のパタ
ーンデータは多数のショット(31)に分割されて露光
される。このため、チップ部(23)内の隣接するフィ
ールド(30)の継ぎの描画精度と、ショット(31)
の組み合わせにより形成されるフィールド(30)内の
パターンの寸法精度とが電子ビーム露光装置において重
要な要素となり、これらを高精度に保つことが要求され
る。しかしながら、従来は描画精度を測定、検査する方
法がないために、高精度のパターン形成の管理が困難で
あり、製品の歩留まりの向上を図ることができないとい
う問題点があった。
ップ部(23)のパターンデータは多数のフィールド(
30)に分割され、さらにフィールド(30)内のパタ
ーンデータは多数のショット(31)に分割されて露光
される。このため、チップ部(23)内の隣接するフィ
ールド(30)の継ぎの描画精度と、ショット(31)
の組み合わせにより形成されるフィールド(30)内の
パターンの寸法精度とが電子ビーム露光装置において重
要な要素となり、これらを高精度に保つことが要求され
る。しかしながら、従来は描画精度を測定、検査する方
法がないために、高精度のパターン形成の管理が困難で
あり、製品の歩留まりの向上を図ることができないとい
う問題点があった。
【0005】この発明はこのような従来技術の問題点を
解消するためになされたもので、描画精度を容易に検査
することができる描画パターンの精度モニタ方法を提供
することを目的とする。
解消するためになされたもので、描画精度を容易に検査
することができる描画パターンの精度モニタ方法を提供
することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係る描画パタ
ーンの精度モニタ方法は、露光領域内に精度モニタ用の
モニタパターン領域を配置し、このモニタパターン領域
を互いにオーバーラップするような複数のフィールドに
分割し、これら複数のフィールドのオーバーラップ部分
にそれぞれチェック用パターンを形成し、複数のフィー
ルドを露光することにより描画された複数のチェック用
パターンの位置精度を測定する方法である。
ーンの精度モニタ方法は、露光領域内に精度モニタ用の
モニタパターン領域を配置し、このモニタパターン領域
を互いにオーバーラップするような複数のフィールドに
分割し、これら複数のフィールドのオーバーラップ部分
にそれぞれチェック用パターンを形成し、複数のフィー
ルドを露光することにより描画された複数のチェック用
パターンの位置精度を測定する方法である。
【0007】
【作用】この発明においては、モニタパターン領域の複
数のフィールドのオーバーラップ部分にチェック用パタ
ーンを形成し、描画されたチェック用パターンの位置精
度を測定することにより、描画精度を確認する。
数のフィールドのオーバーラップ部分にチェック用パタ
ーンを形成し、描画されたチェック用パターンの位置精
度を測定することにより、描画精度を確認する。
【0008】
【実施例】以下、この発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図1はこの発明の一実施例に係る描画パタ
ーンの精度モニタ方法で作成されるフォトマスクを示す
平面図である。まず、例えばガラスプレートからなるフ
ォトマスク(1)の表面上に本パターンとなる複数のチ
ップ部(3)を配置すると共にチップ部(3)とは別の
箇所に精度モニタ用のモニタパターン領域(2)を配置
する。次に、図2に示されるように、モニタパターン領
域(2)を六つのフィールド(4)〜(9)に分割する
。これらのうちフィールド(4)〜(7)は互いに一部
が重なったオーバーラップ部分(10)を有している。 例えば、図2の斜線部はフィールド(4)と(5)のオ
ーバーラップ部分を示している。また、フィールド(8
)及び(9)はそれぞれモニタパターン領域(2)の中
央部に互いに完全にオーバーラップするように配置され
ると共に他のフィールド(4)〜(7)とその一部がオ
ーバーラップしている。
て説明する。図1はこの発明の一実施例に係る描画パタ
ーンの精度モニタ方法で作成されるフォトマスクを示す
平面図である。まず、例えばガラスプレートからなるフ
ォトマスク(1)の表面上に本パターンとなる複数のチ
ップ部(3)を配置すると共にチップ部(3)とは別の
箇所に精度モニタ用のモニタパターン領域(2)を配置
する。次に、図2に示されるように、モニタパターン領
域(2)を六つのフィールド(4)〜(9)に分割する
。これらのうちフィールド(4)〜(7)は互いに一部
が重なったオーバーラップ部分(10)を有している。 例えば、図2の斜線部はフィールド(4)と(5)のオ
ーバーラップ部分を示している。また、フィールド(8
)及び(9)はそれぞれモニタパターン領域(2)の中
央部に互いに完全にオーバーラップするように配置され
ると共に他のフィールド(4)〜(7)とその一部がオ
ーバーラップしている。
【0009】このようなフィールド(4)〜(9)のオ
ーバーラップ部分にそれぞれチェック用パターンを形成
する。 チェック用パターンとしては各種のものが考えられるが
、例えば図3に示すように、フィールド(4)及び(6
)にそれぞれ同じ大きさの矩形のチェック用パターン(
11A)及び(11B)を形成し、これらのパターン(
11A)及び(11B)がフィールド(4)と(6)と
のオーバーラップ部分(10)で接するようにする。こ
のようなチェック用パターン(11A)及び(11B)
のデータを作成した後、一連の電子ビーム露光によりチ
ップ部(3)の本パターンと共にチェック用パターン(
11A)及び(11B)を描画形成する。そして、形成
されたパターン(11A)と(11B)との接合の具合
を観察することにより、フィールド(4)と(6)の接
続位置精度を定性的に検査することができ、さらにその
結果からチェック用パターン(11A)及び(11B)
と同一の工程で形成した本パターンの描画精度の確認が
行われる。すなわち、二つのチェック用パターン(11
A)及び(11B)の接合性が優れる程、フィールド(
4)と(6)との接続位置精度は高く、本パターンの描
画精度は高いと判定される。
ーバーラップ部分にそれぞれチェック用パターンを形成
する。 チェック用パターンとしては各種のものが考えられるが
、例えば図3に示すように、フィールド(4)及び(6
)にそれぞれ同じ大きさの矩形のチェック用パターン(
11A)及び(11B)を形成し、これらのパターン(
11A)及び(11B)がフィールド(4)と(6)と
のオーバーラップ部分(10)で接するようにする。こ
のようなチェック用パターン(11A)及び(11B)
のデータを作成した後、一連の電子ビーム露光によりチ
ップ部(3)の本パターンと共にチェック用パターン(
11A)及び(11B)を描画形成する。そして、形成
されたパターン(11A)と(11B)との接合の具合
を観察することにより、フィールド(4)と(6)の接
続位置精度を定性的に検査することができ、さらにその
結果からチェック用パターン(11A)及び(11B)
と同一の工程で形成した本パターンの描画精度の確認が
行われる。すなわち、二つのチェック用パターン(11
A)及び(11B)の接合性が優れる程、フィールド(
4)と(6)との接続位置精度は高く、本パターンの描
画精度は高いと判定される。
【0010】また、チェック用パターン(11A)及び
(11B)に代えてあるいは追加して、図3に示すよう
な環状のチェック用パターン(12A)をフィールド(
4)に、この環状パターン(12A)の中心部に位置す
るような矩形のチェック用パターン(12B)をフィー
ルド(6)にそれぞれ形成してもよい。このようなパタ
ーン(12A)及び(12B)を描画した後、X方向に
ついて矩形パターン(12B)の両側における環状パタ
ーン(12A)との間隔をそれぞれ測定すれば、これら
測定値の差分を1/2した値がX方向のフィールド接続
位置精度となる。同様にして、Y方向のフィールド接続
位置精度を定量的に求めることができる。
(11B)に代えてあるいは追加して、図3に示すよう
な環状のチェック用パターン(12A)をフィールド(
4)に、この環状パターン(12A)の中心部に位置す
るような矩形のチェック用パターン(12B)をフィー
ルド(6)にそれぞれ形成してもよい。このようなパタ
ーン(12A)及び(12B)を描画した後、X方向に
ついて矩形パターン(12B)の両側における環状パタ
ーン(12A)との間隔をそれぞれ測定すれば、これら
測定値の差分を1/2した値がX方向のフィールド接続
位置精度となる。同様にして、Y方向のフィールド接続
位置精度を定量的に求めることができる。
【0011】図4に示すように、それぞれピッチの異な
る複数の矩形パターンからなるチェック用パターン(1
5A)及び(15B)をフィールド(4)及び(6)に
形成してオーバーラップ部分(10)にバーニアを描画
するようにすれば、目視により定量的にフィールドの接
続位置精度を判定することができる。さらに、図5に示
すように、チェック用パターン(15A)及び(15B
)に対して直角方向に第2のチェック用パターン(16
A)及び(16B)をそれぞれフィールド(4)及び(
6)に形成して二組のバーニアを描画すれば、フィール
ドのXY両方向の接続位置精度の判定が可能となる。
る複数の矩形パターンからなるチェック用パターン(1
5A)及び(15B)をフィールド(4)及び(6)に
形成してオーバーラップ部分(10)にバーニアを描画
するようにすれば、目視により定量的にフィールドの接
続位置精度を判定することができる。さらに、図5に示
すように、チェック用パターン(15A)及び(15B
)に対して直角方向に第2のチェック用パターン(16
A)及び(16B)をそれぞれフィールド(4)及び(
6)に形成して二組のバーニアを描画すれば、フィール
ドのXY両方向の接続位置精度の判定が可能となる。
【0012】図6に示すように、フィールド(6)の周
縁部付近に互いに平行な一対の矩形パターンからなるチ
ェック用パターン(13A)を形成すると共にフィール
ド(8)の中央部付近にも互いに平行な一対の矩形パタ
ーンからなるチェック用パターン(13B)を形成して
、フィールド(6)と(8)のオーバーラップ部分でこ
れらのチェック用パターン(13A)及び(13B)が
交互に位置するようにしてもよい。描画されたこれらの
パターン(13A)及び(13B)の位置精度をそれぞ
れ測定することにより、偏向収差に起因するフィールド
内の寸法のばらつきを判定することができる。
縁部付近に互いに平行な一対の矩形パターンからなるチ
ェック用パターン(13A)を形成すると共にフィール
ド(8)の中央部付近にも互いに平行な一対の矩形パタ
ーンからなるチェック用パターン(13B)を形成して
、フィールド(6)と(8)のオーバーラップ部分でこ
れらのチェック用パターン(13A)及び(13B)が
交互に位置するようにしてもよい。描画されたこれらの
パターン(13A)及び(13B)の位置精度をそれぞ
れ測定することにより、偏向収差に起因するフィールド
内の寸法のばらつきを判定することができる。
【0013】また、図7に示すように、フィールド(8
)の中央部に環状のチェック用パターン(14A)を形
成すると共にこのフィールド(8)と完全にオーバーラ
ップするフィールド(9)に上記のパターン(14A)
の中央部に位置するように矩形のチェック用パターン(
14B)を形成してもよい。そして、一連の露光の最初
にフィールド(8)を露光してチェック用パターン(1
4A)を描画し、その後本パターン等の露光を行い、最
後にフィールド(9)を露光してチェック用パターン(
14B)を描画する。このようにして描画されたパター
ン(14A)及び(14B)の相対的な位置を、図3に
示したチェック用パターン(12A)及び(12B)と
同様にして測定することにより、長時間露光におけるド
リフトすなわち位置ずれを判定することが可能となる。
)の中央部に環状のチェック用パターン(14A)を形
成すると共にこのフィールド(8)と完全にオーバーラ
ップするフィールド(9)に上記のパターン(14A)
の中央部に位置するように矩形のチェック用パターン(
14B)を形成してもよい。そして、一連の露光の最初
にフィールド(8)を露光してチェック用パターン(1
4A)を描画し、その後本パターン等の露光を行い、最
後にフィールド(9)を露光してチェック用パターン(
14B)を描画する。このようにして描画されたパター
ン(14A)及び(14B)の相対的な位置を、図3に
示したチェック用パターン(12A)及び(12B)と
同様にして測定することにより、長時間露光におけるド
リフトすなわち位置ずれを判定することが可能となる。
【0014】台形図形を描画するために矩形ショットの
多重ずらし露光を行う場合には、図8に示すように、互
いにオーバーラップする一対のフィールドの一方に三角
形あるいは台形状のチェック用パターン(17A)を形
成すると共に他方のフィールドに上記のパターン(17
A)の斜辺と接合するような斜辺を有する三角形あるい
は台形状のチェック用パターン(17B)を形成すると
効果的である。チェック用パターン(17A)及び(1
7B)を描画すると、これらの組み合わせにより矩形の
パターンが形成され、この矩形パターンの縦方向及び横
方向の長さL1及びL2を測定することにより、描画し
ようとする台形図形の斜辺部分の位置精度と矩形ショッ
トの積み重ね精度とを判定することができる。
多重ずらし露光を行う場合には、図8に示すように、互
いにオーバーラップする一対のフィールドの一方に三角
形あるいは台形状のチェック用パターン(17A)を形
成すると共に他方のフィールドに上記のパターン(17
A)の斜辺と接合するような斜辺を有する三角形あるい
は台形状のチェック用パターン(17B)を形成すると
効果的である。チェック用パターン(17A)及び(1
7B)を描画すると、これらの組み合わせにより矩形の
パターンが形成され、この矩形パターンの縦方向及び横
方向の長さL1及びL2を測定することにより、描画し
ようとする台形図形の斜辺部分の位置精度と矩形ショッ
トの積み重ね精度とを判定することができる。
【0015】なお、図1に示したフォトマスク(1)で
はチップ部(3)の外部の一箇所にモニタパターン領域
(2)を配置したが、複数箇所に同様のモニタパターン
領域(2)を配置してそれぞれ描画精度の判定を行うよ
うにすれば、より高精度のモニタを行うことができる。 また、チップ部(3)の外部ではなくチップ部(3)内
にモニタパターン領域を設定してもよい。モニタパター
ン領域(2)に形成するチップ用パターンとしては、図
3〜図8に例示したパターン以外の形状のものを用いて
も同様の効果を奏することが可能である。さらに、上記
実施例ではフォトマスク(1)のパターン形状について
述べたが、フォトマスク(1)の代わりにウエハを用い
れば、同様にして本発明の精度モニタ方法をウエハ直接
描画に適用することができる。
はチップ部(3)の外部の一箇所にモニタパターン領域
(2)を配置したが、複数箇所に同様のモニタパターン
領域(2)を配置してそれぞれ描画精度の判定を行うよ
うにすれば、より高精度のモニタを行うことができる。 また、チップ部(3)の外部ではなくチップ部(3)内
にモニタパターン領域を設定してもよい。モニタパター
ン領域(2)に形成するチップ用パターンとしては、図
3〜図8に例示したパターン以外の形状のものを用いて
も同様の効果を奏することが可能である。さらに、上記
実施例ではフォトマスク(1)のパターン形状について
述べたが、フォトマスク(1)の代わりにウエハを用い
れば、同様にして本発明の精度モニタ方法をウエハ直接
描画に適用することができる。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、この発明において
は、露光領域内に精度モニタ用のモニタパターン領域を
配置し、このモニタパターン領域を互いにオーバーラッ
プするような複数のフィールドに分割し、これら複数の
フィールドのオーバーラップ部分にそれぞれチェック用
パターンを形成し、複数のフィールドを露光することに
より描画された複数のチェック用パターンの位置精度を
測定するので、容易に描画精度を検査することが可能と
なる。
は、露光領域内に精度モニタ用のモニタパターン領域を
配置し、このモニタパターン領域を互いにオーバーラッ
プするような複数のフィールドに分割し、これら複数の
フィールドのオーバーラップ部分にそれぞれチェック用
パターンを形成し、複数のフィールドを露光することに
より描画された複数のチェック用パターンの位置精度を
測定するので、容易に描画精度を検査することが可能と
なる。
【図1】この発明の一実施例に係る描画パターンの精度
モニタ方法で作成されるフォトマスクを示す平面図であ
る。
モニタ方法で作成されるフォトマスクを示す平面図であ
る。
【図2】図1のフォトマスクに配置されるモニタパター
ン領域の拡大図である。
ン領域の拡大図である。
【図3】モニタパターン領域に形成されるチェック用パ
ターンの一例を示す平面図である。
ターンの一例を示す平面図である。
【図4】チェック用パターンの他の例を示す平面図であ
る。
る。
【図5】チェック用パターンの他の例を示す平面図であ
る。
る。
【図6】チェック用パターンの他の例を示す平面図であ
る。
る。
【図7】チェック用パターンの他の例を示す平面図であ
る。
る。
【図8】チェック用パターンの他の例を示す平面図であ
る。
る。
【図9】従来のフォトマスクを示す平面図である。
【図10】図9の部分Aの拡大図である。
【図11】従来のチップ部の露光方法を示すための平面
図である。
図である。
【図12】従来の台形図形パターンの露光方法を示すた
めの平面図である。
めの平面図である。
1 フォトマスク
2 モニタパターン領域
4 フィールド
5 フィールド
6 フィールド
7 フィールド
8 フィールド
9 フィールド
10 オーバーラップ部分
11A チェック用パターン
11B チェック用パターン
12A チェック用パターン
12B チェック用パターン
13A チェック用パターン
13B チェック用パターン
14A チェック用パターン
14B チェック用パターン
15A チェック用パターン
15B チェック用パターン
16A チェック用パターン
16B チェック用パターン
17A チェック用パターン
17B チェック用パターン
Claims (1)
- 【請求項1】 露光領域内に精度モニタ用のモニタパ
ターン領域を配置し、このモニタパターン領域を互いに
オーバーラップするような複数のフィールドに分割し、
前記複数のフィールドのオーバーラップ部分にそれぞれ
チェック用パターンを形成し、前記複数のフィールドを
露光することにより描画された複数の前記チェック用パ
ターンの位置精度を測定することを特徴とする描画パタ
ーンの精度モニタ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1914791A JPH04237115A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 描画パターンの精度モニタ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1914791A JPH04237115A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 描画パターンの精度モニタ方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04237115A true JPH04237115A (ja) | 1992-08-25 |
Family
ID=11991334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1914791A Pending JPH04237115A (ja) | 1991-01-21 | 1991-01-21 | 描画パターンの精度モニタ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04237115A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6417516B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-07-09 | Nec Corporation | Electron beam lithographing method and apparatus thereof |
US7590966B2 (en) * | 1999-09-09 | 2009-09-15 | Micronic Laser Systems Ab | Data path for high performance pattern generator |
-
1991
- 1991-01-21 JP JP1914791A patent/JPH04237115A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6417516B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-07-09 | Nec Corporation | Electron beam lithographing method and apparatus thereof |
US7590966B2 (en) * | 1999-09-09 | 2009-09-15 | Micronic Laser Systems Ab | Data path for high performance pattern generator |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5296917A (en) | Method of monitoring accuracy with which patterns are written | |
US20210296392A1 (en) | Flat Panel Array with the Alignment Marks in Active Area | |
JPH1069066A (ja) | マスクおよびその検査方法ならびに露光方法 | |
JP2013080816A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4972278B2 (ja) | レチクル及び半導体装置の製造方法 | |
JP2000277425A (ja) | 電子線描画方法とその装置 | |
JP3442007B2 (ja) | ステッパレンズの収差測定パターンおよびステッパレンズの収差特性評価方法 | |
JPH04237115A (ja) | 描画パターンの精度モニタ方法 | |
JP3336357B2 (ja) | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法 | |
JP2663623B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JPS6344220B2 (ja) | ||
JP4029210B2 (ja) | 繋ぎ合わせ測定装置および分割露光用マスク | |
CN109188855B (zh) | 光刻机的焦距监控光罩及方法 | |
JPS6331132A (ja) | パタ−ン描画精度検査方法 | |
JP2892068B2 (ja) | 荷電ビーム描画方法 | |
JPH04587B2 (ja) | ||
JP6094630B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS5919318A (ja) | 転写パタ−ンの位置ずれ検査方法および転写パタ−ンマスク | |
JPS5996729A (ja) | ホトマスク等の位置精度測定方法 | |
JPS62263633A (ja) | パタ−ン描画方法 | |
JPS6111461B2 (ja) | ||
JP2002237451A (ja) | 位置合わせ装置及び位置合わせ方法 | |
JPH05204132A (ja) | レチクル及びその製造方法 | |
JPS63288018A (ja) | 電子ビーム露光方法 | |
JP2005197453A (ja) | レチクルとそれを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 |