JPH0324275A - 透明で均一かつ緻密な酸化物被膜の形成方法 - Google Patents
透明で均一かつ緻密な酸化物被膜の形成方法Info
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 35
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims abstract description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 79
- 238000001879 gelation Methods 0.000 claims description 38
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 4
- 230000003179 granulation Effects 0.000 abstract 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 terL -butoxy group Chemical group 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 5
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 3
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 1-Octanol Chemical compound CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000554 iris Anatomy 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 210000004379 membrane Anatomy 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000008708 Morus alba Nutrition 0.000 description 1
- 240000000249 Morus alba Species 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASRYSTKCOQBGBE-UHFFFAOYSA-N [W+6].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] Chemical compound [W+6].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] ASRYSTKCOQBGBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N butyl alcohol Substances CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940035429 isobutyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 210000004303 peritoneum Anatomy 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利川分!F〉
本発明は、各種材料に被覆されて利用される酸化物被欣
の形成方法に関するものである.本発明における被膜と
は、金属の酸化防止、副酸性の向上、El”lのパッシ
ベーシジン、ガラスの耐酸性、耐アルカリ性の向上など
に使われる保護11タ、又は紫外線遮断に使用される光
吸収改、1亥融合レーザー用光学材に使II+される反
射防止膜、コンデンサーに使用される強講電休膜、磁気
素子に使用される磁性膜のような機能nΔと11・トば
れる膜を,a味する.〈従来の技術〉 }1v膜形成Ik術は、現在の電子産業の基盤となって
いるB<要な技術であり、主として乾式成1模法により
背膜が製造され゜ζいる. −・方、金属アルニ1−1−シドを含1『シた溶液(以
下、基仮に塗布する?8液をコーティング液と吋ぶ)を
基板に塗布してゲル膜を基板上に形成し、該ゲル膜を熱
分解さUることにより酸化物被膜を形成する方法は、簡
単でしかも安価な設備でよく、生産性も高くコストが安
い上に、均質で化学量論tjLのよい膜が得られるなど
の長所が期待される.尚、コーティング液を基板に塗布
する方法としてディップコート法とスビンコート法が知
られている.ディップコート法では、基板をコーティン
グ液に浸漬した後、基板を引き上げることにより基板に
コーティング液を塗布する.一方、スピンコート法では
、回転する基板上にコーティング液を滴下することによ
り基板にコーティング液を塗布する.スピンコート法に
より形成した膜の方がディップコ−1・法により形威し
た膜より、膜厚の均一性・再現性において優れている.
しかし、ディップコート法の方が寸法の大きい基板をコ
ートできる. 一般にII!II¥1μ一以下の酸化物被膜を湿式で基
板上に形成する方法としては、金属アルコキシドを含有
する溶液にあらかじめ水、触媒等を加え、加水分解重合
反応を進行させてゾル溶液とし、nIi記ゾル溶液に基
板を浸漬した後、基板を引き上げて薄膜を得た後、熱分
解させて基板上に酸化物被膜を形威する方法が知られて
いる.また、金属アルコキシドを含有する溶液を直接、
+171止または回転する基板上に塗布し、基板を更に
回転させi8液を基板上に広げ、雰囲気中の水分により
加水分解を進行させてゲル1漠を基板上に形成し、該ゲ
ル膜を熱分解して基板上に酸化物被膜を形成する方法も
”nr.ceram.Proc.νo1.36 p.1
07 1985”において知られている. しかしながら、真空蒸着法、スパッター法などの乾式法
により酸化物被膜を基板上に形成する方法は、設m費が
高い、鮎品性及び化学猾油性の良好な膜が得られにくい
、生産性が低いなどの欠点があり、また高融点酸化物の
成膜が困難である.一方、金属アルコキシドを含有する
溶液にわらかしめ水、触媒等を加え、加水分解重合反応
を進行させゾル溶液とし、前記ゾル溶液をコーティング
液として基板に塗布し、得られた前駆体膜を熱分解させ
て基板」二に酸化物被膜を形威する促来の方法では、コ
ーティング液の保存性が悪く、同一コーティング液から
得られた膜の膜厚の均一性、膜厚の制御性、再現性に問
題がある. また、金属アルコキシドを含有する溶液を直接基板に塗
布し、得られた前駆体膜を熱分解させ”ζ基板上に酸化
物被膜を形成する方法では、コーティング液の加水分解
反応速度が雰囲気中の水蒸気量に左右されるために前駆
体膜形成時の雰囲ス中の水蒸気坩の変動により膜厚とI
FJ質の再現nに問題がある.特に、雰囲気中の水謂気
徂が多ずぎる場合は、金属アルコキシド溶液が雰囲気中
の水分により加水分解重合化反応を起こし、液11タが
ゾル膜となり、更に反応が進んでゲル膜となる過程にお
いて雰囲気中の水分が過剰のため加水分解反応速度が速
くなり重合化が進行せず、粒子化してしまい熱処理の過
J’iiで粒子を核として結品化が進み膜としての均一
さや緻密さが得られなくなり、桟端な場合は膜を形成で
きなくなる. 〈発明が解決しようとする!!!!題〉本発明は、スピ
ンコート法で、金属アルコキシド溶液をそのままコーテ
ィング液として用いる場合において、透明で均一かつ緻
密な酸化物被膜の形成方法を提案4−ることを目的とす
るものである。
の形成方法に関するものである.本発明における被膜と
は、金属の酸化防止、副酸性の向上、El”lのパッシ
ベーシジン、ガラスの耐酸性、耐アルカリ性の向上など
に使われる保護11タ、又は紫外線遮断に使用される光
吸収改、1亥融合レーザー用光学材に使II+される反
射防止膜、コンデンサーに使用される強講電休膜、磁気
素子に使用される磁性膜のような機能nΔと11・トば
れる膜を,a味する.〈従来の技術〉 }1v膜形成Ik術は、現在の電子産業の基盤となって
いるB<要な技術であり、主として乾式成1模法により
背膜が製造され゜ζいる. −・方、金属アルニ1−1−シドを含1『シた溶液(以
下、基仮に塗布する?8液をコーティング液と吋ぶ)を
基板に塗布してゲル膜を基板上に形成し、該ゲル膜を熱
分解さUることにより酸化物被膜を形成する方法は、簡
単でしかも安価な設備でよく、生産性も高くコストが安
い上に、均質で化学量論tjLのよい膜が得られるなど
の長所が期待される.尚、コーティング液を基板に塗布
する方法としてディップコート法とスビンコート法が知
られている.ディップコート法では、基板をコーティン
グ液に浸漬した後、基板を引き上げることにより基板に
コーティング液を塗布する.一方、スピンコート法では
、回転する基板上にコーティング液を滴下することによ
り基板にコーティング液を塗布する.スピンコート法に
より形成した膜の方がディップコ−1・法により形威し
た膜より、膜厚の均一性・再現性において優れている.
しかし、ディップコート法の方が寸法の大きい基板をコ
ートできる. 一般にII!II¥1μ一以下の酸化物被膜を湿式で基
板上に形成する方法としては、金属アルコキシドを含有
する溶液にあらかじめ水、触媒等を加え、加水分解重合
反応を進行させてゾル溶液とし、nIi記ゾル溶液に基
板を浸漬した後、基板を引き上げて薄膜を得た後、熱分
解させて基板上に酸化物被膜を形威する方法が知られて
いる.また、金属アルコキシドを含有する溶液を直接、
+171止または回転する基板上に塗布し、基板を更に
回転させi8液を基板上に広げ、雰囲気中の水分により
加水分解を進行させてゲル1漠を基板上に形成し、該ゲ
ル膜を熱分解して基板上に酸化物被膜を形成する方法も
”nr.ceram.Proc.νo1.36 p.1
07 1985”において知られている. しかしながら、真空蒸着法、スパッター法などの乾式法
により酸化物被膜を基板上に形成する方法は、設m費が
高い、鮎品性及び化学猾油性の良好な膜が得られにくい
、生産性が低いなどの欠点があり、また高融点酸化物の
成膜が困難である.一方、金属アルコキシドを含有する
溶液にわらかしめ水、触媒等を加え、加水分解重合反応
を進行させゾル溶液とし、前記ゾル溶液をコーティング
液として基板に塗布し、得られた前駆体膜を熱分解させ
て基板」二に酸化物被膜を形威する促来の方法では、コ
ーティング液の保存性が悪く、同一コーティング液から
得られた膜の膜厚の均一性、膜厚の制御性、再現性に問
題がある. また、金属アルコキシドを含有する溶液を直接基板に塗
布し、得られた前駆体膜を熱分解させ”ζ基板上に酸化
物被膜を形成する方法では、コーティング液の加水分解
反応速度が雰囲気中の水蒸気量に左右されるために前駆
体膜形成時の雰囲ス中の水蒸気坩の変動により膜厚とI
FJ質の再現nに問題がある.特に、雰囲気中の水謂気
徂が多ずぎる場合は、金属アルコキシド溶液が雰囲気中
の水分により加水分解重合化反応を起こし、液11タが
ゾル膜となり、更に反応が進んでゲル膜となる過程にお
いて雰囲気中の水分が過剰のため加水分解反応速度が速
くなり重合化が進行せず、粒子化してしまい熱処理の過
J’iiで粒子を核として結品化が進み膜としての均一
さや緻密さが得られなくなり、桟端な場合は膜を形成で
きなくなる. 〈発明が解決しようとする!!!!題〉本発明は、スピ
ンコート法で、金属アルコキシド溶液をそのままコーテ
ィング液として用いる場合において、透明で均一かつ緻
密な酸化物被膜の形成方法を提案4−ることを目的とす
るものである。
〈!!!題解決のための手段〉
本発明はスピンコート法で、金属アルコキシド溶液を直
接、基板に塗布する場合に問題となる液膜の加水分解速
度の変動を解決するために、種)2の実験を行った結果
{:}られたものである.実験によれば、含イ1する水
蒸気撥が12g/n?より多い雰1711気中で金属ア
ルコキシド溶液を、基板トに滴下し、基板を更に同転さ
せ溶液を基板上に広げることにより塗布し、雰囲気中の
水分により加水分解を進行さ・l−でゲル股を基板上に
形威1ると、ゲル119の自濁化が明らかに認められた
。次に自局化したゲル膜に熱処理を加えてみると、基板
士には酸化物粒子がllk /E シ、膜を形成しなか
った。この原因は、雰囲気中の水蒸気量が多ずぎたため
に、fI.膜の加水分解反応速度が速くなりずぎ”ζゲ
ル膜を形成せず、粒子化したためと考えられる。
接、基板に塗布する場合に問題となる液膜の加水分解速
度の変動を解決するために、種)2の実験を行った結果
{:}られたものである.実験によれば、含イ1する水
蒸気撥が12g/n?より多い雰1711気中で金属ア
ルコキシド溶液を、基板トに滴下し、基板を更に同転さ
せ溶液を基板上に広げることにより塗布し、雰囲気中の
水分により加水分解を進行さ・l−でゲル股を基板上に
形威1ると、ゲル119の自濁化が明らかに認められた
。次に自局化したゲル膜に熱処理を加えてみると、基板
士には酸化物粒子がllk /E シ、膜を形成しなか
った。この原因は、雰囲気中の水蒸気量が多ずぎたため
に、fI.膜の加水分解反応速度が速くなりずぎ”ζゲ
ル膜を形成せず、粒子化したためと考えられる。
一方、含有する水蒸気填が12g/++f以下の範囲の
雰囲気中で金屈アルコ;1−シド溶液を基板上に滴下し
、基板を史にIij1転さe′?8液を基板上に広げる
ことにより塗布し、ゲル膜を基板上に形成したところ、
該ゲル膜は透明であった.更に該ゲル1模を熱処理する
と、得られた酸化膜は透明、緻密かつ膜1rJ均一であ
った. 木発門は、」二記の知見に基づくものである.ずなわら
、本発明は、金属アルコキシドを含有する溶液を帥止又
は回転する基板上に滴下し、基板の回転数を更に上げ゛
ζ溶液を基板上に拡げる塗布工程、引続き雰囲気中の水
蒸気による加水分解によりゲル膜を!1t板上に形成す
るゲル化工程、次いで該ゲル1模を2,さ分解して基板
上に酸化物被欣を形成する熱分解工程からなる酸化物被
膜の形成方法において、塗布工程時及びゲル化工程時の
雰囲気中の水蒸気■を共に12g/nf以下にすること
を特徴とする透明で均一かつ緻密な酸化物被膜の形成方
法であり、望ましくはゲル工程時の雰囲気中の水蒸気量
を塗布工程時のそれより多くしたものである。
雰囲気中で金屈アルコ;1−シド溶液を基板上に滴下し
、基板を史にIij1転さe′?8液を基板上に広げる
ことにより塗布し、ゲル膜を基板上に形成したところ、
該ゲル膜は透明であった.更に該ゲル1模を熱処理する
と、得られた酸化膜は透明、緻密かつ膜1rJ均一であ
った. 木発門は、」二記の知見に基づくものである.ずなわら
、本発明は、金属アルコキシドを含有する溶液を帥止又
は回転する基板上に滴下し、基板の回転数を更に上げ゛
ζ溶液を基板上に拡げる塗布工程、引続き雰囲気中の水
蒸気による加水分解によりゲル膜を!1t板上に形成す
るゲル化工程、次いで該ゲル1模を2,さ分解して基板
上に酸化物被欣を形成する熱分解工程からなる酸化物被
膜の形成方法において、塗布工程時及びゲル化工程時の
雰囲気中の水蒸気■を共に12g/nf以下にすること
を特徴とする透明で均一かつ緻密な酸化物被膜の形成方
法であり、望ましくはゲル工程時の雰囲気中の水蒸気量
を塗布工程時のそれより多くしたものである。
〈作 用〉
次に木発1jllを具体例に基づいて、より詳細に説明
する. 本発明で用いる金属アルコキシドとしては、例えば一般
式(1)で表される単一金属アルコキシド、一a式(2
)で表される複合金属アルコキシド等が挙げられる. A (OR) . −(1)A,B
n(OR)... ・− (2)Rは、例えば
炭素原子数I〜20、好ましくは1〜8、より好ましく
は2〜6のアルキル基である.また、他の炭化水素基で
あってもよい.アルコキシル基としては、例えば、メト
ートシ基、エトキシ基、イソプロボキシ基、n−ブロボ
キシ基、イソプトキシ基、n−ブトキシ基、ter L
−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキソキシ基、
2エチルヘキソキシ基、フエノキシ基、2−メトキシエ
トキシ基、2−エトキシエトキシ基,シクロヘキシル基
等がある.また、基の一部を他の基(アルキル基、カル
ボキシル槙、アセチルアセトナト基など)に置喚したア
ルコキシル基でもよい.A及びBとしては、例えばl価
の金属としてリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジ
ウム、セシウム、クリウム等、2価の金属としてベリリ
ウム、マグネシウム、カルシウム、マンガン、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、亜鉛、ストロンチウム、カドミウ
ム、錫、バリウム、水銀、鉛等、3価の金属としてホウ
素、アルミニウム、スカンジウム、クロム、鉄、ガリウ
ム、ヒ素、イットリウム、希土類元素、インジウム、ア
ンヂモン、ランタン、ビスマス等、4価の金属として珪
素、チタン、バナジウム、ゲルマニウム、ジルコニウム
、錫、テルル、ハフニウム等、5llliの金属として
バナジウム、ヒ素、ニオブ、アンチモン、タンタル等、
6価の金属としてセレン、モリブデン、テルル、タング
ステン、レニウム等がある. 4i機溶媒としては、金屈アルコキシドを溶解するもの
であれば特に制限されない.例えば、メタノール、エタ
ノール、プロバノール、イソプロビルアルコール、ブク
ノール、イソブチルアルコール、tart−フヂルアル
コール、ヘキサノール、オクタノール、2−エトキシエ
タノール、2−イソブロボキシエタノール等のアルコー
ル類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン等
の脂肪族炭化水素類、シクロヘキサン、シクロへブタン
等の脂環式炭化水素類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエ
ステル類、アセ1・ン、メチルエチルケ1・ン、メチル
イソブチルケトン等のケトン類、ジエチルエーテル、ジ
オキサン算のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素類等がある。
する. 本発明で用いる金属アルコキシドとしては、例えば一般
式(1)で表される単一金属アルコキシド、一a式(2
)で表される複合金属アルコキシド等が挙げられる. A (OR) . −(1)A,B
n(OR)... ・− (2)Rは、例えば
炭素原子数I〜20、好ましくは1〜8、より好ましく
は2〜6のアルキル基である.また、他の炭化水素基で
あってもよい.アルコキシル基としては、例えば、メト
ートシ基、エトキシ基、イソプロボキシ基、n−ブロボ
キシ基、イソプトキシ基、n−ブトキシ基、ter L
−ブトキシ基、n−ペントキシ基、n−ヘキソキシ基、
2エチルヘキソキシ基、フエノキシ基、2−メトキシエ
トキシ基、2−エトキシエトキシ基,シクロヘキシル基
等がある.また、基の一部を他の基(アルキル基、カル
ボキシル槙、アセチルアセトナト基など)に置喚したア
ルコキシル基でもよい.A及びBとしては、例えばl価
の金属としてリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジ
ウム、セシウム、クリウム等、2価の金属としてベリリ
ウム、マグネシウム、カルシウム、マンガン、鉄、コバ
ルト、ニッケル、銅、亜鉛、ストロンチウム、カドミウ
ム、錫、バリウム、水銀、鉛等、3価の金属としてホウ
素、アルミニウム、スカンジウム、クロム、鉄、ガリウ
ム、ヒ素、イットリウム、希土類元素、インジウム、ア
ンヂモン、ランタン、ビスマス等、4価の金属として珪
素、チタン、バナジウム、ゲルマニウム、ジルコニウム
、錫、テルル、ハフニウム等、5llliの金属として
バナジウム、ヒ素、ニオブ、アンチモン、タンタル等、
6価の金属としてセレン、モリブデン、テルル、タング
ステン、レニウム等がある. 4i機溶媒としては、金屈アルコキシドを溶解するもの
であれば特に制限されない.例えば、メタノール、エタ
ノール、プロバノール、イソプロビルアルコール、ブク
ノール、イソブチルアルコール、tart−フヂルアル
コール、ヘキサノール、オクタノール、2−エトキシエ
タノール、2−イソブロボキシエタノール等のアルコー
ル類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、イソオクタン等
の脂肪族炭化水素類、シクロヘキサン、シクロへブタン
等の脂環式炭化水素類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエ
ステル類、アセ1・ン、メチルエチルケ1・ン、メチル
イソブチルケトン等のケトン類、ジエチルエーテル、ジ
オキサン算のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素類等がある。
基板は熱処理を受けるので、耐熱性を持つものでなけれ
ばならない.例えば、アル為ナ、石英、シリカ、耐熱ガ
ラス等が好ましい.或いは、これらの基板上にPVD,
CVD等により金属膜、酸化119などを形威したも
のを基板として用いてもよい。
ばならない.例えば、アル為ナ、石英、シリカ、耐熱ガ
ラス等が好ましい.或いは、これらの基板上にPVD,
CVD等により金属膜、酸化119などを形威したも
のを基板として用いてもよい。
基板の形状には特に制限はないが、スビンコート法では
円または正方形が好ましく、寸法も特に制限はないが、
スピンコート法では直径(または一辺の長さ)が1〜3
0インチが好ましく、1〜5インチがより好ましい。
円または正方形が好ましく、寸法も特に制限はないが、
スピンコート法では直径(または一辺の長さ)が1〜3
0インチが好ましく、1〜5インチがより好ましい。
コーティング液の滴下量は、基板の寸法により異なるの
で一概には言えないが、滴下時に基板全体に腹膜が広が
る程度かそれ以上であればよい.滴下速度には特に+$
I1限はないが、滴下速度が速すぎる場合はコーティン
グ液が基板からはね出してしまい、遅すぎる場合は滴下
時に加水分解重合化反応が進行してしまうので、滴下時
間が3〜10秒となる速度が好ましい.ゲル膜形威時の
基板の回転時間は、金属アルコキシド・溶媒の種類、雰
囲気中の水蒸気徂等により加水分解重合反応の速度が異
なるので一概には言えないが、好ましくは30秒〜1時
間、より好ましくは1分〜5分である.基板の回転数の
範囲は、コーティング液の粘度、濃度等に左右されるの
で一概には言えないが、コーティング液滴下時はO〜l
000rρ−、好ましくは0〜500rp−であり、ゲ
ル膜形成時は500〜10000rp一、好ましくは1
000〜5000rpmである.塗布時及びゲル膜形成
時の雰囲気中の水蒸気攪を調整する方法には特別な制限
はなく、塗布時及びゲル膜形戚時に雰囲気を吸湿剤に暴
露する、水菖気を含んだ気体を導入するなどが考えられ
る。
で一概には言えないが、滴下時に基板全体に腹膜が広が
る程度かそれ以上であればよい.滴下速度には特に+$
I1限はないが、滴下速度が速すぎる場合はコーティン
グ液が基板からはね出してしまい、遅すぎる場合は滴下
時に加水分解重合化反応が進行してしまうので、滴下時
間が3〜10秒となる速度が好ましい.ゲル膜形威時の
基板の回転時間は、金属アルコキシド・溶媒の種類、雰
囲気中の水蒸気徂等により加水分解重合反応の速度が異
なるので一概には言えないが、好ましくは30秒〜1時
間、より好ましくは1分〜5分である.基板の回転数の
範囲は、コーティング液の粘度、濃度等に左右されるの
で一概には言えないが、コーティング液滴下時はO〜l
000rρ−、好ましくは0〜500rp−であり、ゲ
ル膜形成時は500〜10000rp一、好ましくは1
000〜5000rpmである.塗布時及びゲル膜形成
時の雰囲気中の水蒸気攪を調整する方法には特別な制限
はなく、塗布時及びゲル膜形戚時に雰囲気を吸湿剤に暴
露する、水菖気を含んだ気体を導入するなどが考えられ
る。
例えば、水蒸気を含んだ気体を導入する場合を考えると
、塗布特及びゲル膜形成時に導入する気体としては、水
蒸気を含んだ大気ないしは、不活f’1ガス(例えば窒
素、アルゴン、ヘリウム等)ないしは他のガス(メタン
、エタン等)がある.雰囲気の温度が高ずぎると溶媒の
蒸発速度が非常に速くなりゲル11タが形成される前に
溶媒が完全に7発してしまい、低ずぎると加水分解反応
速度が極端に遅くなり重合化がほとんど進行しなくなる
ので、塗布時及びゲル膜形成時の雰囲気の温度は、0〜
70℃が好ましく、15〜30”Cがまり奸ましい.ま
た、塗布及びゲル膜形或過程は、減圧、常圧、加圧のい
ずれの条件下でも行うことができる.一般に、前駆体膜
の膜11が0.3μ一より1¥くなると膜全体にクラッ
クが非常に生しやすくなることが知られている.このこ
とから、前駆体膜の膜厚の範囲は、10n+w〜0,3
μ一が好まし<、50n一〜0.25μ一がより好まし
い. 前駆体膜を熱分解させる場合、大気中ないしは密封した
容器内で行う。熱分解温度は金属アルコキシドにより異
なるので一概には言えないが、250゜C以上が好まし
<、+00〜2000゜Cがより好ましい。加熱方法に
は特別な制限はなく、電気炉、赤外線加熱、レーザー照
射などを適宜使用すればよい. 塗布時及びゲル股形成時に雰囲気中の水蒸気咀が12.
0g/n{を越えると液欣の加水分解反応速度が速くな
りすぎ、ゲル膜を形成せず粒子化してしまうので、雰囲
気中の水蒸気量を12.0g/ rrl以下に調節する
必要がある.この場合、塗布時及びゲル1lq形成時に
雰囲気中の水草気■を12.Oe/rd以下に調flf
lL、かつゲル膜形成時の雰囲気中の水革気扉を塗布時
より多くすると、塗布時の加水分解反応の追行の度合が
より小さくなり塗布時の膜のむらがより少なくなるので
より効果的である.また、水蒸気弔は過少になると加水
分解反応の進行速度が遅くなりすぎるのでIg/nr以
上が好適である.く実施例〉 実施例1−(a) テトラブ1・キシジルコニウムのエタノール溶液(濃度
0.8moj!/ ffi)を30Orpmで回転する
1インチ角の石英基板上に滴下し、更に基板を3000
rpmで回転させ溶液を基板上に広げ、雰囲気中の水蒸
気により加水分解を進行させてゲル膜を基板上に形成し
た.ゲル化後120゜Cで一時間乾燥し、600゛C3
0分で熱分解して基板上に膜* 0.051μ一の7,
rown桑を形成した。金属アルコキシド溶液の一回の
滴下量は、0.5mffiであり、滴下時間及びゲル化
時間は4秒と2分であった。N,ガスを導入することに
より塗布時及びゲル化時の雰囲気の水蒸気量を表1−(
a)の植に固定した。得られた酸化膜の状態を表1−(
a)に示す.また、雰囲気の水蒸気景を12.h/mよ
り多くした場合についての結果も比較例として表1 −
(alに示す。
、塗布特及びゲル膜形成時に導入する気体としては、水
蒸気を含んだ大気ないしは、不活f’1ガス(例えば窒
素、アルゴン、ヘリウム等)ないしは他のガス(メタン
、エタン等)がある.雰囲気の温度が高ずぎると溶媒の
蒸発速度が非常に速くなりゲル11タが形成される前に
溶媒が完全に7発してしまい、低ずぎると加水分解反応
速度が極端に遅くなり重合化がほとんど進行しなくなる
ので、塗布時及びゲル膜形成時の雰囲気の温度は、0〜
70℃が好ましく、15〜30”Cがまり奸ましい.ま
た、塗布及びゲル膜形或過程は、減圧、常圧、加圧のい
ずれの条件下でも行うことができる.一般に、前駆体膜
の膜11が0.3μ一より1¥くなると膜全体にクラッ
クが非常に生しやすくなることが知られている.このこ
とから、前駆体膜の膜厚の範囲は、10n+w〜0,3
μ一が好まし<、50n一〜0.25μ一がより好まし
い. 前駆体膜を熱分解させる場合、大気中ないしは密封した
容器内で行う。熱分解温度は金属アルコキシドにより異
なるので一概には言えないが、250゜C以上が好まし
<、+00〜2000゜Cがより好ましい。加熱方法に
は特別な制限はなく、電気炉、赤外線加熱、レーザー照
射などを適宜使用すればよい. 塗布時及びゲル股形成時に雰囲気中の水蒸気咀が12.
0g/n{を越えると液欣の加水分解反応速度が速くな
りすぎ、ゲル膜を形成せず粒子化してしまうので、雰囲
気中の水蒸気量を12.0g/ rrl以下に調節する
必要がある.この場合、塗布時及びゲル1lq形成時に
雰囲気中の水草気■を12.Oe/rd以下に調flf
lL、かつゲル膜形成時の雰囲気中の水革気扉を塗布時
より多くすると、塗布時の加水分解反応の追行の度合が
より小さくなり塗布時の膜のむらがより少なくなるので
より効果的である.また、水蒸気弔は過少になると加水
分解反応の進行速度が遅くなりすぎるのでIg/nr以
上が好適である.く実施例〉 実施例1−(a) テトラブ1・キシジルコニウムのエタノール溶液(濃度
0.8moj!/ ffi)を30Orpmで回転する
1インチ角の石英基板上に滴下し、更に基板を3000
rpmで回転させ溶液を基板上に広げ、雰囲気中の水蒸
気により加水分解を進行させてゲル膜を基板上に形成し
た.ゲル化後120゜Cで一時間乾燥し、600゛C3
0分で熱分解して基板上に膜* 0.051μ一の7,
rown桑を形成した。金属アルコキシド溶液の一回の
滴下量は、0.5mffiであり、滴下時間及びゲル化
時間は4秒と2分であった。N,ガスを導入することに
より塗布時及びゲル化時の雰囲気の水蒸気量を表1−(
a)の植に固定した。得られた酸化膜の状態を表1−(
a)に示す.また、雰囲気の水蒸気景を12.h/mよ
り多くした場合についての結果も比較例として表1 −
(alに示す。
雰囲気中の水草気揖が12.f)+!/orより多いと
きに塗布、ゲル膜形収した112は、白濁しており、光
学頴ia鏡で観察すると、粒子の集まりで11タが形成
されてないことが判った.一方、塗布時及びゲル化時に
雰囲気中の水蒸気量を12.0g/+r?以下に固定し
て得られた膜は透明、均一かつ緻密であった.のZrO
tl’Jを形成した.金属アルコキシド溶液の一回の滴
下量は、0.5sj!であり、滴下時間及びゲル化時問
は4秒と2分であった.水蒸気を含むエアーを導入する
ことにより、塗布時及びゲル化時の雰囲気の水蒸気遺を
表1−(b)の値に固定した.得られた酸化膜の状態を
表1−(b)に示す。また、雰囲気の水蒸気量を12.
OB/ofより多くした場合についての結果も比較例と
して表1−1b)に示す.実施例1−(b) テトライソブロボキシジルコニウムのプタノール溶液(
e4度0.1bol/ j!) ヲ静止した1インチ角
のアルミナ基板上に滴下し、更に基板を3500rρ一
で回転させて溶液を基板上に広げ、雰囲気中の水蒸気に
より加水分解を進行させてゲル膜を基板上に形成した.
ゲル化後120”Cで一時間乾燥し、600℃30分で
熱分解して基板上に膜r¥0.047μ一雰囲気中の水
蒸気量が12.0g/++fより多いときに塗布、ゲル
膜形威した膜は、白濁しており、光学顕微鏡で観察する
と、粒子の集まりで膜が形成されてないことが判った.
一方、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水蒸気量を12
.0g/rrr以下に固定して得られた膜は透明、均一
かつ緻密であった.実施例1−(C) ビス(2−イソブロボキシエトキシ)鉛のキシレン溶液
(Fa度1.0mol/ N)とテトライソプ口ポキン
チタンのキンレン溶液(濃度0.5soI!./ It
)とテトラブトキシジルコニウムのキシレン?8液(濃
度0.5mol/ N)とを等Wt混合し゜ζ得られた
熔戒を30Orpmで回転するlインチ角の石英基板上
に滴下し、更に岱仮を3000rρ一で回転させて溶液
を基板上に広げ、雰囲気中の水蒸気により加水分解を世
行させてゲル膜を基板上に形成した.ゲル化後120℃
で一時間乾燥し、600℃30分で熱分解LテM+N上
ニII91¥ 0.045μs O) Pb (Zr
,Ti ) 0,膜を形成した.金属アルコキシド溶液
の一回の滴下盟は、0.5mffであり、滴下時間及び
ゲル化特開は4秒と2分であった.水蒸気を含むエアー
を導入することにより、塗布時及びゲル化時の雰囲気の
水蒸気批を表1−(Clの値に固定した.得られた酸化
膜の状態を表1−(Clに示す.また、雰囲気の水蒸気
量を12.0g/+dより多くした場合についての結果
も比較例として表1−(C)に示す。
きに塗布、ゲル膜形収した112は、白濁しており、光
学頴ia鏡で観察すると、粒子の集まりで11タが形成
されてないことが判った.一方、塗布時及びゲル化時に
雰囲気中の水蒸気量を12.0g/+r?以下に固定し
て得られた膜は透明、均一かつ緻密であった.のZrO
tl’Jを形成した.金属アルコキシド溶液の一回の滴
下量は、0.5sj!であり、滴下時間及びゲル化時問
は4秒と2分であった.水蒸気を含むエアーを導入する
ことにより、塗布時及びゲル化時の雰囲気の水蒸気遺を
表1−(b)の値に固定した.得られた酸化膜の状態を
表1−(b)に示す。また、雰囲気の水蒸気量を12.
OB/ofより多くした場合についての結果も比較例と
して表1−1b)に示す.実施例1−(b) テトライソブロボキシジルコニウムのプタノール溶液(
e4度0.1bol/ j!) ヲ静止した1インチ角
のアルミナ基板上に滴下し、更に基板を3500rρ一
で回転させて溶液を基板上に広げ、雰囲気中の水蒸気に
より加水分解を進行させてゲル膜を基板上に形成した.
ゲル化後120”Cで一時間乾燥し、600℃30分で
熱分解して基板上に膜r¥0.047μ一雰囲気中の水
蒸気量が12.0g/++fより多いときに塗布、ゲル
膜形威した膜は、白濁しており、光学顕微鏡で観察する
と、粒子の集まりで膜が形成されてないことが判った.
一方、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水蒸気量を12
.0g/rrr以下に固定して得られた膜は透明、均一
かつ緻密であった.実施例1−(C) ビス(2−イソブロボキシエトキシ)鉛のキシレン溶液
(Fa度1.0mol/ N)とテトライソプ口ポキン
チタンのキンレン溶液(濃度0.5soI!./ It
)とテトラブトキシジルコニウムのキシレン?8液(濃
度0.5mol/ N)とを等Wt混合し゜ζ得られた
熔戒を30Orpmで回転するlインチ角の石英基板上
に滴下し、更に岱仮を3000rρ一で回転させて溶液
を基板上に広げ、雰囲気中の水蒸気により加水分解を世
行させてゲル膜を基板上に形成した.ゲル化後120℃
で一時間乾燥し、600℃30分で熱分解LテM+N上
ニII91¥ 0.045μs O) Pb (Zr
,Ti ) 0,膜を形成した.金属アルコキシド溶液
の一回の滴下盟は、0.5mffであり、滴下時間及び
ゲル化特開は4秒と2分であった.水蒸気を含むエアー
を導入することにより、塗布時及びゲル化時の雰囲気の
水蒸気批を表1−(Clの値に固定した.得られた酸化
膜の状態を表1−(Clに示す.また、雰囲気の水蒸気
量を12.0g/+dより多くした場合についての結果
も比較例として表1−(C)に示す。
雰囲気中の水蒸気里が12.h/rrfより多いときに
塗布、ゲル膜形成した膜は、白濁しており、光学顕微鏡
で観察すると、粒子の集まりでnΔが形成されてないこ
とが判った.一方、塗布特及びゲル化時に雰囲気中の水
奈気里を12.0g/or以下に固定して得られた1模
は透明、均一かつiftVJ!であった。
塗布、ゲル膜形成した膜は、白濁しており、光学顕微鏡
で観察すると、粒子の集まりでnΔが形成されてないこ
とが判った.一方、塗布特及びゲル化時に雰囲気中の水
奈気里を12.0g/or以下に固定して得られた1模
は透明、均一かつiftVJ!であった。
実施例1−(d)
ジエトキシ釦の2−工i・キシエタノール溶液(濃度0
.8mo i / l )とテトラブチルチタンの2−
エトキシエタノール溶液(fi度0.4mo e /
e )とテトライソプロボキシジルコニウムの2−エト
キシエタノール溶液(濃度0.4+wo l / l
)とを等量混合して得られた溶液を300『ρ一で回転
するlインチ角の石英基板上に滴下し、更に基板を45
00rpmで回転させて溶液を基板上に広げ、雰囲気中
の水草気により加水分解を進行させてゲル膜を基板上に
形成した.ゲル化後120℃で一時17fl乾燥し、6
00’C30分で熱分解して基板上にIl9rg.0.
039μmのpb(Zr,Ti ) Os膜を形威した
。金属アルコキシド溶液の一回の滴下量は、0.5mI
!.であり、滴下時間及びゲル化時間は4秒と2分であ
った.水蒸気を含むエアーを導入することにより、塗布
時及びゲル化時の雰囲気の水蒸気量を表1−(d)の値
に固定した.得られた酸化Hの状態を表1−(d)に示
す.また、雰囲気の水蒸気星を12.0g/r4より多
くした場合についての粘果も比較例として表1−(dl
に示す. 雰囲気中の水蒸気量が12.0g/orより多いときに
塗布、ゲル膜形成した膜は、白濁しており、光学穎微鏡
で観察すると、粒子の集まりで膜が形威されてないこと
が判った.一方、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水革
気鼠を12.0B/nf以下に固定して得られた11Δ
は透明、均一かつ緻密であった。
.8mo i / l )とテトラブチルチタンの2−
エトキシエタノール溶液(fi度0.4mo e /
e )とテトライソプロボキシジルコニウムの2−エト
キシエタノール溶液(濃度0.4+wo l / l
)とを等量混合して得られた溶液を300『ρ一で回転
するlインチ角の石英基板上に滴下し、更に基板を45
00rpmで回転させて溶液を基板上に広げ、雰囲気中
の水草気により加水分解を進行させてゲル膜を基板上に
形成した.ゲル化後120℃で一時17fl乾燥し、6
00’C30分で熱分解して基板上にIl9rg.0.
039μmのpb(Zr,Ti ) Os膜を形威した
。金属アルコキシド溶液の一回の滴下量は、0.5mI
!.であり、滴下時間及びゲル化時間は4秒と2分であ
った.水蒸気を含むエアーを導入することにより、塗布
時及びゲル化時の雰囲気の水蒸気量を表1−(d)の値
に固定した.得られた酸化Hの状態を表1−(d)に示
す.また、雰囲気の水蒸気星を12.0g/r4より多
くした場合についての粘果も比較例として表1−(dl
に示す. 雰囲気中の水蒸気量が12.0g/orより多いときに
塗布、ゲル膜形成した膜は、白濁しており、光学穎微鏡
で観察すると、粒子の集まりで膜が形威されてないこと
が判った.一方、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水革
気鼠を12.0B/nf以下に固定して得られた11Δ
は透明、均一かつ緻密であった。
実施例2−(al
ジイソプロボキシバリウムのメチルエチルケI・ン溶液
(濃度0.1who l / l− )とテトラブトキ
シヂクンのメヂノレエヂノレケトンt容冫&(i4度0
.1gol/2)を等量混合して得られた溶液を300
rpmで回転する1インチ角のアルミナ基板上に滴下し
、更に基板を2900rpmで回転させて溶液を基板上
に広げ、雰囲気中の水草気により加水分解を進行さ吐て
ゲル膜を基板上に形成した.ゲル化後120″Cで一時
間乾燥し、600゜C30分で熱分解させて基板上に膜
1’l 0.055μmのBaTiO*膜を形成した.
金属アルコキシド溶液の一同の滴下攪は、0.5mff
iであり、滴下時間及びゲル化時間は4秒と2分であっ
た.水蒸気を含むエアーを導入することにより、塗布時
及びゲル化時の雰囲気中の水蒸気mをそれぞれ表2−(
a)の値に固定した。得られた酸化膜の状態を表2−(
a)に示す.また、雰囲気中の水蒸気量を12.0[/
m以下にするが塗布時及びゲル化時の雰囲気中の水蒸気
量を変化させない場合と雰囲気中の水蒸気量を12.0
g/nfより多くした場合を比較例として表2−(a)
に示す. 雰囲気中の水蒸気量が12.0 g /一より多いとき
に塗布、ゲル膜形戊した膜は、白濁しており、光学穎微
鏡で観察すると、粒子の集まりで膜が形威されてないこ
とが判った.一方、雰囲気中の水蒸気量が12.0g/
nf以下にして、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水蒸
気量をそれぞれ変化させた場合と塗布時及びゲル化時に
雰囲気中の水蒸気壇を変化させない場合を比較したとこ
ろ、前者の方が透明、均一かつ緻密であった. 実施例2−(b) テトラプトキシジルコニウムのヘキサン溶液(濃度1.
0sol/l)とテトラブトキシチタンのヘキサン溶液
(1度1.0mo l / 12 )を等量混合して得
られた溶液を表面に厚さ0.4μmのpt膜を形成した
!インチ角のアルミナ基板上に滴下し、基板を4500
rp婿で回転させて溶液を基板上に広げ、雰囲気中の水
蒸気により加水分解を進行させてゲル膜を基板上に形成
した.ゲル化後120℃で一時間乾燥し、600″C3
0分で熱分解して基板上に膜厚0.050μmのIla
TiOz膜を形威した.金属アルコキシド溶液の一回の
滴下量は、0.5mffiであり、滴下時間及びゲル化
時間は4秒と2分であった.水蒸気を含むエアーを導入
することにより、塗布時及びゲル化時の雰囲気中の水蒸
気量をそれぞれ表2(b)の値に固定した.得られた酸
化膜の状熊を表2−(b)に示す.また、雰囲気中の水
蒸気量を12.0 g/r1『以下にするが塗布時及び
ゲル化時の雰囲気中の水蒸気量を変化させない場合と雰
囲気中の水蒸気量を12.0g/+dより多くした場合
を比較例として表2−(b)に示す. 雰囲気中の水蒸気量が12.0ts/nrより多いとき
に塗布、ゲル膜形戊したj模は、白濁しており、光学穎
微鏡で観察すると、粒子の集まりで膜が形成されてない
ことが判った.一方、雰囲気中の水薄気量が12.0
g / r+f以下にして、塗布時及びゲル化時に雰囲
気中の水蒸気撥をそれぞれ変化させた場合と塗布時及び
ゲル化時に水蒸気量を変化させない場合では、前者の方
が透明、均一かつ緻密であった. 表2 −(bJ 実施例2−(C) ヘキサフ゛トキシタングステンの1・ルエン?容液(濃
度0.4mo l / l )を静止する1インチ角の
石英基板上に滴下し、基板を3500r凹で回転さ一已
・て溶液を基板上に広げ、雰囲気中の水蒸気により加水
分解を進行させてゲル膜を基板上に形威した。ゲル化後
120゜Cで一時間乾燥し、600゜C30分で熱分解
して基板上に膜厚0.04μmのWO3膜を形成した。
(濃度0.1who l / l− )とテトラブトキ
シヂクンのメヂノレエヂノレケトンt容冫&(i4度0
.1gol/2)を等量混合して得られた溶液を300
rpmで回転する1インチ角のアルミナ基板上に滴下し
、更に基板を2900rpmで回転させて溶液を基板上
に広げ、雰囲気中の水草気により加水分解を進行さ吐て
ゲル膜を基板上に形成した.ゲル化後120″Cで一時
間乾燥し、600゜C30分で熱分解させて基板上に膜
1’l 0.055μmのBaTiO*膜を形成した.
金属アルコキシド溶液の一同の滴下攪は、0.5mff
iであり、滴下時間及びゲル化時間は4秒と2分であっ
た.水蒸気を含むエアーを導入することにより、塗布時
及びゲル化時の雰囲気中の水蒸気mをそれぞれ表2−(
a)の値に固定した。得られた酸化膜の状態を表2−(
a)に示す.また、雰囲気中の水蒸気量を12.0[/
m以下にするが塗布時及びゲル化時の雰囲気中の水蒸気
量を変化させない場合と雰囲気中の水蒸気量を12.0
g/nfより多くした場合を比較例として表2−(a)
に示す. 雰囲気中の水蒸気量が12.0 g /一より多いとき
に塗布、ゲル膜形戊した膜は、白濁しており、光学穎微
鏡で観察すると、粒子の集まりで膜が形威されてないこ
とが判った.一方、雰囲気中の水蒸気量が12.0g/
nf以下にして、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水蒸
気量をそれぞれ変化させた場合と塗布時及びゲル化時に
雰囲気中の水蒸気壇を変化させない場合を比較したとこ
ろ、前者の方が透明、均一かつ緻密であった. 実施例2−(b) テトラプトキシジルコニウムのヘキサン溶液(濃度1.
0sol/l)とテトラブトキシチタンのヘキサン溶液
(1度1.0mo l / 12 )を等量混合して得
られた溶液を表面に厚さ0.4μmのpt膜を形成した
!インチ角のアルミナ基板上に滴下し、基板を4500
rp婿で回転させて溶液を基板上に広げ、雰囲気中の水
蒸気により加水分解を進行させてゲル膜を基板上に形成
した.ゲル化後120℃で一時間乾燥し、600″C3
0分で熱分解して基板上に膜厚0.050μmのIla
TiOz膜を形威した.金属アルコキシド溶液の一回の
滴下量は、0.5mffiであり、滴下時間及びゲル化
時間は4秒と2分であった.水蒸気を含むエアーを導入
することにより、塗布時及びゲル化時の雰囲気中の水蒸
気量をそれぞれ表2(b)の値に固定した.得られた酸
化膜の状熊を表2−(b)に示す.また、雰囲気中の水
蒸気量を12.0 g/r1『以下にするが塗布時及び
ゲル化時の雰囲気中の水蒸気量を変化させない場合と雰
囲気中の水蒸気量を12.0g/+dより多くした場合
を比較例として表2−(b)に示す. 雰囲気中の水蒸気量が12.0ts/nrより多いとき
に塗布、ゲル膜形戊したj模は、白濁しており、光学穎
微鏡で観察すると、粒子の集まりで膜が形成されてない
ことが判った.一方、雰囲気中の水薄気量が12.0
g / r+f以下にして、塗布時及びゲル化時に雰囲
気中の水蒸気撥をそれぞれ変化させた場合と塗布時及び
ゲル化時に水蒸気量を変化させない場合では、前者の方
が透明、均一かつ緻密であった. 表2 −(bJ 実施例2−(C) ヘキサフ゛トキシタングステンの1・ルエン?容液(濃
度0.4mo l / l )を静止する1インチ角の
石英基板上に滴下し、基板を3500r凹で回転さ一已
・て溶液を基板上に広げ、雰囲気中の水蒸気により加水
分解を進行させてゲル膜を基板上に形威した。ゲル化後
120゜Cで一時間乾燥し、600゜C30分で熱分解
して基板上に膜厚0.04μmのWO3膜を形成した。
金属アルコキシド溶液の一回の滴下量は、0.5mNで
あり、滴下時間及びゲル化時間は4秒と2分であった.
NZガスを導入することにより、塗布時及びゲル化時の
雰囲気中の水蒸気量をそれぞれ表2− (C)の値に固
定した.得られた酸化膜の状態を表2−(C)に示す。
あり、滴下時間及びゲル化時間は4秒と2分であった.
NZガスを導入することにより、塗布時及びゲル化時の
雰囲気中の水蒸気量をそれぞれ表2− (C)の値に固
定した.得られた酸化膜の状態を表2−(C)に示す。
また、雰囲気中の水蒸気量を12.0g / nf以下
にするが塗布時及びゲル化時の雰囲気中の水蒸気量を変
化させない場合と雰囲気中の水蒸気量を12.0./r
rrより多くした場合を比較例として表2−(C)に示
す。
にするが塗布時及びゲル化時の雰囲気中の水蒸気量を変
化させない場合と雰囲気中の水蒸気量を12.0./r
rrより多くした場合を比較例として表2−(C)に示
す。
表
2−(C)
雰囲気中の水蒸気攪が12.0 g /ポより多い時に
塗布、ゲル膜形成した膜は、白濁しており、光学頭微鏡
で観察すると、粒子の集まりで膜が形成されてないこと
が判った.一方、雰囲気中の水蒸気量を12.0g/r
rf以下にして、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水蒸
気量をそれぞれ変化させた場合と塗布時及びゲル化時に
雰囲気中の水蒸気量を変化させない場合を比較したとこ
ろ、前者の方が透明、均一かつ緻密であった. 実施例2−(d) ヘキサイソプロポヰシタングステンの2−イソブロボキ
シエタノール溶液(濃度0.1moffi/l)を30
0rp曽で回転する1インチ角のアルミナ基板上に滴下
し、更に基板を2000rρ一で回転させて溶液を基板
上に広げ、雰囲気中の水蒸気により加水分解を進行させ
てゲル膜を基板上に形成した.ゲル化後120℃で一時
間乾燥し、600゜C30分で熱分解させて1&板上に
膜ff0.03μmの問,膜を形威した.金属アルコキ
シド溶液の一回の滴下量は、0.5mj!であり、滴下
時間及びゲル化時間は4秒と2分であった, Ntガス
を導入することにより、塗布時及びゲル化時の雰囲気中
の水蒸気責をそれぞれ表2〜(d)の値に固定した.得
られた酸化膜の状熊を表2−(d)に示す.また、雰囲
気中の水蒸気量を12.Og/%以下にするが塗布時及
びゲル化時の雰囲気中の水蒸気最を変化させない場合と
雰囲気中の水蒸気量を12.0g/rr?より多くした
場合を比較例として表2−(d)に示す。
塗布、ゲル膜形成した膜は、白濁しており、光学頭微鏡
で観察すると、粒子の集まりで膜が形成されてないこと
が判った.一方、雰囲気中の水蒸気量を12.0g/r
rf以下にして、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水蒸
気量をそれぞれ変化させた場合と塗布時及びゲル化時に
雰囲気中の水蒸気量を変化させない場合を比較したとこ
ろ、前者の方が透明、均一かつ緻密であった. 実施例2−(d) ヘキサイソプロポヰシタングステンの2−イソブロボキ
シエタノール溶液(濃度0.1moffi/l)を30
0rp曽で回転する1インチ角のアルミナ基板上に滴下
し、更に基板を2000rρ一で回転させて溶液を基板
上に広げ、雰囲気中の水蒸気により加水分解を進行させ
てゲル膜を基板上に形成した.ゲル化後120℃で一時
間乾燥し、600゜C30分で熱分解させて1&板上に
膜ff0.03μmの問,膜を形威した.金属アルコキ
シド溶液の一回の滴下量は、0.5mj!であり、滴下
時間及びゲル化時間は4秒と2分であった, Ntガス
を導入することにより、塗布時及びゲル化時の雰囲気中
の水蒸気責をそれぞれ表2〜(d)の値に固定した.得
られた酸化膜の状熊を表2−(d)に示す.また、雰囲
気中の水蒸気量を12.Og/%以下にするが塗布時及
びゲル化時の雰囲気中の水蒸気最を変化させない場合と
雰囲気中の水蒸気量を12.0g/rr?より多くした
場合を比較例として表2−(d)に示す。
雰囲気中の水菖気攪が12.0g/rrfより多いとき
に塗布、ゲル欣形成した膜は、白濁しており、光学頴微
鏡で蜆察すると、粒子の集まりで膜が形威されてないこ
とが判った.一方、雰囲気中の水蒸気曲が12.0g/
nr以下にして、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水蒸
気壇をそれぞれ変化させた場合と塗布時及びゲル化時に
雰囲気中の水蒸気量を変化させない場合を比較したとこ
ろ、前者の方が透明、均一かつ緻密であった. 表 2 −(d) く発明の効果〉 以上述べたように、本発明は、金屈アルコ;1−シドを
含有する溶液を、基板上に滴下し、基板を更に回転さセ
て溶液を基板上に広げることにより塗布し、雰囲気中の
水蒸気により加水分解を進行させてゲル膜を基板上に形
成する過程において、雰囲気中の水蒸気量を調整するの
で、従来のコーティング液の直接塗布法で問題となる加
水分解速度が速すぎることによる粒子化、加水分解速度
の変動によるゲル膜のむらを防ぐことができた.このよ
うな透明で膜厚が均一な前駆体膜を熱分解させることに
より、透明、均一かつ緻密な酸化物被1模を形成するこ
とが可能となった.
に塗布、ゲル欣形成した膜は、白濁しており、光学頴微
鏡で蜆察すると、粒子の集まりで膜が形威されてないこ
とが判った.一方、雰囲気中の水蒸気曲が12.0g/
nr以下にして、塗布時及びゲル化時に雰囲気中の水蒸
気壇をそれぞれ変化させた場合と塗布時及びゲル化時に
雰囲気中の水蒸気量を変化させない場合を比較したとこ
ろ、前者の方が透明、均一かつ緻密であった. 表 2 −(d) く発明の効果〉 以上述べたように、本発明は、金屈アルコ;1−シドを
含有する溶液を、基板上に滴下し、基板を更に回転さセ
て溶液を基板上に広げることにより塗布し、雰囲気中の
水蒸気により加水分解を進行させてゲル膜を基板上に形
成する過程において、雰囲気中の水蒸気量を調整するの
で、従来のコーティング液の直接塗布法で問題となる加
水分解速度が速すぎることによる粒子化、加水分解速度
の変動によるゲル膜のむらを防ぐことができた.このよ
うな透明で膜厚が均一な前駆体膜を熱分解させることに
より、透明、均一かつ緻密な酸化物被1模を形成するこ
とが可能となった.
Claims (2)
- 1.金属アルコキシドを含有する溶液を静止又は回転す
る基板上に滴下し、基板の回転数を更に上げて溶液を基
板上に拡げる塗布工程、引続き雰囲気中の水蒸気による
加水分解によりゲル膜を基板上に形成するゲル化工程、
次いで該ゲル膜を熱分解して基板上に酸化物被膜を形成
する熱分解工程からなる酸化物被膜の形成方法において
、塗布工程時及びゲル化工程時の雰囲気中の水蒸気量を
共に12g/m^3以下にすることを特徴とする透明で
均一かつ緻密な酸化物被膜の形成方法。 - 2.請求項1記載の酸化物被膜の形成方法においてゲル
化工程時の雰囲気中の水蒸気量を塗布工程時のそれより
多くすることを特徴とする透明で均一かつ緻密な酸化物
被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15826189A JPH0324275A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 透明で均一かつ緻密な酸化物被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15826189A JPH0324275A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 透明で均一かつ緻密な酸化物被膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0324275A true JPH0324275A (ja) | 1991-02-01 |
Family
ID=15667755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15826189A Pending JPH0324275A (ja) | 1989-06-22 | 1989-06-22 | 透明で均一かつ緻密な酸化物被膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0324275A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012525484A (ja) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 反応性無機クラスター |
WO2018115207A1 (fr) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Electricite De France | Procédé sol-gel de fabrication d'un revêtement anticorrosion sur substrat métallique |
-
1989
- 1989-06-22 JP JP15826189A patent/JPH0324275A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012525484A (ja) * | 2009-04-30 | 2012-10-22 | ダウ グローバル テクノロジーズ エルエルシー | 反応性無機クラスター |
WO2018115207A1 (fr) * | 2016-12-22 | 2018-06-28 | Electricite De France | Procédé sol-gel de fabrication d'un revêtement anticorrosion sur substrat métallique |
FR3061210A1 (fr) * | 2016-12-22 | 2018-06-29 | Electricite De France | Procede sol-gel de fabrication d'un revetement anticorrosion sur substrat metallique |
CN110573656A (zh) * | 2016-12-22 | 2019-12-13 | 法国电力公司 | 在金属基底上生成防腐蚀涂层的溶胶-凝胶方法 |
KR20200019109A (ko) * | 2016-12-22 | 2020-02-21 | 엘렉트리씨트 드 프랑스 | 금속 기판 상에 부식 방지 코팅을 제조하기 위한 졸-겔 방법 |
CN114262882A (zh) * | 2016-12-22 | 2022-04-01 | 法国电力公司 | 在金属基底上生成防腐蚀涂层的溶胶-凝胶方法 |
CN110573656B (zh) * | 2016-12-22 | 2022-05-24 | 法国电力公司 | 在金属基底上生成防腐蚀涂层的溶胶-凝胶方法 |
US11519072B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-12-06 | Electricite De France | Sol-gel method for producing an anti-corrosion coating on a metal substrate |
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