JPH03184364A - 電力用極低温半導体素子 - Google Patents
電力用極低温半導体素子Info
- Publication number
- JPH03184364A JPH03184364A JP2284538A JP28453890A JPH03184364A JP H03184364 A JPH03184364 A JP H03184364A JP 2284538 A JP2284538 A JP 2284538A JP 28453890 A JP28453890 A JP 28453890A JP H03184364 A JPH03184364 A JP H03184364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chip
- cryogenic
- semiconductor element
- power semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N Beryllium oxide Chemical compound O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 5
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100165177 Caenorhabditis elegans bath-15 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/44—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air
- H01L23/445—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements the complete device being wholly immersed in a fluid other than air the fluid being a liquefied gas, e.g. in a cryogenic vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電力用半導体素子に関し、更に詳しくは、液
体窒素などの冷却剤の浴内におけるように極低温で動作
する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSF
ET) 、静電誘導トランジスタ(SIT)などのよう
な新規な電力用固体半導体素子に関する。
体窒素などの冷却剤の浴内におけるように極低温で動作
する金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSF
ET) 、静電誘導トランジスタ(SIT)などのよう
な新規な電力用固体半導体素子に関する。
多くの電力発生用途においては、固体素子が真空管にと
って代わってきた。多くの電力用固体素子の(MOSF
ETのチャンネルにおけるような)非常に小さな部分に
発生するきわめて高い電力密度のために、素子の信頼性
および寿命は短くなってきている。スイッチモードおよ
び他の高効率な方法を使用して素子の電力消費を最小に
することは周知であるが、電力用MOSFETのオン抵
抗におけるスイッチング電流の消費によるような素子内
部に発生する熱エネルギを迅速に除去することは困難な
場合が多い。良好な熱設計が必要であるが、半導体材料
の熱伝導率および素子チップを取り付ける基板の熱伝導
率を最大にすることが必要である。従って、効率をきわ
めて高くし且つ大きさを非常に小さくするために極低温
で動作するように取り付けられてパッケージに入れられ
る電力用素子が非常に要望されている。
って代わってきた。多くの電力用固体素子の(MOSF
ETのチャンネルにおけるような)非常に小さな部分に
発生するきわめて高い電力密度のために、素子の信頼性
および寿命は短くなってきている。スイッチモードおよ
び他の高効率な方法を使用して素子の電力消費を最小に
することは周知であるが、電力用MOSFETのオン抵
抗におけるスイッチング電流の消費によるような素子内
部に発生する熱エネルギを迅速に除去することは困難な
場合が多い。良好な熱設計が必要であるが、半導体材料
の熱伝導率および素子チップを取り付ける基板の熱伝導
率を最大にすることが必要である。従って、効率をきわ
めて高くし且つ大きさを非常に小さくするために極低温
で動作するように取り付けられてパッケージに入れられ
る電力用素子が非常に要望されている。
発明の要約
本発明に−よれば、極低温用に最適化された電力用固体
半導体素子は極低温流体槽内に配置された非常に高い熱
伝導率の材料の基板上に取り付けられた実際の素子チッ
プを有している。基板はベリリア、ベリリウム、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、ダイアモンドなどの材料で形成
される。素子はMOSFET、SIT等である。
半導体素子は極低温流体槽内に配置された非常に高い熱
伝導率の材料の基板上に取り付けられた実際の素子チッ
プを有している。基板はベリリア、ベリリウム、アルミ
ナ、窒化アルミニウム、ダイアモンドなどの材料で形成
される。素子はMOSFET、SIT等である。
好適な態様では基板は垂直平面内に配設されて、チップ
取り付け面および基板の裏側面のいずれか一方または両
方が極低温冷却液内に入れられた場合に、極低温液体と
チップ支持放熱部材との間に熱伝導率の低い蒸気の障壁
が形成されないようにする。
取り付け面および基板の裏側面のいずれか一方または両
方が極低温冷却液内に入れられた場合に、極低温液体と
チップ支持放熱部材との間に熱伝導率の低い蒸気の障壁
が形成されないようにする。
従って、本発明の目的は、極低温に冷却される電子装置
組立体に使用される新規な電力用極低温固体半導体素子
を提供することにある。
組立体に使用される新規な電力用極低温固体半導体素子
を提供することにある。
本発明のこの目的および他の目的は添付図面を参照した
以下の説明から・明らかになるであろう。
以下の説明から・明らかになるであろう。
発明の詳細な説明
最初に、第1図を参照すると、極低温に冷却可能な電力
用半導体素子10は放熱部材11を有し、この放熱部材
11の第1の面11aには電力用固体半導体素子チップ
12が取り付けられ、第2の面11bは銅等の材料から
なる熱伝導性構造部材14上に取り付けられ、半導体チ
ップ12および支持用の熱伝導性の放熱部材11を約7
7”Kの温度の液体窒素(LN2 )のような極低温液
体の槽15内に保持している。室温で使用する素子の場
合では、放熱部材の厚さTは、放熱部材(例えば、Be
d)の熱伝導率θが部材14の材料(例えば、Cu)の
熱伝導率より小さいとき、可能な限り薄くされる。極低
温(例えば、77’K)においては、TはBeOのθが
偽のθよりも大きいので、かなり厚く選択される。素子
10は垂直平面内に配設するのが都合がよく、すなわち
両方の面11aおよびllbを垂直に配置するのが好ま
しい。
用半導体素子10は放熱部材11を有し、この放熱部材
11の第1の面11aには電力用固体半導体素子チップ
12が取り付けられ、第2の面11bは銅等の材料から
なる熱伝導性構造部材14上に取り付けられ、半導体チ
ップ12および支持用の熱伝導性の放熱部材11を約7
7”Kの温度の液体窒素(LN2 )のような極低温液
体の槽15内に保持している。室温で使用する素子の場
合では、放熱部材の厚さTは、放熱部材(例えば、Be
d)の熱伝導率θが部材14の材料(例えば、Cu)の
熱伝導率より小さいとき、可能な限り薄くされる。極低
温(例えば、77’K)においては、TはBeOのθが
偽のθよりも大きいので、かなり厚く選択される。素子
10は垂直平面内に配設するのが都合がよく、すなわち
両方の面11aおよびllbを垂直に配置するのが好ま
しい。
これは、周囲の極低温液体15から熱的に撹拌される蒸
気が素子10の周りに集まらず、素子10と周囲の液体
15との間に熱伝導率の低い蒸気の障壁が形成されない
からである。
気が素子10の周りに集まらず、素子10と周囲の液体
15との間に熱伝導率の低い蒸気の障壁が形成されない
からである。
アルミナ、ダイアモンド、ベリリアなどのような基板材
料の熱伝導率は極低温において増大する傾向があり、実
際に液体窒素の温度(すなわち、77 @K)近くにお
いてピークになることが知られている。銅、アルミニウ
ム等のような導体および固体素子を形成する半導体材料
(シリコン、ゲルマニウムなどのような)の熱伝導率は
温度が極低温領域に低下するに従って増大する。MOS
FETおよび5IT(静電誘導トランジスタ)素子の試
験の結果、多くの重要な電子的特性が極低温領域におい
て劇的に改良されることがわかっている。例えば、高電
圧(200−1000V)MOSFETのオン抵抗は室
温(例えば、290 @K)に対して液体窒素の温度に
おいて約10ないし30分の1に低減する。スイッチン
グ時間、従ってスイッチングの電力損失は寄生容量の影
響が温度とともに減少するのに従って低減する。従って
、速度のみならず、相互コンダクタンス、利得および最
大電流が、電子の移動度の増大によって増大する。この
ような全ての変化の結果−層低価格の素子で同じ電力レ
ベルを処理することができる。
料の熱伝導率は極低温において増大する傾向があり、実
際に液体窒素の温度(すなわち、77 @K)近くにお
いてピークになることが知られている。銅、アルミニウ
ム等のような導体および固体素子を形成する半導体材料
(シリコン、ゲルマニウムなどのような)の熱伝導率は
温度が極低温領域に低下するに従って増大する。MOS
FETおよび5IT(静電誘導トランジスタ)素子の試
験の結果、多くの重要な電子的特性が極低温領域におい
て劇的に改良されることがわかっている。例えば、高電
圧(200−1000V)MOSFETのオン抵抗は室
温(例えば、290 @K)に対して液体窒素の温度に
おいて約10ないし30分の1に低減する。スイッチン
グ時間、従ってスイッチングの電力損失は寄生容量の影
響が温度とともに減少するのに従って低減する。従って
、速度のみならず、相互コンダクタンス、利得および最
大電流が、電子の移動度の増大によって増大する。この
ような全ての変化の結果−層低価格の素子で同じ電力レ
ベルを処理することができる。
好適な他の素子10′が第3図に示されている。
この第3図において、窒化アルミニウム、酸化ベリリウ
ム等のような高い熱伝導率を有する電気絶縁材料からな
るほぼL型の部材11′の第1の面11′aが図示例で
は凹部11′bの内部に設けられ、この凹部11′b上
には電力用素子チップ12が取り付けられている。凹部
11′bは基板の脚部分11′ Cに形成されている。
ム等のような高い熱伝導率を有する電気絶縁材料からな
るほぼL型の部材11′の第1の面11′aが図示例で
は凹部11′bの内部に設けられ、この凹部11′b上
には電力用素子チップ12が取り付けられている。凹部
11′bは基板の脚部分11′ Cに形成されている。
また、基板は基部11′ dを有し、この基部は脚部分
11′Cに対して直角に延在し、面11′ eに対して
絶縁部材16が取り付けられる。絶縁されたねじ等のよ
うな固定手段17を利用して、基板11′を部材16に
固定できる。部材16は垂直に配置することが好ましく
、基部11′ dは蒸気の障壁が冷却剤と基板との間に
形成されないようにチップ12/脚部11′ Cを位置
付ける手段である。代わりに、部材11′はベリリウム
のような導電性および熱伝導性材料で形成し、部材16
を電気絶縁材料で形成し、部材の一部(すなわち、脚部
11′ C)を導電性材料(ア)で形成され、他の部分
(基部11’c)を絶縁材料(Bed)で形成すること
ができる。素子チップ12から少なくとも1つの導電性
リード線20の各々への電気的接続は接続ワイヤ20a
等のような周知の方法で行うことができる。所望により
、カバ一部材22を半導体素子チップ12の上に配設し
て、チップを保護することができる。使用においては、
液体窒素(LN2 )等のような極低温剤が少なくとも
基板11′に接触し、素子チップ12から発生する熱エ
ネルギを高熱伝導率材料の基板を通して除去する。
11′Cに対して直角に延在し、面11′ eに対して
絶縁部材16が取り付けられる。絶縁されたねじ等のよ
うな固定手段17を利用して、基板11′を部材16に
固定できる。部材16は垂直に配置することが好ましく
、基部11′ dは蒸気の障壁が冷却剤と基板との間に
形成されないようにチップ12/脚部11′ Cを位置
付ける手段である。代わりに、部材11′はベリリウム
のような導電性および熱伝導性材料で形成し、部材16
を電気絶縁材料で形成し、部材の一部(すなわち、脚部
11′ C)を導電性材料(ア)で形成され、他の部分
(基部11’c)を絶縁材料(Bed)で形成すること
ができる。素子チップ12から少なくとも1つの導電性
リード線20の各々への電気的接続は接続ワイヤ20a
等のような周知の方法で行うことができる。所望により
、カバ一部材22を半導体素子チップ12の上に配設し
て、チップを保護することができる。使用においては、
液体窒素(LN2 )等のような極低温剤が少なくとも
基板11′に接触し、素子チップ12から発生する熱エ
ネルギを高熱伝導率材料の基板を通して除去する。
第4図は真のMOSFET12の実際の素子を示す図で
あり、この素子は入力容量C1n’人力抵抗Rおよびゲ
ート・ドレイン間容量Cg、を有すn る理想的な素子12′に加えて、寄生バイポーラトラン
ジスタQPを有し、この寄生バイポーラトランジスタは
それ自身のベース・エミッタ寄生抵抗R,および直列接
続されたドレイン容量CdlおよびCd2を有している
。極低温冷却を行うことによって寄生素子の全ての好ま
しくない影響が低減されるとともに、素子12′の速度
および最大電流処理能力が増大する。
あり、この素子は入力容量C1n’人力抵抗Rおよびゲ
ート・ドレイン間容量Cg、を有すn る理想的な素子12′に加えて、寄生バイポーラトラン
ジスタQPを有し、この寄生バイポーラトランジスタは
それ自身のベース・エミッタ寄生抵抗R,および直列接
続されたドレイン容量CdlおよびCd2を有している
。極低温冷却を行うことによって寄生素子の全ての好ま
しくない影響が低減されるとともに、素子12′の速度
および最大電流処理能力が増大する。
本発明の好適ないくつかの実施例についてここに詳しく
説明したが、本技術分野に専門知識を有する者には多く
の変更および変形が明らかであろう。従って、本発明は
特許請求の範囲によって制限されるものであり、ここに
説明した特定の詳細および手段によって制限されるもの
ではない。
説明したが、本技術分野に専門知識を有する者には多く
の変更および変形が明らかであろう。従って、本発明は
特許請求の範囲によって制限されるものであり、ここに
説明した特定の詳細および手段によって制限されるもの
ではない。
第1図は本発明の原理による極低温冷却される基本的な
電力用半導体素子の側面図である。 第2図は極低温および室温領域における多数の材料の熱
伝導率を示すグラフである。 第3図は好適な電力用極低温半導体素子の取り付け装置
の側断面図である。 第4図は本発明を理解するのに有益なMOSFETの等
価回路図である。 10・・・電力用半導体素子、11・・・放熱部材、1
2・・・電力用半導体素子チップ、14・・・熱伝導性
構造部材、15・・・極低温液体槽。
電力用半導体素子の側面図である。 第2図は極低温および室温領域における多数の材料の熱
伝導率を示すグラフである。 第3図は好適な電力用極低温半導体素子の取り付け装置
の側断面図である。 第4図は本発明を理解するのに有益なMOSFETの等
価回路図である。 10・・・電力用半導体素子、11・・・放熱部材、1
2・・・電力用半導体素子チップ、14・・・熱伝導性
構造部材、15・・・極低温液体槽。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電力用半導体素子チップと、 電気絶縁性で伝導性の材料からなり、前記素子チップが
取り付けられる面を有する基板と、前記基板を極低温部
内に取り付ける手段と、を含むことを特徴とする極低温
環境で使用するための素子。 2、前記取り付ける手段が更に前記基板のチップ取り付
け面を所望の平面内に配置する手段を有する請求項1記
載の素子。 3、前記配置する手段が前記極低温部と前記基板との間
に蒸気の障壁が形成されることを低減するように前記所
望の平面を選択可能とする請求項2記載の素子。 4、前記基板が一対の対向する面を有し、前記取り付け
る手段が前記基板の対向する面をほぼ垂直平面内に配置
することを容易にする請求項3記載の素子。 5、前記基板はいずれの面部分に沿っても障壁となる蒸
気の集まりが最小になるような向きに前記対向する面が
形成されている請求項4記載の素子。 6、前記半導体素子が静電誘導トランジスタ(SIT)
である請求項1記載の素子。 7、前記SITがゲルマニウムチップ中に形成されてい
る請求項6記載の素子。 8、前記半導体素子が電界効果トランジスタ(FET)
である請求項1記載の素子。 9、前記FETが金属酸化物半導体FET(MOSFE
T)である請求項8記載の素子。 10、前記基板材料はベリリア、アルミナ、ダイアモン
ドおよび窒化アルミニウムからなるグルームから選択さ
れたものである請求項1記載の素子。 11、前記半導体素子がシリコンおよびヒ化ガリウムの
うちの一方のチップ中に形成されている請求項1記載の
素子。 12、前記基板が導電性のベリリウムである請求項1記
載の素子。 13、請求項1記載の素子と極低温流体とからなる組合
せ。 14、前記極低温流体が液体窒素(LM)である請求項
13記載の組合せ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US429,532 | 1989-10-31 | ||
US07/429,532 US5126830A (en) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | Cryogenic semiconductor power devices |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03184364A true JPH03184364A (ja) | 1991-08-12 |
JPH0671056B2 JPH0671056B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=23703655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2284538A Expired - Lifetime JPH0671056B2 (ja) | 1989-10-31 | 1990-10-24 | 電力用極低温半導体素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5126830A (ja) |
EP (1) | EP0426371B1 (ja) |
JP (1) | JPH0671056B2 (ja) |
CA (1) | CA2021606A1 (ja) |
DE (1) | DE69030710T2 (ja) |
IL (1) | IL96051A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5323293A (en) * | 1992-12-18 | 1994-06-21 | International Business Machines Corporation | Arrangement for placing central processors and memory in a cryo cooled chamber |
DE4320803C2 (de) * | 1993-06-23 | 2001-06-28 | Inst Luft & Kaeltetechnik Ggmbh | Lageunabhängiges Sensor-Kühlsystem |
DE4332156A1 (de) * | 1993-09-22 | 1995-03-30 | Inst Luft Kaeltetech Gem Gmbh | Einrichtung zur autarken Kühlung hochtemperatursupraleitender Bauteile, vorzugsweise Sensoren |
US5625548A (en) * | 1994-08-10 | 1997-04-29 | American Superconductor Corporation | Control circuit for cryogenically-cooled power electronics employed in power conversion systems |
US6163064A (en) * | 1996-08-16 | 2000-12-19 | American Superconductor Corporation | Apparatus for improved operation of MOSFET devices in cryogenic environments |
US6172550B1 (en) * | 1996-08-16 | 2001-01-09 | American Superconducting Corporation | Cryogenically-cooled switching circuit |
US6798083B2 (en) * | 2000-03-15 | 2004-09-28 | Otward M. Mueller | Cryogenic power conversion for fuel cell systems especially for vehicles |
JP3813098B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2006-08-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
US11917794B2 (en) * | 2020-10-30 | 2024-02-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Separating temperature domains in cooled systems |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62216255A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 浸漬沸騰冷却モジユ−ル |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL191525C (nl) * | 1977-02-02 | 1995-08-21 | Shinkokai Zaidan Hojin Handot | Halfgeleiderinrichting omvattende een stroomkanaalgebied van een eerste geleidingstype dat wordt omsloten door een van een stuurelektrode voorzien stuurgebied van het tweede geleidingstype. |
JPS53127272A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction transistor |
US4472727A (en) * | 1983-08-12 | 1984-09-18 | At&T Bell Laboratories | Carrier freezeout field-effect device |
JPH0797615B2 (ja) * | 1986-08-20 | 1995-10-18 | 株式会社東芝 | 超低温冷却用容器 |
US4734820A (en) * | 1987-04-16 | 1988-03-29 | Ncr Corporation | Cryogenic packaging scheme |
JPS63289974A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Hitachi Ltd | 低温保冷装置 |
US4965659A (en) * | 1987-06-30 | 1990-10-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Member for a semiconductor structure |
JPS6439047A (en) * | 1987-08-05 | 1989-02-09 | Agency Ind Science Techn | Semiconductor device |
JP2681288B2 (ja) * | 1988-11-02 | 1997-11-26 | 富士通株式会社 | 超伝導素子用パッケージ |
-
1989
- 1989-10-31 US US07/429,532 patent/US5126830A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-07-19 CA CA002021606A patent/CA2021606A1/en not_active Abandoned
- 1990-10-17 IL IL96051A patent/IL96051A/xx not_active IP Right Cessation
- 1990-10-24 JP JP2284538A patent/JPH0671056B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-25 EP EP90311693A patent/EP0426371B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-25 DE DE69030710T patent/DE69030710T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62216255A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-22 | Fujitsu Ltd | 浸漬沸騰冷却モジユ−ル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0671056B2 (ja) | 1994-09-07 |
EP0426371A1 (en) | 1991-05-08 |
IL96051A (en) | 1993-08-18 |
US5126830A (en) | 1992-06-30 |
DE69030710T2 (de) | 1997-12-11 |
IL96051A0 (en) | 1991-07-18 |
EP0426371B1 (en) | 1997-05-14 |
DE69030710D1 (de) | 1997-06-19 |
CA2021606A1 (en) | 1991-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US2984774A (en) | Transistor heat sink assembly | |
US5428504A (en) | Cooling cover for RF power devices | |
US6674157B2 (en) | Semiconductor package comprising vertical power transistor | |
US3918084A (en) | Semiconductor rectifier arrangement | |
KR102010626B1 (ko) | 트랜지스터, 트랜지스터의 방열 구조 및 트랜지스터의 제조 방법 | |
US20020185726A1 (en) | Heat pipe thermal management of high potential electronic chip packages | |
JPH06318654A (ja) | 一体型ヒートシンク付き高電力半導体装置とその成形方法 | |
US6670687B2 (en) | Semiconductor device having silicon carbide layer of predetermined conductivity type and module device having the same | |
JPH04225264A (ja) | パワートランジスタの冷却構造 | |
JPH03184364A (ja) | 電力用極低温半導体素子 | |
US6900537B2 (en) | High power silicon carbide and silicon semiconductor device package | |
CN109844956B (zh) | 高功率晶体管 | |
US20230343688A1 (en) | Power semiconductor module | |
US5719441A (en) | Transistor package with integral heatsink | |
CN107851631B (zh) | 半导体装置 | |
JP4529355B2 (ja) | 半導体装置 | |
RU2659304C1 (ru) | Корпус мощной гибридной свч интегральной схемы | |
JP2656328B2 (ja) | 半導体装置 | |
US3258662A (en) | Semiconductor housing | |
JP3226512U (ja) | 放熱機能付きパワー制御器 | |
US11600541B2 (en) | Semiconductor module | |
CN117293173B (zh) | 一种横向功率mosfet器件及其制造方法 | |
CN218274570U (zh) | 半导体绝缘封装件 | |
US11343943B1 (en) | Heat dissipation for power switches | |
US20230223331A1 (en) | Semiconductor module |