JPH03181805A - 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器 - Google Patents
位相シフトマスクのシフター膜厚測定器Info
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- JPH03181805A JPH03181805A JP1322331A JP32233189A JPH03181805A JP H03181805 A JPH03181805 A JP H03181805A JP 1322331 A JP1322331 A JP 1322331A JP 32233189 A JP32233189 A JP 32233189A JP H03181805 A JPH03181805 A JP H03181805A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(概 要)
位相シフトマスクのシフター膜厚測定器に関し、位相シ
フトマスクにおけるシフターの膜厚を容易に正確に測定
することを目的とし、 光源から照射した光の光路を2つに分岐し、一方の光路
は位相シフトマスクのシフターを透過させた後に他方の
光路と合流させ、前記2つの光路のいずれかにガラス厚
みが変化できるように可動するくさび状ガラスを配置し
、該くさび状ガラスの可動によって光路長を調整して、
光の干渉信号を得て位相シフトマスクのシフターの膜厚
が測定できるように構成する。
フトマスクにおけるシフターの膜厚を容易に正確に測定
することを目的とし、 光源から照射した光の光路を2つに分岐し、一方の光路
は位相シフトマスクのシフターを透過させた後に他方の
光路と合流させ、前記2つの光路のいずれかにガラス厚
みが変化できるように可動するくさび状ガラスを配置し
、該くさび状ガラスの可動によって光路長を調整して、
光の干渉信号を得て位相シフトマスクのシフターの膜厚
が測定できるように構成する。
本発明は、例えば、位相シフトマスクの膜厚測定などの
厚み測定器に関する。
厚み測定器に関する。
例えば、半導体装置の製造方法においては、フォトリソ
グラフィ技術が必須の処理技術で、そのフォトリソグラ
フィ技術に用いるフォトマスクに位相シフトマスクが提
唱されており、その位相シフトマスクのシフターの膜厚
を測定する測定器に関している。
グラフィ技術が必須の処理技術で、そのフォトリソグラ
フィ技術に用いるフォトマスクに位相シフトマスクが提
唱されており、その位相シフトマスクのシフターの膜厚
を測定する測定器に関している。
フォトリソグラフィ技術で用いられるフォトマスクには
2種類があって、1:1の大きさに転写するものをマス
ク(狭義)と呼び、5〜10倍の拡大パターンをウェハ
ー上に縮小投影するものをレチクルと称しているが、最
近、レチクルの方が汎用されており、本発明は主にレチ
クルに関しているが、レンズを用いて結像させる場合は
、マスクにも適用でき、従って、レチクルを只単にマス
ク(広義)として以下に説明する。
2種類があって、1:1の大きさに転写するものをマス
ク(狭義)と呼び、5〜10倍の拡大パターンをウェハ
ー上に縮小投影するものをレチクルと称しているが、最
近、レチクルの方が汎用されており、本発明は主にレチ
クルに関しているが、レンズを用いて結像させる場合は
、マスクにも適用でき、従って、レチクルを只単にマス
ク(広義)として以下に説明する。
近年、紫外線露光法による解像度の限界から、微細化に
適した電子ビーム露光法が重用されているが、この電子
ビーム露光法は個々のパターンを一つ一つビームで描画
する等の露光処理が必要なために、スループットの向上
に難点がある。
適した電子ビーム露光法が重用されているが、この電子
ビーム露光法は個々のパターンを一つ一つビームで描画
する等の露光処理が必要なために、スループットの向上
に難点がある。
従って、紫外線露光法、遠紫外線露光法などのフォトリ
ソグラフィ技術が見立されて、先年、位相シフトマスク
(Phase−Shifting Mask )による
露光法が提案されている。
ソグラフィ技術が見立されて、先年、位相シフトマスク
(Phase−Shifting Mask )による
露光法が提案されている。
参考文献: TEEE Transaction On
Electron Devices、 Vol、HD
−29,No、12. DECEMBER1982、p
p、1828〜1836 その方法は、所定のパターン部分を他のパターン部分と
は異なる光路長にして、ウェハー上で光の位相を両パタ
ーン間で反転させることによって、ウェハー上での光の
コントラストを向上させ、従来のフォト露光装置を用い
て解像度を大幅に改善しようというものである。
Electron Devices、 Vol、HD
−29,No、12. DECEMBER1982、p
p、1828〜1836 その方法は、所定のパターン部分を他のパターン部分と
は異なる光路長にして、ウェハー上で光の位相を両パタ
ーン間で反転させることによって、ウェハー上での光の
コントラストを向上させ、従来のフォト露光装置を用い
て解像度を大幅に改善しようというものである。
第5図(a)、 (b)はその位相シフトの原理を説明
する図で、同図(a)は通常のマスクによるウェハー上
における光の強度分布を説明する図、同図(1))は位
相シフトマスクによるウェハー上における光の強度分布
を説明する図である。まず、第5図(a)を説明すると
、(a−1)は通常のマスクの断面を示しており、ガラ
ス基板に遮光パターンが設けられており、裏面より光(
矢印)を照射した図である。(a−2)から(a−4)
まではウェハー上の光照射による電場の強さEを示し、
(a−5)はウェハー上の光の強度Iを示している。即
ち、マスクに設けた左側の光透過部による電場の強さE
を(a−2)、に示し、右側の光透過部による電場の強
さEを(a−3)に示し、(a−4)は合計した電場の
強さΣEである。光の強度■は電場の強さの自乗に比例
しているから、それを(a−5)に示している。これか
ら判るように、通常のマスクでは隣接パターンが影響し
て、近接した露光間隙の遮光パターンは回折光に影響さ
れる。従って、コントラストが悪くなって、これが解像
限界となる。
する図で、同図(a)は通常のマスクによるウェハー上
における光の強度分布を説明する図、同図(1))は位
相シフトマスクによるウェハー上における光の強度分布
を説明する図である。まず、第5図(a)を説明すると
、(a−1)は通常のマスクの断面を示しており、ガラ
ス基板に遮光パターンが設けられており、裏面より光(
矢印)を照射した図である。(a−2)から(a−4)
まではウェハー上の光照射による電場の強さEを示し、
(a−5)はウェハー上の光の強度Iを示している。即
ち、マスクに設けた左側の光透過部による電場の強さE
を(a−2)、に示し、右側の光透過部による電場の強
さEを(a−3)に示し、(a−4)は合計した電場の
強さΣEである。光の強度■は電場の強さの自乗に比例
しているから、それを(a−5)に示している。これか
ら判るように、通常のマスクでは隣接パターンが影響し
て、近接した露光間隙の遮光パターンは回折光に影響さ
れる。従って、コントラストが悪くなって、これが解像
限界となる。
位相シフトマスクの原理を第5図(ロ)によって説明す
ると、(b−1,)は位相シフトマスクの断面を示し、
ガラス基板に遮光パターンとシフター(Shiftor
i位相変換用透明#)が設けられており、裏面より
光(矢印)を照射した図である。次の(b−2)から(
b−4)まではウェハー上の光照射による電場の強さE
、(b−5)はウェハー上の光の強度Iを示し、(b−
2)はマスクに設けた左側の光透過部による電場の強さ
E、(b−3)は右側の光透過部による電場の強さEを
示して、(b−4)は合計した電場の強さΣEである。
ると、(b−1,)は位相シフトマスクの断面を示し、
ガラス基板に遮光パターンとシフター(Shiftor
i位相変換用透明#)が設けられており、裏面より
光(矢印)を照射した図である。次の(b−2)から(
b−4)まではウェハー上の光照射による電場の強さE
、(b−5)はウェハー上の光の強度Iを示し、(b−
2)はマスクに設けた左側の光透過部による電場の強さ
E、(b−3)は右側の光透過部による電場の強さEを
示して、(b−4)は合計した電場の強さΣEである。
且つ、(b−5)は電場の強さの自乗に比例した光の強
度Iを示す図である。こシ のように、シフターを設けると位相が反転して狭い間隙
の遮蔽パターンは回折光による電場の影響が打ち消され
て、コントラストが良くなり、解像限界が向上する。
度Iを示す図である。こシ のように、シフターを設けると位相が反転して狭い間隙
の遮蔽パターンは回折光による電場の影響が打ち消され
て、コントラストが良くなり、解像限界が向上する。
このような位相シフトマスクを用いれば、例えば、縮小
率115のマスク(レチクル)に最小幅285μmの遮
光パターンを設けて、0.5μm幅のパターンを設ける
ことができ、また、照射光にエキシマレーザ光を用いれ
ば、0.2μm幅のパターンも作製が可能と言われてい
る。
率115のマスク(レチクル)に最小幅285μmの遮
光パターンを設けて、0.5μm幅のパターンを設ける
ことができ、また、照射光にエキシマレーザ光を用いれ
ば、0.2μm幅のパターンも作製が可能と言われてい
る。
次に、第6図はそのような位相シフトマスクの断面図を
示しており、図中の記号lはガラス基板(透明基板)、
2はクロム(Cr)からなる遮光パターン、3はシフタ
ーである。このシフターはりソグラフィに用いる光を透
過する透明膜であれば良く、例えば、PMMA (ポリ
メタクリル酸メチル)のような有機樹脂膜や酸化シリコ
ン(Stow)ps、のような無機物質膜などが使用さ
れるが、その膜厚をDとすると D=λ/2(n−1)・−(1) ここに、λは照射光の波長、nはシフターの屈折率 なる式に一致させると、位相のシフト量が18o。
示しており、図中の記号lはガラス基板(透明基板)、
2はクロム(Cr)からなる遮光パターン、3はシフタ
ーである。このシフターはりソグラフィに用いる光を透
過する透明膜であれば良く、例えば、PMMA (ポリ
メタクリル酸メチル)のような有機樹脂膜や酸化シリコ
ン(Stow)ps、のような無機物質膜などが使用さ
れるが、その膜厚をDとすると D=λ/2(n−1)・−(1) ここに、λは照射光の波長、nはシフターの屈折率 なる式に一致させると、位相のシフト量が18o。
となって効果が最大になる。
ところが、第6図に図示した位相シフトマスクにおける
シフター3は透明なために、通常の透過型顕微鏡や反射
型顕微鏡ではその有無が判りにくくて、そのシフターに
特に重要な膜厚りの測定が非常に困難であるという問題
がある。
シフター3は透明なために、通常の透過型顕微鏡や反射
型顕微鏡ではその有無が判りにくくて、そのシフターに
特に重要な膜厚りの測定が非常に困難であるという問題
がある。
本発明はそのような問題点を解決して、位相シフトマス
クにおけるシフターの膜厚を容易に正確に測定すること
を目的とした位相シフトマスクのシフター膜厚測定器を
提案するものである。
クにおけるシフターの膜厚を容易に正確に測定すること
を目的とした位相シフトマスクのシフター膜厚測定器を
提案するものである。
その課題は、第1図に示す測定器の原理図のように、白
色光源6から照射した光の光路を2つに分岐し、一方の
光路11を位相シフトマスク7のシフター10を透過さ
せた後に他方の光路12と合流させ、前記2つの光路の
いずれかにガラス厚みが変化できるように可動するくさ
び状ガラス8を配置して、該くさび状ガラス8の可動に
よって光路長を調整し、光の干渉信号を得てシフターの
膜厚が測定できるように構成した位相シフトマスクのシ
フター膜厚測定器によって解決される。
色光源6から照射した光の光路を2つに分岐し、一方の
光路11を位相シフトマスク7のシフター10を透過さ
せた後に他方の光路12と合流させ、前記2つの光路の
いずれかにガラス厚みが変化できるように可動するくさ
び状ガラス8を配置して、該くさび状ガラス8の可動に
よって光路長を調整し、光の干渉信号を得てシフターの
膜厚が測定できるように構成した位相シフトマスクのシ
フター膜厚測定器によって解決される。
即ち、本発明は、シフターを透過させた光路11とシフ
ターのない光路12との光路差をくさび状ガラス8の厚
みを変化させて一致させ、シフターの厚みをガラスの厚
みに換算して測定するものである。計算式を以下に示す
。
ターのない光路12との光路差をくさび状ガラス8の厚
みを変化させて一致させ、シフターの厚みをガラスの厚
みに換算して測定するものである。計算式を以下に示す
。
n、 t−t=n、 k (a−b) −k (a−b
)・・・・・・・・・・(2) シフターの厚み シフター材の屈折率 ガラスの屈折率 くさび状ガラスの傾斜 シフターのある場合に干渉が 現れるくさび状ガラスの位置 bニジフタ−のない場合に干渉が 現れるくさび状ガラスの位置 〔実 施 例] 以下に図面を参照して詳細に説明する。
)・・・・・・・・・・(2) シフターの厚み シフター材の屈折率 ガラスの屈折率 くさび状ガラスの傾斜 シフターのある場合に干渉が 現れるくさび状ガラスの位置 bニジフタ−のない場合に干渉が 現れるくさび状ガラスの位置 〔実 施 例] 以下に図面を参照して詳細に説明する。
第1図に示す測定器の原理図を更に詳しく説明すると、
図中の記号4は光を分岐するためのハーフミラ−25は
光を反射するためのミラー 6は白色光源、7は被測定
用の位相シフトマスク、8はくさび状ガラス、9は光の
干渉信号を検知する検出器、10は位相シフトマスクの
シフター、 11はシフター10を透過する光路I、1
2はシフターのない光路■である。
図中の記号4は光を分岐するためのハーフミラ−25は
光を反射するためのミラー 6は白色光源、7は被測定
用の位相シフトマスク、8はくさび状ガラス、9は光の
干渉信号を検知する検出器、10は位相シフトマスクの
シフター、 11はシフター10を透過する光路I、1
2はシフターのない光路■である。
白色光源6から照射した光はハーフミラ−4によって2
つの光路に分岐され、そのうちの光路Iはシフター10
を透過してミラー5によって反射してもう一つのハーフ
ミラ−4を通って検出器9に入射する。ハーフミラ−4
によって分岐された他の光路■はそのままミラー5によ
って反射されてくさび状ガラス8を透過してもう一つの
ハーフもラー4で上記の光路Iと合流して検出器9に入
射する。
つの光路に分岐され、そのうちの光路Iはシフター10
を透過してミラー5によって反射してもう一つのハーフ
ミラ−4を通って検出器9に入射する。ハーフミラ−4
によって分岐された他の光路■はそのままミラー5によ
って反射されてくさび状ガラス8を透過してもう一つの
ハーフもラー4で上記の光路Iと合流して検出器9に入
射する。
かくして、光路■と光路■との空気(光の屈折率=1)
に換算した光路長が等しくなったとき、換言すれば、光
路■を通る光の通過時間と光路■を通る光の通過時間と
が等しくなったときに光の干渉信号が検出器9に検出で
きる。
に換算した光路長が等しくなったとき、換言すれば、光
路■を通る光の通過時間と光路■を通る光の通過時間と
が等しくなったときに光の干渉信号が検出器9に検出で
きる。
第2図は検出器の光干渉信号図を示しており、信号Aは
光路IがシフターIOを透過して、それに光路■を一致
させたもので、aが光の干渉によって光強度が増したピ
ーク点である。また、信号Bは光路1がシフターのない
部分を透過して、それに光路■を一致させたもので、b
がピーク点である。この両方の信号Aと信号Bとを記憶
させて、そのピーク点の差(a−b)を上記の計算式(
2)に導入して計算すればシフターの膜厚りが求められ
る。第3図は計算式の基礎を示す図で、光路Aは信号A
が得られる光路、光路Bは信号Bが得られる光路を図示
している。図中の記号は上記の計算式(2)で説明した
記号と同じであり、また、y/x=にであって、この第
3図を参照すれば計算式(2)によってシフターの膜厚
tが得られることが明白になる。
光路IがシフターIOを透過して、それに光路■を一致
させたもので、aが光の干渉によって光強度が増したピ
ーク点である。また、信号Bは光路1がシフターのない
部分を透過して、それに光路■を一致させたもので、b
がピーク点である。この両方の信号Aと信号Bとを記憶
させて、そのピーク点の差(a−b)を上記の計算式(
2)に導入して計算すればシフターの膜厚りが求められ
る。第3図は計算式の基礎を示す図で、光路Aは信号A
が得られる光路、光路Bは信号Bが得られる光路を図示
している。図中の記号は上記の計算式(2)で説明した
記号と同じであり、また、y/x=にであって、この第
3図を参照すれば計算式(2)によってシフターの膜厚
tが得られることが明白になる。
次に、第4図は本発明にかかるシフター膜厚測定器の一
実施例を示しており、図中の記号41.42゜43は光
を分岐するハーフミラ−15は光を反射するミラー16
は白色光源、7は被測定用の位相シフトマスク、8はく
さび状ガラス、9は光干渉信号の検出器、 10はシフ
ター、 11は光路I、12は光路n、 13.14.
15はレンズ、 17はダミーガラス基板、18は粗調
用くさび状ガラス、 19はXYステージ、20は光強
度の検出器、 21は制御装置、22はパルスモータで
ある。
実施例を示しており、図中の記号41.42゜43は光
を分岐するハーフミラ−15は光を反射するミラー16
は白色光源、7は被測定用の位相シフトマスク、8はく
さび状ガラス、9は光干渉信号の検出器、 10はシフ
ター、 11は光路I、12は光路n、 13.14.
15はレンズ、 17はダミーガラス基板、18は粗調
用くさび状ガラス、 19はXYステージ、20は光強
度の検出器、 21は制御装置、22はパルスモータで
ある。
即ち、白色光源6から出射した光はレンズ13で平行光
線になってハーフミラ−41で光路111と光路111
2とに分岐される。光路■は位相シフトマスク7のシフ
ター10を透過するが、その際にレンズ14でスポット
光としてシフタ一部分を透過させてレンズ15で平行光
に戻し、粗調用くさび状ガラス18とハーフミラ−42
を通してハーフミラ−43で光路■と合流させる。この
粗調用くさび状ガラス18は光路Iが光路■と大きく光
路長が外れたときに粗く調整する目的で配置されている
ものである。
線になってハーフミラ−41で光路111と光路111
2とに分岐される。光路■は位相シフトマスク7のシフ
ター10を透過するが、その際にレンズ14でスポット
光としてシフタ一部分を透過させてレンズ15で平行光
に戻し、粗調用くさび状ガラス18とハーフミラ−42
を通してハーフミラ−43で光路■と合流させる。この
粗調用くさび状ガラス18は光路Iが光路■と大きく光
路長が外れたときに粗く調整する目的で配置されている
ものである。
また、ハーフごラー42は分岐した光を検出器20に入
射させて光強度を検出させるもので、この検出器20を
設ければ遮光パターンの有無、透過部の欠陥部分を測定
させることができ、それを併置しているものである。
射させて光強度を検出させるもので、この検出器20を
設ければ遮光パターンの有無、透過部の欠陥部分を測定
させることができ、それを併置しているものである。
一方、光路■はハーフミラ−41で分岐されてミラー5
で反射した光がダミーガラス基板17および微調用のく
さび状ガラス8を透過してハーフミラー43によって光
路■と合流させる。このダミーガラス基板17は光路■
の光路長を光路Iのそれに近接させるためで、位相シフ
トマスク7のガラス基板と同一厚みのものを配置する。
で反射した光がダミーガラス基板17および微調用のく
さび状ガラス8を透過してハーフミラー43によって光
路■と合流させる。このダミーガラス基板17は光路■
の光路長を光路Iのそれに近接させるためで、位相シフ
トマスク7のガラス基板と同一厚みのものを配置する。
また、くさび状ガラス8はパルスモータ22で微動して
制御されるように構威しである。
制御されるように構威しである。
かくして、パルスモータ22と光干渉信号の検出器9と
光強度の検出器20および位相シフトマスク7を左右上
下に動かすXYステージ19とが制御装置21によって
制御されて、シフター10の有無や膜厚を測定し、また
、マスクのパターン形状をも検出する。なお、シフター
10の有無はピーク点の差(a−b)=Oのときにはシ
フターは存在せず、それを検出するものである。
光強度の検出器20および位相シフトマスク7を左右上
下に動かすXYステージ19とが制御装置21によって
制御されて、シフター10の有無や膜厚を測定し、また
、マスクのパターン形状をも検出する。なお、シフター
10の有無はピーク点の差(a−b)=Oのときにはシ
フターは存在せず、それを検出するものである。
上記のように、本発明は非接触で位相シフトマスク、特
にシフターの膜厚測定が可能になり、その位相シフトマ
スクの安定化に役立てることができる。
にシフターの膜厚測定が可能になり、その位相シフトマ
スクの安定化に役立てることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明にかかる位相シ
フトマスクのシフター膜厚測定器によれば容易に正確に
シフターの膜厚その他の位相シフトマスクを測定するこ
とができ、LSIなどの半導体装置の品質・信頼性の向
上に大きく寄与するものである。
フトマスクのシフター膜厚測定器によれば容易に正確に
シフターの膜厚その他の位相シフトマスクを測定するこ
とができ、LSIなどの半導体装置の品質・信頼性の向
上に大きく寄与するものである。
第1図は測定器の原理図、
第2図は検出器の光干渉信号図、
第3図は関係式の基礎を示す図、
第4図は本発明にかかるシフター膜厚測定器の一実施例
、 第5図は位相シフトの原理を説明する図、第6図は位相
シフトマスクの断面図である。 図において、 1はガラス基板、 2は遮光パターン、3はシフ
ター 4、41.42.43はハーフミラー 5はミラー 6は白色光源、7は被測定用の
位相シフトマスク、 8はくさび状ガラス、 9は光干渉信号の検出器、IO
はシフター 11は光路I5 12は光路■、13、14.1
5はレンズ、 I7はダミーガラス基板、18は粗調用
くさび状ガラス、 19はXYステージ、 20は光強度の検出器、21
は制御装置、 22はバルスモータを示している
。 第 図 →〈こひ′国iがクズの信置 第3図 4え勇ぢ明にかカム6シフター組も雪□身1定(1のl
’F&#j第4厘
、 第5図は位相シフトの原理を説明する図、第6図は位相
シフトマスクの断面図である。 図において、 1はガラス基板、 2は遮光パターン、3はシフ
ター 4、41.42.43はハーフミラー 5はミラー 6は白色光源、7は被測定用の
位相シフトマスク、 8はくさび状ガラス、 9は光干渉信号の検出器、IO
はシフター 11は光路I5 12は光路■、13、14.1
5はレンズ、 I7はダミーガラス基板、18は粗調用
くさび状ガラス、 19はXYステージ、 20は光強度の検出器、21
は制御装置、 22はバルスモータを示している
。 第 図 →〈こひ′国iがクズの信置 第3図 4え勇ぢ明にかカム6シフター組も雪□身1定(1のl
’F&#j第4厘
Claims (1)
- 光源から照射した光の光路を2つに分岐し、一方の光路
は位相シフトマスクのシフターを透過させた後に他方の
光路と合流させ、前記2つの光路のいずれかにガラス厚
みが変化できるように可動するくさび状ガラスを配置し
、該くさび状ガラスの可動によって光路長を調整して、
光の干渉信号を得て位相シフトマスクのシフターの膜厚
が測定できるように構成したことを特徴とする位相シフ
トマスクのシフター膜厚測定器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1322331A JPH03181805A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1322331A JPH03181805A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03181805A true JPH03181805A (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=18142452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1322331A Pending JPH03181805A (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 位相シフトマスクのシフター膜厚測定器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03181805A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5270796A (en) * | 1990-11-13 | 1993-12-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for inspecting a phase shift mask |
US5426503A (en) * | 1993-10-12 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of testing a phase shift mask and a testing apparatus used therein in the ultraviolet wavelength range |
JPH0972U (ja) * | 1991-10-22 | 1997-02-07 | ジェネラル・スキャンニング・インコーポレイテッド | 位相板調節式レーザビームによる集積回路接続パスの切断装置 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP1322331A patent/JPH03181805A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5270796A (en) * | 1990-11-13 | 1993-12-14 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for inspecting a phase shift mask |
JPH0972U (ja) * | 1991-10-22 | 1997-02-07 | ジェネラル・スキャンニング・インコーポレイテッド | 位相板調節式レーザビームによる集積回路接続パスの切断装置 |
US5426503A (en) * | 1993-10-12 | 1995-06-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of testing a phase shift mask and a testing apparatus used therein in the ultraviolet wavelength range |
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