JPH03175811A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
- Publication number
- JPH03175811A JPH03175811A JP31566089A JP31566089A JPH03175811A JP H03175811 A JPH03175811 A JP H03175811A JP 31566089 A JP31566089 A JP 31566089A JP 31566089 A JP31566089 A JP 31566089A JP H03175811 A JPH03175811 A JP H03175811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- piezoelectric film
- substrate
- diamond
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 15
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 32
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は高周波用の弾性表面波素子に関し、特に窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）圧電膜を用いた弾性表面波素子に
関するものである。
ルミニウム（ＡｌＮ）圧電膜を用いた弾性表面波素子に
関するものである。
（ロ）従来の技術
弾性表面波素子は小型で、しかも温度及び経年変化に対
して安定であり、かつインターディジタル電極の形状を
変えることにより任意のフィルターが得られる。このた
め、例えばＴＶ受像機のＩＦフィルターやｖＴＲｃｒ）
ＲＦコンバータ発振器等に用いられる。特に近年はポケ
ットベル、自動車電話等に用いられる高周波用の弾性表
面波素子が必要とされている。
して安定であり、かつインターディジタル電極の形状を
変えることにより任意のフィルターが得られる。このた
め、例えばＴＶ受像機のＩＦフィルターやｖＴＲｃｒ）
ＲＦコンバータ発振器等に用いられる。特に近年はポケ
ットベル、自動車電話等に用いられる高周波用の弾性表
面波素子が必要とされている。
ところで、弾性表面波素子は設計上使用される周波数が
高い程、基板表面を伝播する弾性表面波の高音速性が要
求される。
高い程、基板表面を伝播する弾性表面波の高音速性が要
求される。
従来、ガラス板等の圧電性のない基板表面に圧電膜を形
成した弾性表面波素子が知られており、此種弾性表面波
素子として、高音速の弾性表面波伝播速度が得られるＡ
ｌＮ圧電膜を用いた弾性表面波素子がある。
成した弾性表面波素子が知られており、此種弾性表面波
素子として、高音速の弾性表面波伝播速度が得られるＡ
ｌＮ圧電膜を用いた弾性表面波素子がある。
しかしながら、例えば、ガラス板表面にこのＡｐ、Ｎ圧
電膜を形成して弾性表面波素子とした場合、ガラス板の
持つ伝播速度特性がＡ！Ｎ圧電膜に比べて遅いため、全
体として弾性表面波の伝播速度が遅くなり、Ａ、 ｆ
Ｎ圧電膜の高音速特性を十分に活かせない（例えば、Ｔ
ｈ１ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ、 １３９（１９８６
）２６１−２７４″ＯＮ ＴＨＥ ＰＲＯＰＥＲＴＴＥ
Ｓ ＯＦ ＡｌＮ ＴＩＩＩＮＦＩｌ、ＭＳ ＧＲＯＷ
Ｎ ＢＹ ｌ、ＯＷ ＴＥＭＰＥＲＡＴＩＪＲＥ ＲＥ
ＡＣＴＩＶＥ Ｒ，ＦＳＰ［］ＴＴＥＲＩＮＧ”）。
電膜を形成して弾性表面波素子とした場合、ガラス板の
持つ伝播速度特性がＡ！Ｎ圧電膜に比べて遅いため、全
体として弾性表面波の伝播速度が遅くなり、Ａ、 ｆ
Ｎ圧電膜の高音速特性を十分に活かせない（例えば、Ｔ
ｈ１ｎ ５ｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ、 １３９（１９８６
）２６１−２７４″ＯＮ ＴＨＥ ＰＲＯＰＥＲＴＴＥ
Ｓ ＯＦ ＡｌＮ ＴＩＩＩＮＦＩｌ、ＭＳ ＧＲＯＷ
Ｎ ＢＹ ｌ、ＯＷ ＴＥＭＰＥＲＡＴＩＪＲＥ ＲＥ
ＡＣＴＩＶＥ Ｒ，ＦＳＰ［］ＴＴＥＲＩＮＧ”）。
この問題を解決するために本出願人は特願平ゴー６８７
９５号において、ＡｌＮ焼結体層上にＡｌＮ圧電膜を形
成してなる弾性表面波素子を提案した。この弾性表面波
素子では５６００ｍ／ｓ以上の高音速特性が得られた。
９５号において、ＡｌＮ焼結体層上にＡｌＮ圧電膜を形
成してなる弾性表面波素子を提案した。この弾性表面波
素子では５６００ｍ／ｓ以上の高音速特性が得られた。
（ハ）発明が解決しようとする課題
本発明は、Ａ４２Ｎ圧電膜を用いた弾性表面波素子にお
いて、更に高い高音速特性を有する弾性表面波素子を提
供することを目的とするものであ（ニ）課題を解決する
ための手段 上述の点に鑑み、本発明の（＋１１性表面波素子は、ダ
イヤモンドよりなる基板もしくはダイヤモンド薄膜が形
成された基板の表面１−にエピタキシャル＋１１−結晶
またはＣ軸配向性Ａ４２Ｎ圧電膜を形成してなるもので
ある。
いて、更に高い高音速特性を有する弾性表面波素子を提
供することを目的とするものであ（ニ）課題を解決する
ための手段 上述の点に鑑み、本発明の（＋１１性表面波素子は、ダ
イヤモンドよりなる基板もしくはダイヤモンド薄膜が形
成された基板の表面１−にエピタキシャル＋１１−結晶
またはＣ軸配向性Ａ４２Ｎ圧電膜を形成してなるもので
ある。
（ホ）作用
ダイヤモンドは密度が低く、かつ極めて速い弾性表面波
伝播特性を有するので、その表面−１−にＡｌＮ圧電膜
を形成した弾性表面波素子は高音速特性を持つことにな
る。
伝播特性を有するので、その表面−１−にＡｌＮ圧電膜
を形成した弾性表面波素子は高音速特性を持つことにな
る。
（へ）実施例
以下、本発明の一実施例を図面に従い説明する。
本発明の弾性表面波素子の構成を第１図及び第２図に示
す。
す。
第１図において、（１）はダイヤモンドよりなる基板で
あり、高温高圧のプレス法や爆薬によるプレス法等で作
製される。（２）はダイヤモンド基板（１）上に形成さ
れたＡＩ！、Ｎ圧電膜である。このＡｌＮ圧電膜（２）
はエピタキシャル単結晶、もしくはＣ軸配向性を有する
ものである。その形成方法としてはスパッタ法、イオン
ブレーティング法、ＣＶＤ法等がある。（３）（４）は
ＡｌＮ圧電膜（２）上に形成された送信及び受信用のイ
ンターディジタル電極である。弾性表面波は送信用イン
ターディジタル電極（３）から受信用のインターディジ
タル電極（４）へ向かって矢印（Ａ）の方向に伝播する
。（５）は素子構造を示す座標軸であり、（Ｘｌ）は弾
性表面波の伝播方向、（Ｘ、）は素子表面の法線方向を
示している。
あり、高温高圧のプレス法や爆薬によるプレス法等で作
製される。（２）はダイヤモンド基板（１）上に形成さ
れたＡＩ！、Ｎ圧電膜である。このＡｌＮ圧電膜（２）
はエピタキシャル単結晶、もしくはＣ軸配向性を有する
ものである。その形成方法としてはスパッタ法、イオン
ブレーティング法、ＣＶＤ法等がある。（３）（４）は
ＡｌＮ圧電膜（２）上に形成された送信及び受信用のイ
ンターディジタル電極である。弾性表面波は送信用イン
ターディジタル電極（３）から受信用のインターディジ
タル電極（４）へ向かって矢印（Ａ）の方向に伝播する
。（５）は素子構造を示す座標軸であり、（Ｘｌ）は弾
性表面波の伝播方向、（Ｘ、）は素子表面の法線方向を
示している。
第２図はガラス、シリコン、サファイア等の弾性体基板
（６）の表面上にダイヤモンド膜（７）をＣＶＤ法、ス
パッタ法等で形成してなる基板（１′）を用いたもので
ある。そして、第１図と同様に、この基板（１′）上に
Ａ、 ｌ Ｎ圧電膜（２）を形成して構成されている（
第１図と同一部分には同一符号を付している）。尚、弾
性表面波素子では、弾性表面波のエネルギーが圧電基板
の表面から弾性表面波の１波長程度の厚さの表面層に集
中するので、ダイヤモンド膜（７）の膜厚が数波長程度
の厚さであれば、第１図のダイヤモンド基板（１）と同
様の特性を有することになる。
（６）の表面上にダイヤモンド膜（７）をＣＶＤ法、ス
パッタ法等で形成してなる基板（１′）を用いたもので
ある。そして、第１図と同様に、この基板（１′）上に
Ａ、 ｌ Ｎ圧電膜（２）を形成して構成されている（
第１図と同一部分には同一符号を付している）。尚、弾
性表面波素子では、弾性表面波のエネルギーが圧電基板
の表面から弾性表面波の１波長程度の厚さの表面層に集
中するので、ダイヤモンド膜（７）の膜厚が数波長程度
の厚さであれば、第１図のダイヤモンド基板（１）と同
様の特性を有することになる。
次に、Ａ Ｉ Ｎ 圧ｔ 膜（２） （７） ＣＭ カ
基板（１，）（１′）表面の法線方向（ｘｇ軸方向）を
向いている場合の弾性表面波素子の弾性表面波伝播速度
特性および電気機械結合係数特性について説明する。
基板（１，）（１′）表面の法線方向（ｘｇ軸方向）を
向いている場合の弾性表面波素子の弾性表面波伝播速度
特性および電気機械結合係数特性について説明する。
第３図はこのときの弾性表面波伝播速度の特性曲線を示
す図であり、横軸は弾性表面波の波数（ｋ）とＡｆｆｉ
Ｎ圧電膜（２）の膜厚（ｈ）との積（ｋＸｈ）、ｍ軸は
弾性表面波の伝播路が開放の場合の音速（Ｖ、）である
。本図より（ｋＸｈ）が４．０以下で、６０００ｍ／ｓ
以」二の高音速特性が得られることがわかる。
す図であり、横軸は弾性表面波の波数（ｋ）とＡｆｆｉ
Ｎ圧電膜（２）の膜厚（ｈ）との積（ｋＸｈ）、ｍ軸は
弾性表面波の伝播路が開放の場合の音速（Ｖ、）である
。本図より（ｋＸｈ）が４．０以下で、６０００ｍ／ｓ
以」二の高音速特性が得られることがわかる。
第４図は電気機械結合係数の特性曲線を示す図であり、
横軸は（ｋ Ｘ ｈ ）、縦軸は電気機械結合係数（Ｋ
）の２乗値（Ｋ２）を百分率で示すものである。電気機
械結合係数（Ｋ２）は、弾性表面波の伝播路が開放のと
きの音速（Ｖ、）と、伝播路が金属電極で短絡されたと
きの音速（Ｖ、）から次式によって導かれる。
横軸は（ｋ Ｘ ｈ ）、縦軸は電気機械結合係数（Ｋ
）の２乗値（Ｋ２）を百分率で示すものである。電気機
械結合係数（Ｋ２）は、弾性表面波の伝播路が開放のと
きの音速（Ｖ、）と、伝播路が金属電極で短絡されたと
きの音速（Ｖ、）から次式によって導かれる。
Ｋ”＝ ２ （ｖ ｔ−Ｖ＋＋＋）／ ｖ ＋Ｘ ］、
ＯＯ［％］第４図かられかるように（ｋ ｘ ｈ ）
が０．３〜１゜６５の範囲で電気機械結合係数（Ｋ２）
は実用上問題のない０．０５％以１−となる。
ＯＯ［％］第４図かられかるように（ｋ ｘ ｈ ）
が０．３〜１゜６５の範囲で電気機械結合係数（Ｋ２）
は実用上問題のない０．０５％以１−となる。
次に、ＡｌＮ圧電膜（２）のＣ軸が基板（１）（］゛）
に平行であり、かつＣ軸方向に弾性表面波を伝播させる
場合（Ｃ軸がＸ、軸方向と一致する場合）の弾性表面波
素子の弾性表面波伝播速度特性および電気機械結合係数
特性について説明する。
に平行であり、かつＣ軸方向に弾性表面波を伝播させる
場合（Ｃ軸がＸ、軸方向と一致する場合）の弾性表面波
素子の弾性表面波伝播速度特性および電気機械結合係数
特性について説明する。
第５図は、このときの弾性表面波伝播速度の特性曲線を
示す図であり、第３図と同様に横軸は（ｋ Ｘ ｈ ）
、縦軸は伝播速度を示す。この図より（ｋＸｈ）が４．
０以下で、６０００ｍ／ｓ以」二の高音速特性を有する
ことがわかる。
示す図であり、第３図と同様に横軸は（ｋ Ｘ ｈ ）
、縦軸は伝播速度を示す。この図より（ｋＸｈ）が４．
０以下で、６０００ｍ／ｓ以」二の高音速特性を有する
ことがわかる。
また、第６図は第４図と同様に電気機械結合係数（Ｋ２
）の特性曲線を示す図である。これより（ｋＸｈ）が０
．１以上で電気機械結合係数（Ｋ２）が０゜０５％以」
二となることがわかる。
）の特性曲線を示す図である。これより（ｋＸｈ）が０
．１以上で電気機械結合係数（Ｋ２）が０゜０５％以」
二となることがわかる。
以−にのように、本発明による弾性表面波素子は高音速
の伝播速度特性を有する。
の伝播速度特性を有する。
なお、本発明の弾性表面波素子のインターディジタル電
極（３）（４）は、第１図に示す如＜ＡｌＮ圧電膜（２
）ｌに形成する他に、例えばダイヤモンド基板（１）と
、ＡｌＮ圧電膜（２）との間に形成してもよく、その際
、電気機械結合係数の分布は変わるが高音速の伝播特性
を持つ弾性表面波素子を実現できることに変わりはない
。
極（３）（４）は、第１図に示す如＜ＡｌＮ圧電膜（２
）ｌに形成する他に、例えばダイヤモンド基板（１）と
、ＡｌＮ圧電膜（２）との間に形成してもよく、その際
、電気機械結合係数の分布は変わるが高音速の伝播特性
を持つ弾性表面波素子を実現できることに変わりはない
。
（ト）発明の効果
本発明によれば、高周波用に好適な高音速特性を有する
弾性表面波素子が実現できる。
弾性表面波素子が実現できる。
第１図及び第２図は本発明の弾性表面波素子の構造を示
す図、第３図はＡＰ、Ｎ圧電膜のＣ軸が基板表面に垂直
の時の弾性表面波伝播速度特性を示す図、第４図は同じ
く電気機械結合係数特性を示す図、第５図はＡ２Ｎ圧電
膜のＣ軸が基板表面と平行の時の弾性表面波伝播速度特
性を示す図、第６図は同じく電気機械結合係数特性を示
す図である。 （１）（１ ′）・・・基板、 （２）・・ ＡｌＮ圧電膜、 （３） （４）・・・電極。
す図、第３図はＡＰ、Ｎ圧電膜のＣ軸が基板表面に垂直
の時の弾性表面波伝播速度特性を示す図、第４図は同じ
く電気機械結合係数特性を示す図、第５図はＡ２Ｎ圧電
膜のＣ軸が基板表面と平行の時の弾性表面波伝播速度特
性を示す図、第６図は同じく電気機械結合係数特性を示
す図である。 （１）（１ ′）・・・基板、 （２）・・ ＡｌＮ圧電膜、 （３） （４）・・・電極。
Claims (3)
- （１）ダイヤモンドよりなる基板もしくはダイヤモンド
膜が形成された基板と、前記基板上に形成されるエピタ
キシャル単結晶またはＣ軸配向性窒化アルミニウム圧電
膜と、所定の位置に形成される電極とを備えてなる弾性
表面波素子。 - （２）前記窒化アルミニウム圧電膜のＣ軸が前記基板に
垂直であり、かつ伝播する弾性表面波の波数と前記窒化
アルミニウム圧電膜の膜厚との積が０．３乃至１．６５
の範囲にあることを特徴とする請求項１記載の弾性表面
波素子。 - （３）前記窒化アルミニウム圧電膜のＣ軸が前記基板に
平行であると共に該Ｃ軸方向に弾性表面波を伝播させ、
かつ該弾性表面波の波数と前記窒化アルミニウム圧電膜
の膜厚との積が０．１以上であることを特徴とする請求
項１記載の弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31566089A JPH03175811A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31566089A JPH03175811A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175811A true JPH03175811A (ja) | 1991-07-30 |
Family
ID=18068051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31566089A Pending JPH03175811A (ja) | 1989-12-05 | 1989-12-05 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03175811A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0669412A1 (en) * | 1994-02-25 | 1995-08-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Aluminim nitride thin film substrate and process for producing same |
| JPH07237998A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化アルミニウム薄膜基板および製造法 |
| JPH0998058A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| KR20020007212A (ko) * | 2000-07-19 | 2002-01-26 | 무라타 야스타카 | 박막, 박막 제조 방법 및 전자 소자 |
| JP2019535148A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-12-05 | 安徽安努奇科技有限公司Ａｎｈｕｉａｎｕｋｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 圧電共振器の製造方法と圧電共振器 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP31566089A patent/JPH03175811A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0669412A1 (en) * | 1994-02-25 | 1995-08-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Aluminim nitride thin film substrate and process for producing same |
| JPH07237998A (ja) * | 1994-02-25 | 1995-09-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化アルミニウム薄膜基板および製造法 |
| US5571603A (en) * | 1994-02-25 | 1996-11-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Aluminum nitride film substrate and process for producing same |
| JPH0998058A (ja) * | 1995-09-29 | 1997-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 弾性表面波素子 |
| KR20020007212A (ko) * | 2000-07-19 | 2002-01-26 | 무라타 야스타카 | 박막, 박막 제조 방법 및 전자 소자 |
| JP2019535148A (ja) * | 2017-09-22 | 2019-12-05 | 安徽安努奇科技有限公司Ａｎｈｕｉａｎｕｋｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | 圧電共振器の製造方法と圧電共振器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2892153B1 (en) | Piezoelectric acoustic resonator with adjustable temperature compensation capability | |
| EP0609555B1 (en) | Frequency selective component and method | |
| Kadota et al. | High-frequency lamb wave device composed of MEMS structure using LiNbO 3 thin film and air gap | |
| JP3844414B2 (ja) | 表面弾性波素子及びその製造方法 | |
| JPH027525B2 (ja) | ||
| US8829764B2 (en) | HBAR resonator with high temperature stability | |
| US20150303895A1 (en) | Transducer with bulk waves surface-guided by synchronous excitation structures | |
| KR20190109522A (ko) | 탄성파 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치 | |
| CA2330019A1 (en) | Method of isolation for acoustic resonator devices | |
| KR100588450B1 (ko) | 탄성표면파소자및이를이용한휴대전화기 | |
| US4177438A (en) | Surface acoustic wave modulator using single crystal films of lithium ferrite | |
| EP0982856B1 (en) | Surface acoustic wave resonator and transversal type surface acoustic wave filter | |
| JPS6341449B2 (ja) | ||
| JPH03175811A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JP2000278087A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JPH04109709A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| JPH10178331A (ja) | 弾性表面波素子 | |
| US4707631A (en) | Isotropic acoustic wave substrate | |
| US3771072A (en) | Low velocity zero temperature coefficient acoustic surface wave delay line having group and phase velocity vector coincidence | |
| JP3493315B2 (ja) | 圧電共振子 | |
| CN113206651A (zh) | 一种具有高机电耦合系数的兰姆波谐振器及其制备方法 | |
| CN112968124A (zh) | 一种非连续基底结构声表面波滤波器及其制备方法 | |
| EP0982857A2 (en) | Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave filter, duplexer, communications apparatus and surface acoustic wave apparatus, and production method of surface acoustic wave device | |
| JP2000278086A (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JP3724544B2 (ja) | 表面波共振子、表面波フィルタ、共用器、通信機装置及び表面波デバイス |