JPH026055A - プリント回路基板とシリコンチップのはんだ付方法 - Google Patents
プリント回路基板とシリコンチップのはんだ付方法Info
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- JPH026055A JPH026055A JP63143797A JP14379788A JPH026055A JP H026055 A JPH026055 A JP H026055A JP 63143797 A JP63143797 A JP 63143797A JP 14379788 A JP14379788 A JP 14379788A JP H026055 A JPH026055 A JP H026055A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プリント回路基板とはんだバンプを設けたシ
リコンチップとを電気的に接続するためのはんだ付方法
に関する。
リコンチップとを電気的に接続するためのはんだ付方法
に関する。
従来、この種のはんだ付方法は第６図から第８図に示す
ような方法を用いて行われていた。
ような方法を用いて行われていた。
第６図はりフローによる従来のはんだ付方法を示す図で
ある。ここで、１はプリント回路基板、２は電極、３は
シリコンチップ、４ははんだバンプである。はんだバン
プ４はシリコンチップ３上に設けられている。第６図に
示すようにプリント回路基板１上に形成された複数個の
電極２と、シリコンチップ３上に設けられたはんだバン
プ４．とをはんだ付する場合は、まず、プリント回路基
板１上にシリコンチップ３を載置し、次に、プリント回
路基板１全体の加熱により全体をリフローするという方
法によってはんだ付が行われていた。
ある。ここで、１はプリント回路基板、２は電極、３は
シリコンチップ、４ははんだバンプである。はんだバン
プ４はシリコンチップ３上に設けられている。第６図に
示すようにプリント回路基板１上に形成された複数個の
電極２と、シリコンチップ３上に設けられたはんだバン
プ４．とをはんだ付する場合は、まず、プリント回路基
板１上にシリコンチップ３を載置し、次に、プリント回
路基板１全体の加熱により全体をリフローするという方
法によってはんだ付が行われていた。
第７図はばんだゴテによる従来のはんだ付方法を示す図
である。第６図と同様の個所には同一の符号を付す。６
ははんだゴテ、７は位置決め用治具である。第７図に示
すようにフレキシブルプリント回路基板５上に形成され
た複数個の電極２と、位置決め用治具７に収められたシ
リコンチップ３上に設けられたはんだバンブ４とをはん
だ付する場合は、温度調整機能を持ったけんだゴテ６を
フレキシブルプリント回路基板５の裏より押し当てると
いう方法によってはんだバンプ４を溶融し、電極２とは
んだバンブ４とのはんだ付が行われていた。この場合、
はんだゴテ６の平坦度が良くない場合は、未はんだある
いは隣りのパターンとのブリッジが発生していた。
である。第６図と同様の個所には同一の符号を付す。６
ははんだゴテ、７は位置決め用治具である。第７図に示
すようにフレキシブルプリント回路基板５上に形成され
た複数個の電極２と、位置決め用治具７に収められたシ
リコンチップ３上に設けられたはんだバンブ４とをはん
だ付する場合は、温度調整機能を持ったけんだゴテ６を
フレキシブルプリント回路基板５の裏より押し当てると
いう方法によってはんだバンプ４を溶融し、電極２とは
んだバンブ４とのはんだ付が行われていた。この場合、
はんだゴテ６の平坦度が良くない場合は、未はんだある
いは隣りのパターンとのブリッジが発生していた。
また、上述のようなりフロー法やはんだゴテによるはん
だ付に替わって、近年、レーザによるはんだ付が採用さ
れている。
だ付に替わって、近年、レーザによるはんだ付が採用さ
れている。
第８図はフレキシブルプリント回路基板側からレーザ光
を照射する従来のはんだ付方法を示す図である。第６図
および第７図と同様の個所には同一の符号を付す。８は
光透過性治具、９はレーザ光である。この方法は本発明
者が本出願前に出願しているものである。フレキシブル
プリント回路基板５上に形成された複数個の電極２と、
位置決め用治具７に収められたシリコンチップ３上に設
けられたはんだバンプ４とが対向するように位置決めし
、フレキシブルプリント回路基板５の上部に光透過性治
具８を載置し、フレキシブルプリント回路基板５をシリ
コンチップ３に押しあてる。
を照射する従来のはんだ付方法を示す図である。第６図
および第７図と同様の個所には同一の符号を付す。８は
光透過性治具、９はレーザ光である。この方法は本発明
者が本出願前に出願しているものである。フレキシブル
プリント回路基板５上に形成された複数個の電極２と、
位置決め用治具７に収められたシリコンチップ３上に設
けられたはんだバンプ４とが対向するように位置決めし
、フレキシブルプリント回路基板５の上部に光透過性治
具８を載置し、フレキシブルプリント回路基板５をシリ
コンチップ３に押しあてる。
このような状態で、光透過性治具８の上部からレーザ光
９を照射すると、レーザ光９は光透過性治具８およびフ
レキシブルプリント回路基板５を透過してはんだバンプ
４を溶融し、電極２とはんだバンプ４とのはんだ付が行
われる。
９を照射すると、レーザ光９は光透過性治具８およびフ
レキシブルプリント回路基板５を透過してはんだバンプ
４を溶融し、電極２とはんだバンプ４とのはんだ付が行
われる。
し、かじながら、従来のはんだ付方法においては、はん
だ付の装置が大がかりになるという問題点があった。
だ付の装置が大がかりになるという問題点があった。
また、プリント回路基板の熱変形、焼損あるいは熱劣化
が生ずるという問題点もあった。
が生ずるという問題点もあった。
さらに、プリント回路基板上の電極とシリコンチップ上
のはんだバンブとの位置合わせには、かなりの正確さが
要求されるという問題点もあった。
のはんだバンブとの位置合わせには、かなりの正確さが
要求されるという問題点もあった。
本発明の１つの目的は、上述の問題点を解決し、プリン
ト回路基板の電極と、シリコンチップ上に形成されたは
んだバンブとのはんだ付を良好かつ信頼性をもって行う
ことのできるはんだ付方法を提供することにある。
ト回路基板の電極と、シリコンチップ上に形成されたは
んだバンブとのはんだ付を良好かつ信頼性をもって行う
ことのできるはんだ付方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、はんだ付する際に、シリコ
ンチップ上に形成されたはんだバンブを完全に溶融し、
そのときに生ずるはんだの表面張力によってシリコンチ
ップとプリント回路基板との位置決めがなされるという
はんだ付方法を提供することにある。
ンチップ上に形成されたはんだバンブを完全に溶融し、
そのときに生ずるはんだの表面張力によってシリコンチ
ップとプリント回路基板との位置決めがなされるという
はんだ付方法を提供することにある。
このような目的を達成するために、本発明は、プリント
回路基板上に設けられた電極と、シリコンチップ上に設
けられたはんだバンブとが接触するように、プリント回
路基板およびシリコンチップを位置決めし、シリコンチ
ップ側からレーザ光を照射して、はんだバンプを加熱溶
融して前記電極と融着させることを特徴とする。さらに
好適な実施態様としては、前記位置決めを、溶融した前
記はんだバンブの表面張力を利用して行うことを特徴と
する。
回路基板上に設けられた電極と、シリコンチップ上に設
けられたはんだバンブとが接触するように、プリント回
路基板およびシリコンチップを位置決めし、シリコンチ
ップ側からレーザ光を照射して、はんだバンプを加熱溶
融して前記電極と融着させることを特徴とする。さらに
好適な実施態様としては、前記位置決めを、溶融した前
記はんだバンブの表面張力を利用して行うことを特徴と
する。
本発明は、プリント回路基板上の電極と、シリコンチッ
プ上のはんだバンプとが接触するようにプリント回路基
板とシリコンチップとを位置決めし、シリコンをある程
度透過する波長を有するレーザ光（ＹＡＧ、ＧＯ２など
は透過率約５０％である）をシリコンチップ側から照射
してシリコンチップ上に形成されたはんだバンブを溶融
することにより、シリコンチップ上のはんだバンプと、
プリント回路基板の電極とのはんだ付を良好に行うこと
ができる。さらに前記好適な実施態様によれば、溶融し
たはんだバンプの表面張力を利用して位置決めを行うの
で、精度上、位置決め作業が簡単になる。
プ上のはんだバンプとが接触するようにプリント回路基
板とシリコンチップとを位置決めし、シリコンをある程
度透過する波長を有するレーザ光（ＹＡＧ、ＧＯ２など
は透過率約５０％である）をシリコンチップ側から照射
してシリコンチップ上に形成されたはんだバンブを溶融
することにより、シリコンチップ上のはんだバンプと、
プリント回路基板の電極とのはんだ付を良好に行うこと
ができる。さらに前記好適な実施態様によれば、溶融し
たはんだバンプの表面張力を利用して位置決めを行うの
で、精度上、位置決め作業が簡単になる。
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細かつ具体的
に述べる。
に述べる。
第１図、第２図および第３図は本発明の一実施例を示す
図である。第１〜第３図において第６〜第８図と同様の
個所には同一の符号を付す。１０はシリコンを透過した
レーザ光である。
図である。第１〜第３図において第６〜第８図と同様の
個所には同一の符号を付す。１０はシリコンを透過した
レーザ光である。
第１図に示すように、電極２を上にした状態にしてプリ
ント回路基板１を置き、電極２と、シリコンチップ３に
設けられたはんだバンブ４とを接触させるように位置決
めしてシリコンチップ３を載置する。次に、シリコンチ
ップ３の上面よりレーザ光９を照射する。このときのレ
ーザ光９は第５図に示すようなシリコンの透過特性に従
って、透過率が良い１〜２０μｍの波長をもつもの（例
えばＹＡＧレーザ光で１．０６μｍ、（：０２ レーザ
光では１０．６３μｍなど）を用いる。
ント回路基板１を置き、電極２と、シリコンチップ３に
設けられたはんだバンブ４とを接触させるように位置決
めしてシリコンチップ３を載置する。次に、シリコンチ
ップ３の上面よりレーザ光９を照射する。このときのレ
ーザ光９は第５図に示すようなシリコンの透過特性に従
って、透過率が良い１〜２０μｍの波長をもつもの（例
えばＹＡＧレーザ光で１．０６μｍ、（：０２ レーザ
光では１０．６３μｍなど）を用いる。
第１図に示すように、シリコンを透過したレーザ光ｌＯ
は、シリコンチップ３の下面まで到達し、シリコンチッ
プ３の下面に形成されているはんだバンブ４へ熱となっ
て吸収されて、はんだの溶融をもたらす。溶融したはん
だバンブ４はプリント回路基板１上の電極２の加熱をも
たらし、シリコンチップ３上のはんだバンブ４と、プリ
ント回路基板１上の電極２とのはんだ付が行われる。
は、シリコンチップ３の下面まで到達し、シリコンチッ
プ３の下面に形成されているはんだバンブ４へ熱となっ
て吸収されて、はんだの溶融をもたらす。溶融したはん
だバンブ４はプリント回路基板１上の電極２の加熱をも
たらし、シリコンチップ３上のはんだバンブ４と、プリ
ント回路基板１上の電極２とのはんだ付が行われる。
プリント回路基板１とシリコンチップ３の位置決めは、
溶融したはんだバンブの表面張力を利用することが好ま
しい。第２図に示すように、溶融したはんだバンブ４は
表面張力をもち、複数個のはんだバンブ４がそれぞれ複
数個の電極２に対して力を及ぼす。この表面張力を利用
してシリコンチップ３を矢印Ａの方向へ移動させて位置
決めが行われる。このように位置決めを行えば、精度上
、位置決め作業が簡単となる。
溶融したはんだバンブの表面張力を利用することが好ま
しい。第２図に示すように、溶融したはんだバンブ４は
表面張力をもち、複数個のはんだバンブ４がそれぞれ複
数個の電極２に対して力を及ぼす。この表面張力を利用
してシリコンチップ３を矢印Ａの方向へ移動させて位置
決めが行われる。このように位置決めを行えば、精度上
、位置決め作業が簡単となる。
そして、第３図に示すようにはんだが凝固し良好な、は
んだ付が行われる。矢印Ｂは第２図に示した位置決め位
置から、シリコンチップ３が移動した距離を表わす。本
実施例はリジッドなプリント回路基板のはんだ付例であ
る。
んだ付が行われる。矢印Ｂは第２図に示した位置決め位
置から、シリコンチップ３が移動した距離を表わす。本
実施例はリジッドなプリント回路基板のはんだ付例であ
る。
第４図は本発明の他の実施例を示す図である。
第４図において第１〜第３図と同様の個所には同一の符
号を付す。１１は治具である。治具１１には吸気孔１２
を設けである。
号を付す。１１は治具である。治具１１には吸気孔１２
を設けである。
第４図に示すのは、フレキシブルプリント回路基板５と
シリコンチップ３のレーザはんだ付例である。この場合
のはんだ付方法を説明すると、まず、治具１１の上にフ
レキシブルプリント回路基板５を載置する。このとき、
フレキシブルプリント回路基板５の電極パターンを有す
る面が上になるようにする。フレキシブルプリント回路
基板５は、治具１１に設けられた吸気孔１２を通じた吸
気によって平坦に保たれている。
シリコンチップ３のレーザはんだ付例である。この場合
のはんだ付方法を説明すると、まず、治具１１の上にフ
レキシブルプリント回路基板５を載置する。このとき、
フレキシブルプリント回路基板５の電極パターンを有す
る面が上になるようにする。フレキシブルプリント回路
基板５は、治具１１に設けられた吸気孔１２を通じた吸
気によって平坦に保たれている。
次に、フレキシブルプリント回路基板５上の電極２と、
シリコンチップ３に設けられたはんだバンブ４とが接触
するようにシリコンチップ３を載置する。このシリコン
チップ３の上部からレーザ光９を照射し、以下、上述の
実施例と同様の手順ではんだ付が行われる。。
シリコンチップ３に設けられたはんだバンブ４とが接触
するようにシリコンチップ３を載置する。このシリコン
チップ３の上部からレーザ光９を照射し、以下、上述の
実施例と同様の手順ではんだ付が行われる。。
〔発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、プリント回路基
板にシリコンチップをはんだ付する場合ト回路基板とシ
リコンチップとをはんだ付する方法を用いているので、
良好かつ信頼性の高いはんだ付が行われる。
板にシリコンチップをはんだ付する場合ト回路基板とシ
リコンチップとをはんだ付する方法を用いているので、
良好かつ信頼性の高いはんだ付が行われる。
また、プリント回路基板がフレキシブルな場合は、治具
に設けた吸気孔を通じた吸気によってプリント回路基板
を固定することにより、はんだ件部の接触面を平坦にし
て上述のような方法でレーザ光を照射するので同様に良
好なはんだ付を行うことができる。
に設けた吸気孔を通じた吸気によってプリント回路基板
を固定することにより、はんだ件部の接触面を平坦にし
て上述のような方法でレーザ光を照射するので同様に良
好なはんだ付を行うことができる。
さらに、本発明のはんだ付方法ははんだゴテなどを、用
いない非接触式であり、また、はんだバンブ溶融時のは
んだの表面張力を利用する好適な実施態様なので、シリ
コンチップ上のはんだバンブとプリント回路基板上の電
極との正確な位置決めが行われる。
いない非接触式であり、また、はんだバンブ溶融時のは
んだの表面張力を利用する好適な実施態様なので、シリ
コンチップ上のはんだバンブとプリント回路基板上の電
極との正確な位置決めが行われる。
さらにまた、本発明によれば、シリコンチップ側からの
レーザ光照射によってはんだバンブを溶融するので、低
熱容量であるフレキシブルプリント回路基板において生
じやすい熱劣化あるいは焼損などを防止することができ
る。
レーザ光照射によってはんだバンブを溶融するので、低
熱容量であるフレキシブルプリント回路基板において生
じやすい熱劣化あるいは焼損などを防止することができ
る。
第２図は本発明の実施例におけるはんだの溶融状態を示
す図、 第３図は本発明の実施例におけるはんだ付の終了状態を
示す図、 第４図は本発明の他の実施例におけるはんだ付方法を示
す図、 第５図はシリコンへの照射光波長と透過率との関係図、 第６図はりフローによる従来のはんだ付方法を示す図、 第７図はばんだゴテによる従来のはんだ付方法を示す図
、 第８図はフレキシブル回路基板側からレーザ光を照射す
る従来のはんだ付方法を示す図である。
す図、 第３図は本発明の実施例におけるはんだ付の終了状態を
示す図、 第４図は本発明の他の実施例におけるはんだ付方法を示
す図、 第５図はシリコンへの照射光波長と透過率との関係図、 第６図はりフローによる従来のはんだ付方法を示す図、 第７図はばんだゴテによる従来のはんだ付方法を示す図
、 第８図はフレキシブル回路基板側からレーザ光を照射す
る従来のはんだ付方法を示す図である。
１・・・プリント回路基板、
２・・・電極、
３・・・シリコンチップ、
４・・・はんだバンブ、
５・・・フレキシブルプリント回路基板、９・・・レー
ザ光、 １０・・・シリコンを透過したレーザ光、１１・・・治
具、 １２・・・吸気孔。
ザ光、 １０・・・シリコンを透過したレーザ光、１１・・・治
具、 １２・・・吸気孔。
特許出願人 二ｔ：ｉ’ＡｉＪλ些飯塚幸二本柘明の文
カ已り１」に訂１する１ゴんたイオの朱ト迄欠、Ｕを示
す因第３図 本裕明ｆ）爽姥ｇｌＪ＋： ；ｌ”ｙげるし−ナ泊思射
す承１ホす囲第１図 ネ究明０裏力巳ｇ弔Ｃとけ石けんたーの２餐昂只伏、悲
を示す図第２図 本宅ｐ月の化の文“】り５例にお１す引言んたイ介ホを
丞す凹第４図 破長（大圏 シリコンへの双身を光抜長ヒ透通乎との関イ系凹第５図 リフローによ石ｔＵの１３んた゛付ガ嗜を示す同第 ６図 ト土んた゛コ゛テＩ：Ｊ３従来のけルた゛付丁ン老を不
す口笛７崗 只肴針するイ更米／）Ｉゴんた゛イｔτ浪をホす凹第８
脚
カ已り１」に訂１する１ゴんたイオの朱ト迄欠、Ｕを示
す因第３図 本裕明ｆ）爽姥ｇｌＪ＋： ；ｌ”ｙげるし−ナ泊思射
す承１ホす囲第１図 ネ究明０裏力巳ｇ弔Ｃとけ石けんたーの２餐昂只伏、悲
を示す図第２図 本宅ｐ月の化の文“】り５例にお１す引言んたイ介ホを
丞す凹第４図 破長（大圏 シリコンへの双身を光抜長ヒ透通乎との関イ系凹第５図 リフローによ石ｔＵの１３んた゛付ガ嗜を示す同第 ６図 ト土んた゛コ゛テＩ：Ｊ３従来のけルた゛付丁ン老を不
す口笛７崗 只肴針するイ更米／）Ｉゴんた゛イｔτ浪をホす凹第８
脚
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）プリント回路基板上に設けられた電極と、シリコン
チップ上に設けられたはんだバンプとが接触するように
、前記プリント回路基板および前記シリコンチップを位
置決めし、該シリコンチップ側からレーザ光を照射して
、前記はんだバンプを加熱溶融して前記電極と融着させ
ることを特徴とするプリント回路基板とシリコンチップ
のはんだ付方法。 ２）前記プリント回路基板と前記シリコンチップとの位
置決めを、溶融した前記はんだバンプの表面張力を利用
して行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のプリント回路基板とシリコンチップのはんだ付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143797A JPH026055A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | プリント回路基板とシリコンチップのはんだ付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63143797A JPH026055A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | プリント回路基板とシリコンチップのはんだ付方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH026055A true JPH026055A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15347206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63143797A Pending JPH026055A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | プリント回路基板とシリコンチップのはんだ付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH026055A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143061A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-26 | Canon Inc | 画像形成方法 |
| US5208798A (en) * | 1987-11-30 | 1993-05-04 | Pioneer Electronic Corporation | Double-sided disk player |
| US6284998B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-09-04 | Visteon Global Technologies, Inc. | Method for laser soldering a three dimensional component |
| US6403399B1 (en) * | 2000-08-11 | 2002-06-11 | Lsi Logic Corporation | Method of rapid wafer bumping |
| KR100448665B1 (ko) * | 2002-06-21 | 2004-09-13 | 한국과학기술원 | 광원의 다중반사를 이용한 접합 방법 |
| KR100873041B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2008-12-09 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지의 범프와 동박 회로 패턴 사이의 접속 방법및,그를 위한 반도체 팩키지의 범프 구조 |
| EP3276655A1 (en) * | 2016-07-26 | 2018-01-31 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and system for bonding a chip to a substrate |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62101040A (ja) * | 1985-10-26 | 1987-05-11 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体素子の接続法および装置 |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63143797A patent/JPH026055A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62101040A (ja) * | 1985-10-26 | 1987-05-11 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体素子の接続法および装置 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62143061A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-26 | Canon Inc | 画像形成方法 |
| US5208798A (en) * | 1987-11-30 | 1993-05-04 | Pioneer Electronic Corporation | Double-sided disk player |
| US6284998B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-09-04 | Visteon Global Technologies, Inc. | Method for laser soldering a three dimensional component |
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| KR100873041B1 (ko) * | 2002-06-12 | 2008-12-09 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지의 범프와 동박 회로 패턴 사이의 접속 방법및,그를 위한 반도체 팩키지의 범프 구조 |
| KR100448665B1 (ko) * | 2002-06-21 | 2004-09-13 | 한국과학기술원 | 광원의 다중반사를 이용한 접합 방법 |
| EP3276655A1 (en) * | 2016-07-26 | 2018-01-31 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Method and system for bonding a chip to a substrate |
| WO2018021912A1 (en) * | 2016-07-26 | 2018-02-01 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Method and system for bonding a chip to a substrate |
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