JPH02291927A - 開口部を有する光学センサの電磁シールド方式 - Google Patents
開口部を有する光学センサの電磁シールド方式Info
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- JPH02291927A JPH02291927A JP1112116A JP11211689A JPH02291927A JP H02291927 A JPH02291927 A JP H02291927A JP 1112116 A JP1112116 A JP 1112116A JP 11211689 A JP11211689 A JP 11211689A JP H02291927 A JPH02291927 A JP H02291927A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 6
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
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- G01S3/78—Direction-finders for determining the direction from which infrasonic, sonic, ultrasonic, or electromagnetic waves, or particle emission, not having a directional significance, are being received using electromagnetic waves other than radio waves
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電磁波の侵入を阻止して、その干渉を受け
ないようにした開口部を有する光学センサの電磁シール
ド方式に関する. (従来の技術) 光学的な信号を電気的な信号に変換し、増幅等の電気的
な信号処理を行う光学センサは、光信号を入射させて通
過させるための光学的な開口部を備えている.ところが
この光学センサ開口部は電磁波の通過も許容する丈め、
光学センサの内部に配置されている電気的な信号処理部
は、センサ開口部から侵入した電磁波により干渉を受け
易い状態になっている。
ないようにした開口部を有する光学センサの電磁シール
ド方式に関する. (従来の技術) 光学的な信号を電気的な信号に変換し、増幅等の電気的
な信号処理を行う光学センサは、光信号を入射させて通
過させるための光学的な開口部を備えている.ところが
この光学センサ開口部は電磁波の通過も許容する丈め、
光学センサの内部に配置されている電気的な信号処理部
は、センサ開口部から侵入した電磁波により干渉を受け
易い状態になっている。
特に微弱な光信号を検出して電気信号に変換し、大幅に
増幅する人工衛星搭載用の光学センサは、近傍に大出力
の電磁波の発生源がある場合が多く、センサ内部の信号
処理部と電磁波との干渉の問題が発生することが多かっ
た。
増幅する人工衛星搭載用の光学センサは、近傍に大出力
の電磁波の発生源がある場合が多く、センサ内部の信号
処理部と電磁波との干渉の問題が発生することが多かっ
た。
従来、このようなセンサ信号処理部の電磁波による干渉
を防止するためには、光学センサの光学系を構成するレ
ンズの表面に、導電性のコーティングを施し、侵入電磁
波を減衰させる手段や、あるいは光学センサと電磁波の
発生源との間にシールド板を配置し、これにより光学セ
ンサ内への電磁波の侵入を阻止する手段がとられている
。
を防止するためには、光学センサの光学系を構成するレ
ンズの表面に、導電性のコーティングを施し、侵入電磁
波を減衰させる手段や、あるいは光学センサと電磁波の
発生源との間にシールド板を配置し、これにより光学セ
ンサ内への電磁波の侵入を阻止する手段がとられている
。
ところが、光学系のレンズ表面に導電性のコーティング
を施して干渉を防止する手段をとる場合、電磁波を有効
に減衰させるためには、導電性のコーティングを厚くす
る必要があり、したがって十分なシールド効果をあげよ
うとすると、検出すべき光信号に対する透過率が低下し
、光学センサとしての性能が低下してしまうという問題
点がある。
を施して干渉を防止する手段をとる場合、電磁波を有効
に減衰させるためには、導電性のコーティングを厚くす
る必要があり、したがって十分なシールド効果をあげよ
うとすると、検出すべき光信号に対する透過率が低下し
、光学センサとしての性能が低下してしまうという問題
点がある。
また光学センサと電磁波発生源との間にシールド板を配
置する場合は、場当たり的にシールド板を設計するしか
なく、光学センサの視野を損なわないようにシールド板
を配置することは困難であるばかりでなく、シールド板
が大型となり、重量が増大するなどの問題点が発生する
。
置する場合は、場当たり的にシールド板を設計するしか
なく、光学センサの視野を損なわないようにシールド板
を配置することは困難であるばかりでなく、シールド板
が大型となり、重量が増大するなどの問題点が発生する
。
本発明は、従来の光学センサにおける電磁波干渉防止手
段における上記問題点を解消するためになされたもので
、入射光信号に対する透過率を低減することなく、電磁
波の通過のみを有効に阻止できるようにした、軽量で簡
単な構成の開口部を有する光学センサの電磁シールド方
式を提供することを目的とする。
段における上記問題点を解消するためになされたもので
、入射光信号に対する透過率を低減することなく、電磁
波の通過のみを有効に阻止できるようにした、軽量で簡
単な構成の開口部を有する光学センサの電磁シールド方
式を提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段及び作用]上記問題点を解
決するため、本発明は、光信号を入射させる開口部をも
つセンサ本体と、該センサ本体内に配置され、侵入を阻
止すべき電磁波の波長の2分の1程度以下の寸法を有す
る開口をもつシールド板と、前記センサ本体開口部より
入射した光信号を前記シールド板の開口寸法に絞り、該
開口を通過させるための光学系と、前記シールド板開口
を通過した光信号を検出して処理する検出処理部とを備
え、前記シールド板により有害な電磁波が前記検出処理
部に到達するのを阻止するようにして開口部を有する光
学センサの電磁シールド方弐を構成するものである。
決するため、本発明は、光信号を入射させる開口部をも
つセンサ本体と、該センサ本体内に配置され、侵入を阻
止すべき電磁波の波長の2分の1程度以下の寸法を有す
る開口をもつシールド板と、前記センサ本体開口部より
入射した光信号を前記シールド板の開口寸法に絞り、該
開口を通過させるための光学系と、前記シールド板開口
を通過した光信号を検出して処理する検出処理部とを備
え、前記シールド板により有害な電磁波が前記検出処理
部に到達するのを阻止するようにして開口部を有する光
学センサの電磁シールド方弐を構成するものである。
このように構成することにより、入射光信号は光学系で
絞り込まれてシールド板開口を通過して検出処理部へ減
衰を受けることなく到達する。
絞り込まれてシールド板開口を通過して検出処理部へ減
衰を受けることなく到達する。
方センサ本体開口部から侵入した電磁波は、該電磁波の
波長の2分の1程度以下に設定されているシールド板開
口を通過するとき、急激に減衰されて、センサ本体内の
検出処理部への到達が有効に阻止され、それにより検出
処理部への干渉が防止される。
波長の2分の1程度以下に設定されているシールド板開
口を通過するとき、急激に減衰されて、センサ本体内の
検出処理部への到達が有効に阻止され、それにより検出
処理部への干渉が防止される。
[実施例]
以下実施例について説明する。第1図は、本発明に係る
開口部を有する光学センサの電磁シールド方式の第1実
施例を適用した光学センサを示す断面図である。図にお
いて、1は導体で形成された円筒状の光学センサ本体で
、その開口部1aには対物レンズ2が配置されている。
開口部を有する光学センサの電磁シールド方式の第1実
施例を適用した光学センサを示す断面図である。図にお
いて、1は導体で形成された円筒状の光学センサ本体で
、その開口部1aには対物レンズ2が配置されている。
また前記光学センサ本体1には、該本体を閉塞するよう
にシールド板3が該本体lと一体に導体で形成され、同
電位に保持されるようになっている。
にシールド板3が該本体lと一体に導体で形成され、同
電位に保持されるようになっている。
そして前記シールド板3には、光学センサ内部への侵入
を阻止すべき電磁波の波長λの2分の1程度以下の寸法
をもつ開口4が形成されており、またシールド板3の厚
さはnλ(n=1.2,・・・・・・・)に設定されて
いる。
を阻止すべき電磁波の波長λの2分の1程度以下の寸法
をもつ開口4が形成されており、またシールド板3の厚
さはnλ(n=1.2,・・・・・・・)に設定されて
いる。
また前記対物レンズ2は、入射光信号の光束を、前記シ
ールド板3の開口4を通過可能に絞り込むように、その
パラメータが設定されており、そして前記対物レンズ2
の焦点位置に光信号を検出して増幅等の処理を行う検出
処理部5が配置されている。
ールド板3の開口4を通過可能に絞り込むように、その
パラメータが設定されており、そして前記対物レンズ2
の焦点位置に光信号を検出して増幅等の処理を行う検出
処理部5が配置されている。
このように構成された電磁シールド機能をもつ光学セン
サにおいては、入射光信号6は対物レンズ2により絞り
込まれて、シールド板3の開口4を通過して減衰するこ
となく検出処理部5に到達し、電気信号に変換されて増
幅等の処理が行われる。
サにおいては、入射光信号6は対物レンズ2により絞り
込まれて、シールド板3の開口4を通過して減衰するこ
となく検出処理部5に到達し、電気信号に変換されて増
幅等の処理が行われる。
一方、対物レンズ2を透過して侵入した電磁波は、シー
ルド板3の開口4の寸法が1/2λ程度以下に設定され
ているため、開口4を通過することによって約nX30
dbの急激な減衰を受ける。したがってシールド板3の
厚さを適宜選定することによって、センサ本体内の検出
処理部5に到達する電磁波の強度を十分に低減させ、検
出処理部5への干渉を有効に阻止することができる。
ルド板3の開口4の寸法が1/2λ程度以下に設定され
ているため、開口4を通過することによって約nX30
dbの急激な減衰を受ける。したがってシールド板3の
厚さを適宜選定することによって、センサ本体内の検出
処理部5に到達する電磁波の強度を十分に低減させ、検
出処理部5への干渉を有効に阻止することができる。
第2図は、第2実施例を通用した光学センサを示す断面
図であり、第1図に示した第1実施例を適用した光学セ
ンサと同一部材には同一符号を付して示している。この
実施例は、対物レンズ2のみでは、入射光信号6を、1
/2λ程度に設定したシールド板3の開口4を通過させ
ることができるように絞り切れない場合に、対処できる
ようにしたものである。すなわち、対物レンズ2の後方
に集束レンズ7を配置して、入射光信号を更に一段絞り
込み、l/2λ程度としたシールド板3の開口4を通過
できるように構成するものである。
図であり、第1図に示した第1実施例を適用した光学セ
ンサと同一部材には同一符号を付して示している。この
実施例は、対物レンズ2のみでは、入射光信号6を、1
/2λ程度に設定したシールド板3の開口4を通過させ
ることができるように絞り切れない場合に、対処できる
ようにしたものである。すなわち、対物レンズ2の後方
に集束レンズ7を配置して、入射光信号を更に一段絞り
込み、l/2λ程度としたシールド板3の開口4を通過
できるように構成するものである。
またこのように集束レンズ7を配置したとき、シールド
仮4の厚さを十分に設定できなくなる場合があるが、こ
のようなときには、図示のように補正レンズ系8を配置
して、集束レンズ7で集束した入射光信号を平行な集束
光に変換してシールド板3の開口4を通過させたのち、
更に集束させて検出処理部5に入射させるように構成す
る。
仮4の厚さを十分に設定できなくなる場合があるが、こ
のようなときには、図示のように補正レンズ系8を配置
して、集束レンズ7で集束した入射光信号を平行な集束
光に変換してシールド板3の開口4を通過させたのち、
更に集束させて検出処理部5に入射させるように構成す
る。
このように構成した場合も、入射光信号6は対物レンズ
2及び集束レンズ7で集束され、更に補正レンズ系8を
介してシールド仮3の開口4を通過し、検出処理部5に
減衰を伴うことな《入射して検出処理される。
2及び集束レンズ7で集束され、更に補正レンズ系8を
介してシールド仮3の開口4を通過し、検出処理部5に
減衰を伴うことな《入射して検出処理される。
一方、光学センサ開口部1aから対物レンズ2集束レン
ズ7を透過して侵入して《る電磁波は、第1実施例と同
様に、シールド板3の開口4において通過阻止、又は急
激に減衰され、センサ本体内の検出処理部5への侵入は
効果的に阻止され、干渉が防止される。
ズ7を透過して侵入して《る電磁波は、第1実施例と同
様に、シールド板3の開口4において通過阻止、又は急
激に減衰され、センサ本体内の検出処理部5への侵入は
効果的に阻止され、干渉が防止される。
なおシールド仮3の開口4の形状は、円形に限らず方形
など、特に複雑な形状のものでない限り、1/2λ程度
以下の寸法であれば、十分なシールド効果が得られる。
など、特に複雑な形状のものでない限り、1/2λ程度
以下の寸法であれば、十分なシールド効果が得られる。
以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
、センサ本体開口部より入射した光信号は、光学系で絞
り込まれてシールド板開口を通過して、減衰を伴うこと
なく検出処理部に到達して、検出処理することができる
。一方、センサ本体開口部より侵入する電磁波は、シー
ルド板開口を通遇するとき急激に減衰され、センサ内に
到達する強度を十分に低減し、センサ内検出処理部への
干渉を有効に防止することができる。
、センサ本体開口部より入射した光信号は、光学系で絞
り込まれてシールド板開口を通過して、減衰を伴うこと
なく検出処理部に到達して、検出処理することができる
。一方、センサ本体開口部より侵入する電磁波は、シー
ルド板開口を通遇するとき急激に減衰され、センサ内に
到達する強度を十分に低減し、センサ内検出処理部への
干渉を有効に防止することができる。
第1図は、本発明に係る開口部を有する光学センサの電
磁シールド方式の第1実施例を適用した光学センサを示
す断面図、第2図は、同じく第2実施例を適用した光学
センサを示す断面図である。 図において、■は光学センサ本体、1aはセンサ開口部
、2は対物レンズ、3はシールド板、4は開口、5は検
出処理部、6は入射光信号、7は集束レンズ、8は補正
レンズ系を示す。 第1図 第2図
磁シールド方式の第1実施例を適用した光学センサを示
す断面図、第2図は、同じく第2実施例を適用した光学
センサを示す断面図である。 図において、■は光学センサ本体、1aはセンサ開口部
、2は対物レンズ、3はシールド板、4は開口、5は検
出処理部、6は入射光信号、7は集束レンズ、8は補正
レンズ系を示す。 第1図 第2図
Claims (1)
- 1、光信号を入射させる開口部をもつセンサ本体と、該
センサ本体内に配置され、侵入を阻止すべき電磁波の波
長の2分の1程度以下の寸法を有する開口をもつシール
ド板と、前記センサ本体開口部より入射した光信号を前
記シールド板の開口寸法に絞り、該開口を通過させるた
めの光学系と、前記シールド板開口を通過した光信号を
検出して処理する検出処理部とを備え、前記シールド板
により有害な電磁波が前記検出処理部に到達するのを阻
止するようにしたことを特徴とする開口部を有する光学
センサの電磁シールド方式。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1112116A JPH0670582B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 開口部を有する光学センサの電磁シールド方式 |
US07/498,064 US5049741A (en) | 1989-05-02 | 1990-03-23 | Electromagnetic wave shielding system for optical sensor having an aperture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1112116A JPH0670582B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 開口部を有する光学センサの電磁シールド方式 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02291927A true JPH02291927A (ja) | 1990-12-03 |
JPH0670582B2 JPH0670582B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=14578575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1112116A Expired - Fee Related JPH0670582B2 (ja) | 1989-05-02 | 1989-05-02 | 開口部を有する光学センサの電磁シールド方式 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5049741A (ja) |
JP (1) | JPH0670582B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5715099A (en) * | 1994-04-28 | 1998-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Mounting method and structure for a solid-state image pickup element in an image reading-out apparatus |
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JP5627644B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2014-11-19 | Jfeアドバンテック株式会社 | 蛍光検出器 |
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JPS518932A (en) * | 1974-07-11 | 1976-01-24 | Minolta Camera Kk | 4 gun 4 maino shashinrenzu |
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JPH084757Y2 (ja) * | 1988-03-29 | 1996-02-07 | シャープ株式会社 | 受光装置 |
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1989
- 1989-05-02 JP JP1112116A patent/JPH0670582B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-23 US US07/498,064 patent/US5049741A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5049741A (en) | 1991-09-17 |
JPH0670582B2 (ja) | 1994-09-07 |
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