JPH02199094A - 単結晶フエライトの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Ｃ産業上の利用分野〕 本発明は、単結晶フェライトの製造方法に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、単結晶フェライトの製造方法において、単結
晶フェライトと之と同一組成の多結晶フェライトとを、
少なくとも多結晶フェライトの接合界面にＫ、Ｒｂ、Ｃ
ｓから選ばれる少なくとも１種の有機金属化合物を介在
させて接合し、１３５０℃以上で加熱することにより、
界面からの固相反応により多結晶フェライトを単結晶化
させて単結晶フェライトを作製するようにしたものであ
る。

また、本発明は、単結晶７エライトの製造方法において
、単結晶フェライトと之と同一組成の多結晶フェライト
とを、少なくとも多結晶フェライトの接合界面にＫ、Ｒ
ｈ、Ｃｓから選ばれる少なくとも１種の有機金属化合物
を介在させて接合し、６ｋｇ／ｃｎ１以上の圧力を加え
つつ１３５０℃以上で加熱することにより、界面からの
固相反応により多結晶フェライトを単結晶化する際：こ
生じる異常粒成長を抑えて成長量の長い単結晶化を可能
にしたものである。

〔従来の技術〕

単結晶フェライト例えば単結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト
は、ブリッジマン法によって製造される。しかし、この
ブリッジマン法では、組成の偏析や使用する白金るつぼ
からの白金粒のフェライトへの混入があり、解決すべき
点がある。

フェライトの単結晶育成は、白金るつぼを用いた上記ブ
リッジマン法以外に面相反応法がある。

これは白金粒の混入を回避できるもので、ビデオヘッド
材として用いる場合に於て注目される方法である。この
固相反応法は単結晶に多結晶を面であてがい、温度で一
定時間反応させる事により、多結晶部分を単結晶に変え
るものである。従来、固相成長による単結晶フェライト
の製法として、例えば加熱過程で不連続粒成長を示す多
結晶Ｍ　ｎ　−Ｚｎ　フェライトと単結晶Ｍｎ−Ｚｎ　
　フェライトの表面を鏡面研磨した後、両者を硝酸（Ｉ
ＩＮＯ３）又は水（Ｈ２Ｏ）　で仮接着し、一体となっ
たフェライトブロックを平衡酸素分圧下で１３６０℃以
上に加熱して単結晶フェライトを成長する方法が開発さ
れている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところで、磁気ヘッド材等に使われている多結晶Ｍｎ−
Ｚｎ　フェライトに上述の開発された方法を応用しても
、単結晶フェライトは１ｍｍ程度しか成長しない。この
原因は、磁気ヘッド材等に使われている多結晶Ｍｎ−Ｚ
ｎ　フェライトが加熱過程で連続粒成長する多結晶Ｍｎ
−Ｚｎ　フェライトのためと考えられる。第１４図に不
連続粒成長を示す多結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト（曲線
■）と連続粒成長を示す多結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト
（曲線■）との加熱湿度と粒径の関係を示す。

本発明は、上述の点に鑑み、加熱過程で連続粒成長する
多結晶フェライトを用い固に目反応で単結晶フェライト
を製造できるようにした単結晶フェライトの製造方法を
提供するものである。

さらＫ、本発明は面相反応にて多結晶フェライトを単結
晶化する際に成長量の長い単結晶化を可能にした単結晶
フェライトの製造方法を提供するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、単結晶（１）とこの単結晶と同一組成の多結
晶（２）とを接合し、この接合体を加熱保持することに
より、多結晶を単結晶化する単結晶フェライトの製造方
法において、少なくとも多結晶フェライト（２）の接合
界面にＫ、Ｒｈ、Ｃｓから選ばれる少なくとも１種（即
ち１種又は複数種）の有機金属化合物（３）を介在させ
、その存在下で１３５０℃以上で加熱処理して単結晶フ
ェライトを成長せしめる。

熱処理条件としては、加熱温度を１３５０℃以上、好ま
しくは１４００℃以上、印加圧力を０．１〜１０ｋｇ／
ｃｕｔ、雰囲気をＮ２等の還元雰囲気とするを可とする
。

Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ　の有機金属化合物としては、例えばＫ
、Ｒｂ、Ｃｓのアルコラード溶液、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのア
セチルアセトン溶液等を用いることができる。

また、本発明は、単結晶（１）とこの単結晶と同一組成
の多結晶（２）とを接合し、この接合体を加熱保持する
ことにより多結晶を多結晶化する単結晶フェライトの製
造方法において、少なくとも多結晶フェライト（２）の
接合界面にＫ、Ｒｂ、Ｃｓから選ばれる少なくとも１種
（即ち１種又は複数種）の有機金属化合物（３）を介在
させ、その存在下で特に６ｋｇ／ｃｆ以上の圧力を加え
つつ１３５０℃以上で加熱して単結晶フェライトを成長
せしめる。

熱処理条件の加熱温度としては１３５０℃〜１４００℃
とするを可とする。１４００℃を越えると多結晶フェラ
イト内の部分的な粒成長の抑制がしにくくなり、成長量
の長い単結晶化ができなくなる。また、印加圧力として
は６ｋｇ／ｃｄ以上、好ましくは７ｋｇ／ａｆｆ１以上
とするを可とする。但し、印加圧力は温度とも関係し、
１２ｋｇ／ｃ＋＋ｆを越える圧力を加えると高温下では
結晶体形状が維持できなくなる。しかし、結晶体を外形
形状を規制する容器内等に挿入するときには１２ｋｇ／
Ｃｌ１１以上の圧力を加えることも可能である。

〔作用〕

本発明の製法においては、加熱過程で連続粒成長する多
結晶フェライト（２）と単結晶フェライト（１）の界面
にＫ、Ｒｂ、Ｃｓ等の有機金属化合物（３）を介在させ
て処理すると、１３５０℃位までは多結晶フェライトの
粒成長が抑制されるが、１３５０℃以上になると粒成長
抑制効果がなくなり、単結晶−多結晶フェライトの界面
からの面相反応により多結晶フェライトが急激に単結晶
化し、例えば１４００℃の熱処理で界面から７０程度ま
で単結晶フェライトが成長する。この理由は、Ｋ、Ｒｈ
、Ｃｓ等を単結晶−多結晶フェライト界面から拡散する
と、Ｋ。

Ｒｈ、Ｃｓ等が粒界に偏析し、加熱過程が連続粒成長か
ら不連続粒成長に移行したのと同じような効果になり面
相反応による単結晶成長が行われるものと考えられる。

さらＫ、本発明の製法において、特に印加圧力を６ｋｇ
１ｃｄ以上とするときは、多結晶が単結晶化する際に生
ずる多結晶内の部分的な異常粒成長が抑制され、この粒
成長による粒塊の発生が押さえられることにより、成長
量の長い単結晶化が可能となる。即ち、界面から２０Ｉ
Ｔｌｆｆ１程度まで単結晶フェライトの成長が可能とな
る。

〔実施例〕

以下、本発明による単結晶フェライトの製法例を説明す
る。

実施例１ 鏡面仕上げした単結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライトと多結晶
Ｍｎ−Ｚｎ　フェライトを夫々３ｍｍ　ｘｌｌｍｆｆｌ
ｘ　１ｍｍと３ｎｍ　ｘｌｌ＋ｎｍ　ｘ　４＋ｎｍの大
きさに切り出す。モして箪１図に示すように切り出した
単結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト（１）と多結晶Ｍｎ−Ｚ
ｎ　フェライト（２）とを、その界面にカリウムＫ　２
ｇを１Ｑｃｃのエタノールに溶解したＫのアルコラード
溶液（３）を塗布して仮接着する。仮接着後の本試料（
４）に対して１ｋｇ／ｃ＋＋ｔの圧力を加えつつ、Ｎ２
雰囲気中で１３５０℃、２時間の熱処理を行った。

尚、比較のため、単結晶Ｍｎ−７ｎ　フェライト（１）
及び多結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト（２）の界面に水（
８２０）を塗布して仮接着した比較試料（５）を−緒に
熱処理した。

加熱圧着装置としては、第２図に示すように構成され、
°アルミナ（＾ｌ　ｚＯｓ＞の型（７）に夫々本試料（
４）及び比較試料（５）を配置し、白金（Ｐｔ）の重し
く８）を載せて両試料（４）及び（５）に対してＬｋｇ
／ｃ＋／の圧力をかけつつ熱処理を行う。

比較試料（５）においては、第４ｒＩ！Ｊに示すように
単結晶−多結晶フェライトの界面（１０）から６００〜
７００μｍにわたって単結晶（１１）が成長し、界面（
１０）から離れた多結晶フェライトの部分〈１２）は２
００〜５００μｍの異常粒成長が認められた。

一方、単結晶−多結晶フェライトの界面にカリウムにの
アルコラード溶液（３）を塗布した本試料（４）におい
ては、第３図に示すように単結晶−多結晶フェライトの
界面（１０）から６００〜７００μｍにわたって単結晶
（１１）が成長した。残りの多結晶フェライト部分（１
２）の粒径は約１０μｍであり、熱処理前に比べて変化
はなかった。

実施例２ 鏡面仕上げした単結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライトと多結晶
Ｍｎ−Ｚｎ　フェライトを夫々３ｆｆ１ｍ×１１１Ｔｌ
ｆｆｌ×１ｍ１Ｔｌと３＋ｍ＋ｍｘｌ１ｍｍｘ　４ｆｆ
１ｍの大きさに切り出し、第１図に示すように切り出し
た単結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト（１）と多結晶Ｍｎ−
Ｚｎ　フェライト（２）とを、その界面にカリウムＫ　
２ｇを１Ｑｃｃのエタノールに溶解したＫのアルコラー
ド溶液（３）を塗布して仮接着する。

仮接着後の本試料（４）に対して１ｋｇ／ｃＩ１１の圧
力を加えつつ、Ｎ、雰囲気中で１４００℃、２時間の熱
処理を行った。

尚、比較のため、実施例１と同様に単結晶Ｍｎ−Ｚｎ　
フェライト（１）及び多結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト（
２）の界面に水（Ｈ，０）を塗布して仮接着した比較試
料（５）を−緒に熱処理した。加熱圧着装置は第２図と
同様である。

比較試料（５）では単結晶フェライトの界面から７００
〜８００μｍにわたって単結晶フェライトが成長し、残
りの多結晶フェライト部分は〜５００μｍまで異常粒成
長をした。この状態は１３５０℃の熱処理（第４図参照
）とほとんど類似している。

一方、単結晶−多結晶フェライトの界面にＫのアルコラ
ード溶液（３）を塗布した本試料（４）においては、多
結晶フェライト（２）の全部分が単結晶フェライトに成
長した。この成長した単結晶フェライトの結晶方位は接
合した単結晶フェライト（１）と同じである事をラウェ
・パターンで確認した。

実施例３ 単結晶Ｍｎ−Ｚｎ７エライト（１）と多結晶Ｍｎ−Ｚｎ
フェライト（２）とを、その界面にルビジウムＲｈのア
ルコラード溶液（３）を塗布して仮接着した本試料（４
）に対して実施例１及び２と同じ条件で熱処理を行った
場合も、実施例１及び２と同様の結果が得られた。

実施例４ 単結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト（１）と多結晶Ｍｎ−Ｚ
ｎフェライト（２）とを、その界面にセシウムＣｓのア
ルコラード溶液（３）を塗布して仮接着した本試料（４
）に対して実施例１及び２と同じ条件で熱処理を行った
場合も、実施例１及び２と同様の結果が得られた。

上述の実施例によれば、単結晶−多結晶フェライトを水
（Ｈ２Ｏ）　で仮接着した比較試料（５）は１３５０℃
の熱処理を行うと単結晶−多結晶フェライトの界面から
６００〜７００μｍにわたって単結晶フェライトが成長
し、残りの多結晶フェライト部分は粒径が２００〜５０
０μｍまで異常粒成長する。粒成長が始まると熱処理温
度を高くしても単結晶フェライトに取り込まれないため
、１４００℃で熱処理しても単結晶フェライトの成長層
は大きくならない。

之に対し、単結晶−多結晶フェライトの界面にＫ、Ｒｈ
、Ｃｓ等のアルコラード溶液を塗布して仮接着した本試
料（４）の場合は、１３５０℃で熱処理を行うと、界面
から約６００μｍ〜７００μｍ程度にわたって単結晶フ
ェライトが成長するが、残りの多結晶フェライト部分の
粒径は熱処理前と変わらない。

熱処理温度を１４００℃にすると、多結晶フェライトは
全部分が単結晶化した。

このことから、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ　等のアルコラード溶液
を単結晶−多結晶フェライトの界面から微量拡散すると
、１３５０℃位まではＫ、Ｒｂ、Ｃｓ等が粒界に偏析し
て粒成長を抑制するが、１４００℃になると粒成長抑圧
効果がなくなり、単結晶フェライトに取り込まれ急激に
単結晶化する。Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等を拡散すると、粒界に
偏析し、加熱過程が連続粒成長から不連続粒成長に移行
したのと同じような効果になり、面相反応による単結晶
成長が容易に出来るようになると考えられる。

なお、上側では単結晶−多結晶フェライトの界面にＫ、
Ｒｈ、Ｃｓ等のアルコラード溶液を介在させて熱処理し
たが、その他、上記界面にＫ、Ｒｂ。

Ｃｓ等のアセチルアセトン溶液を介在させて熱処理して
も、同様に単結晶化される。

一方、上述した本発明の製法にふいては、通常の固相反
応に必要な数十ｇ　／　ｃｄ〜１ｋｇ／ｃ−程度の圧力
を加えて行う場合、その単結晶化の成長量（長さ）は平
均しておよそ２〜３ｎｏｎ乃至５ｍｍ程度である。この
原因は多結晶内に部分的に′ｒＬ成長が生じ粒塊となり
、本来の単結晶成長を阻害するものと見られる。粒塊は
核より成長した一つの単結晶体であり、核は通常の単結
晶体中に散在する異物又は微細な結晶粒子が高温下で成
長した等が考えられる。本発明者は、このように異常粒
成長を押さえるには、固相反応時の高温下において、充
分な加圧力を加えることで解決できることを見出した。

即ち、通常の面相反応に必要な圧力を加え、更に粒成長
を抑制するためのより大きな圧力を加えるものである。

面相反応に必要な圧力は数十ｇ／ｃｒｌ〜１ｋｇ／ｃｄ
程度で、単結晶と多結晶の反応のための接触面が密着で
きる様な値で良い。これに対し粒成長抑制に必要な圧力
は、第５図に示すように単結晶フェライト（１）と多結
晶フェライト（２）とをその界面にＫ、Ｒｂ、Ｃｓ等の
アルコラード溶液（又はアセチルアセトン溶液）（３）
を塗布して仮接着して面相成長する場合、約５ｋｇ／ｃ
ｉ１以上の圧力、好ましくは７ｋｇ／ｃａ１以上の圧力
を加えて炉中で所定の温度と時間で熱処理することによ
り、粒塊発生を押さえ、ＩＯ＋ｎ＋ｎ以上の単結晶成長
量を得ることができる。即ち、Ｍｎ−Ｚｎ　フェライト
にて、２〜１０ｋｇ／ｃｊの圧力を加えつつＮ２雰囲気
中で１３８０℃、６時間の熱処理を行った結果を第６図
Ａ、Ｂ及びＣに示す。第６図Ａは２〜４ｋｇ／ｃｏｔの
圧力で行ったときの結晶内部の断面図であり、粒塊（１
４）が多数発生し単結晶成長層（１１）の成長量ｌは２
〜５ｍｍ程度であった。第６図Ｂは５ｋｇ／ｃｎｆの圧
力で行ったときの結晶内部の断面図であり、粒塊（１４
）がかなり減少し、代わりに単結晶成長層（１１）の成
長量ｌは５〜８ｆｆ１ｍ前後に伸びている。第６図Ｃは
７〜１０ｋｇ／ｃｕｔの圧力で行ったときの結晶内部の
断面図であり、単結晶成長層（１１）の成長量ｌは１０
〜２０ｆｆＩ１１１にも達し、且つ粒塊も見当らない。

なお、粒塊（１４）の判別は、内部断面を研磨ポリッシ
ュ後、塩酸溶液中に入れ、エツチング後顕微鏡により観
察したものである。次に具体的実施例を示す。

実施例５ 第７図に示すように７．７ｍｍ　ｘｌｌｍｍ　Ｘ　ｌ　
ｍｍの単結晶Ｍｎ−Ｚｎ　系フェライト（１）　９２個
の７．７＋＋＋ｍ　ｘ　１１ｍｍＸ　１４ｍｍの多結晶
Ｍｎ−Ｚｎフエラ＜　）　（２）　Ｃ（２八）（２Ｂ）
）で上下から挟み、その両界面にはカリウム２ｇを２５
ｃｃのエタノールに溶解したＫのアルコラード溶液（３
）を介在せしめ、更に８ｋｇ／ｃｄの圧力でプレスしな
からＮ２雰囲気中で１３８０℃、６時間の熱処理を行っ
た。この結果は上下側の多結晶Ｍｎ−Ｚｎ　フエライ）
　（２Ａ）及び（２Ｂ）共Ｋ、１４ｍｍ長さ迄で単結晶
化が進んでおり、粒塊は存在しなかった。またラウェＸ
線回折装置にて、元の単結晶部分と単結晶化された部分
の回折パターンを比較した結果は総て同じ相を示す回折
パターンであった。単結晶化が種となる単結晶Ｍｎ−Ｚ
ｎ　フェライト〔１〕から正確に育成したものである事
が分かる。

実施例６ 第８図に示すように６　ＩＴｕｎ　Ｘ　１１＋ｎｍ　ｘ
　２０ｍｍの多結晶Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト（２）を中
央にして之を実施例５と同じＫのアルコラード溶液（３
）を介して２個の６ｍｍ　Ｘ１１ｍｍ　Ｘ　ｌ　ｍｍの
単結晶Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト（１）　（（ＩＡ）及び
（ＩＢ）　〕で上下から挟み、更に６．６ｋｇ／ｃｉの
圧力でプレスしながらＮ２雰囲気中で１３７５℃、６時
間の熱処理を行った。この固相反応後の試料を図示の斜
線（１６）で示す所より切断しその内部断面を観察した
。ラッピング及びポリッシュを行い、エツチングした後
の内部断面は、粒塊が無く単結晶成長した部分が一様に
均一になっていた。ラウェＸ″ｍ回折を用いた観察では
、単結晶成長相層は総て同じパターンを示した。

このよ・うに６ｋｇ／ｃｊ以上、好ましくは７ｋｇ／ｃ
ｒＩ以上の加圧をして面相反応させるときは、粒塊の無
い均質な単結晶フェライトが得られると共Ｋ、単結晶成
長量が２Ｏｎ＋ｎｙ程度まで可能となるものである。

また組成変動の少ない単結晶フェライトが得られる。

一方、一般に多結晶フェライトの作成法は、フェライト
材料を混合圧粉焼成し、更にＨＩＰ法（Ｈ［ｌＴ　ｌ５
ｏｓｔａｔＩｃ　Ｐｒｅｓｓ　：熱間静水圧ブレ１１．
：テ加熱圧縮し内部の空孔を縮小させ密度を上げて作ら
れる。空孔は、作成時の多結晶フェライトのサイズが大
きくなるに従い割合が増加し、又ＨＩＰによる効果も弱
くなる。それゆえ大きなサイズで空孔を押さえた多結晶
材は通常人手しに（＜、大量生産はされていない。これ
に対し固相反応により単結晶化させる多結晶フェライト
の大きさは、大きい方が効率が良く単結晶成長できるこ
とから上述に相反する。本発明者は、通常入手しゃすい
（大量生産のしやすい）多結晶材を用いて、単結晶成長
量が長く、且っ空孔の少ない単結晶フェライトを得るべ
く鋭意研究した結果、多結晶フェライトを多層にして、
かつ層間にＫのアルコラード等、所謂Ｋ、Ｒｈ、Ｃｓか
ら選ばれる有機金属化合物を介在せせることで解決した
。即ち、比較的空孔が少なく、量産性のある薄い厚さの
多結晶フェライト（例えば厚さ４ｍｍ以下程度）を使用
し、これを例えばＫ、　Ｒ１１ｌ又はＣｓ等のアルコラ
ード溶液を介して積層にしたものを、単結晶フェライト
と面相反応させるものである。このとき多結晶フェライ
トは、（ｉ）あらかじめＫ、Ｒｂ又はＣｓ等のアルコラ
ード溶液を介して重ねて、ホットプレス等で密着したも
の、（ｉｉ）単結晶との固相反応時Ｋ、同時に多結晶フ
ェライト間をＫ、Ｒｂ又はＣ３等のアルコラード溶液を
介して重ねておく、方法のどちらでも支障はない。更に
利点として、多結晶フェライトの単結晶化に必要なＫ、
Ｒｂ　又はＣｓ等のアルコラード溶液は、単結晶の成長
に応じて消耗されていくが、水沫ではこれを多結晶フェ
ライト間の上記アルコラード溶液で補給できるので、多
結晶フェライトの積層した長さに応じて大きな単結晶の
育成が可能となる。第９図は水沫の一例で４ｍｍ厚の多
結晶フェライト（１４ｎ＋＋ｎ　Ｘ　１１ｍｍ　ｘ　４
　ｍｍ＞（２）をＫ、Ｒｂ又はＣｓのアルコラード溶液
（３）を介して４枚重ね、これにＫ、Ｒｈ又はＣｓのア
ルコラード溶液（３）を介して１ｍｍ厚の単結晶フェラ
イト（１４ｍｍ　ｘｌ１ｍ＋ｎ　ｘ　１ｍｎ）　（１）
に密着する。この試料に対して上下からの圧力を加え、
一定時間焼成することにより、固相反応による単結晶化
が下側から順次成長して行き、４枚の単結晶フェライト
（２）んが総て単結晶化される。このとき多結晶フェラ
イト（２）間の成長過程は、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓ等のアル
コラード溶液（３）が介在するゆえ面相反応が円滑に行
われる。又、固相反応の成長速度に応じて、加熱領域を
順次移動する方式を取ることを行えば、更に安定した成
長と成長量の大きな単結晶化が容易になる。次に具体的
例を示す。

実施例７ 第１０図に示すように１ｍｍ厚の単結晶Ｍｎ−Ｚｎ系フ
ェライト　（１４ｍｍ　Ｘ１１ｍｍ　Ｘ　１＋ｎｍ）　
　（１）を中心に上下側に４ｍｍ厚の多結晶Ｍｎ−Ｚｎ
　フェライト（１４ｍｍ　ｘ１１ｍｍＸ４ｍの）（２）
を各３枚づつ積み重ね、各々の層間にカリウムに２ｇを
２５ＣＧのエタノールに溶解したＫのアルコラード溶液
（３）を塗布した試料Ｋ、上下から８ｋｇ／ｃｄの圧力
を加えてＮ２雰囲気中で１３８０℃で８時間の熱処理を
施して面相反応を行った。反応後、試料は層間が固着さ
れて一体となっており、これをカッターにて縦方向に中
央から切断し、一方を鏡面研磨した後、塩酸溶液中で短
時間エツチングした。第１１図はエツチング速度の違い
により単結晶化された部分（単結晶成長層）（１１）と
未反応の多結品分（１２）が識別された様子を示す。

更に単結晶化された部分（１１）をラウェ回折により調
べた結果は、種となる単結晶フェライト（１）の方位と
同じパターンであった。

実施例８ 先ず厚さ７＋＋＋＋ｎの多結晶Ｍｎ−Ｚｎ　系フェライ
ト（１５ｍｍ　ｘ　１１ｍｍ　ｘ　７　ｍｍ　）（２）
を３枚互に実施例７と同じＫ、Ｒｈ又はＣｓ　のアルコ
ラード溶液（３）を介して積層し、加圧しながら１３０
０℃以上で１時間程焼成し接着した。次Ｋ、第１２図に
示すように接着した多結晶フェライト（２）の側面に２
１ｍ＋＋＋　ｘ　ｌ　１ｎｏｎ　ｘ　ｌ　ｍｔｎの単結
晶Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト（１）を同じＫ、　　Ｒｈ又
はＣｓ　のアルコラード溶液（３）を介してあてがい、
８ｋｇ／ｃｄの加圧下でＮ２雰囲気中で１３８５℃、６
時間の熱処理を施して固相反応を行った。反応後の試料
を中央（鎖線（１７）　）から切断し、鏡面研磨後、塩
酸でエツチングを行った。結果は第１３図に示すように
単結晶（１１）が広範囲に成長しており、また単結晶フ
ェライト（２）の接合した部分は境がなく一体化してい
た。ラウェ回折によるパターンは、単結晶化された範囲
内では同一のものが得られた。

この様に水沫では、作り易い薄い多結晶フェライトを複
数枚Ｋ、Ｒｈ又はＣｃ等のアルコラード溶液を介して積
層することにより、見掛上、空孔密度の少ない大きな多
結晶フェライトとすることができ、効率良く単結晶成長
ができるっそして、単結晶化に必要な上記アルコラード
溶液が充分供給される事になり単結晶成長量を多くする
ことが可能となり大きな単結晶フェライトが得られる。

また、粒塊のない均質な単結晶フェライトが得られる。

尚、実施例５，６．７及び８では単結晶−多結晶フェラ
イトの界面Ｋ、或は各々の層間にＫのアルコラード溶液
を介在させたが、その他Ｒｂ、Ｃｓのアルコラード溶液
、或はＫ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアセチルアセトン溶液を介在
させても同様の結果が得られる。

〔発明の効果〕

本発明の単結晶フェライトの製法によれば、例えばブリ
ッジマン法に比べて、白金粒の混入がなく、組成むらも
なく、磁気特性のばらつきが少ない単結晶フェライトを
製造することができる。また結合した単結晶フェライト
と同じ結晶方位の単結晶フェライトになるので、任意の
結晶方位をもつ単結晶フェライトが得られる。さらに安
価に単結晶フェライトの製造ができる。

又、本製法では、加熱過程で連続粒成長する多結晶フェ
ライトと単結晶フェライトの界面にＫ。

Ｒｂ、Ｃｓ等の有機金属化合物を介在させることによっ
て、この多結晶フェライトが加熱過程で不連続粒成長に
移行する。従って、加熱過程で不連続粒成長をす示す特
殊な多結晶フェライトを用いることなく、加熱過程で連
続粒成長を示す多結晶フェライトを用いて目的の単結晶
フェライトを製造することができる。

さらＫ、本製法において、面相反応時の高温下において
、充分な圧力を加えることにより、多結晶フェライトに
おける粒塊の発生を押さえ、より成長量の長い単結晶化
を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るフェライト試料の斜視図、第２図
は加熱圧着装置の構成図、第３図は本発明の実施例１の
場合の熱処理後の結晶構造を示す図、第４図は比較例の
場合の熱処理後の結晶構造を示す図、第５図は本発明の
説明に供する斜視図、第６図Ａ、Ｂ及びＣは印加圧力と
単結晶成長量の関係を示す断面図、第７図は実施例５に
係る試料の斜視図、第８図は実施例６に係る試料の斜視
図、第９図は本発明の他の例を示す試料の斜視図、第１
０図は実施例７に係る試料の斜視図、第１１図はその単
結晶化状態を示す断面図、第１２図は実施例８に係る試
料の斜視図、第１３図はその単結晶化状態を示す断面図
、第１４図は加熱過程で不連続粒成長を示す多結晶フェ
ライトと連続粒成長を示す多結晶フェライトの加熱温度
と粒径の関係を示す特性図である。 （１）は単結晶フェライト、（２）は多結晶フェライト
、〔３）はＫ（又はＲｂ又はＣｓ）のアルコラード溶液
である。 第４図 オＩし日月のも免Ｂ月に供１う僚持見図第５図 ２〜４伸４− 　ｋＩＡｗ 第７図 第８図 第６図 アニール；＆度（Ｃｏ） 珍粘＾フェラ什め加熱長度ヒ粒径の関係ｌホ１料性口第
１４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、単結晶と該単結晶と同一組成の多結晶とを接合し、
   この接合体を加熱保持することにより、前記多結晶を単
   結晶化する単結晶フェライトの製造方法において、 少なくとも前記多結晶フェライトの接合界面にＫ、Ｒｂ
   、Ｃｓから選ばれる少なくとも１種の有機金属化合物を
   介在させ、その存在下で１３５０℃以上で加熱すること
   を特徴とする単結晶フェライトの製造方法。 ２、単結晶と該単結晶と同一組成の多結晶とを接合し、
   この接合体を加熱保持することにより、前記多結晶を単
   結晶化する単結晶フェライトの製造方法において、 少なくとも前記多結晶フェライトの接合界面にＫ、Ｒｂ
   、Ｃｓから選ばれる少なくとも１種の有機金属化合物を
   介在させ、その存在下で６ｋｇ／ｃｍ＾２以上の圧力を
   加えつつ、１３５０℃以上で加熱することを特徴とする
   単結晶フェライトの製造方法。