JPH02160350A - 電子線照射位置決め方法及び装置 - Google Patents
電子線照射位置決め方法及び装置Info
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- JPH02160350A JPH02160350A JP63313528A JP31352888A JPH02160350A JP H02160350 A JPH02160350 A JP H02160350A JP 63313528 A JP63313528 A JP 63313528A JP 31352888 A JP31352888 A JP 31352888A JP H02160350 A JPH02160350 A JP H02160350A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
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- 238000004458 analytical method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/261—Details
- H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子顕微鏡等に係り、特に微小部分析における
、その分析個所の確認を容易にした電子線照射位置決め
方法及び装置に関する。
、その分析個所の確認を容易にした電子線照射位置決め
方法及び装置に関する。
従来より、電子顕微鏡における微小部分析は走査像Ij
!祭装置を併用して行われてきた(日立テクニカルデー
タEMシート恥28)が、試料が微細になるにつれ、分
解能が不足となってきた。
!祭装置を併用して行われてきた(日立テクニカルデー
タEMシート恥28)が、試料が微細になるにつれ、分
解能が不足となってきた。
そこで、最近では対物レンズを強励磁で使用し、その前
磁場で電子線を収束し、試料より下の後磁場で結像・拡
大を行う方法が用いられるようになってきた。
磁場で電子線を収束し、試料より下の後磁場で結像・拡
大を行う方法が用いられるようになってきた。
この方法では、電子線を広げた状態で試料を蛍光板上で
R祭しながら、分析したい個所を蛍光板の中心などを目
標に移動させ、その形状を覚えておき、電子線を細く収
束させた後、覚えておいた場所に偏向装置で電子線を移
動させ分析を行っていた。
R祭しながら、分析したい個所を蛍光板の中心などを目
標に移動させ、その形状を覚えておき、電子線を細く収
束させた後、覚えておいた場所に偏向装置で電子線を移
動させ分析を行っていた。
このときの電子線のスポット径は数nmであり、100
万倍程度に拡大しても数1にしかならず、試料のどの部
分を見ているのかを知るのは非常に困難であった。
万倍程度に拡大しても数1にしかならず、試料のどの部
分を見ているのかを知るのは非常に困難であった。
また、あらかじめ確認しておいても電子レンズを強励磁
で使用しているため、磁路の飽和などの影響で同じ場所
に収束するとは限らず、さらに光軸から外れた試料部分
では、電子線を収束することにより、その像位置も動く
ため、確実に電子線が試料の分析したい個所に照射され
ているかはあいまいであった。
で使用しているため、磁路の飽和などの影響で同じ場所
に収束するとは限らず、さらに光軸から外れた試料部分
では、電子線を収束することにより、その像位置も動く
ため、確実に電子線が試料の分析したい個所に照射され
ているかはあいまいであった。
本発明の目的は、細く絞った電子線が試料のどの部分に
照射されているかの確認を容易にすることができる電子
線照射位置決め方法及び装置更に電子顕微鏡を提供せん
とするものである。
照射されているかの確認を容易にすることができる電子
線照射位置決め方法及び装置更に電子顕微鏡を提供せん
とするものである。
上記目的を達成するため、本発明は、電子線発生源より
発生された電子線を試料の所望位置に照射させる工程と
、この試料を透過した電子線を蛍光板に結像させる工程
と、を含む電子線照射位置決め方法において、fR電子
線試料面上でそのスポット径より広い範囲にわたって走
査することにより得られる試料像に基づいて電子線照射
位置を決めることを特徴とする電子線照射位置決め方法
である。
発生された電子線を試料の所望位置に照射させる工程と
、この試料を透過した電子線を蛍光板に結像させる工程
と、を含む電子線照射位置決め方法において、fR電子
線試料面上でそのスポット径より広い範囲にわたって走
査することにより得られる試料像に基づいて電子線照射
位置を決めることを特徴とする電子線照射位置決め方法
である。
また、本発明は、電子線を試料の微小部に照射し分析す
る装置における電子線照射位置決め方法において、電子
線の照射位置を設定する部分に交流波形又は磁界を加算
することに゛よって得られる電子線のスポット径より広
い範囲の試料像に基づいて電子線照射位置を決めること
を特徴とする電子線照射位置決め方法である。
る装置における電子線照射位置決め方法において、電子
線の照射位置を設定する部分に交流波形又は磁界を加算
することに゛よって得られる電子線のスポット径より広
い範囲の試料像に基づいて電子線照射位置を決めること
を特徴とする電子線照射位置決め方法である。
また、本発明に係る電子線照射位置決め装置は、電子線
発生源より発生された電子線の流路の試料の前に配置さ
れる偏向コイルと、この偏向コイルに試料に照射される
電子線のスポット位置を調整するための電流を供給する
電流供給手段と、この電流供給手段に設けられて交流波
形を加算する手段と、を備えたものである。ここで、前
記交流波形を加算する手段に代えて、前記偏向コイルと
別に設けられた偏向コイルと、この偏向コイルに接続さ
れた電流制御回路と、この電流制御回路に接続された減
衰器及び発振器とから構成され前記電流供給手段に磁界
を加算する手段を備えたものでもよい。
発生源より発生された電子線の流路の試料の前に配置さ
れる偏向コイルと、この偏向コイルに試料に照射される
電子線のスポット位置を調整するための電流を供給する
電流供給手段と、この電流供給手段に設けられて交流波
形を加算する手段と、を備えたものである。ここで、前
記交流波形を加算する手段に代えて、前記偏向コイルと
別に設けられた偏向コイルと、この偏向コイルに接続さ
れた電流制御回路と、この電流制御回路に接続された減
衰器及び発振器とから構成され前記電流供給手段に磁界
を加算する手段を備えたものでもよい。
また、本発明に係る電子顕微鏡は、電子線発生源と、こ
の電子線発生源より発生された電子線を試料に照射させ
る照射レンズと、この照射レンズの後に設けられた電子
線偏向手段と、試料を透過した電子線を蛍光板に拡大結
像させる手段と、を備えた電子顕微鏡において、電子線
偏向手段は偏向コイルに交流波形又は磁界を加算する手
段を備えたものである。
の電子線発生源より発生された電子線を試料に照射させ
る照射レンズと、この照射レンズの後に設けられた電子
線偏向手段と、試料を透過した電子線を蛍光板に拡大結
像させる手段と、を備えた電子顕微鏡において、電子線
偏向手段は偏向コイルに交流波形又は磁界を加算する手
段を備えたものである。
本発明に係る方法及び装置によれば、電子線を試料面上
で走査することにより、電子線のスポット径より広い範
囲の試料像を蛍光板上に残像として得ることができるた
め、電子線の照射される位置を容易に知ることができる
。よって、電子線の照射位置を試料像を見ながら知るこ
とができるため、電子線を偏向装置で動かし、その照射
位置を容易に決めることができる。
で走査することにより、電子線のスポット径より広い範
囲の試料像を蛍光板上に残像として得ることができるた
め、電子線の照射される位置を容易に知ることができる
。よって、電子線の照射位置を試料像を見ながら知るこ
とができるため、電子線を偏向装置で動かし、その照射
位置を容易に決めることができる。
また、電子線を試料面上で細く絞り微小部の電子線回折
像を得たり、X線分析を行うことのできる電子顕微鏡に
おいて、電子線偏向器に交流波形を重ね、電子線のスポ
ット径より広い範囲を見ながらその測定場所を容易に確
認できるようになった。
像を得たり、X線分析を行うことのできる電子顕微鏡に
おいて、電子線偏向器に交流波形を重ね、電子線のスポ
ット径より広い範囲を見ながらその測定場所を容易に確
認できるようになった。
以下、本発明の一実施例を第1図に従って説明する。電
子銃1で発生された電子線は、照射レンズ系2で試料4
に照射される。この試料4を透過した電子線像は対物レ
ンズ5および結像レンズ系6により拡大され、蛍光板7
に結像される。試料の電子線像は数1000〜数100
万倍に拡大されるので、明るい像を得るためには、電子
線を細く収束させ、電子の密度をあげ、かつ試料像の拡
大結像されている部分に照射する必要がある。このため
、電子顕微鏡には試料の上部に偏向コイル3が設けられ
ており、スポラ1〜位置調整ボリューム10で電流制御
回路1′2.の入力を加減して、試料に照射される電子
線のスポット位置を調整している。また、発振器8で発
生された三角波は減衰器9を通り加算器11でスポット
位置値に加算される。減衰器9では電子銃1に印加され
る加速電圧に対する補正、倍率に対する補正等も含め偏
向コイルに流す交流電流が決められる。
子銃1で発生された電子線は、照射レンズ系2で試料4
に照射される。この試料4を透過した電子線像は対物レ
ンズ5および結像レンズ系6により拡大され、蛍光板7
に結像される。試料の電子線像は数1000〜数100
万倍に拡大されるので、明るい像を得るためには、電子
線を細く収束させ、電子の密度をあげ、かつ試料像の拡
大結像されている部分に照射する必要がある。このため
、電子顕微鏡には試料の上部に偏向コイル3が設けられ
ており、スポラ1〜位置調整ボリューム10で電流制御
回路1′2.の入力を加減して、試料に照射される電子
線のスポット位置を調整している。また、発振器8で発
生された三角波は減衰器9を通り加算器11でスポット
位置値に加算される。減衰器9では電子銃1に印加され
る加速電圧に対する補正、倍率に対する補正等も含め偏
向コイルに流す交流電流が決められる。
第2図は加算器11で加えられる交流波形の一例を示す
。第3図は蛍光板7上での電子線の動きを示す。
。第3図は蛍光板7上での電子線の動きを示す。
まず蛍光板7に分析したい部分の拡大像が結像されるよ
う試料の位置を決める(同図のA点)。
う試料の位置を決める(同図のA点)。
その後、分析したいスポット径に電子線を収束させる。
このとき、スボッ1〜径が非常に小さいため、試料のど
の部分に電子線が照射されているかは確認できないが、
減衰器9を変え発振器8の出力を偏向コイル3に加える
ことにより、スポット径より広い範囲を照射することが
でき、蛍光板7上に試料の拡大像が見られる(同図■)
。試料の拡大像で分析したい個所を確認しながら、電子
線の照射中心をスポット位置調整ボリューム10で移動
させる(同図■)。その後、三角波の振+iJを小さく
し、電子線の照射中心の微調整を行う(同図■)。
の部分に電子線が照射されているかは確認できないが、
減衰器9を変え発振器8の出力を偏向コイル3に加える
ことにより、スポット径より広い範囲を照射することが
でき、蛍光板7上に試料の拡大像が見られる(同図■)
。試料の拡大像で分析したい個所を確認しながら、電子
線の照射中心をスポット位置調整ボリューム10で移動
させる(同図■)。その後、三角波の振+iJを小さく
し、電子線の照射中心の微調整を行う(同図■)。
第4図は本発明に係る電子線照射位置決め装置の他実施
例を示す構成図である。偏向コイルがもう一対設けられ
、これに電流制御回路12′、減衰器9、及び発振器8
が直列に接続され、首記実施例の交流波形の加算に代え
て、磁界の形で加算されるようになっている。その作用
効果は前記実施例と同様なので、説明は省略する。
例を示す構成図である。偏向コイルがもう一対設けられ
、これに電流制御回路12′、減衰器9、及び発振器8
が直列に接続され、首記実施例の交流波形の加算に代え
て、磁界の形で加算されるようになっている。その作用
効果は前記実施例と同様なので、説明は省略する。
尚、−上記実施例では発振波形を三角波としたが。
他の波形(調波等)であってもよいことは勿論である。
また、発振周波数に特に制限はないが、蛍光板の残光時
間を考慮すると10〜1000 HZが適当である。ま
た、交流波形を得るのに発振器と減衰器を組合せたが、
振巾等が変化亡きなければ他の方法に依っても良く、さ
らにCPU等を用いて操作性を向上させることも可能で
ある。
間を考慮すると10〜1000 HZが適当である。ま
た、交流波形を得るのに発振器と減衰器を組合せたが、
振巾等が変化亡きなければ他の方法に依っても良く、さ
らにCPU等を用いて操作性を向上させることも可能で
ある。
このように、本発明に係る方法によれば、微小なスポッ
ト径であっても常に拡大像を児ながら。
ト径であっても常に拡大像を児ながら。
その分析個所を決められるため、スポット径と同じぐら
いの部分の結晶構造であっても容易に分析することが可
能である。よって電子顕微鏡においては、その分析精度
を向上することができる。また、本発明に係る位置決め
装置によれば、上記位置決め方法を構造簡単にして実施
することができる。
いの部分の結晶構造であっても容易に分析することが可
能である。よって電子顕微鏡においては、その分析精度
を向上することができる。また、本発明に係る位置決め
装置によれば、上記位置決め方法を構造簡単にして実施
することができる。
第1図は本発明の一実施例における構成図、第2図はス
ポット位置調整時の発振波形図、第3図はその時の蛍光
板上での概念図、第4図は本発明の他実施例を示す構成
図である。 1・・・電子銃、2・・・照射レンズ系、3・・・偏向
コイル、4・・・試料、5・・・対物レンズ、6・・・
結像レンズ、7・・・蛍光板、8・・・発振器、9・・
・減衰器、10・・・スポット位置調整VR111・・
・加算器、12・電流制御回路。
ポット位置調整時の発振波形図、第3図はその時の蛍光
板上での概念図、第4図は本発明の他実施例を示す構成
図である。 1・・・電子銃、2・・・照射レンズ系、3・・・偏向
コイル、4・・・試料、5・・・対物レンズ、6・・・
結像レンズ、7・・・蛍光板、8・・・発振器、9・・
・減衰器、10・・・スポット位置調整VR111・・
・加算器、12・電流制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電子線発生源より発生された電子線を試料の所望位
置に照射させる工程と、この試料を透過した電子線を蛍
光板に結像させる工程と、を含む電子線照射位置決め方
法において、電子線を試料面上でそのスポット径より広
い範囲にわたって走査することにより得られる試料像に
基づいて電子線照射位置を決めることを特徴とする電子
線照射位置決め方法。 2、電子線を試料の微小部に照射し分析する装置におけ
る電子線照射位置決め方法において、電子線の照射位置
を設定する部分に交流波形又は磁界を加算することによ
って得られる電子線のスポット径より広い範囲の試料像
に基づいて電子線照射位置を決めることを特徴とする電
子線照射位置決め方法。 3、電子線発生源より発生された電子線の流路の試料の
前に配置される偏向コイルと、この偏向コイルに試料に
照射される電子線のスポット位nを調整するための電流
を供給する電流供給手段と、この電流供給手段に設けら
れて交流波形を加算する手段と、を備えた電子線照射位
置決め装置。 4、請求項3において、交流波形を加算する手段に代え
て、前記偏向コイルと別に設けられた偏向コイルと、こ
の偏向コイルに接続された電流制御回路と、この電流制
御回路に接続された減衰器及び発振器とから構成され前
記電流供給手段に磁界を加算する手段を備えた電子線照
射位置決め装置。 5、電子線発生源と、この電子線発生源より発生された
電子線を試料に照射させる照射レンズと、この照射レン
ズの後に設けられた電子線偏向手段と、試料を透過した
電子線を蛍光板に拡大結像させる手段と、を備えた電子
顕微鏡において、電子線偏向手段は偏向コイルに交流波
形又は磁界を加算する手段を備えたことを特徴とする電
子顕微鏡。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63313528A JP2686492B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 透過形電子顕微鏡の照射位置決め方法 |
EP19890122950 EP0373599A3 (en) | 1988-12-12 | 1989-12-12 | Method of determining the position of electron beam irradiation and device used in such method |
US07/448,978 US5081354A (en) | 1988-12-12 | 1989-12-12 | Method of determining the position of electron beam irradiation and device used in such method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63313528A JP2686492B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 透過形電子顕微鏡の照射位置決め方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02160350A true JPH02160350A (ja) | 1990-06-20 |
JP2686492B2 JP2686492B2 (ja) | 1997-12-08 |
Family
ID=18042398
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63313528A Expired - Lifetime JP2686492B2 (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 透過形電子顕微鏡の照射位置決め方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5081354A (ja) |
EP (1) | EP0373599A3 (ja) |
JP (1) | JP2686492B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3462006B2 (ja) * | 1996-05-20 | 2003-11-05 | 株式会社ミツトヨ | オートフォーカス装置 |
US5798524A (en) * | 1996-08-07 | 1998-08-25 | Gatan, Inc. | Automated adjustment of an energy filtering transmission electron microscope |
US6184524B1 (en) | 1996-08-07 | 2001-02-06 | Gatan, Inc. | Automated set up of an energy filtering transmission electron microscope |
DE19642116C2 (de) * | 1996-10-12 | 2000-12-07 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur strukturierten Energieübertragung mit Elektronenstrahlen |
US6455838B2 (en) | 1998-10-06 | 2002-09-24 | The Regents Of The University Of California | High sensitivity deflection sensing device |
JP4069545B2 (ja) * | 1999-05-19 | 2008-04-02 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微方法及びそれを用いた電子顕微鏡並び生体試料検査方法及び生体検査装置 |
US8642959B2 (en) * | 2007-10-29 | 2014-02-04 | Micron Technology, Inc. | Method and system of performing three-dimensional imaging using an electron microscope |
CN111650635B (zh) * | 2020-06-11 | 2022-10-21 | 中国航发航空科技股份有限公司 | 一种电子束焊接束流垂直度验证及找正方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7609574A (nl) * | 1975-09-03 | 1977-03-07 | Siemens Ag | Werkwijze voor de beeldweergave van de uit- gangsinformaties van een toestel dat een objekt aftast. |
DE2542356C2 (de) * | 1975-09-19 | 1977-10-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur Fokussierung der Objektivlinse eines Korpuskular-Durchstrahlungs-Rastermikroskops und Einrichtung zur selbsttätigen Durchführung des Verfahrens, sowie Anwendung |
GB1585158A (en) * | 1976-07-30 | 1981-02-25 | Cambridge Scientific Instr Ltd | Automatic focusing systems |
US4399360A (en) * | 1980-08-08 | 1983-08-16 | University Patents, Inc. | Transmission electron microscope employing sequential pixel acquistion for display |
JPS57212754A (en) * | 1981-06-24 | 1982-12-27 | Hitachi Ltd | Electron-beam controller for electron microscope |
JPS60105149A (ja) * | 1983-11-11 | 1985-06-10 | Jeol Ltd | 電子線装置 |
JPS6220229A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Hitachi Ltd | 分析用テレビ電子顕微鏡 |
JPH073774B2 (ja) * | 1986-10-08 | 1995-01-18 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
JPS63298949A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Jeol Ltd | 広狭領域が同時観察可能な分析電子顕微鏡 |
JPH0616405B2 (ja) * | 1987-09-02 | 1994-03-02 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
JPH06105605B2 (ja) * | 1987-09-11 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡の像観察装置 |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP63313528A patent/JP2686492B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-12-12 EP EP19890122950 patent/EP0373599A3/en not_active Withdrawn
- 1989-12-12 US US07/448,978 patent/US5081354A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0373599A3 (en) | 1990-12-19 |
US5081354A (en) | 1992-01-14 |
EP0373599A2 (en) | 1990-06-20 |
JP2686492B2 (ja) | 1997-12-08 |
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