JPH02158123A

JPH02158123A - 加熱装置

Info

Publication number: JPH02158123A
Application number: JP31361288A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Shirakawa; 英一白川; Kimiharu Matsumura; 松村　公治
Original assignee: Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1988-12-12
Filing date: 1988-12-12
Publication date: 1990-06-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、加熱装置に関する。

（従来の技術）一般に、加熱装置例えば半導体製造における加熱処理工
程において用いられる加熱装置では、従来から半導体ウ
ェハ等の基板に均一な処理を施すため、半導体ウェハ等
の基板を均一に加熱することができるよう種々の工夫が
なされている。

例えば、米国特許第３８３８７５１号等では、熱伝導度
の高い物質で構成された熱緩衝箱と、この熱緩衝箱の外
側に設けられた多数の加熱用ランプとからなる加熱装置
が提案されている。すなわち、この加熱装置では、熱緩
衝箱内に゛被加熱物を設け、多数の加熱用ランプにより
熱緩衝箱を介して加熱するもので、熱伝導の良好な熱緩
衝箱の効果により被加熱物を周囲から均一に加熱するこ
とができるようにしたものである。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、上記説明の従来の加熱装置では、熱緩衝
箱の外側に多数の加熱用ランプを設ける必要があり、装
置が大型化するとともに、その製造コストも高くなると
いう問題がある。また、このような問題を避けるために
加熱用ランプの数を減少させると、加熱用ランプの近傍
と遠方とにより温度勾配が生じ、加熱均一性が悪くなる
という問題が生じる。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて装置の大幅な小形軽量化および製造コス
トの低減を図ることができるとともに、加熱均一性の向
上を図ることのできる加熱装置を提供しようとするもの
である。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）すなわち本発明は、熱緩衝箱内に被加熱物を設け、前記
熱緩衝箱の外側に設けられた加熱手段により、前記熱緩
衝箱を介して前記被加熱物を加熱するよう構成された加
熱装置において、前記熱緩衝箱の外面に導電層を形成し
、この導電層に通電することにより前記被加熱物を加熱
するよう構成したことを特徴とする。

（作　用）本発明の加熱装置では、例えばクロム等の金属を、例え
ば蒸着等の方法により熱緩衝箱の外面に被着させて形成
した導電層に通電することにより、熱緩衝箱内に設けた
被加熱物を加熱するよう構成されている。

したがって、多数の加熱用ランプを用いた従来の加熱装
置に較べて装置の大幅な小形軽量化および製造コストの
低減を図ることができるとともに、加熱均一性の向上を
図ることができる。

（実施例）以下、本発明を半導体ウェハ等の基板のベーキング処理
を行うベーキング装置に適用した実施例を図面を参照し
て説明する。

熱緩衝箱１は、熱伝導性が良好でしかも電気絶縁性に優
れた性質を有する物質、例えばアルミナ等から容器状に
形成されており、内部に設けられた載置台２上に被加熱
物例えば半導体ウェハ３を載置し、収容する如く構成さ
れている。なお、上記熱緩衝箱１には、内部に半導体ウ
ェハ３をロード・アンロード可能とする如く、図示しな
い開閉機構が設けられている。

また、この熱緩衝箱１の外側には、第２図にも示すよう
に、例えばクロム等の金属を、例えば蒸着等の方法によ
り熱緩衝箱１の外面に被着させて形成した厚さ例えば０
．１−１００μｍ１好ましくは０．５〜２μｍの薄膜か
らなる導電層４がほぼ全面に渡って設けられており、こ
の導電層４には、電源５が接続されている。

さらに、例えば上記熱緩衝箱１内の載置台２の下部等に
は、例えば熱電対等からなる温度８１ｊ定用センサ６が
設けられており、この温度１１１１Ｊ定用センサ６の温
度測定信号は、電源５から導電層４に供給する電力を調
節する温度制御器７に、温度制御のためのフィードバッ
ク信号として入力されるよう構成されている。

上記構成のこの実施例では、熱緩衝箱１内の載置台２上
に、例えばフォトレジストを塗布した半導体ウェハ３を
設ける。そして、温度制御器７に所望の温度を入力し、
熱緩衝箱１内の温度を所望の温度として、所定時間ベー
キング処理を行う。

この時、通電により導電層４で発生したジュール熱は、
熱伝導性の良好な熱緩衝箱１に伝わり、熱緩衝箱１は全
体がほぼ均一な温度となる。したがって、半導体ウェハ
３は、周囲から均一に加熱され、均一にベーキング処理
される。

すなわち、この実施例では、例えばアルミナ等の熱伝導
性が良好でしかも電気絶縁性に優れた性質を有する物質
から容器状に形成された熱緩衝箱１の外側に、例えばク
ロム等の金属を、例えば蒸着等の方法により被着させて
、薄膜からなる導電層４が設けられており、この導電層
４に通電することにより、熱緩衝箱１内の載置台２上に
設けた半導体ウェハ３等を加熱処理するよう構成されて
いる。したがって、従来のように例えば熱緩衝箱１の周
囲に多数の加熱用ランプ等を設ける必要がなく、装置の
大幅な小形軽量化および製造コストの低減を図ることが
できる。また、導電層４を熱緩衝箱１の外側はぼ全面に
形成することにより、加熱均一性の向上を図ることがで
きる。

なお、上記実施例では、導電層４をクロムによって形成
した例について説明したが、本発明は係る実施例に限定
されるものではなく、導電層４は、例えばニッケル、白
金、タンタル、タングステン、スズ、鉄、鉛、アルメル
、ベリリウム、アンチモン、インジウム、クロメル、コ
バルト、ストロンチウム、ロジウム、パラジウム、マグ
ネシウム、モリブデン、リチウム、ルビジウム等の金属
単体、およびカーボンブラック、グラファイト等に代表
される炭素系単体のほか、ニクロム、ステンレス、青銅
、黄銅等の合金、ポリマーグラフトカーボン等のポリマ
ー系複合材料、ケイ化モリブデン等の複合セラミック材
料を含め、導電性があり、通電によって発熱抵抗体すな
わち熱源として機能するものであれば何れでもよく、発
熱温度に応じて適切な材質を選択することによって最適
に使用することができる。

また、導電層４の形成方法は、蒸着に限らず、その材質
によって例えばＣＶＤ、スパッター、イオンブレーティ
ング、溶射、***等の方法を用いることができる。

さらに、熱緩衝箱１の材質としては、熱伝導性が良好で
しかも電気絶縁性に優れた性質を合せもつものとして、
アルミナの他に、例えば窒化アルミニウム、ジルコニア
、炭化ケイ素、ダイヤモンド等に代表されるセラミック
スのほか、石英、ルチル等の金属酸化物、高アルミナ煉
瓦、カーボン煉瓦等の煉瓦類も好適である。また、第３
図に示すように、導電性の材料により熱緩衝箱１ａを形
成し、この外側に上述したような物質からなる絶縁層１
ｂを設け、この絶縁層１ｂの外側に導電層４を形成して
もよい。また、例えば第４図に示すように、導電層４ａ
を複数層形成し、さらに温度測定用センサー（図示せず
）も複数個分布配置して、分布加熱可能に構成すること
もできる。

［発明の効果］上述のように、本発明の加熱装置では、従来に較べて装
置の大幅な小形軽量化および製造コストの低減を図るこ
とができるとともに、加熱均一性の向上を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の加熱装置の構成を示す図、
第２図は第１図の加熱装置の要部を示す断面図、第３図
および第４図は第１図の加熱装置の変形例の要部を示す
断面図である。１・・・・・・熱緩衝箱、２・・・・・・載置台、３・
・・・・・半導体ウェハ、４・・・・・・導電層、５・
・・・・・電源、６・・・・・・温度測定用センサ、７
・・・・・・温度制御器。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）熱緩衝箱内に被加熱物を設け、前記熱緩衝箱の外
側に設けられた加熱手段により、前記熱緩衝箱を介して
前記被加熱物を加熱するよう構成された加熱装置におい
て、前記熱緩衝箱の外面に導電層を形成し、この導電層に通
電することにより前記被加熱物を加熱するよう構成した
ことを特徴とする加熱装置。