JPH02158123A - 加熱装置 - Google Patents
加熱装置Info
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- JPH02158123A JPH02158123A JP31361288A JP31361288A JPH02158123A JP H02158123 A JPH02158123 A JP H02158123A JP 31361288 A JP31361288 A JP 31361288A JP 31361288 A JP31361288 A JP 31361288A JP H02158123 A JPH02158123 A JP H02158123A
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Furnace Details (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、加熱装置に関する。
(従来の技術)
一般に、加熱装置例えば半導体製造における加熱処理工
程において用いられる加熱装置では、従来から半導体ウ
ェハ等の基板に均一な処理を施すため、半導体ウェハ等
の基板を均一に加熱することができるよう種々の工夫が
なされている。
程において用いられる加熱装置では、従来から半導体ウ
ェハ等の基板に均一な処理を施すため、半導体ウェハ等
の基板を均一に加熱することができるよう種々の工夫が
なされている。
例えば、米国特許第3838751号等では、熱伝導度
の高い物質で構成された熱緩衝箱と、この熱緩衝箱の外
側に設けられた多数の加熱用ランプとからなる加熱装置
が提案されている。すなわち、この加熱装置では、熱緩
衝箱内に゛被加熱物を設け、多数の加熱用ランプにより
熱緩衝箱を介して加熱するもので、熱伝導の良好な熱緩
衝箱の効果により被加熱物を周囲から均一に加熱するこ
とができるようにしたものである。
の高い物質で構成された熱緩衝箱と、この熱緩衝箱の外
側に設けられた多数の加熱用ランプとからなる加熱装置
が提案されている。すなわち、この加熱装置では、熱緩
衝箱内に゛被加熱物を設け、多数の加熱用ランプにより
熱緩衝箱を介して加熱するもので、熱伝導の良好な熱緩
衝箱の効果により被加熱物を周囲から均一に加熱するこ
とができるようにしたものである。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記説明の従来の加熱装置では、熱緩衝
箱の外側に多数の加熱用ランプを設ける必要があり、装
置が大型化するとともに、その製造コストも高くなると
いう問題がある。また、このような問題を避けるために
加熱用ランプの数を減少させると、加熱用ランプの近傍
と遠方とにより温度勾配が生じ、加熱均一性が悪くなる
という問題が生じる。
箱の外側に多数の加熱用ランプを設ける必要があり、装
置が大型化するとともに、その製造コストも高くなると
いう問題がある。また、このような問題を避けるために
加熱用ランプの数を減少させると、加熱用ランプの近傍
と遠方とにより温度勾配が生じ、加熱均一性が悪くなる
という問題が生じる。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて装置の大幅な小形軽量化および製造コス
トの低減を図ることができるとともに、加熱均一性の向
上を図ることのできる加熱装置を提供しようとするもの
である。
、従来に較べて装置の大幅な小形軽量化および製造コス
トの低減を図ることができるとともに、加熱均一性の向
上を図ることのできる加熱装置を提供しようとするもの
である。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
すなわち本発明は、熱緩衝箱内に被加熱物を設け、前記
熱緩衝箱の外側に設けられた加熱手段により、前記熱緩
衝箱を介して前記被加熱物を加熱するよう構成された加
熱装置において、前記熱緩衝箱の外面に導電層を形成し
、この導電層に通電することにより前記被加熱物を加熱
するよう構成したことを特徴とする。
熱緩衝箱の外側に設けられた加熱手段により、前記熱緩
衝箱を介して前記被加熱物を加熱するよう構成された加
熱装置において、前記熱緩衝箱の外面に導電層を形成し
、この導電層に通電することにより前記被加熱物を加熱
するよう構成したことを特徴とする。
(作 用)
本発明の加熱装置では、例えばクロム等の金属を、例え
ば蒸着等の方法により熱緩衝箱の外面に被着させて形成
した導電層に通電することにより、熱緩衝箱内に設けた
被加熱物を加熱するよう構成されている。
ば蒸着等の方法により熱緩衝箱の外面に被着させて形成
した導電層に通電することにより、熱緩衝箱内に設けた
被加熱物を加熱するよう構成されている。
したがって、多数の加熱用ランプを用いた従来の加熱装
置に較べて装置の大幅な小形軽量化および製造コストの
低減を図ることができるとともに、加熱均一性の向上を
図ることができる。
置に較べて装置の大幅な小形軽量化および製造コストの
低減を図ることができるとともに、加熱均一性の向上を
図ることができる。
(実施例)
以下、本発明を半導体ウェハ等の基板のベーキング処理
を行うベーキング装置に適用した実施例を図面を参照し
て説明する。
を行うベーキング装置に適用した実施例を図面を参照し
て説明する。
熱緩衝箱1は、熱伝導性が良好でしかも電気絶縁性に優
れた性質を有する物質、例えばアルミナ等から容器状に
形成されており、内部に設けられた載置台2上に被加熱
物例えば半導体ウェハ3を載置し、収容する如く構成さ
れている。なお、上記熱緩衝箱1には、内部に半導体ウ
ェハ3をロード・アンロード可能とする如く、図示しな
い開閉機構が設けられている。
れた性質を有する物質、例えばアルミナ等から容器状に
形成されており、内部に設けられた載置台2上に被加熱
物例えば半導体ウェハ3を載置し、収容する如く構成さ
れている。なお、上記熱緩衝箱1には、内部に半導体ウ
ェハ3をロード・アンロード可能とする如く、図示しな
い開閉機構が設けられている。
また、この熱緩衝箱1の外側には、第2図にも示すよう
に、例えばクロム等の金属を、例えば蒸着等の方法によ
り熱緩衝箱1の外面に被着させて形成した厚さ例えば0
.1−100μm1好ましくは0.5〜2μmの薄膜か
らなる導電層4がほぼ全面に渡って設けられており、こ
の導電層4には、電源5が接続されている。
に、例えばクロム等の金属を、例えば蒸着等の方法によ
り熱緩衝箱1の外面に被着させて形成した厚さ例えば0
.1−100μm1好ましくは0.5〜2μmの薄膜か
らなる導電層4がほぼ全面に渡って設けられており、こ
の導電層4には、電源5が接続されている。
さらに、例えば上記熱緩衝箱1内の載置台2の下部等に
は、例えば熱電対等からなる温度81j定用センサ6が
設けられており、この温度1111J定用センサ6の温
度測定信号は、電源5から導電層4に供給する電力を調
節する温度制御器7に、温度制御のためのフィードバッ
ク信号として入力されるよう構成されている。
は、例えば熱電対等からなる温度81j定用センサ6が
設けられており、この温度1111J定用センサ6の温
度測定信号は、電源5から導電層4に供給する電力を調
節する温度制御器7に、温度制御のためのフィードバッ
ク信号として入力されるよう構成されている。
上記構成のこの実施例では、熱緩衝箱1内の載置台2上
に、例えばフォトレジストを塗布した半導体ウェハ3を
設ける。そして、温度制御器7に所望の温度を入力し、
熱緩衝箱1内の温度を所望の温度として、所定時間ベー
キング処理を行う。
に、例えばフォトレジストを塗布した半導体ウェハ3を
設ける。そして、温度制御器7に所望の温度を入力し、
熱緩衝箱1内の温度を所望の温度として、所定時間ベー
キング処理を行う。
この時、通電により導電層4で発生したジュール熱は、
熱伝導性の良好な熱緩衝箱1に伝わり、熱緩衝箱1は全
体がほぼ均一な温度となる。したがって、半導体ウェハ
3は、周囲から均一に加熱され、均一にベーキング処理
される。
熱伝導性の良好な熱緩衝箱1に伝わり、熱緩衝箱1は全
体がほぼ均一な温度となる。したがって、半導体ウェハ
3は、周囲から均一に加熱され、均一にベーキング処理
される。
すなわち、この実施例では、例えばアルミナ等の熱伝導
性が良好でしかも電気絶縁性に優れた性質を有する物質
から容器状に形成された熱緩衝箱1の外側に、例えばク
ロム等の金属を、例えば蒸着等の方法により被着させて
、薄膜からなる導電層4が設けられており、この導電層
4に通電することにより、熱緩衝箱1内の載置台2上に
設けた半導体ウェハ3等を加熱処理するよう構成されて
いる。したがって、従来のように例えば熱緩衝箱1の周
囲に多数の加熱用ランプ等を設ける必要がなく、装置の
大幅な小形軽量化および製造コストの低減を図ることが
できる。また、導電層4を熱緩衝箱1の外側はぼ全面に
形成することにより、加熱均一性の向上を図ることがで
きる。
性が良好でしかも電気絶縁性に優れた性質を有する物質
から容器状に形成された熱緩衝箱1の外側に、例えばク
ロム等の金属を、例えば蒸着等の方法により被着させて
、薄膜からなる導電層4が設けられており、この導電層
4に通電することにより、熱緩衝箱1内の載置台2上に
設けた半導体ウェハ3等を加熱処理するよう構成されて
いる。したがって、従来のように例えば熱緩衝箱1の周
囲に多数の加熱用ランプ等を設ける必要がなく、装置の
大幅な小形軽量化および製造コストの低減を図ることが
できる。また、導電層4を熱緩衝箱1の外側はぼ全面に
形成することにより、加熱均一性の向上を図ることがで
きる。
なお、上記実施例では、導電層4をクロムによって形成
した例について説明したが、本発明は係る実施例に限定
されるものではなく、導電層4は、例えばニッケル、白
金、タンタル、タングステン、スズ、鉄、鉛、アルメル
、ベリリウム、アンチモン、インジウム、クロメル、コ
バルト、ストロンチウム、ロジウム、パラジウム、マグ
ネシウム、モリブデン、リチウム、ルビジウム等の金属
単体、およびカーボンブラック、グラファイト等に代表
される炭素系単体のほか、ニクロム、ステンレス、青銅
、黄銅等の合金、ポリマーグラフトカーボン等のポリマ
ー系複合材料、ケイ化モリブデン等の複合セラミック材
料を含め、導電性があり、通電によって発熱抵抗体すな
わち熱源として機能するものであれば何れでもよく、発
熱温度に応じて適切な材質を選択することによって最適
に使用することができる。
した例について説明したが、本発明は係る実施例に限定
されるものではなく、導電層4は、例えばニッケル、白
金、タンタル、タングステン、スズ、鉄、鉛、アルメル
、ベリリウム、アンチモン、インジウム、クロメル、コ
バルト、ストロンチウム、ロジウム、パラジウム、マグ
ネシウム、モリブデン、リチウム、ルビジウム等の金属
単体、およびカーボンブラック、グラファイト等に代表
される炭素系単体のほか、ニクロム、ステンレス、青銅
、黄銅等の合金、ポリマーグラフトカーボン等のポリマ
ー系複合材料、ケイ化モリブデン等の複合セラミック材
料を含め、導電性があり、通電によって発熱抵抗体すな
わち熱源として機能するものであれば何れでもよく、発
熱温度に応じて適切な材質を選択することによって最適
に使用することができる。
また、導電層4の形成方法は、蒸着に限らず、その材質
によって例えばCVD、スパッター、イオンブレーティ
ング、溶射、***等の方法を用いることができる。
によって例えばCVD、スパッター、イオンブレーティ
ング、溶射、***等の方法を用いることができる。
さらに、熱緩衝箱1の材質としては、熱伝導性が良好で
しかも電気絶縁性に優れた性質を合せもつものとして、
アルミナの他に、例えば窒化アルミニウム、ジルコニア
、炭化ケイ素、ダイヤモンド等に代表されるセラミック
スのほか、石英、ルチル等の金属酸化物、高アルミナ煉
瓦、カーボン煉瓦等の煉瓦類も好適である。また、第3
図に示すように、導電性の材料により熱緩衝箱1aを形
成し、この外側に上述したような物質からなる絶縁層1
bを設け、この絶縁層1bの外側に導電層4を形成して
もよい。また、例えば第4図に示すように、導電層4a
を複数層形成し、さらに温度測定用センサー(図示せず
)も複数個分布配置して、分布加熱可能に構成すること
もできる。
しかも電気絶縁性に優れた性質を合せもつものとして、
アルミナの他に、例えば窒化アルミニウム、ジルコニア
、炭化ケイ素、ダイヤモンド等に代表されるセラミック
スのほか、石英、ルチル等の金属酸化物、高アルミナ煉
瓦、カーボン煉瓦等の煉瓦類も好適である。また、第3
図に示すように、導電性の材料により熱緩衝箱1aを形
成し、この外側に上述したような物質からなる絶縁層1
bを設け、この絶縁層1bの外側に導電層4を形成して
もよい。また、例えば第4図に示すように、導電層4a
を複数層形成し、さらに温度測定用センサー(図示せず
)も複数個分布配置して、分布加熱可能に構成すること
もできる。
[発明の効果]
上述のように、本発明の加熱装置では、従来に較べて装
置の大幅な小形軽量化および製造コストの低減を図るこ
とができるとともに、加熱均一性の向上を図ることがで
きる。
置の大幅な小形軽量化および製造コストの低減を図るこ
とができるとともに、加熱均一性の向上を図ることがで
きる。
第1図は本発明の一実施例の加熱装置の構成を示す図、
第2図は第1図の加熱装置の要部を示す断面図、第3図
および第4図は第1図の加熱装置の変形例の要部を示す
断面図である。 1・・・・・・熱緩衝箱、2・・・・・・載置台、3・
・・・・・半導体ウェハ、4・・・・・・導電層、5・
・・・・・電源、6・・・・・・温度測定用センサ、7
・・・・・・温度制御器。
第2図は第1図の加熱装置の要部を示す断面図、第3図
および第4図は第1図の加熱装置の変形例の要部を示す
断面図である。 1・・・・・・熱緩衝箱、2・・・・・・載置台、3・
・・・・・半導体ウェハ、4・・・・・・導電層、5・
・・・・・電源、6・・・・・・温度測定用センサ、7
・・・・・・温度制御器。
Claims (1)
- (1)熱緩衝箱内に被加熱物を設け、前記熱緩衝箱の外
側に設けられた加熱手段により、前記熱緩衝箱を介して
前記被加熱物を加熱するよう構成された加熱装置におい
て、 前記熱緩衝箱の外面に導電層を形成し、この導電層に通
電することにより前記被加熱物を加熱するよう構成した
ことを特徴とする加熱装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31361288A JPH02158123A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31361288A JPH02158123A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 加熱装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02158123A true JPH02158123A (ja) | 1990-06-18 |
Family
ID=18043414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31361288A Pending JPH02158123A (ja) | 1988-12-12 | 1988-12-12 | 加熱装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02158123A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0982785A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Nec Corp | 半導体ウェハ温度制御装置 |
-
1988
- 1988-12-12 JP JP31361288A patent/JPH02158123A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0982785A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Nec Corp | 半導体ウェハ温度制御装置 |
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