JPH02136824A - 液晶パネルの駆動回路 - Google Patents
液晶パネルの駆動回路Info
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- JPH02136824A JPH02136824A JP29151288A JP29151288A JPH02136824A JP H02136824 A JPH02136824 A JP H02136824A JP 29151288 A JP29151288 A JP 29151288A JP 29151288 A JP29151288 A JP 29151288A JP H02136824 A JPH02136824 A JP H02136824A
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Landscapes
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- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上のIll用分野1
本発明は薄III トランジスタ素子を用いた、いわゆ
るアクデイプマトリックス液晶パネルの駆動回路に関す
る。
るアクデイプマトリックス液晶パネルの駆動回路に関す
る。
[従来の技術1
アクティブマトリックス方式の液晶パネルは、最初ボケ
ッl−T V用のデイスプレィとし7て商品イヒが図ら
れ、現在は各種計器、計1Ill1機器のデイスプレィ
、型番こプロジェクションTV、ビューフ戸インク等へ
の幅広い応用が実施、検討されている。
ッl−T V用のデイスプレィとし7て商品イヒが図ら
れ、現在は各種計器、計1Ill1機器のデイスプレィ
、型番こプロジェクションTV、ビューフ戸インク等へ
の幅広い応用が実施、検討されている。
第3図(a)はN型薄股トランジスタ素子を用いた液晶
パネルの等価回路図である。
パネルの等価回路図である。
図において、301はゲート1忙302はソース領域、
303はドレインGn域、304は透明画素電極、30
5は対向基扱電陽であり基(デミ位を与^る。30Gは
液晶層である。ソース線がら入力されIIIII−ラン
ジスタを介し、M記透明画累電榛304に印加された(
3号電圧と、iii記対向基板;極305の基41!電
位との電圧差により液晶層306のオンオフを制御卸し
、光の透過量を制御卸することにより、表示を実現する
。
303はドレインGn域、304は透明画素電極、30
5は対向基扱電陽であり基(デミ位を与^る。30Gは
液晶層である。ソース線がら入力されIIIII−ラン
ジスタを介し、M記透明画累電榛304に印加された(
3号電圧と、iii記対向基板;極305の基41!電
位との電圧差により液晶層306のオンオフを制御卸し
、光の透過量を制御卸することにより、表示を実現する
。
第2図は、litに用いられでいる。ゲート印7111
電圧、及びソース印加N圧の経略変化を示すタイミンク
図である。(図は画面中央部の薄膜トランジスタの例で
ある。)液晶はその特性上、交流駆動する必要があり、
よってソース線には、対向電極電位に対し、上側のフィ
ールド(正フィールド)の電圧と下側のフィールド(負
フィールド)の電圧を交互に印加する。この切換りの周
期を液晶駆動交流化周期と呼ぶ。画素毎1引304には
対応する。1IInI+−ランジスタのゲート301の
電圧がオンレベル(選択レベル)である時のソース線信
号が印加され1次にゲートが選択レベルとなるまでの間
(ゲートが非選択レベルである間)、前記ソース領域3
02とドレイン領域303が高抵抗となることにより、
信号レベルを保持し、画像情報を表示する。
電圧、及びソース印加N圧の経略変化を示すタイミンク
図である。(図は画面中央部の薄膜トランジスタの例で
ある。)液晶はその特性上、交流駆動する必要があり、
よってソース線には、対向電極電位に対し、上側のフィ
ールド(正フィールド)の電圧と下側のフィールド(負
フィールド)の電圧を交互に印加する。この切換りの周
期を液晶駆動交流化周期と呼ぶ。画素毎1引304には
対応する。1IInI+−ランジスタのゲート301の
電圧がオンレベル(選択レベル)である時のソース線信
号が印加され1次にゲートが選択レベルとなるまでの間
(ゲートが非選択レベルである間)、前記ソース領域3
02とドレイン領域303が高抵抗となることにより、
信号レベルを保持し、画像情報を表示する。
[発明が解決しようとする課題]
以下に従来技術の問題点を述べる。第3図(b)は薄膜
トランジスタのゲート301、ソース領域302間型位
差V。、と、ソース領域302とドレイン領域303間
に一定電圧(以後v03)を印加した時、同fil域間
を流れる電流量の関係を示すグラフノー例である。I
osはVamOV−1゜Vの範囲で急激に上昇し、更に
高電圧側でも飽和せず徐々に増加する。又逆バイアス側
でも、その機構は明らかではないが、逆バイアスを高く
すると電流量It’sも急激に増加する。これを、実際
の駆動状態にあてはめて考えると、負フイールドゲート
オン状態でのV。が16V〜20Vであるのに対し、正
フイールドゲートオン状態でのV。SはlO〜14Vと
なる。すなわち第3図(b)より、正フィールドでのソ
ースドレイン間オン抵抗が約4MΩ(V、、=4V、I
。、= I O−’A) テするのに対し、負フィー
ルドでは、約400にΩとなる。この差は、比較的小型
の(少雨素数の)液晶パネルの場合には問題とならない
が、ゲートのぶ択期間の短かい、大型の(高精細の)液
晶パネルの場合、薄膜トランジスタを介し、画素電極3
04に印加される電圧のソース領域302に加えられた
印加電圧(信号電圧)に対する割合が、負フィールドに
比べ正フィールドでは顕著に低くなってしまう0次に選
択期間に画素電極304に印加した電圧を保持する特性
について述べる。第2図より、負フィールドではゲート
オフ時V、、=O〜4V、正フィールドではVas”
6〜 IOVであるので、J膜トランジスタのオフ抵
抗は、負フィールドでは4TΩであるのに対し、正フィ
ールドでは最高40GΩとなってしまう。つまり対向電
極305の電位を基準電位として、正フイールド時には
負フイールド時に比べ、(8号電圧を画素毎極304に
印加しに<<、又印加した電圧をリークしやすいという
特性をもつ。結果、対向電極電位に対し、画素電極電位
は対称性を失い、液晶層306に直流成分が印加される
ことになる。この状態が顕著な場合、液晶パネルは残像
、表示ムラ、その他の表示不良をひき起こすことが報告
されており、この問題の解決が液晶パネルの重大な課題
の一つとなっている。
トランジスタのゲート301、ソース領域302間型位
差V。、と、ソース領域302とドレイン領域303間
に一定電圧(以後v03)を印加した時、同fil域間
を流れる電流量の関係を示すグラフノー例である。I
osはVamOV−1゜Vの範囲で急激に上昇し、更に
高電圧側でも飽和せず徐々に増加する。又逆バイアス側
でも、その機構は明らかではないが、逆バイアスを高く
すると電流量It’sも急激に増加する。これを、実際
の駆動状態にあてはめて考えると、負フイールドゲート
オン状態でのV。が16V〜20Vであるのに対し、正
フイールドゲートオン状態でのV。SはlO〜14Vと
なる。すなわち第3図(b)より、正フィールドでのソ
ースドレイン間オン抵抗が約4MΩ(V、、=4V、I
。、= I O−’A) テするのに対し、負フィー
ルドでは、約400にΩとなる。この差は、比較的小型
の(少雨素数の)液晶パネルの場合には問題とならない
が、ゲートのぶ択期間の短かい、大型の(高精細の)液
晶パネルの場合、薄膜トランジスタを介し、画素電極3
04に印加される電圧のソース領域302に加えられた
印加電圧(信号電圧)に対する割合が、負フィールドに
比べ正フィールドでは顕著に低くなってしまう0次に選
択期間に画素電極304に印加した電圧を保持する特性
について述べる。第2図より、負フィールドではゲート
オフ時V、、=O〜4V、正フィールドではVas”
6〜 IOVであるので、J膜トランジスタのオフ抵
抗は、負フィールドでは4TΩであるのに対し、正フィ
ールドでは最高40GΩとなってしまう。つまり対向電
極305の電位を基準電位として、正フイールド時には
負フイールド時に比べ、(8号電圧を画素毎極304に
印加しに<<、又印加した電圧をリークしやすいという
特性をもつ。結果、対向電極電位に対し、画素電極電位
は対称性を失い、液晶層306に直流成分が印加される
ことになる。この状態が顕著な場合、液晶パネルは残像
、表示ムラ、その他の表示不良をひき起こすことが報告
されており、この問題の解決が液晶パネルの重大な課題
の一つとなっている。
そこで本発明の目的は、第3図(b)のごとくの特性を
有するalliトランジスタを用いながら、上記問題点
(残f象、表示ムラ、その他表示不良)を解決する液晶
パネルの駆動回路を提案することにある。
有するalliトランジスタを用いながら、上記問題点
(残f象、表示ムラ、その他表示不良)を解決する液晶
パネルの駆動回路を提案することにある。
[課題を解決するための手段1
本発明の液晶パネルの駆動回路は、薄膜トランジスタを
マトリックス状に配置した薄膜基板と、該薄膜基板の各
画素毎に分割形成された駆動用電極により制御される液
晶層と、ガラス基板上に透明電極層を形成した対向基板
とを、夫々積層配置した液晶パネルにおいて、液晶駆動
交流化周期に同量して、前記薄膜トランジスタのゲート
電□□□に印加する、選択電圧及び非選択電圧のいづれ
か一方、もしくは両方を変化させることを特徴とする。
マトリックス状に配置した薄膜基板と、該薄膜基板の各
画素毎に分割形成された駆動用電極により制御される液
晶層と、ガラス基板上に透明電極層を形成した対向基板
とを、夫々積層配置した液晶パネルにおいて、液晶駆動
交流化周期に同量して、前記薄膜トランジスタのゲート
電□□□に印加する、選択電圧及び非選択電圧のいづれ
か一方、もしくは両方を変化させることを特徴とする。
[実 施 例]
以下、実施例に基づき本発明の液晶パネルの駆動回路の
詳細な説明をする。
詳細な説明をする。
第1図(a)は本発明の液晶パネルの駆動回路のブロッ
ク図の一例である。第1図(a)において111は薄膜
トランジスタ118のゲート駆動IC(以後’l’ −
Driver I Cと呼ぶ)である。YDriver
l Cは基本的に、各ゲート線116の選択間開、及び
タイミングを決定するシフトレジスタ+12、薄膜ト・
ランジスタのゲート301のオンAフを制御するアナロ
グスイッチ114.シフトレジスタ112の出力をアナ
ログスイッチl I 、4の駆動レベルまでも5あげる
レベルシフタ113(、゛よって構成される。薄膜トラ
ンジスタ118のゲー1−301は走査方向に対し、垂
直なゲート線l16に接続されゲート線116はY −
Driver I Cの出力端子に接続される。−・方
ソース領域302は走査方向に並行なソース線117に
図のごとく接続され、ソース線117はソース線駆動I
Cの出力端子に接続される6ソース線駆動ICは本発明
には直接間係がないため、図では削除しである6又、対
向′:4極120には図のごとく、一定の電圧が与太ら
れている。
ク図の一例である。第1図(a)において111は薄膜
トランジスタ118のゲート駆動IC(以後’l’ −
Driver I Cと呼ぶ)である。YDriver
l Cは基本的に、各ゲート線116の選択間開、及び
タイミングを決定するシフトレジスタ+12、薄膜ト・
ランジスタのゲート301のオンAフを制御するアナロ
グスイッチ114.シフトレジスタ112の出力をアナ
ログスイッチl I 、4の駆動レベルまでも5あげる
レベルシフタ113(、゛よって構成される。薄膜トラ
ンジスタ118のゲー1−301は走査方向に対し、垂
直なゲート線l16に接続されゲート線116はY −
Driver I Cの出力端子に接続される。−・方
ソース領域302は走査方向に並行なソース線117に
図のごとく接続され、ソース線117はソース線駆動I
Cの出力端子に接続される6ソース線駆動ICは本発明
には直接間係がないため、図では削除しである6又、対
向′:4極120には図のごとく、一定の電圧が与太ら
れている。
本発明の特徴は、従来固定電圧であったY−Drive
rI Cの駆動系の正電圧121、及び負電圧122(
ゲート301の退択電圧、非選択電圧に対応する6)を
、電圧制御回路+15により、液晶交流化周期信号(F
R)123に同期し、変化さゼることにある。すなわち
、■−フィールド時には、ゲート正フィールドオンレベ
ル及び、ゲート正フイールドオフレベルを、又[lフィ
ール1:時には、ゲーt−f’+フィールドオンレベル
及びゲ−t−t7tフィールドオフレベルをY −Dr
ivpr %動糸及び液晶パネルゲート線116に印加
4る。
rI Cの駆動系の正電圧121、及び負電圧122(
ゲート301の退択電圧、非選択電圧に対応する6)を
、電圧制御回路+15により、液晶交流化周期信号(F
R)123に同期し、変化さゼることにある。すなわち
、■−フィールド時には、ゲート正フィールドオンレベ
ル及び、ゲート正フイールドオフレベルを、又[lフィ
ール1:時には、ゲーt−f’+フィールドオンレベル
及びゲ−t−t7tフィールドオフレベルをY −Dr
ivpr %動糸及び液晶パネルゲート線116に印加
4る。
第1図(b)は本発明の液晶パネルの駆動回路による、
ゲート印加電圧107、ソース印加電[「105の経時
変化を示すタイミング図である。図において、101は
正フイールドゲートオンレベル、102は負フィールト
ゲ−[・オンレベル+03は正フイールドゲートオフし
・ベル、104は負フィールトゲ−1−オフし・ベル、
9,106はりl面電極電位を示す。
ゲート印加電圧107、ソース印加電[「105の経時
変化を示すタイミング図である。図において、101は
正フイールドゲートオンレベル、102は負フィールト
ゲ−[・オンレベル+03は正フイールドゲートオフし
・ベル、104は負フィールトゲ−1−オフし・ベル、
9,106はりl面電極電位を示す。
図より明らかなとおり、本発明のiA品パt、ルの駆動
回路を用いれば、薄膜トランジスタ118のテカ作状態
を決定するゲート301とソース領域302の電位差V
13.が正フイールド負フィールドで同一となり1両フ
ィールドでのソー2.電叩印加特性、及び保持特性を同
一にすることができる9Jニー)てii1述した理由に
より、液晶パネルの間開【jl、残像、表示ムラ、その
他表示不良を解消することができる、 次に本発明の伯の実施例(構成例)をあげる。
回路を用いれば、薄膜トランジスタ118のテカ作状態
を決定するゲート301とソース領域302の電位差V
13.が正フイールド負フィールドで同一となり1両フ
ィールドでのソー2.電叩印加特性、及び保持特性を同
一にすることができる9Jニー)てii1述した理由に
より、液晶パネルの間開【jl、残像、表示ムラ、その
他表示不良を解消することができる、 次に本発明の伯の実施例(構成例)をあげる。
液晶パネルの構成」二特に画禦電−304の信号量圧印
υ口特性が問題となる場合、第1図(a)、(’ b
)のゲー トオフレベルは正フィールド、負フィールド
ども同一とじ、ゲー)−オンレベルのみ正フィールドと
負フィールドで変化さゼる伯の実施例18 逆に使の実施1!’112として、特に信号電圧の(V
持持りが問題となる場合、ゲートオンレベルは正フィー
ルド、負フィールドとも同一とし、ゲート4フイレベル
のみ、正フィールドと負フィールドで変化させる方式。
υ口特性が問題となる場合、第1図(a)、(’ b
)のゲー トオフレベルは正フィールド、負フィールド
ども同一とじ、ゲー)−オンレベルのみ正フィールドと
負フィールドで変化さゼる伯の実施例18 逆に使の実施1!’112として、特に信号電圧の(V
持持りが問題となる場合、ゲートオンレベルは正フィー
ルド、負フィールドとも同一とし、ゲート4フイレベル
のみ、正フィールドと負フィールドで変化させる方式。
叉、回路自体の構成例として、電圧制御回路115を、
’l’ −DriverI C111内に取込み、4電
源のうちから、l電源を退択する構成をとる他の実施例
3゜ そし、で、Y−Driverl C111のロジンタ部
シフトレジスタ112への入力信号c l OCk乃び
・、t a r t P 111 s eを液晶交流
化周ill信号(FR)123に同期してレベルシフト
し、Y−DriverI C全体をゲート正電圧121
及び負電圧122で駆動する構成とした他の実施例4が
考えられる。
’l’ −DriverI C111内に取込み、4電
源のうちから、l電源を退択する構成をとる他の実施例
3゜ そし、で、Y−Driverl C111のロジンタ部
シフトレジスタ112への入力信号c l OCk乃び
・、t a r t P 111 s eを液晶交流
化周ill信号(FR)123に同期してレベルシフト
し、Y−DriverI C全体をゲート正電圧121
及び負電圧122で駆動する構成とした他の実施例4が
考えられる。
[発明の効果1
以上述べた様に1本発明は、薄IIQ +・ランジスタ
を用いた液晶パネルにおいて、1cし品駆動2流化周期
に同期して、前記薄膜トランジスタのゲート電極に印加
する、退択電圧(ゲートオンレベル)及び非選択電圧(
ゲートレベル)のいづれが一方もしくは両方を変化させ
ることにより、液晶層119に印加される直流成分を除
去し、結果、残像、表示ムラ、その他表示不良という、
液晶パネルの重大な問題点を解消できる。この効果は、
特(、二人り、高精細の液晶パネルに15いて絶大であ
る。
を用いた液晶パネルにおいて、1cし品駆動2流化周期
に同期して、前記薄膜トランジスタのゲート電極に印加
する、退択電圧(ゲートオンレベル)及び非選択電圧(
ゲートレベル)のいづれが一方もしくは両方を変化させ
ることにより、液晶層119に印加される直流成分を除
去し、結果、残像、表示ムラ、その他表示不良という、
液晶パネルの重大な問題点を解消できる。この効果は、
特(、二人り、高精細の液晶パネルに15いて絶大であ
る。
第1図(a)は本発明の液晶パネルの駆動回路のブロッ
ク図。 第1図(b)は本発明の液晶パネルの駆動回路のタイミ
ング図。 第2図は従来の液晶パネルの駆動回路のタイミング図。 第3図(a)は液晶パネルの等価回路図。 第3図(b)は薄膜トランジスタの1ea−Vas特性
図。 ・ゲート駆動I C(Y −11riverl C)・
シフトレジスフ ・レベルシフタ ・アナログスイッチ 電圧制御回路 ・ゲート線 ソース線 ・薄膜トランジスタ ・液晶層 対向電極
ク図。 第1図(b)は本発明の液晶パネルの駆動回路のタイミ
ング図。 第2図は従来の液晶パネルの駆動回路のタイミング図。 第3図(a)は液晶パネルの等価回路図。 第3図(b)は薄膜トランジスタの1ea−Vas特性
図。 ・ゲート駆動I C(Y −11riverl C)・
シフトレジスフ ・レベルシフタ ・アナログスイッチ 電圧制御回路 ・ゲート線 ソース線 ・薄膜トランジスタ ・液晶層 対向電極
Claims (1)
- 薄膜トランジスタをマトリックス状に配置した薄膜基板
と、該薄膜基板の各画素毎に分割形成された駆動用電極
により制御される液晶層と、ガラス基板上に透明電極層
を形成した対向基板とを、夫々積層配置した液晶パネル
において、液晶駆動交流化周期に同期して、前記薄膜ト
ランジスタのゲート電極に印加する、選択電圧及び非選
択電圧のいづれか一方、もしくは両方を変化させること
を特徴とする液晶パネルの駆動回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29151288A JPH02136824A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 液晶パネルの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29151288A JPH02136824A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 液晶パネルの駆動回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02136824A true JPH02136824A (ja) | 1990-05-25 |
Family
ID=17769849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29151288A Pending JPH02136824A (ja) | 1988-11-18 | 1988-11-18 | 液晶パネルの駆動回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02136824A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04362689A (ja) * | 1991-06-10 | 1992-12-15 | Sharp Corp | 表示装置の駆動回路 |
JP2006084617A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置用駆動回路、電気光学装置及び電子機器 |
JP2009103972A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Seiko Epson Corp | 電気泳動表示装置、電子機器、および電気泳動表示装置の駆動方法 |
JP2009222777A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Toppoly Optoelectronics Corp | 表示装置、電子装置、システム |
JP2011043804A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-03-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、表示装置の駆動方法、及び電子機器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273235A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | 表示装置の駆動方法 |
-
1988
- 1988-11-18 JP JP29151288A patent/JPH02136824A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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JPS6273235A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-03 | Hitachi Ltd | 表示装置の駆動方法 |
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