JPH0149653B2 - - Google Patents
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- JPH0149653B2 JPH0149653B2 JP8177085A JP8177085A JPH0149653B2 JP H0149653 B2 JPH0149653 B2 JP H0149653B2 JP 8177085 A JP8177085 A JP 8177085A JP 8177085 A JP8177085 A JP 8177085A JP H0149653 B2 JPH0149653 B2 JP H0149653B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
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Description
産業上の利用分野
本発明は、半導体被覆用ガラス、特に電極を含
めてＰ−Ｎ接合部を有するシリコンダイオードの
モールド、あるいはメサ型サイリスター、トラン
ジスタ等のパシベーシヨンガラスに関する。 従来技術 一般に、シリコンダイオードやトランジスタ等
の半導体装置においては、半導体素子の表面安定
化のために、あるいは半導体素子の外気による汚
染を防止し、その特性の変化を防ぐために、半導
体素子のＰ−Ｎ接合部を含む表面をガラスで被覆
することが行なわれている。 従来よりこの種の被覆ガラスとして信頼性に優
れたZnO系ガラスが多く用いられている。ZnO系
ガラスの場合、結晶の析出状態による電気特性が
左右され、微細結晶が析出するほどガラス中の可
動イオンが不動化し信頼性の高いデバイスが得ら
れる。本出願人は、以前ZnO系ガラス及び該ガラ
スに低膨張耐火物フイラー粉末を加えたガラスを
多く提案したが、これらのガラスは各々欠点を有
している。 例えば、特公昭54−7557号のZnO系ガラスに核
形成剤としてTiO2、ZrO2、ZnO、αZnO・B2O3、
2ZnO・SiO2の少なくとも１種以上を0.01〜５重
量％添加してなる被覆用ガラスは、核形成剤の添
量が少ないため低い焼成温度で緻密な結晶を充分
に析出することは困難で満足な電気特性を得るこ
とができなかつた。特に核形成剤を単独で添加す
る場合は、析出する結晶のサイズは大きくなるが
低い焼成温度で緻密な結晶を得ることが困難であ
つた。また特開昭57−56345号のZnO−B2O3−
SiO2系ガラスも核形成剤を含有しないため低い
焼成温度で緻密な結晶を析出することができなか
つた。 発明の目的 本発明は、上記の問題点を改良するために鑑み
なされたものであり、その目的とするところは、
低い焼成温度において微細結晶を安定して析出す
ると共に被覆ガラス中の電荷量が適当な量の負電
荷を有する様に制御すること（これによつて、半
導体素子に誘起される電荷は適当な量の正電荷に
なる）ができる被覆用ガラスを提供することにあ
る。 発明の構成 本発明の半導体被覆用ガラスは、重量％で、主
成分がZnO45〜75％、B2O315〜35％、SiO22〜20
％からなるガラス粉末100％に対して、フイラー
として亜鉛華粉末、ジンクボーレイト粉末、ウイ
レマイト粉末の２種以上を５％〜20％混合してな
ることを特徴とする。 本発明の半導体被覆用ガラスは、好ましくは重
量％でZnO50〜75％、B2O315〜35％、SiO23〜15
％、PbO0〜10％、Al2O30〜３％、Sb2O30〜２
％、Nb2O50〜５％、Bi2O30〜20％からなるガラ
ス粉末100％に対してフイラーとして亜鉛華粉末、
ジンクボーレイト粉末、ウイレマイト粉末の２種
以上を５〜20％混合してなることを特徴とする。 本発明の半導体被覆用ガラスは、さらに好まし
くは重量％でZnO50〜70％、B2O320〜30％、
SiO25〜15％、PbO0.5〜10％、Al2O30〜３％、
Sb2O30.1〜２％、Nb2O50.1〜５％、Bi2O30.1〜
20％からなるガラス粉末100％に対してフイラー
として亜鉛華粉末、ジンクボーレイト粉末、ウイ
レマイト粉末の２種以上を５〜20％混合してなる
ことを特徴とする。 本発明において上記の如くガラス粉末組成及び
フイラーの量を限定した理由は以下に示す通りで
ある。 ZnO含量は、45〜75重量％、好ましくは50〜75
重量％、さらに好ましくは50〜70重量％である。
45重量％より少ない場合は、熱膨張係数が大きく
なりすぎ、75重量％より多い場合は、ガラスが失
透し易くなる。 B2O3含量は、15〜35重量％、好ましくは15〜
30重量％、さらに好ましくは20〜30重量％であ
る。15重量％より少ない場合は、ガラスが失透し
易くなり、35重量％より多い場合は、均質なガラ
スが得られなくなると共に熱膨張係数が大きくな
り過ぎる。 SiO2含量は、２〜20重量％、好ましくは３〜
15重量％、さらに好ましくは５〜15重量％であ
る。２重量％より少ない場合は、ガラスが失透し
易くなり、20重量％より多い場合は、均質なガラ
スが得られなくなる。 PbO含量は０〜10重量％、好ましくは0.5〜10
重量％である。10重量％より多い場合は、封着時
にガラスが還元され易くなる。 Al2O3は、ガラスを安定化し、化学的耐久性を
向上させるが、３重量％より多い場合は、ガラス
の粘性が上がり良好な被覆が得にくくなる。 Sb2O3は、ガラスの溶解性を向上するが、２重
量％より多く添加しても然程効果に変化がない。 Nb2O5含量は、０〜５重量％、好ましくは0.1
〜５重量％である。５重量％以上になると溶解し
難く均質なガラスが得られなくなると共にシリコ
ン素子表面の正電荷が増えて逆方向洩れ電流が大
きくなる。 Bi2O3含量は、０〜20重量％、好ましくは0.1〜
20重量％である。20重量％より多い場合は、熱膨
張係数が大きくなりすぎ、且つ均質なガラスが得
にくくなる。 本発明の半導体被覆用ガラスは、上記のガラス
粉末100重量％に対して無機耐火物の添加剤、所
謂「フイラー」として亜鉛華粉末、ジンクボーレ
イト粉末、ウイレマイト粉末の２種以上を５〜20
重量％混合してなることを特徴とする。フイラー
が５重量％より少ない場合は、低い焼成温度で微
細結晶を充分に析出することができず、20重量％
より多くなる場合は、結晶粒度が大かくなると共
に流動性も損なわれる。また本発明のガラスはフ
イラーを２種以上混合することによつて結晶の種
類を多くし微細な結晶を充分に析出し、電気特性
を安定にすることを特徴とするが、フイラーを単
独で用いる場合は、低い焼成温度で緻密な結晶を
析出するのが困難となる。 本発明の半導体被覆用ガラスを製造する場合
は、通常のガラス溶融法と同じく各元素の酸化物
又はそれらを含む出発原料を所望の組成になるよ
うに調合し、混合した後白金−ロジウム合金ルツ
ボに入れ約1300℃の温度で１〜２時間溶融する。
溶融ガラスは水冷式ステンレス製ローラーの間に
注いで薄いガラスフイルム状にするが、もしくは
純水中に注いで水砕し乾燥した後、ボールミルに
て350メツシユ以下に粉砕する。 ウイレマイト粉末（Zn2SiO4）及びジンクボー
レイト（ZnO・B2O3）粉末は、次のように調製
する。 ウイレマイト粉末は、亜鉛華、シリカ粉末を
ZnOとSiO2モル比が２：１になるように調合し、
約1450℃の高温で焼成した後、得られた焼結体を
微粉砕して製造したものを使用し、ジンクボーレ
イト粉末は、亜鉛華および硼酸をZnOとB2O3の
モル比が１：１、５：２、３：２、２：１等にな
るように調合し、約900℃で焼成した後、得られ
た焼結体を微粉砕して製造したものを使用する。 尚、フイラー粒度は5μ以下が望ましく、フイ
ラーの粒度が細かいほどガラスから析出する結晶
粒の粒径が小さくなり機械的強度が増す。 実施例 以下実施例により本発明を説明する。 表１は本発明に係るガラス組成を示したもので
ある。
めてＰ−Ｎ接合部を有するシリコンダイオードの
モールド、あるいはメサ型サイリスター、トラン
ジスタ等のパシベーシヨンガラスに関する。 従来技術 一般に、シリコンダイオードやトランジスタ等
の半導体装置においては、半導体素子の表面安定
化のために、あるいは半導体素子の外気による汚
染を防止し、その特性の変化を防ぐために、半導
体素子のＰ−Ｎ接合部を含む表面をガラスで被覆
することが行なわれている。 従来よりこの種の被覆ガラスとして信頼性に優
れたZnO系ガラスが多く用いられている。ZnO系
ガラスの場合、結晶の析出状態による電気特性が
左右され、微細結晶が析出するほどガラス中の可
動イオンが不動化し信頼性の高いデバイスが得ら
れる。本出願人は、以前ZnO系ガラス及び該ガラ
スに低膨張耐火物フイラー粉末を加えたガラスを
多く提案したが、これらのガラスは各々欠点を有
している。 例えば、特公昭54−7557号のZnO系ガラスに核
形成剤としてTiO2、ZrO2、ZnO、αZnO・B2O3、
2ZnO・SiO2の少なくとも１種以上を0.01〜５重
量％添加してなる被覆用ガラスは、核形成剤の添
量が少ないため低い焼成温度で緻密な結晶を充分
に析出することは困難で満足な電気特性を得るこ
とができなかつた。特に核形成剤を単独で添加す
る場合は、析出する結晶のサイズは大きくなるが
低い焼成温度で緻密な結晶を得ることが困難であ
つた。また特開昭57−56345号のZnO−B2O3−
SiO2系ガラスも核形成剤を含有しないため低い
焼成温度で緻密な結晶を析出することができなか
つた。 発明の目的 本発明は、上記の問題点を改良するために鑑み
なされたものであり、その目的とするところは、
低い焼成温度において微細結晶を安定して析出す
ると共に被覆ガラス中の電荷量が適当な量の負電
荷を有する様に制御すること（これによつて、半
導体素子に誘起される電荷は適当な量の正電荷に
なる）ができる被覆用ガラスを提供することにあ
る。 発明の構成 本発明の半導体被覆用ガラスは、重量％で、主
成分がZnO45〜75％、B2O315〜35％、SiO22〜20
％からなるガラス粉末100％に対して、フイラー
として亜鉛華粉末、ジンクボーレイト粉末、ウイ
レマイト粉末の２種以上を５％〜20％混合してな
ることを特徴とする。 本発明の半導体被覆用ガラスは、好ましくは重
量％でZnO50〜75％、B2O315〜35％、SiO23〜15
％、PbO0〜10％、Al2O30〜３％、Sb2O30〜２
％、Nb2O50〜５％、Bi2O30〜20％からなるガラ
ス粉末100％に対してフイラーとして亜鉛華粉末、
ジンクボーレイト粉末、ウイレマイト粉末の２種
以上を５〜20％混合してなることを特徴とする。 本発明の半導体被覆用ガラスは、さらに好まし
くは重量％でZnO50〜70％、B2O320〜30％、
SiO25〜15％、PbO0.5〜10％、Al2O30〜３％、
Sb2O30.1〜２％、Nb2O50.1〜５％、Bi2O30.1〜
20％からなるガラス粉末100％に対してフイラー
として亜鉛華粉末、ジンクボーレイト粉末、ウイ
レマイト粉末の２種以上を５〜20％混合してなる
ことを特徴とする。 本発明において上記の如くガラス粉末組成及び
フイラーの量を限定した理由は以下に示す通りで
ある。 ZnO含量は、45〜75重量％、好ましくは50〜75
重量％、さらに好ましくは50〜70重量％である。
45重量％より少ない場合は、熱膨張係数が大きく
なりすぎ、75重量％より多い場合は、ガラスが失
透し易くなる。 B2O3含量は、15〜35重量％、好ましくは15〜
30重量％、さらに好ましくは20〜30重量％であ
る。15重量％より少ない場合は、ガラスが失透し
易くなり、35重量％より多い場合は、均質なガラ
スが得られなくなると共に熱膨張係数が大きくな
り過ぎる。 SiO2含量は、２〜20重量％、好ましくは３〜
15重量％、さらに好ましくは５〜15重量％であ
る。２重量％より少ない場合は、ガラスが失透し
易くなり、20重量％より多い場合は、均質なガラ
スが得られなくなる。 PbO含量は０〜10重量％、好ましくは0.5〜10
重量％である。10重量％より多い場合は、封着時
にガラスが還元され易くなる。 Al2O3は、ガラスを安定化し、化学的耐久性を
向上させるが、３重量％より多い場合は、ガラス
の粘性が上がり良好な被覆が得にくくなる。 Sb2O3は、ガラスの溶解性を向上するが、２重
量％より多く添加しても然程効果に変化がない。 Nb2O5含量は、０〜５重量％、好ましくは0.1
〜５重量％である。５重量％以上になると溶解し
難く均質なガラスが得られなくなると共にシリコ
ン素子表面の正電荷が増えて逆方向洩れ電流が大
きくなる。 Bi2O3含量は、０〜20重量％、好ましくは0.1〜
20重量％である。20重量％より多い場合は、熱膨
張係数が大きくなりすぎ、且つ均質なガラスが得
にくくなる。 本発明の半導体被覆用ガラスは、上記のガラス
粉末100重量％に対して無機耐火物の添加剤、所
謂「フイラー」として亜鉛華粉末、ジンクボーレ
イト粉末、ウイレマイト粉末の２種以上を５〜20
重量％混合してなることを特徴とする。フイラー
が５重量％より少ない場合は、低い焼成温度で微
細結晶を充分に析出することができず、20重量％
より多くなる場合は、結晶粒度が大かくなると共
に流動性も損なわれる。また本発明のガラスはフ
イラーを２種以上混合することによつて結晶の種
類を多くし微細な結晶を充分に析出し、電気特性
を安定にすることを特徴とするが、フイラーを単
独で用いる場合は、低い焼成温度で緻密な結晶を
析出するのが困難となる。 本発明の半導体被覆用ガラスを製造する場合
は、通常のガラス溶融法と同じく各元素の酸化物
又はそれらを含む出発原料を所望の組成になるよ
うに調合し、混合した後白金−ロジウム合金ルツ
ボに入れ約1300℃の温度で１〜２時間溶融する。
溶融ガラスは水冷式ステンレス製ローラーの間に
注いで薄いガラスフイルム状にするが、もしくは
純水中に注いで水砕し乾燥した後、ボールミルに
て350メツシユ以下に粉砕する。 ウイレマイト粉末（Zn2SiO4）及びジンクボー
レイト（ZnO・B2O3）粉末は、次のように調製
する。 ウイレマイト粉末は、亜鉛華、シリカ粉末を
ZnOとSiO2モル比が２：１になるように調合し、
約1450℃の高温で焼成した後、得られた焼結体を
微粉砕して製造したものを使用し、ジンクボーレ
イト粉末は、亜鉛華および硼酸をZnOとB2O3の
モル比が１：１、５：２、３：２、２：１等にな
るように調合し、約900℃で焼成した後、得られ
た焼結体を微粉砕して製造したものを使用する。 尚、フイラー粒度は5μ以下が望ましく、フイ
ラーの粒度が細かいほどガラスから析出する結晶
粒の粒径が小さくなり機械的強度が増す。 実施例 以下実施例により本発明を説明する。 表１は本発明に係るガラス組成を示したもので
ある。
【表】
表２は、表１の試料No.１、６、７のガラス組成
にフイラーを添加したガラス並びにその焼成温
度、結晶析出状態、表面電荷密度を示したもので
ある。
にフイラーを添加したガラス並びにその焼成温
度、結晶析出状態、表面電荷密度を示したもので
ある。
【表】
【表】
表２から明らかなようにフイラーを５重量％以
上添加したガラスは、５重量％以下のガラスに比
べ680℃以下の低温度域においても結晶析出状態
が良く即ち微細結晶が多量析出し、デバイスに適
用した時も、良好な電気特性を示した。またフイ
ラーの種類及び組合せを変えることにより、表面
電荷密度を＋２から＋９まで大きく変化させるこ
とが可能で、デバイスの要求耐圧に応じてガラス
を選択することができる。 発明の効果 以上の如く本発明の半導体被覆用ガラスは、低
い焼成温度において微細結晶を安定して析出する
と共に被覆ガラス中の電荷量が適当な量の負電荷
を有する様に制御することができるものであり、
特に低圧用モールド用ガラスとして好適である。
上添加したガラスは、５重量％以下のガラスに比
べ680℃以下の低温度域においても結晶析出状態
が良く即ち微細結晶が多量析出し、デバイスに適
用した時も、良好な電気特性を示した。またフイ
ラーの種類及び組合せを変えることにより、表面
電荷密度を＋２から＋９まで大きく変化させるこ
とが可能で、デバイスの要求耐圧に応じてガラス
を選択することができる。 発明の効果 以上の如く本発明の半導体被覆用ガラスは、低
い焼成温度において微細結晶を安定して析出する
と共に被覆ガラス中の電荷量が適当な量の負電荷
を有する様に制御することができるものであり、
特に低圧用モールド用ガラスとして好適である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 重量％で、主成分がZnO45〜75％、B2O315
〜35％、SiO22〜20％からなるガラス粉末100％
に対して、フイラーとして亜鉛華粉末、ジンクボ
ーレイト粉末、ウイレマイト粉末の２種以上を５
〜20％混合してなる半導体被覆用ガラス。 ２ 重量％で、ZnO50〜75％、B2O315〜30％、
SiO23〜15％、PbO0〜10％、Al2O30〜３％、
Sb2O30〜２％、Nb2O50〜５％、Bi2O30〜20％か
らなるガラス粉末100％に対して、フイラーとし
て亜鉛華粉末、ジンクボーレイト粉末、ウイレマ
イト粉末の２種以上を５〜20％混合してなる半導
体被覆用ガラス。 ３ 重量％で、ZnO50〜70％、B2O320〜30％、
SiO25〜15％、PbO0.5〜10％、Al2O30〜３％、
Sb2O30.1〜２％、Nb2O50.1〜５％、Bi2O30.1〜
20％からなるガラス粉末100％に対してフイラー
として亜鉛華粉末、ジンクボーレイト粉末、ウイ
レマイト粉末の２種以上を５〜20％混合してなる
半導体被覆用ガラス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177085A JPS61242928A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 半導体被覆用ガラス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8177085A JPS61242928A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 半導体被覆用ガラス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61242928A JPS61242928A (ja) | 1986-10-29 |
| JPH0149653B2 true JPH0149653B2 (ja) | 1989-10-25 |
Family
ID=13755699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8177085A Granted JPS61242928A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 半導体被覆用ガラス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61242928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1985
- 1985-04-17 JP JP8177085A patent/JPS61242928A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPS61242928A (ja) | 1986-10-29 |
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