JPH01307229A - 堆積膜形成法 - Google Patents
堆積膜形成法Info
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- JPH01307229A JPH01307229A JP13887488A JP13887488A JPH01307229A JP H01307229 A JPH01307229 A JP H01307229A JP 13887488 A JP13887488 A JP 13887488A JP 13887488 A JP13887488 A JP 13887488A JP H01307229 A JPH01307229 A JP H01307229A
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 8
- 101100441092 Danio rerio crlf3 gene Proteins 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 17
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 9
- 229910020323 ClF3 Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N trifluorochlorine Chemical compound FCl(F)F JOHWNGGYGAVMGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 4
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 6
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 73
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 57
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N [Si].[N+][O-] Chemical compound [Si].[N+][O-] NCMAYWHYXSWFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はプラズマCv法や光CVD法など気相反ろによ
シリコン系堆積膜を基板上に形成する堆積膜形成法の改
良に関し、とくに排気系のりIJ−ニング方法を改良し
た堆積膜形成法に関する。
シリコン系堆積膜を基板上に形成する堆積膜形成法の改
良に関し、とくに排気系のりIJ−ニング方法を改良し
た堆積膜形成法に関する。
気相法により基板上にシリコン系堆積膜等の機能性堆積
膜を形成する技術は、たとえば電子写真用像形成部材及
び太陽電池等の光導電部材やTPT等の半導体素子を製
造する場合などに既に広く採用されている。
膜を形成する技術は、たとえば電子写真用像形成部材及
び太陽電池等の光導電部材やTPT等の半導体素子を製
造する場合などに既に広く採用されている。
このような気相法による堆積膜形成法によれば、反応生
成物の一部が目的とする基板以外の部分、すなわち排気
管や堆積室等の内壁に被膜又は粉末として付着すること
が避けられない・ このうち特に排気管の内壁に付着した被膜や粉末は、排
気管の実質的な排気抵抗を増大させる原因となり、成膜
時の堆積室内の圧力変動を生じさせる結果、形成された
堆積膜の品質及び特性の安定性を損ねるという問題点が
あった。
成物の一部が目的とする基板以外の部分、すなわち排気
管や堆積室等の内壁に被膜又は粉末として付着すること
が避けられない・ このうち特に排気管の内壁に付着した被膜や粉末は、排
気管の実質的な排気抵抗を増大させる原因となり、成膜
時の堆積室内の圧力変動を生じさせる結果、形成された
堆積膜の品質及び特性の安定性を損ねるという問題点が
あった。
この問題点を解決するための手段として、排気手段にた
とえばメカニカル・ブースター・4ンプなどの排気速度
可変型真空排気ポンプを使用し、成膜時の堆積室内の圧
力をモニターしながら、それが一定となるように該−ン
プの排気速度を変化させる方法が知られている。
とえばメカニカル・ブースター・4ンプなどの排気速度
可変型真空排気ポンプを使用し、成膜時の堆積室内の圧
力をモニターしながら、それが一定となるように該−ン
プの排気速度を変化させる方法が知られている。
しかしながら、この方法では前記ポンプ及び堆積室内の
圧力をモニターし排気速度を変化させ堆積室内の圧力が
一定となるようフィードバックするシステムに多額の費
用が必要となシ、その結果、堆積膜の製品コストを上昇
させる欠点がある。
圧力をモニターし排気速度を変化させ堆積室内の圧力が
一定となるようフィードバックするシステムに多額の費
用が必要となシ、その結果、堆積膜の製品コストを上昇
させる欠点がある。
また、前記問題点の別の解決手段として、排気管にクリ
ーニング用のガスの供給口、たとえばCF4やNF3等
のAわゆるエツチングガスの供給口を設け、この供給口
からエツチングガスを供給するとともに、該供給口と排
気手段との間にたとえばグロー放電等のガス分解手段を
用いてこのエツチングガスを分解し、排気管の内壁に付
着していた被膜や粉末と反応せしめ、気相に戻して排気
させ一以って排気管内壁をクリーニングして排気抵抗の
一定化を図シ、内圧を一定にする方法も知られている。
ーニング用のガスの供給口、たとえばCF4やNF3等
のAわゆるエツチングガスの供給口を設け、この供給口
からエツチングガスを供給するとともに、該供給口と排
気手段との間にたとえばグロー放電等のガス分解手段を
用いてこのエツチングガスを分解し、排気管の内壁に付
着していた被膜や粉末と反応せしめ、気相に戻して排気
させ一以って排気管内壁をクリーニングして排気抵抗の
一定化を図シ、内圧を一定にする方法も知られている。
しかし、この方法では排気管に供給し九エッチングブス
の分解手段、たとえばグロー放電等のエネルギー供給手
段を必要とするため、装置を複雑化するとともKこれも
堆積膜の製品コストを上昇させる問題点が残る・ 〔発明の目的〕 本発明の目的は、気相法によシ基板上に堆積膜を形成す
る方法において、排気路内壁に付着する被膜又は粉末が
もたらす堆積室内の圧力変動を低コストで抑制すること
ができ、且つ堆積膜の品質及び特性を安定化させる堆積
膜形成法を提供することKある。
の分解手段、たとえばグロー放電等のエネルギー供給手
段を必要とするため、装置を複雑化するとともKこれも
堆積膜の製品コストを上昇させる問題点が残る・ 〔発明の目的〕 本発明の目的は、気相法によシ基板上に堆積膜を形成す
る方法において、排気路内壁に付着する被膜又は粉末が
もたらす堆積室内の圧力変動を低コストで抑制すること
ができ、且つ堆積膜の品質及び特性を安定化させる堆積
膜形成法を提供することKある。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は、気
相法によシ基体上に堆積膜を形成するための堆積室と該
室内を排気するための排気系とを備えた堆積膜形成装置
f、用いる堆積膜形成法において、堆積膜形成時に、前
記排気系の排気路にCtV、を供給することを特徴とす
る。
相法によシ基体上に堆積膜を形成するための堆積室と該
室内を排気するための排気系とを備えた堆積膜形成装置
f、用いる堆積膜形成法において、堆積膜形成時に、前
記排気系の排気路にCtV、を供給することを特徴とす
る。
すなわち、本発明はプラズマや熱などエネルギー供給手
段を用いることなく、排気路内壁のクリーニングを可能
とするものである。前記ガス供給口から供給されたCl
F3ガスは反応性が高く、外部からエネルギーを供給し
なくても常温でポリシランと反応し、反応生成物を5I
F4. SiF、(t・・・・・・などのシリコン系化
合物として気相に戻せる丸め、排気系の乾式クリーニン
グが可能となる。
段を用いることなく、排気路内壁のクリーニングを可能
とするものである。前記ガス供給口から供給されたCl
F3ガスは反応性が高く、外部からエネルギーを供給し
なくても常温でポリシランと反応し、反応生成物を5I
F4. SiF、(t・・・・・・などのシリコン系化
合物として気相に戻せる丸め、排気系の乾式クリーニン
グが可能となる。
以下、図面を参照しながら本発明を具体的に説明する。
第1図は、気相法で堆積膜を形成するための堆積膜形成
装置の一例を示すものである。同図において、101は
堆積膜形成用の反応槽で、この中には成膜用ガ♂放出口
102、グロー放電を生起させるための電極103、基
板104が設けられている。105は電極103に連絡
されたグロー放電生起用高周波電源、106は真空計、
107は基板加熱用ヒーター、108はヒーター用電源
である。また、111及び121は堆積膜形成用O原料
ガス、あるいは希釈ガス、ドーピングがス、たとえば5
IH4p Si2H6s Gem4.H2t Ar s
B2H6゜PH3等が充填されたボンベであり、11
2と122はそれぞれがンベの開閉パルプ、113と1
23はいづれもガス圧力を必要な値まで下げるための減
圧装置、114と124は各々ガス流量を制御するため
のマスフローコントローラーである。
装置の一例を示すものである。同図において、101は
堆積膜形成用の反応槽で、この中には成膜用ガ♂放出口
102、グロー放電を生起させるための電極103、基
板104が設けられている。105は電極103に連絡
されたグロー放電生起用高周波電源、106は真空計、
107は基板加熱用ヒーター、108はヒーター用電源
である。また、111及び121は堆積膜形成用O原料
ガス、あるいは希釈ガス、ドーピングがス、たとえば5
IH4p Si2H6s Gem4.H2t Ar s
B2H6゜PH3等が充填されたボンベであり、11
2と122はそれぞれがンベの開閉パルプ、113と1
23はいづれもガス圧力を必要な値まで下げるための減
圧装置、114と124は各々ガス流量を制御するため
のマスフローコントローラーである。
141は反応ll1101を真空にする際に用いる排気
管、142は排気パルプ、143は排気ポンプである。
管、142は排気パルプ、143は排気ポンプである。
また、131は少なくともC1F、を含むガスが充填さ
れたボンベ、132はボンベ(7)開閉パルプ、133
はガス圧力を所定の値にまで下げるための減圧器、13
4はガス流量を制御するためのマスフローコントローラ
ーである。
れたボンベ、132はボンベ(7)開閉パルプ、133
はガス圧力を所定の値にまで下げるための減圧器、13
4はガス流量を制御するためのマスフローコントローラ
ーである。
次に、上述した堆積膜形成装置の作用もしくは操作方法
について具体的に説明する。
について具体的に説明する。
まず、排気ボンf143を起動し、排気パルプ142を
開けて反応槽101ft排気し、いったん系内を充分な
高真空に保つ。次に、成膜用ガスが充填されたボンベ1
11の開閉パルプ112を開き、減圧器113t−通じ
て所定の値に減圧したのチ、成膜用ガスをマスフローコ
ントローラー114を通じて所定のガス流量に設定し、
ガス放出口102から反応槽101内に導入する。この
とき、成膜用ガスは一種類であってもよいし、また複数
の原料ガス、あるいは希釈ガス、ドーピングガス等をた
とえば?ンベ121尋の複数のボンベから供給し、ボン
ベ111からのガスと混合したのち反応槽101に導入
してもよい。こうして反応槽101内に所定の流量のガ
スを導入したのち、真空計106を見ながら排気パルプ
142の開閉度を調節して反応槽101内の圧力が所定
の値となるようにする。反応槽101内の圧力が所定の
圧力となったら、高周波電源105を用い、電極103
に高周波を与えて反応槽101内に高周波グロー放電を
生起せしめ、ヒーター107により所定の温度に加熱さ
れた基板104上に堆積膜を形成する。
開けて反応槽101ft排気し、いったん系内を充分な
高真空に保つ。次に、成膜用ガスが充填されたボンベ1
11の開閉パルプ112を開き、減圧器113t−通じ
て所定の値に減圧したのチ、成膜用ガスをマスフローコ
ントローラー114を通じて所定のガス流量に設定し、
ガス放出口102から反応槽101内に導入する。この
とき、成膜用ガスは一種類であってもよいし、また複数
の原料ガス、あるいは希釈ガス、ドーピングガス等をた
とえば?ンベ121尋の複数のボンベから供給し、ボン
ベ111からのガスと混合したのち反応槽101に導入
してもよい。こうして反応槽101内に所定の流量のガ
スを導入したのち、真空計106を見ながら排気パルプ
142の開閉度を調節して反応槽101内の圧力が所定
の値となるようにする。反応槽101内の圧力が所定の
圧力となったら、高周波電源105を用い、電極103
に高周波を与えて反応槽101内に高周波グロー放電を
生起せしめ、ヒーター107により所定の温度に加熱さ
れた基板104上に堆積膜を形成する。
堆積膜形成開始と同時に開閉バルブ132t−開け、少
なくともC1F、を含むガスの充填されたボンベ−13
1カラ減圧器133.マスフローコントローラー134
を通して所定流量の、少なくともCtF、を含むガスを
排気管141に供給する。所望の厚さの堆積膜が形成さ
れた後に、成膜用ガス並びに少なくともCLF、を含む
ガスの供給を止め、系内をパージしてから反応槽101
をリークさせ、基板104を取出す。堆積膜形成中に排
気管141に供給され九少なくともC1F、を含むガス
は、排気管141に付着している反応生成物に作用し、
それを気相に戻し、さらには反応槽101から流入して
くる反応生成物の元になる前駆体を単体のシリコン系化
合物の気体となし、排気ポンプ143から排気する。
なくともC1F、を含むガスの充填されたボンベ−13
1カラ減圧器133.マスフローコントローラー134
を通して所定流量の、少なくともCtF、を含むガスを
排気管141に供給する。所望の厚さの堆積膜が形成さ
れた後に、成膜用ガス並びに少なくともCLF、を含む
ガスの供給を止め、系内をパージしてから反応槽101
をリークさせ、基板104を取出す。堆積膜形成中に排
気管141に供給され九少なくともC1F、を含むガス
は、排気管141に付着している反応生成物に作用し、
それを気相に戻し、さらには反応槽101から流入して
くる反応生成物の元になる前駆体を単体のシリコン系化
合物の気体となし、排気ポンプ143から排気する。
以上で明らかな如く、堆積膜形成時と同時に排気管14
1に少なくともClF3を含むガスを供給することによ
って、排気管内壁にはポリシラン等の反応生成物が付着
することなく、反応[101内の圧力は終始一定に保た
れ、基板104上には安定した品質と特性をもつ堆積膜
を形成することが可能となる。
1に少なくともClF3を含むガスを供給することによ
って、排気管内壁にはポリシラン等の反応生成物が付着
することなく、反応[101内の圧力は終始一定に保た
れ、基板104上には安定した品質と特性をもつ堆積膜
を形成することが可能となる。
なお、上記具体例では堆積膜形成用原料ガスへのエネル
ギー供給手段としてR,F、グロー放電を用いた例につ
いて説明したが1本発明はこれに限定されず、原料ガス
へのエネルギー供給手段としてマイクロ波グロー放電法
、 D、C,グロー放電法、光cVD法、熱CVD法等
を用いた場合において本適用可能である。
ギー供給手段としてR,F、グロー放電を用いた例につ
いて説明したが1本発明はこれに限定されず、原料ガス
へのエネルギー供給手段としてマイクロ波グロー放電法
、 D、C,グロー放電法、光cVD法、熱CVD法等
を用いた場合において本適用可能である。
また1本発明に用いる原料ガスとしてはシリコン系半導
体、たとえばシリコン膜、シリコンダルマニウム膜、シ
リコンカーバイド膜などの構成要素となるものであれば
とくに制限はない。たとえばSiH4゜S l 2H6
+ 81 F4 + S l 2F6 +GeH4、G
eF4 、CH4、C2H2IN2+NH3。
体、たとえばシリコン膜、シリコンダルマニウム膜、シ
リコンカーバイド膜などの構成要素となるものであれば
とくに制限はない。たとえばSiH4゜S l 2H6
+ 81 F4 + S l 2F6 +GeH4、G
eF4 、CH4、C2H2IN2+NH3。
02、No等が挙げられ、希釈ガスとしてはH2、Ar
+He等を用いることができ、また膜へのドーピング
を行なう場合にはドーピングがスとしてたとえばB2H
6e BF3 、 PH3,PF5 、 PF5 、
N2等が挙げられ、以上を単体で用いてもよいし、目的
に応じて2種類以上のガスを混合して用いてもよい。
+He等を用いることができ、また膜へのドーピング
を行なう場合にはドーピングがスとしてたとえばB2H
6e BF3 、 PH3,PF5 、 PF5 、
N2等が挙げられ、以上を単体で用いてもよいし、目的
に応じて2種類以上のガスを混合して用いてもよい。
また、少なくともcz、p、を含むガスとしてはC1F
3ガス単体を用いてもよいし5反応速度の制御、排気
・管内の圧力制御のためにたとえばH・、 Ar等で希
釈して用いてもよい。
3ガス単体を用いてもよいし5反応速度の制御、排気
・管内の圧力制御のためにたとえばH・、 Ar等で希
釈して用いてもよい。
さらに本発明に用いる基板としては特に制限されるもの
ではなく、目的に応じて適宜選択される。
ではなく、目的に応じて適宜選択される。
九とえば導電性基板としてはAt、 Is 、 F・等
の導電性材料あるいは非導電性基板上に導電性薄膜を設
けた材料が挙げられ、また非導電性基板としてはガラス
、石英、セラミックス等が挙げられ、以上の材料を目的
に応じて平板状、円筒状等に加工して用いることができ
る。また、基板の温度も特に制限されるものではないが
、良好な特性をもつ膜を形成するため、好ましくは10
0〜500℃、より好ましくは200〜350℃とする
のが適当である。
の導電性材料あるいは非導電性基板上に導電性薄膜を設
けた材料が挙げられ、また非導電性基板としてはガラス
、石英、セラミックス等が挙げられ、以上の材料を目的
に応じて平板状、円筒状等に加工して用いることができ
る。また、基板の温度も特に制限されるものではないが
、良好な特性をもつ膜を形成するため、好ましくは10
0〜500℃、より好ましくは200〜350℃とする
のが適当である。
さらに本発明では少なくともctp、を含むガスの供給
口は、堆積室と排気管の付根の部分に位置してもよい。
口は、堆積室と排気管の付根の部分に位置してもよい。
以下、実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する
が、本発明はそれに限定されるものではない。
が、本発明はそれに限定されるものではない。
実施例1.比較例1:
原料ガスへのエネルギー供給手段として高周波(R,F
)グロー放電プラズマを用いる第1図の装置を使用する
本発明の堆積膜形成時と、排気管141にガス供給口を
有しないこと以外は第1図と同構成の装置を用いる従来
の堆積膜形成法とによ〕、それぞれ第1表に示す条件で
先述した手順に従ってコーニングtr17059ガラス
基板上にシリコン系堆積膜の形成を行なった。形成した
堆積膜は非・晶質シリコン膜(a−81)、非晶質シリ
コンナイトライド膜(a−8iN)、非晶質酸化窒素シ
リコン膜(a−81ON) 、非晶質シリコンゲルマニ
ウム膜(a−8’IGe)である。堆積膜形成中は本発
明方法および従来法ともに排気バルブの開閉による堆積
室内の圧力制御は行なわず、膜形成後の排気管内壁への
粉末堆積の状態を目視で観察した。又、得られた膜につ
いて、厚みの測定ならびに膜にクシ形の電極を蒸着し、
電気的特性としてσ、(明電気伝導度)、σd(暗電気
伝導度)をそれぞれ測定し、これらの比eIp/σdに
よシ光導電性を有する膜としての評価を行°逓りた。膜
形成及び評価は各々10回行ない、バラツキの上限と下
限を示した。以上の結果を第2表に示す。第2表に明ら
かなように、a −81M。
)グロー放電プラズマを用いる第1図の装置を使用する
本発明の堆積膜形成時と、排気管141にガス供給口を
有しないこと以外は第1図と同構成の装置を用いる従来
の堆積膜形成法とによ〕、それぞれ第1表に示す条件で
先述した手順に従ってコーニングtr17059ガラス
基板上にシリコン系堆積膜の形成を行なった。形成した
堆積膜は非・晶質シリコン膜(a−81)、非晶質シリ
コンナイトライド膜(a−8iN)、非晶質酸化窒素シ
リコン膜(a−81ON) 、非晶質シリコンゲルマニ
ウム膜(a−8’IGe)である。堆積膜形成中は本発
明方法および従来法ともに排気バルブの開閉による堆積
室内の圧力制御は行なわず、膜形成後の排気管内壁への
粉末堆積の状態を目視で観察した。又、得られた膜につ
いて、厚みの測定ならびに膜にクシ形の電極を蒸着し、
電気的特性としてσ、(明電気伝導度)、σd(暗電気
伝導度)をそれぞれ測定し、これらの比eIp/σdに
よシ光導電性を有する膜としての評価を行°逓りた。膜
形成及び評価は各々10回行ない、バラツキの上限と下
限を示した。以上の結果を第2表に示す。第2表に明ら
かなように、a −81M。
a −SIC膜、a−8iON膜、 a−8IGe膜い
づれの堆積膜形成時においても、排気管内壁の被膜及び
粉末の付着はなく、又長時間の膜堆積時にも内圧の変動
は極めて少なく、さらに得られた膜の厚さ、電気的特性
ともに°従来例に比し極めて安定していた。
づれの堆積膜形成時においても、排気管内壁の被膜及び
粉末の付着はなく、又長時間の膜堆積時にも内圧の変動
は極めて少なく、さらに得られた膜の厚さ、電気的特性
ともに°従来例に比し極めて安定していた。
実施例2.比較例2:
g1図における反応槽101に替えて基板の回転装置を
備えた同軸円筒型反応槽を用い、基板として円筒状アル
ミニウム基板(外径80龍、長さ358順)を用いて、
本発明の堆積膜形成法により、光源として半導体レーザ
ーを用いた榛写機に搭載する電子写真用光受容部材の形
成を行なった。
備えた同軸円筒型反応槽を用い、基板として円筒状アル
ミニウム基板(外径80龍、長さ358順)を用いて、
本発明の堆積膜形成法により、光源として半導体レーザ
ーを用いた榛写機に搭載する電子写真用光受容部材の形
成を行なった。
その製造条件を第3表に示す、電子写真用光受容部材の
形成は基板側から長波長光吸収層、電荷注入阻止層、光
導を層、表面層の順に行なった。得られた電子写真用光
受容部材を複写機(商品名ND−9330、キャノン(
株)製)に搭載し、電子写真特性として+6.5 kV
のコロナ放電による受容電。
形成は基板側から長波長光吸収層、電荷注入阻止層、光
導を層、表面層の順に行なった。得られた電子写真用光
受容部材を複写機(商品名ND−9330、キャノン(
株)製)に搭載し、電子写真特性として+6.5 kV
のコロナ放電による受容電。
位ならびに波長790朋のレーザー光源による半減露光
量による評価を行なりた。電子写真用光受容部材の形成
と評価は10回行ない、又比較のために第3表に示した
製造条件においてCtV 、を含むガスを流さずに形成
した電子写真用光受容部材の評価も併わせて行ない、各
々について上限と下限を示した。その結果を第4表に示
す。
量による評価を行なりた。電子写真用光受容部材の形成
と評価は10回行ない、又比較のために第3表に示した
製造条件においてCtV 、を含むガスを流さずに形成
した電子写真用光受容部材の評価も併わせて行ない、各
々について上限と下限を示した。その結果を第4表に示
す。
第4表に明らかなように、本発明の堆積膜形成法で形成
された電子写真光受容部材は、従来の堆積膜形成法で形
成されたそれに比べて受容電位、半減露光量のバラツキ
が少なく、鮮明な画像が得られ、電子写真特性が極めて
安定していた。又、膜形成時においては、排気管の被膜
及び粉末の付着がなく、且つ内圧変動も極めて少なく、
本発明の効果が顕著であることが確認された。
された電子写真光受容部材は、従来の堆積膜形成法で形
成されたそれに比べて受容電位、半減露光量のバラツキ
が少なく、鮮明な画像が得られ、電子写真特性が極めて
安定していた。又、膜形成時においては、排気管の被膜
及び粉末の付着がなく、且つ内圧変動も極めて少なく、
本発明の効果が顕著であることが確認された。
実施例3.比較例3
第、1図に示す装置を用いて本発明の堆積膜形成法によ
りアモルファスシリコン太陽電池を製造した。基板には
透明電極としてITOを蒸着した7059ガラス板(1
α×1眞)を用い、基板側からP型アモルファスシリコ
フM (P型a−81)、を型アモルファスシリコンI
I(i型a−81)、n型アモルファスシリコン71(
n型a−8l)の順に層形成を行ない、n型a−8i層
上に金属電極を蒸着した。その製造条件を第5表に示す
。
りアモルファスシリコン太陽電池を製造した。基板には
透明電極としてITOを蒸着した7059ガラス板(1
α×1眞)を用い、基板側からP型アモルファスシリコ
フM (P型a−81)、を型アモルファスシリコンI
I(i型a−81)、n型アモルファスシリコン71(
n型a−8l)の順に層形成を行ない、n型a−8i層
上に金属電極を蒸着した。その製造条件を第5表に示す
。
得られた太陽電池の特性をAMI光照射の下で効率(η
)、フィル・ファクター(F、F )により評価□した
。太陽電池の形成と評価は30回行ない、又比較のため
第5表の製造条件でCtF3ガスを流さずに゛形成した
太陽電池の評価も併わせて行ない、6各について上限と
下限を示した。その結果を第6表に示す。
)、フィル・ファクター(F、F )により評価□した
。太陽電池の形成と評価は30回行ない、又比較のため
第5表の製造条件でCtF3ガスを流さずに゛形成した
太陽電池の評価も併わせて行ない、6各について上限と
下限を示した。その結果を第6表に示す。
第6表に明らかなように、本発明方法で製造した太陽電
池は、従来方法で製造したそれに比べ、効率(ダ)、フ
ィル・ファクタ(F、F )のバラツキが少なく、太陽
電池としての特性が安定していた。又、本発明の実施例
においては排気管への被膜及び粉末の付着のないことが
確認され、且つ膜堆積時の圧力変動が極めて少なく、本
発明の効果が顕著である。
池は、従来方法で製造したそれに比べ、効率(ダ)、フ
ィル・ファクタ(F、F )のバラツキが少なく、太陽
電池としての特性が安定していた。又、本発明の実施例
においては排気管への被膜及び粉末の付着のないことが
確認され、且つ膜堆積時の圧力変動が極めて少なく、本
発明の効果が顕著である。
以上、R,Fグロー放電を用いた湯合の本発明の実施例
を示したが、原料ガス分解法としてR,Fグロー放電に
限らず、マイクロ波グロー放電、D、Cグロー放電、さ
らには光(至)法、熱(至)法なども採用できることは
言うまでもない。
を示したが、原料ガス分解法としてR,Fグロー放電に
限らず、マイクロ波グロー放電、D、Cグロー放電、さ
らには光(至)法、熱(至)法なども採用できることは
言うまでもない。
C発明の効果〕
以上で明らかなように、本発明の堆積膜形成法によれば
、堆積膜形成時に排気路内壁に付着する反応生成物の除
去を堆積膜形成と同時だ行うことができる。
、堆積膜形成時に排気路内壁に付着する反応生成物の除
去を堆積膜形成と同時だ行うことができる。
すなわち、堆積膜形成時の堆積室内の圧力変動を抑える
ことができ、高効率だ品質及び特性の安定した堆積膜を
形成することができる。
ことができ、高効率だ品質及び特性の安定した堆積膜を
形成することができる。
また、排気系のクリーニングのためのエネルギー供給手
段を必要とせず、低コストで且つ品質及び特性の安定し
た堆積膜を形成することができる。
段を必要とせず、低コストで且つ品質及び特性の安定し
た堆積膜を形成することができる。
さらに、排気系に原料ガスの重合体が蓄積しないため、
排気系のメインテナンスの際に該重合体の、空気との接
触によって発生することがある急激な酸化による事故も
、未然に防止することができる。
排気系のメインテナンスの際に該重合体の、空気との接
触によって発生することがある急激な酸化による事故も
、未然に防止することができる。
第1図は、R,Fグロー放電を周込て本発明方法を実施
する際用いる堆積膜形成製aTの一例を示す模式的構成
図である。 101・・・反応槽、102・・・原料ガス放出口、1
03・・・電極、104・・・基板、105・・・高周
波電源、106・・・真空計、107・・・ヒーター、
108・・・ヒーター用電源、111,121・・・原
料ガスgンペ、131・・・C1F、含有ガスボンベ、
112゜122.132・・・開閉バルブ、113,1
23゜133・・・減圧器、114,124,134・
・・マスフローコントローラー、141・・・排’A’
Q、142・・・排気パルプ、143・・・排気ポンプ
。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 手続補正書 昭和63年 7月22日
する際用いる堆積膜形成製aTの一例を示す模式的構成
図である。 101・・・反応槽、102・・・原料ガス放出口、1
03・・・電極、104・・・基板、105・・・高周
波電源、106・・・真空計、107・・・ヒーター、
108・・・ヒーター用電源、111,121・・・原
料ガスgンペ、131・・・C1F、含有ガスボンベ、
112゜122.132・・・開閉バルブ、113,1
23゜133・・・減圧器、114,124,134・
・・マスフローコントローラー、141・・・排’A’
Q、142・・・排気パルプ、143・・・排気ポンプ
。 代理人 弁理士 山 下 穣 平 手続補正書 昭和63年 7月22日
Claims (1)
- 気相法により基体上に堆積膜を形成するための堆積室
と該室内を排気するための排気系とを備えた堆積膜形成
装置を用いる堆積膜形成法において、堆積膜形成時に、
前記排気系の排気路にClF_3を供給することを特徴
とする堆積膜形成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13887488A JPH01307229A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 堆積膜形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13887488A JPH01307229A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 堆積膜形成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01307229A true JPH01307229A (ja) | 1989-12-12 |
Family
ID=15232129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13887488A Pending JPH01307229A (ja) | 1988-06-06 | 1988-06-06 | 堆積膜形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01307229A (ja) |
Cited By (254)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000014782A1 (fr) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Nippon Sanso Corporation | Dispositif d'apport de grande quantite de gaz de traitement de semiconducteurs |
KR100300096B1 (ko) * | 1994-06-07 | 2001-11-30 | 히가시 데쓰로 | 처리장치,처리가스의공급방법및처리장치의크리닝방법 |
JP2005194630A (ja) * | 2003-12-31 | 2005-07-21 | Boc Group Inc:The | 堆積プロセスにおける副産物の揮発度を維持する方法及び装置 |
JP2011208193A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Iwatani Internatl Corp | 真空吸気配管のクリーニング方法 |
CN110529736A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-03 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种化学气相沉积***及供气装置和供气方法 |
US10720331B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-21 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10784102B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10787741B2 (en) | 2014-08-21 | 2020-09-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US10832903B2 (en) | 2011-10-28 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10844486B2 (en) | 2009-04-06 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
US10851456B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10943771B2 (en) | 2016-10-26 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US10950432B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-03-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
USD913980S1 (en) | 2018-02-01 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11437241B2 (en) | 2020-04-08 | 2022-09-06 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching silicon oxide films |
US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
US11488854B2 (en) | 2020-03-11 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate handling device with adjustable joints |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
US11515187B2 (en) | 2020-05-01 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Fast FOUP swapping with a FOUP handler |
US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US11530876B2 (en) | 2020-04-24 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly comprising a cooling gas supply |
US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11823866B2 (en) | 2020-04-02 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
US11827981B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material on stepped structure |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11830738B2 (en) | 2020-04-03 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming barrier layer and method for manufacturing semiconductor device |
US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11873557B2 (en) | 2020-10-22 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing vanadium metal |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
US11885020B2 (en) | 2020-12-22 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Transition metal deposition method |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
US11887857B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer comprising vanadium, nitrogen, and a further element |
US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
US11891696B2 (en) | 2020-11-30 | 2024-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Injector configured for arrangement within a reaction chamber of a substrate processing apparatus |
US11901179B2 (en) | 2020-10-28 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and device for depositing silicon onto substrates |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US11961741B2 (en) | 2020-03-12 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for fabricating layer structure having target topological profile |
US11959168B2 (en) | 2020-04-29 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Solid source precursor vessel |
US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
US11993843B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US12027365B2 (en) | 2020-11-24 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap and related systems and devices |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US12051567B2 (en) | 2021-10-04 | 2024-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including gas supply unit |
-
1988
- 1988-06-06 JP JP13887488A patent/JPH01307229A/ja active Pending
Cited By (303)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100300096B1 (ko) * | 1994-06-07 | 2001-11-30 | 히가시 데쓰로 | 처리장치,처리가스의공급방법및처리장치의크리닝방법 |
WO2000014782A1 (fr) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Nippon Sanso Corporation | Dispositif d'apport de grande quantite de gaz de traitement de semiconducteurs |
JP2005194630A (ja) * | 2003-12-31 | 2005-07-21 | Boc Group Inc:The | 堆積プロセスにおける副産物の揮発度を維持する方法及び装置 |
US10844486B2 (en) | 2009-04-06 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US10804098B2 (en) | 2009-08-14 | 2020-10-13 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
JP2011208193A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Iwatani Internatl Corp | 真空吸気配管のクリーニング方法 |
US11725277B2 (en) | 2011-07-20 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US10832903B2 (en) | 2011-10-28 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US11501956B2 (en) | 2012-10-12 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US11967488B2 (en) | 2013-02-01 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for treatment of deposition reactor |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US10787741B2 (en) | 2014-08-21 | 2020-09-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
US11795545B2 (en) | 2014-10-07 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
US11742189B2 (en) | 2015-03-12 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US11242598B2 (en) | 2015-06-26 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US11233133B2 (en) | 2015-10-21 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11956977B2 (en) | 2015-12-29 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US11676812B2 (en) | 2016-02-19 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on top/bottom portions |
US10851456B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US11101370B2 (en) | 2016-05-02 | 2021-08-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US11649546B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-05-16 | Asm Ip Holding B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US11749562B2 (en) | 2016-07-08 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
US11094582B2 (en) | 2016-07-08 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition method to form air gaps |
US11107676B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-08-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11205585B2 (en) | 2016-07-28 | 2021-12-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method of operating the same |
US11610775B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US11694892B2 (en) | 2016-07-28 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US10943771B2 (en) | 2016-10-26 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US11810788B2 (en) | 2016-11-01 | 2023-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10720331B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-21 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10934619B2 (en) | 2016-11-15 | 2021-03-02 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
US11396702B2 (en) | 2016-11-15 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply unit and substrate processing apparatus including the gas supply unit |
US11222772B2 (en) | 2016-12-14 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US12000042B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11970766B2 (en) | 2016-12-15 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11851755B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-12-26 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11001925B2 (en) | 2016-12-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US10784102B2 (en) | 2016-12-22 | 2020-09-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11251035B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US12043899B2 (en) | 2017-01-10 | 2024-07-23 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US11410851B2 (en) | 2017-02-15 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US11658030B2 (en) | 2017-03-29 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10950432B2 (en) | 2017-04-25 | 2021-03-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device |
US11848200B2 (en) | 2017-05-08 | 2023-12-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US11976361B2 (en) | 2017-06-28 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US11164955B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-11-02 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
US11695054B2 (en) | 2017-07-18 | 2023-07-04 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor device structure and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11004977B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11802338B2 (en) | 2017-07-26 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US11587821B2 (en) | 2017-08-08 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11417545B2 (en) | 2017-08-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shield |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11581220B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11069510B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11993843B2 (en) | 2017-08-31 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US10928731B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-02-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of sequential infiltration synthesis treatment of infiltrateable material and structures and devices formed using same |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11387120B2 (en) | 2017-09-28 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US11094546B2 (en) | 2017-10-05 | 2021-08-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US12033861B2 (en) | 2017-10-05 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US12040184B2 (en) | 2017-10-30 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
US11682572B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-06-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11501973B2 (en) | 2018-01-16 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
US11972944B2 (en) | 2018-01-19 | 2024-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11393690B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition method |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD913980S1 (en) | 2018-02-01 | 2021-03-23 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11735414B2 (en) | 2018-02-06 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US11685991B2 (en) | 2018-02-14 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11387106B2 (en) | 2018-02-14 | 2022-07-12 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11482418B2 (en) | 2018-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and apparatus |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11939673B2 (en) | 2018-02-23 | 2024-03-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
US10847371B2 (en) | 2018-03-27 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
US12020938B2 (en) | 2018-03-27 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
US11398382B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-07-26 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electrode on a substrate and a semiconductor device structure including an electrode |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US10867786B2 (en) | 2018-03-30 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
US11469098B2 (en) | 2018-05-08 | 2022-10-11 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing an oxide film on a substrate by a cyclical deposition process and related device structures |
US11056567B2 (en) | 2018-05-11 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a doped metal carbide film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11908733B2 (en) | 2018-05-28 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
US11361990B2 (en) | 2018-05-28 | 2022-06-14 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method and device manufactured by using the same |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11837483B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11530483B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing system |
US11296189B2 (en) | 2018-06-21 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11952658B2 (en) | 2018-06-27 | 2024-04-09 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11814715B2 (en) | 2018-06-27 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US11168395B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10914004B2 (en) | 2018-06-29 | 2021-02-09 | Asm Ip Holding B.V. | Thin-film deposition method and manufacturing method of semiconductor device |
US11923190B2 (en) | 2018-07-03 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11646197B2 (en) | 2018-07-03 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11804388B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11274369B2 (en) | 2018-09-11 | 2022-03-15 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film deposition method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
US11885023B2 (en) | 2018-10-01 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate retaining apparatus, system including the apparatus, and method of using same |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11414760B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-08-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support unit, thin film deposition apparatus including the same, and substrate processing apparatus including the same |
US11664199B2 (en) | 2018-10-19 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US11251068B2 (en) | 2018-10-19 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11735445B2 (en) | 2018-10-31 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11499226B2 (en) | 2018-11-02 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
US11866823B2 (en) | 2018-11-02 | 2024-01-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate supporting unit and a substrate processing device including the same |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US11798999B2 (en) | 2018-11-16 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11411088B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-08-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US11244825B2 (en) | 2018-11-16 | 2022-02-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
US11488819B2 (en) | 2018-12-04 | 2022-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of cleaning substrate processing apparatus |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11769670B2 (en) | 2018-12-13 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11658029B2 (en) | 2018-12-14 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a device structure using selective deposition of gallium nitride and system for same |
US11390946B2 (en) | 2019-01-17 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11959171B2 (en) | 2019-01-17 | 2024-04-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11171025B2 (en) | 2019-01-22 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11127589B2 (en) | 2019-02-01 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
US11251040B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-02-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method including treatment step and apparatus for same |
US11227789B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
US11615980B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11342216B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11798834B2 (en) | 2019-02-20 | 2023-10-24 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition method and apparatus for filling a recess formed within a substrate surface |
US11629407B2 (en) | 2019-02-22 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method for processing substrates |
US11424119B2 (en) | 2019-03-08 | 2022-08-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
US11114294B2 (en) | 2019-03-08 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOC layer and method of forming same |
US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
US11901175B2 (en) | 2019-03-08 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer |
US11378337B2 (en) | 2019-03-28 | 2022-07-05 | Asm Ip Holding B.V. | Door opener and substrate processing apparatus provided therewith |
US11551925B2 (en) | 2019-04-01 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11814747B2 (en) | 2019-04-24 | 2023-11-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor system-with a reaction chamber, a solid precursor source vessel, a gas distribution system, and a flange assembly |
US11781221B2 (en) | 2019-05-07 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Chemical source vessel with dip tube |
US11289326B2 (en) | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Method for reforming amorphous carbon polymer film |
US11355338B2 (en) | 2019-05-10 | 2022-06-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing material onto a surface and structure formed according to the method |
US11515188B2 (en) | 2019-05-16 | 2022-11-29 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
US11996309B2 (en) | 2019-05-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer boat handling device, vertical batch furnace and method |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
US11345999B2 (en) | 2019-06-06 | 2022-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method of using a gas-phase reactor system including analyzing exhausted gas |
US11476109B2 (en) | 2019-06-11 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
US11908684B2 (en) | 2019-06-11 | 2024-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an electronic structure using reforming gas, system for performing the method, and structure formed using the method |
USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
US11390945B2 (en) | 2019-07-03 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
US11746414B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Temperature control assembly for substrate processing apparatus and method of using same |
US11605528B2 (en) | 2019-07-09 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Plasma device using coaxial waveguide, and substrate treatment method |
US11664267B2 (en) | 2019-07-10 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate support assembly and substrate processing device including the same |
US11664245B2 (en) | 2019-07-16 | 2023-05-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11996304B2 (en) | 2019-07-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11688603B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium structures |
US11615970B2 (en) | 2019-07-17 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Radical assist ignition plasma system and method |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
US11282698B2 (en) | 2019-07-19 | 2022-03-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming topology-controlled amorphous carbon polymer film |
US11557474B2 (en) | 2019-07-29 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation |
US11443926B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-09-13 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11430640B2 (en) | 2019-07-30 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11876008B2 (en) | 2019-07-31 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11680839B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-06-20 | Asm Ip Holding B.V. | Liquid level sensor for a chemical source vessel |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
US11639548B2 (en) | 2019-08-21 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Film-forming material mixed-gas forming device and film forming device |
US12040229B2 (en) | 2019-08-22 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
US11594450B2 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a structure with a hole |
US12033849B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane |
US11827978B2 (en) | 2019-08-23 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
US11898242B2 (en) | 2019-08-23 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a polycrystalline molybdenum film over a surface of a substrate and related structures including a polycrystalline molybdenum film |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
US11527400B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon oxide film having improved quality by peald using bis(diethylamino)silane |
US11495459B2 (en) | 2019-09-04 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition using a sacrificial capping layer |
CN110529736B (zh) * | 2019-09-05 | 2021-09-14 | 安徽光智科技有限公司 | 一种化学气相沉积***及供气装置和供气方法 |
CN110529736A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-12-03 | 广东先导先进材料股份有限公司 | 一种化学气相沉积***及供气装置和供气方法 |
US11823876B2 (en) | 2019-09-05 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US11610774B2 (en) | 2019-10-02 | 2023-03-21 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process |
US11339476B2 (en) | 2019-10-08 | 2022-05-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device having connection plates, substrate processing method |
US12006572B2 (en) | 2019-10-08 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system including a gas distribution assembly for use with activated species and method of using same |
US11735422B2 (en) | 2019-10-10 | 2023-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a photoresist underlayer and structure including same |
US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
US11637011B2 (en) | 2019-10-16 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topology-selective film formation of silicon oxide |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
US11315794B2 (en) | 2019-10-21 | 2022-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for selectively etching films |
US11996292B2 (en) | 2019-10-25 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
US11594600B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
US11626316B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing carbon-containing material on a surface of a substrate, structure formed using the method, and system for forming the structure |
US11915929B2 (en) | 2019-11-26 | 2024-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
US11401605B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-08-02 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11646184B2 (en) | 2019-11-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11923181B2 (en) | 2019-11-29 | 2024-03-05 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for minimizing the effect of a filling gas during substrate processing |
US11929251B2 (en) | 2019-12-02 | 2024-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus having electrostatic chuck and substrate processing method |
US11840761B2 (en) | 2019-12-04 | 2023-12-12 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11885013B2 (en) | 2019-12-17 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer |
US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
US12033885B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Channeled lift pin |
US11976359B2 (en) | 2020-01-06 | 2024-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply assembly, components thereof, and reactor system including same |
US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
US11551912B2 (en) | 2020-01-20 | 2023-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming thin film and method of modifying surface of thin film |
US11521851B2 (en) | 2020-02-03 | 2022-12-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures including a vanadium or indium layer |
US11828707B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for transmittance measurements of large articles |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11986868B2 (en) | 2020-02-28 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | System dedicated for parts cleaning |
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US11626308B2 (en) | 2020-05-13 | 2023-04-11 | Asm Ip Holding B.V. | Laser alignment fixture for a reactor system |
US11804364B2 (en) | 2020-05-19 | 2023-10-31 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus |
US11705333B2 (en) | 2020-05-21 | 2023-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including multiple carbon layers and methods of forming and using same |
US11987881B2 (en) | 2020-05-22 | 2024-05-21 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for depositing thin films using hydrogen peroxide |
US11767589B2 (en) | 2020-05-29 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing device |
US11646204B2 (en) | 2020-06-24 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming a layer provided with silicon |
US11658035B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US12020934B2 (en) | 2020-07-08 | 2024-06-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
US11644758B2 (en) | 2020-07-17 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and methods for use in photolithography |
US11674220B2 (en) | 2020-07-20 | 2023-06-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing molybdenum layers using an underlayer |
US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
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USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
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