JPH01278735A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH01278735A
JPH01278735A JP10839388A JP10839388A JPH01278735A JP H01278735 A JPH01278735 A JP H01278735A JP 10839388 A JP10839388 A JP 10839388A JP 10839388 A JP10839388 A JP 10839388A JP H01278735 A JPH01278735 A JP H01278735A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
gate electrode
area
space
identification patterns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10839388A
Other languages
English (en)
Inventor
Isamu Kawashima
勇 川島
Kazuyoshi Kitamura
北村　一芳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Priority to JP10839388A priority Critical patent/JPH01278735A/ja
Publication of JPH01278735A publication Critical patent/JPH01278735A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置に関する。
従来の技術 第２図に従来の縦型ＭＯ３電界効果トランジスタ（以下
、パワーＭＯ５ＦＥＴと称す）の平面図を示す。第２図
において、ソース電極１の下に層間絶縁膜を介して素子
（ＭＯＳＦＥＴ）が形成されている。また、ゲート電極
２の下には素子が形成されていない。そして、パワーＭ
Ｏ３ＦＥＴは微細加工が施されているため、ワイヤーボ
ンディングの際に認識パターン３が必要であり、この認
識パターン３の一対がソース電極１の領域内に形成され
ている。この構造において、認識パターン３の領域部分
には、素子は形成されていない。
発明が解決しようとする課題 しかし、従来の構成では、認識パターン３の領域に素子
が形成されず、素子領域面積の低下による集積度の悪化
やチップ面積の増大という弊害が生じる問題があった。
本発明は素子領域面積を減少させることなく、認識パタ
ーンを形成した半導体装置を提供することを目的とする
。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明は、ゲー１へ電極の
ワイヤーボンディングパット領域に、Ｌｙ！Ｐ識パター
ンの領域を設けた構成としたものである。
作用 上記構成により、ワイヤーボンディング時において必要
とされる認識パターンの領域を、素子の形成されない、
ゲートボンディングパット上に形成することにより、素
子を形成する領域においてむだなスペースをなくし、効
率のよいパワーＭ　Ｏ３ＦＥＴが構成される。
実施例 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。第
１図において、ソース電極１１の領域の下には、層間絶
縁膜を介してＭ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ素子が形成されてお
り、ゲート電極１２の領域には、ＭＯ３ＦＥＴ素子が形
成されていない。そして、ゲート電極１２の領域の適当
箇所に一対の認識パターン１３が形成されている。また
、この認識パターン１３はワイヤーボンドを阻害しない
場所に位置している。
以下、上記構成における作用について説明する。
すなわち、ＭＯ３ＦＥＴ素子が形成されていないゲート
電極１２の領域部分に認識パターン１３を、ワイヤーボ
ンドに影響のない位置に形成するので、ＭＯ３ＦＥＴ素
子を形成する領域においてむだなスペースが発生せず、
素子領域面積の減少が防止される。
発明の効果 以上述へたように、本発明によれば、素子の形成されな
いゲート電極の領域に認識パターンを形成することによ
り、素子を形成する領域において素子がむだなく形成さ
れるため、素子領域面積の減少を防止することができ、
集積度の向上を図れる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のＭＯＳＦＥＴのチップ平面
図、第２図は従来のＭＯＳＦＥＴのチップ平面図である
。 １１・・ソース電極、　１２・・・ゲート電極、１３・
・・認識パターン。 代理人　　　森　　本　　義　　弘

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １、ゲート電極のワイヤーボンディングパット領域に認
    識パターン領域を設けた半導体装置。
JP10839388A 1988-04-30 1988-04-30 半導体装置 Pending JPH01278735A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10839388A JPH01278735A (ja) 1988-04-30 1988-04-30 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10839388A JPH01278735A (ja) 1988-04-30 1988-04-30 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01278735A true JPH01278735A (ja) 1989-11-09

Family

ID=14483625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10839388A Pending JPH01278735A (ja) 1988-04-30 1988-04-30 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01278735A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08139323A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Rohm Co Ltd 絶縁ゲート型半導体装置
US5525841A (en) * 1994-02-22 1996-06-11 Nec Corporation Power gaAs fet having internal matching circuit
JPWO2016103335A1 (ja) * 2014-12-24 2017-11-09 株式会社日立製作所 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52115178A (en) * 1976-03-24 1977-09-27 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS5759445B2 (ja) * 1975-06-26 1982-12-15 Toshiba Machine Co Ltd
JPS637641A (ja) * 1986-06-27 1988-01-13 Toshiba Corp ワイヤボンデイング装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5759445B2 (ja) * 1975-06-26 1982-12-15 Toshiba Machine Co Ltd
JPS52115178A (en) * 1976-03-24 1977-09-27 Hitachi Ltd Semiconductor device
JPS637641A (ja) * 1986-06-27 1988-01-13 Toshiba Corp ワイヤボンデイング装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5525841A (en) * 1994-02-22 1996-06-11 Nec Corporation Power gaAs fet having internal matching circuit
JPH08139323A (ja) * 1994-11-14 1996-05-31 Rohm Co Ltd 絶縁ゲート型半導体装置
JPWO2016103335A1 (ja) * 2014-12-24 2017-11-09 株式会社日立製作所 半導体装置およびそれを用いた電力変換装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6418246A (en) Lead frame for semiconductor device
JPH01278735A (ja) 半導体装置
JPS5619639A (en) Semiconductor device
JPH02268467A (ja) 半導体集積回路
GB1181336A (en) Strip Mounted Semiconductor Device
JPS6012742A (ja) 半導体装置
JP2946746B2 (ja) 半導体集積装置
JPH0373438U (ja)
JPH06291251A (ja) 電力用半導体モジュール
JPH0432761Y2 (ja)
JPS5795642A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH0218951A (ja) 混成集積回路
JPH03165520A (ja) 半導体装置
JPS6180846A (ja) 半導体装置
JPH0211354U (ja)
JPH03106043A (ja) 半導体装置
JPS6230349U (ja)
JPH0284757A (ja) リードフレームの製造方法
JPS6352465A (ja) 半導体集積回路装置
JPH081912B2 (ja) 半導体装置
JPH0453244A (ja) 半導体装置
JPH04206867A (ja) 半導体ダイナミックｒａｍ
JPH03124662U (ja)
JPH04246849A (ja) 半導体装置
KR970013262A (ko) 연장된 내부리드를 갖는 리드프레임