JPH01185925A - 半導体装置 - Google Patents
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係り、特に樹脂封止型半導体装置
に関する。
に関する。
従来の樹脂封止型半導体装置の断面概略図を第4図に示
す。同図(a)はパッケージ内全体を表わす断面図、同
図(b)は半導体素子や配線等が形成されている半導体
回路基板表面の部分断面図を示す。第4図(a)、(b
)において封止樹脂400はエポキシまたはシリコーン
等の樹脂から成る。200はリードフレーム、100は
半導体素子が形成されている回路基板、110はアルミ
ニウム等から成る金属配線、111はアルミニウム等か
ら成る外部端子取り出し電極(以下ポンディングパッド
と記す)、150はシリコン酸化膜(S 102 )等
の表面保護膜、300はボンディングワイヤ(接続用の
金線)を表わす。また、101は半導体素子の不純物拡
散層、102はシリコン酸化膜等の第1の層間絶縁層、
103は該第1の層間絶縁層の一部に設けた開孔部を表
わす。
す。同図(a)はパッケージ内全体を表わす断面図、同
図(b)は半導体素子や配線等が形成されている半導体
回路基板表面の部分断面図を示す。第4図(a)、(b
)において封止樹脂400はエポキシまたはシリコーン
等の樹脂から成る。200はリードフレーム、100は
半導体素子が形成されている回路基板、110はアルミ
ニウム等から成る金属配線、111はアルミニウム等か
ら成る外部端子取り出し電極(以下ポンディングパッド
と記す)、150はシリコン酸化膜(S 102 )等
の表面保護膜、300はボンディングワイヤ(接続用の
金線)を表わす。また、101は半導体素子の不純物拡
散層、102はシリコン酸化膜等の第1の層間絶縁層、
103は該第1の層間絶縁層の一部に設けた開孔部を表
わす。
このように半導体回路基板100を樹脂封止した場合、
特にこの樹脂封止半導体装置を低温と高温の雰囲気に繰
り返しさらした場合には、封止樹脂400の硬化収縮及
び封止樹脂400と回路基板100を構成する材料との
熱膨張係数の不整合により、回路基板100に応力が加
わる。この応力によって半導体回路基板内の金属配線1
10が変形、断線もしくは短絡したりする故障が問題と
なっている。ここで発生する応力は、回路基板100の
周辺部から中心点に向けて作用する。したがって、金属
配線110は通常回路基板100の中心方向に移動(変
形)する。また、移動(変形)の大きさは中心部ではほ
ぼ零であり、周辺方向に離れるほど大きくなる。
特にこの樹脂封止半導体装置を低温と高温の雰囲気に繰
り返しさらした場合には、封止樹脂400の硬化収縮及
び封止樹脂400と回路基板100を構成する材料との
熱膨張係数の不整合により、回路基板100に応力が加
わる。この応力によって半導体回路基板内の金属配線1
10が変形、断線もしくは短絡したりする故障が問題と
なっている。ここで発生する応力は、回路基板100の
周辺部から中心点に向けて作用する。したがって、金属
配線110は通常回路基板100の中心方向に移動(変
形)する。また、移動(変形)の大きさは中心部ではほ
ぼ零であり、周辺方向に離れるほど大きくなる。
本現象に関しては、電子通信学会技術研究報告、(信頼
性)、R79−23,pp、57〜64.1979年1
0月「樹脂封止半導体素子の熱衝撃における蒸着All
配線のスライド現象」に詳しく記載されている。
性)、R79−23,pp、57〜64.1979年1
0月「樹脂封止半導体素子の熱衝撃における蒸着All
配線のスライド現象」に詳しく記載されている。
このような封止樹脂400の応力による金属配線110
の変形の対策としては、従来からいくつかの方法がある
。これらには、封止樹脂400を改良して低応力化する
ことや、半導体回路基板100上の表面保護膜150を
改良して配線に加わる応力を緩和することなどがある。
の変形の対策としては、従来からいくつかの方法がある
。これらには、封止樹脂400を改良して低応力化する
ことや、半導体回路基板100上の表面保護膜150を
改良して配線に加わる応力を緩和することなどがある。
このうち、表面保護膜150の改良方法には、特公昭6
1−34256号に記載の方法がある。本方法は表面保
護として用いているシリコン酸化膜150の厚みを金属
配線110の厚み以上にするというものである。また特
開昭60−140739に記載の方法は、表面保護膜と
してシリコン酸化物等の硬質無機絶縁膜の上にさらにポ
リイミド樹脂等の比較的弾性率の小さな材料によるコー
ティング層を設けた2層構造とし、その軟かいコーティ
ング層の変形によって応力を吸収するものである。
1−34256号に記載の方法がある。本方法は表面保
護として用いているシリコン酸化膜150の厚みを金属
配線110の厚み以上にするというものである。また特
開昭60−140739に記載の方法は、表面保護膜と
してシリコン酸化物等の硬質無機絶縁膜の上にさらにポ
リイミド樹脂等の比較的弾性率の小さな材料によるコー
ティング層を設けた2層構造とし、その軟かいコーティ
ング層の変形によって応力を吸収するものである。
上記従来技術は、半導体装置の集積化が進み、回路基板
100(チップ)の大型化や素子、配線の微細化が進ん
だ場合について配慮されてぃなかった。−例として回路
基板100の大きさが10m+m角を超えたり、配線1
10の幅や間隔がサブミクロン領域にまで縮小された集
積回路が近年実現されている。これらの回路基板100
を樹脂封止した場合、前記従来技術では回路基板100
に加わる応力の軽減が不十分となり、従来技術のように
表面保護膜150を厚くしても膜にクラックが入り配線
110が変形し、またポリイミド樹脂のコーティング層
を上層に形成してもポリイミド樹脂の変形が著しく、配
線の保護効果が損われ、半導体装置の信頼性を維持する
ことに問題があった。また、近年では回路の大規模化に
対応して配線を積み重ねて構成するいわゆる多層配線構
造の集積回路も多く実現されている。この場合には、樹
脂応力により配線層間の絶縁性及び配線層間の接続配線
特性の信頼性低下が特に問題になる。
100(チップ)の大型化や素子、配線の微細化が進ん
だ場合について配慮されてぃなかった。−例として回路
基板100の大きさが10m+m角を超えたり、配線1
10の幅や間隔がサブミクロン領域にまで縮小された集
積回路が近年実現されている。これらの回路基板100
を樹脂封止した場合、前記従来技術では回路基板100
に加わる応力の軽減が不十分となり、従来技術のように
表面保護膜150を厚くしても膜にクラックが入り配線
110が変形し、またポリイミド樹脂のコーティング層
を上層に形成してもポリイミド樹脂の変形が著しく、配
線の保護効果が損われ、半導体装置の信頼性を維持する
ことに問題があった。また、近年では回路の大規模化に
対応して配線を積み重ねて構成するいわゆる多層配線構
造の集積回路も多く実現されている。この場合には、樹
脂応力により配線層間の絶縁性及び配線層間の接続配線
特性の信頼性低下が特に問題になる。
また、チップの大型化、素子の微細化がそれ程進んでい
ない半導体装置においてもより一層低温高温の雰囲気に
さらされても信頼性が維持される半導体装置が要望され
ている。
ない半導体装置においてもより一層低温高温の雰囲気に
さらされても信頼性が維持される半導体装置が要望され
ている。
本発明の目的は、封止樹脂の収縮応力によって引き起こ
される配線の変形等を低減させた信頼性の高い半導体装
置を提供することにある。
される配線の変形等を低減させた信頼性の高い半導体装
置を提供することにある。
上記目的は、少なくとも回路基板、該回路基板の少なく
とも一部を覆う保護膜及び配線を樹脂封止した半導体装
置において、上記保護膜は高分子樹脂よりなる保護樹脂
膜と、その上に配置され、上記高分子樹脂より弾性率の
大なる材料よりなる第2の保護膜を含むことを特徴とす
る半導体装置によって達成される。
とも一部を覆う保護膜及び配線を樹脂封止した半導体装
置において、上記保護膜は高分子樹脂よりなる保護樹脂
膜と、その上に配置され、上記高分子樹脂より弾性率の
大なる材料よりなる第2の保護膜を含むことを特徴とす
る半導体装置によって達成される。
上記の第2の保護膜の材料は、上述のように保護樹脂膜
の高分子樹脂より弾性率が大なる材料であればどのよう
なものでもよいが、弾性率が1000kg/ffIm”
以上のものが好ましい。このようなものは、例えばシリ
コン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化
物等のシリコン化合物、遷移金属の硅化物、遷移金属の
炭化物等がある。
の高分子樹脂より弾性率が大なる材料であればどのよう
なものでもよいが、弾性率が1000kg/ffIm”
以上のものが好ましい。このようなものは、例えばシリ
コン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化
物等のシリコン化合物、遷移金属の硅化物、遷移金属の
炭化物等がある。
なお、通常の半導体装置においては、封止用樹脂、すな
わち半導体装置の最も外側の樹脂と半導体素子の間には
種々の目的で種々の保護膜が設けられているが、本発明
においても上記二層の保護膜の他に他の目的のために種
々の保護膜を併用することができる。
わち半導体装置の最も外側の樹脂と半導体素子の間には
種々の目的で種々の保護膜が設けられているが、本発明
においても上記二層の保護膜の他に他の目的のために種
々の保護膜を併用することができる。
例えば、α線によるエラー防止のため、20〜30−程
度の厚いポリイミド樹脂膜を半導体素子上に設けること
が知られており、本発明においても、上記二層の保護膜
の上にさらに厚いポリイミド樹脂膜を設けることができ
る。また樹脂中の不純物が素子中に拡散するのを防止す
るため、SiN等の層を半導体素子上に設けることが行
なわれており、本発明においてもこのような不純物拡散
防止膜を半導体素子上に形成してから、この上に上記二
層の保護膜を設けることができる。
度の厚いポリイミド樹脂膜を半導体素子上に設けること
が知られており、本発明においても、上記二層の保護膜
の上にさらに厚いポリイミド樹脂膜を設けることができ
る。また樹脂中の不純物が素子中に拡散するのを防止す
るため、SiN等の層を半導体素子上に設けることが行
なわれており、本発明においてもこのような不純物拡散
防止膜を半導体素子上に形成してから、この上に上記二
層の保護膜を設けることができる。
本発明においては、保護膜のうち、保護樹脂膜は従来と
同様に内部の素子・配線に加わる封止樹脂の収縮応力を
緩和する働きがある。一方、保護樹脂膜上に設けた第2
の保護膜は、封止樹脂の収縮応力を受けても殆ど収縮し
ないために下層の保護樹脂膜の変形を緩和する効果を生
ずる。これによって配線や素子に加わる応力は著しく低
減され、表面保護の効果が大幅に向上する。
同様に内部の素子・配線に加わる封止樹脂の収縮応力を
緩和する働きがある。一方、保護樹脂膜上に設けた第2
の保護膜は、封止樹脂の収縮応力を受けても殆ど収縮し
ないために下層の保護樹脂膜の変形を緩和する効果を生
ずる。これによって配線や素子に加わる応力は著しく低
減され、表面保護の効果が大幅に向上する。
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例1
第1図は本発明の樹脂封止型半導体装置の一例を表わす
図であり、同図(a)は回路基板表面部の部分断面図を
示し、同図(b)はパッケージ内の全体断面概略図を示
す。同図(a)において示すように、トランジスタや抵
抗などの素子となる不純物拡散層101等が作り込まれ
ている回路基板100を、電極引き出し用の開孔部10
3以外をシリコン酸化物から成る第1の層間絶縁膜10
2によって被覆し、ついでアルミニウム合金などから成
る金属配線110を被着する。これらの工程は周知の半
導体装置製造技術によるものである。次に表面保護膜と
してポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜151とシリコ
ン酸化物からなる第2の保護膜152とから成る二層膜
を形成した。保護樹脂膜151としては、日立化成■製
のポリイミドイソインドロキナゾリン樹脂を適用し、回
転塗布法により塗布し、N2ガス中で250℃に30分
、350℃に30分熱処理し、約2−の厚さに形成した
。その上に形成した第2の保護膜152は周知のスパッ
タ法により約1−の厚さに形成した1次に保護膜151
.152にはポンディングパッド部に所定の開孔を設け
た。すなわち、第2の保護膜152上にホトレジストの
パターンを通常の方法で形成し、フレオン(登録商標)
系ガスを用いて反応性イオンエツチングにより第2の保
護膜152を加工し、次に第2の保護膜152をマスク
にして酸素を用いた反応性イオンエツチングにより保護
樹脂膜151を加工した。続いて、同図(b)に示すよ
うにボンディングワイヤを接続してから回路基板100
を樹脂封止した。組立て方法は周知の半導体封止技術を
用いている。なお、200はリードフレーム、300は
金のボンディングワイヤ、400はエポキシ系の封止樹
脂を示す。
図であり、同図(a)は回路基板表面部の部分断面図を
示し、同図(b)はパッケージ内の全体断面概略図を示
す。同図(a)において示すように、トランジスタや抵
抗などの素子となる不純物拡散層101等が作り込まれ
ている回路基板100を、電極引き出し用の開孔部10
3以外をシリコン酸化物から成る第1の層間絶縁膜10
2によって被覆し、ついでアルミニウム合金などから成
る金属配線110を被着する。これらの工程は周知の半
導体装置製造技術によるものである。次に表面保護膜と
してポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜151とシリコ
ン酸化物からなる第2の保護膜152とから成る二層膜
を形成した。保護樹脂膜151としては、日立化成■製
のポリイミドイソインドロキナゾリン樹脂を適用し、回
転塗布法により塗布し、N2ガス中で250℃に30分
、350℃に30分熱処理し、約2−の厚さに形成した
。その上に形成した第2の保護膜152は周知のスパッ
タ法により約1−の厚さに形成した1次に保護膜151
.152にはポンディングパッド部に所定の開孔を設け
た。すなわち、第2の保護膜152上にホトレジストの
パターンを通常の方法で形成し、フレオン(登録商標)
系ガスを用いて反応性イオンエツチングにより第2の保
護膜152を加工し、次に第2の保護膜152をマスク
にして酸素を用いた反応性イオンエツチングにより保護
樹脂膜151を加工した。続いて、同図(b)に示すよ
うにボンディングワイヤを接続してから回路基板100
を樹脂封止した。組立て方法は周知の半導体封止技術を
用いている。なお、200はリードフレーム、300は
金のボンディングワイヤ、400はエポキシ系の封止樹
脂を示す。
なお、本実施例で用いた保護膜のうち保護樹脂膜151
のポリイミド樹脂の弾性率は約800kg / sum
”、シリコン酸化物から成る第2の保護膜152の弾性
率は約7000kg/ ++++++”、また、封止樹
脂400の弾性率は約1500kg/膳atである。
のポリイミド樹脂の弾性率は約800kg / sum
”、シリコン酸化物から成る第2の保護膜152の弾性
率は約7000kg/ ++++++”、また、封止樹
脂400の弾性率は約1500kg/膳atである。
本実施例によれば、封止樹脂400の収縮応力は第2の
保護膜152によって大部分阻止されるため、半導体回
路基板100の表面の保護樹脂膜151の変形は極めて
少なくなり、回路基板内の金属配線110等に加わる応
力を著しく緩和する効果がある。従って、本樹脂封止型
半導体装置を高温と低温の雰囲気に繰り返しさらした場
合においても、金属配線110の変形や素子の特性変動
等による故障は従来法に比べ極めて少なかった。
保護膜152によって大部分阻止されるため、半導体回
路基板100の表面の保護樹脂膜151の変形は極めて
少なくなり、回路基板内の金属配線110等に加わる応
力を著しく緩和する効果がある。従って、本樹脂封止型
半導体装置を高温と低温の雰囲気に繰り返しさらした場
合においても、金属配線110の変形や素子の特性変動
等による故障は従来法に比べ極めて少なかった。
本実施例では保護膜のうち、保護樹脂膜としてポリイミ
ド樹脂、第2の保護膜としてシリコン酸化物とを組み合
わせた二層膜を用いたが、ポリイミド樹脂膜上に積層す
る第2の保護膜は弾性率が′上記ポリイミド樹脂より大
なるものであれば、本実施例と同様の効果が得られる。
ド樹脂、第2の保護膜としてシリコン酸化物とを組み合
わせた二層膜を用いたが、ポリイミド樹脂膜上に積層す
る第2の保護膜は弾性率が′上記ポリイミド樹脂より大
なるものであれば、本実施例と同様の効果が得られる。
従って、ポリイミド樹脂上に積層する膜はポリイミド樹
脂であっても良い。−例として、弾性率が300kg/
mw+2のポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜151上
に第2の保護膜152として弾性率が800kg /
m+n2のポリイミド樹脂を積層した二層膜を保護膜と
して適用した場合においても効果が得られた。しかし、
第2の保護膜152の弾性率が対土用樹脂400のそれ
に対しても大きい方がより良好な結果が得られる。また
、ポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜151上の第2の
保護膜152は絶縁物でなく導電物であっても本効果が
同様に得られることは言うまでもない。
脂であっても良い。−例として、弾性率が300kg/
mw+2のポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜151上
に第2の保護膜152として弾性率が800kg /
m+n2のポリイミド樹脂を積層した二層膜を保護膜と
して適用した場合においても効果が得られた。しかし、
第2の保護膜152の弾性率が対土用樹脂400のそれ
に対しても大きい方がより良好な結果が得られる。また
、ポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜151上の第2の
保護膜152は絶縁物でなく導電物であっても本効果が
同様に得られることは言うまでもない。
更にまた、本実施例の場合保護膜としては、ポリイミド
樹脂から成る保護樹脂膜151とシリコン酸化物から成
る第2の保護膜152との二層膜のみの場合を取り上げ
たが、該二層膜が少なくとも含まれる多層膜であれば良
く、他の目的のために該二層膜の上層もしくは下層に他
の材料から成る膜が存在していても本効果は同様に得ら
れる。
樹脂から成る保護樹脂膜151とシリコン酸化物から成
る第2の保護膜152との二層膜のみの場合を取り上げ
たが、該二層膜が少なくとも含まれる多層膜であれば良
く、他の目的のために該二層膜の上層もしくは下層に他
の材料から成る膜が存在していても本効果は同様に得ら
れる。
なお、保護樹脂膜151の例としてはポリイミド樹脂の
他、エポキシ樹脂、シリコーン等の他の樹脂であっても
良い。また、第2の保護膜152としてはシリコン酸化
物の他、シリコン窒化物、シリコン炭化物、タングステ
ンやチタン等遷移金属の硅化物や炭化物が適している。
他、エポキシ樹脂、シリコーン等の他の樹脂であっても
良い。また、第2の保護膜152としてはシリコン酸化
物の他、シリコン窒化物、シリコン炭化物、タングステ
ンやチタン等遷移金属の硅化物や炭化物が適している。
また、シリコン等の含有により弾性率を向上させた高分
子樹脂であっても良い。
子樹脂であっても良い。
実施例2
第2図は本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施例を
表わす図であり、半導体回路基板表面部の部分断面概略
図を示す。本実施例は金属配線110、第2の配線層1
20の構造が第2の層間絶縁膜114を介して二層構造
化していることが先の実施例1と大きく異なる点である
。実施例1と同様に回路基板100上に第1の眉間絶縁
膜102としてシリコン酸化膜を形成し、アルミニウム
合金から成る金属配線110を形成した後、第2の層間
絶縁N114としてポリイミド樹脂(日立化成曲製、ポ
リイミドイソインドロキナゾリン樹脂)を約2.3虜形
成し、配線層間接続孔115を設けた後、アルミニウム
合金から成る第2の配線層120を形成した。その後、
実施例1と同様にポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜1
51とシリコン酸化物から成る第2の保護膜152とで
構成される二層膜構造の保護膜を設け、封止樹脂400
で封入した。
表わす図であり、半導体回路基板表面部の部分断面概略
図を示す。本実施例は金属配線110、第2の配線層1
20の構造が第2の層間絶縁膜114を介して二層構造
化していることが先の実施例1と大きく異なる点である
。実施例1と同様に回路基板100上に第1の眉間絶縁
膜102としてシリコン酸化膜を形成し、アルミニウム
合金から成る金属配線110を形成した後、第2の層間
絶縁N114としてポリイミド樹脂(日立化成曲製、ポ
リイミドイソインドロキナゾリン樹脂)を約2.3虜形
成し、配線層間接続孔115を設けた後、アルミニウム
合金から成る第2の配線層120を形成した。その後、
実施例1と同様にポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜1
51とシリコン酸化物から成る第2の保護膜152とで
構成される二層膜構造の保護膜を設け、封止樹脂400
で封入した。
本実施例の二層の金属配線層を含む構造は、特に封止樹
脂の応力に耐える能力が低いとされてきたが、本実施例
によれば、多層配線構造に対しても封止樹脂の収縮応力
の影響を緩和することができる。つまり、本半導体装置
を高温と低温の雰囲気に繰り返しさらした場合において
も金属配線の変形や第2の層間絶縁膜114の絶縁性の
劣化や配線層間接続孔115の断線不良等による故障は
極めて少なく、従来の1/4以下となり信頼性の向上に
効果があった。
脂の応力に耐える能力が低いとされてきたが、本実施例
によれば、多層配線構造に対しても封止樹脂の収縮応力
の影響を緩和することができる。つまり、本半導体装置
を高温と低温の雰囲気に繰り返しさらした場合において
も金属配線の変形や第2の層間絶縁膜114の絶縁性の
劣化や配線層間接続孔115の断線不良等による故障は
極めて少なく、従来の1/4以下となり信頼性の向上に
効果があった。
なお、本実施例では回路基板上に形成した配線は二層構
造のものであるが、配線が三層以上の構造の場合でも本
発明の効果は得られる。
造のものであるが、配線が三層以上の構造の場合でも本
発明の効果は得られる。
実施例3
第3図は本発明の樹脂封止型半導体装置の他の実施例の
パッケージ内の全体断面概略図を示す。
パッケージ内の全体断面概略図を示す。
集積回路を形成した回路基板100をリードフレーム2
00に接着し、所定のボンディングワイヤ300を配線
した後に、ポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜151を
ポツティング方式により塗布し、200℃で30分熱硬
化して形成した。膜厚は最も厚い所で約100、である
。次に該ポリイミド樹脂より弾性率が大なる他のポリイ
ミド樹脂を同様の方法で膜厚50−に形成し、第2の保
護膜152とし、その後封止樹脂400で封入した。
00に接着し、所定のボンディングワイヤ300を配線
した後に、ポリイミド樹脂から成る保護樹脂膜151を
ポツティング方式により塗布し、200℃で30分熱硬
化して形成した。膜厚は最も厚い所で約100、である
。次に該ポリイミド樹脂より弾性率が大なる他のポリイ
ミド樹脂を同様の方法で膜厚50−に形成し、第2の保
護膜152とし、その後封止樹脂400で封入した。
本実施例では、保護膜が回路基板100の表面だけでな
く側面をも被覆する構造となる。本実施例によっても、
実施例1と同様の効果が得られた。
く側面をも被覆する構造となる。本実施例によっても、
実施例1と同様の効果が得られた。
さらに、実施例1の場合に比べ、保護膜の加工(ポンデ
ィングパッド部の開孔)が不要となり、製造工程が簡略
化する効果もある。
ィングパッド部の開孔)が不要となり、製造工程が簡略
化する効果もある。
なお、本実施例の変形として、保護膜を半導体基板の表
面のみに限ってコーティングしても同様面や側面に被着
した場合を示したが、金属配線110の変形がより顕著
にあられれる回路基板100の周辺領域にのみ保護膜を
設けても本発明の効果があることは言うまでもない。
面のみに限ってコーティングしても同様面や側面に被着
した場合を示したが、金属配線110の変形がより顕著
にあられれる回路基板100の周辺領域にのみ保護膜を
設けても本発明の効果があることは言うまでもない。
さらにまた、保護樹脂膜と下地基板との間にアルミ等の
接着層を介在させた構造においては、本発明の効果がよ
りあられれた。
接着層を介在させた構造においては、本発明の効果がよ
りあられれた。
以上のように本発明によれば、高分子樹脂から成る保護
樹脂膜と該保護樹脂膜上に設けた弾性率が大なる第2の
保護膜により、封止樹脂の収縮応力によって引き起こさ
れる配線の変形、断線、短絡を大幅に低減し、そのため
樹脂封止型半導体装置の信頼性向上の効果がある。
樹脂膜と該保護樹脂膜上に設けた弾性率が大なる第2の
保護膜により、封止樹脂の収縮応力によって引き起こさ
れる配線の変形、断線、短絡を大幅に低減し、そのため
樹脂封止型半導体装置の信頼性向上の効果がある。
第1図は本発明の一実施例の半導体基板表面部の部分断
面概略図及びパッケージ内の全体断面概略図、第2図は
他の実施例を示す部分断面概略図、第3図はさらに他の
実施例を示すパッケージ内の全体断面概略図、第4図は
従来の樹脂封止型半導体装置のパッケージ内の全体断面
概略図及び部分断面概略図である。 符号の説明 100・・・回路基板 200・・・リードフ
レーム300・・・ボンディングワイヤ 400・・・封止樹脂 101・・・不純物拡散
層102・・・第1の眉間絶縁膜 103・・・開孔部 110・・・金属配線1
11・・・ポンディングパッド 114・・・第2の層間絶縁膜 115・・・配線層間接続孔 120・・・第2の配線
層150・・・保護膜 151・・・保護樹脂
膜152・・・第2の保護膜 代理人弁理士 中 村 純之助 第1図 (a) <b) 第2図 第3図
面概略図及びパッケージ内の全体断面概略図、第2図は
他の実施例を示す部分断面概略図、第3図はさらに他の
実施例を示すパッケージ内の全体断面概略図、第4図は
従来の樹脂封止型半導体装置のパッケージ内の全体断面
概略図及び部分断面概略図である。 符号の説明 100・・・回路基板 200・・・リードフ
レーム300・・・ボンディングワイヤ 400・・・封止樹脂 101・・・不純物拡散
層102・・・第1の眉間絶縁膜 103・・・開孔部 110・・・金属配線1
11・・・ポンディングパッド 114・・・第2の層間絶縁膜 115・・・配線層間接続孔 120・・・第2の配線
層150・・・保護膜 151・・・保護樹脂
膜152・・・第2の保護膜 代理人弁理士 中 村 純之助 第1図 (a) <b) 第2図 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも回路基板、該回路基板の少なくとも一部
を覆う保護膜及び配線を樹脂封止した半導体装置におい
て、上記保護膜は高分子樹脂よりなる保護樹脂膜と、そ
の上に配置され、上記高分子樹脂より弾性率の大なる材
料よりなる第2の保護膜を含むことを特徴とする半導体
装置。 2、上記高分子樹脂は、ポリイミド系高分子樹脂である
特許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 3、上記第2の保護膜は、シリコン、シリコン酸化物、
シリコン窒化物、シリコン炭化物、遷移金属の硅化物、
遷移金属の炭化物からなる群から選ばれた少なくとも一
種の材質である特許請求の範囲第1項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP956988A JPH01185925A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP956988A JPH01185925A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01185925A true JPH01185925A (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=11723930
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP956988A Pending JPH01185925A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01185925A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191716A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Hitachi Ltd | SiC素子搭載パワー半導体モジュール |
-
1988
- 1988-01-21 JP JP956988A patent/JPH01185925A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191716A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Hitachi Ltd | SiC素子搭載パワー半導体モジュール |
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