JPH01112745A - 半導体製造装置におけるウエハ離脱方法 - Google Patents
半導体製造装置におけるウエハ離脱方法Info
- Publication number
- JPH01112745A JPH01112745A JP62269302A JP26930287A JPH01112745A JP H01112745 A JPH01112745 A JP H01112745A JP 62269302 A JP62269302 A JP 62269302A JP 26930287 A JP26930287 A JP 26930287A JP H01112745 A JPH01112745 A JP H01112745A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- wafer
- electrostatic chuck
- power supply
- chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体ウェハのドライエツチングに使用する静電チャッ
クから半導体ウェハを離脱させるとき、静電チャックの
電極の電圧を交番させなからOvにし、チャックの残留
吸着力を減少させるようにした半導体製造装置における
ウェハ離脱方法に関し、 処理の終ったウェハを、容易に、しかもウェハを損なう
ことなく静電チャックから確実に離脱させうる方法を提
供することを目的とし、半導体製造装置の静電チャック
への印加電圧を停止するにおいて、印加電圧の極性を交
番させつつOFFにすること暮特徴とする半導体製造装
置におけるウェハ離脱方法を含み構成する。
クから半導体ウェハを離脱させるとき、静電チャックの
電極の電圧を交番させなからOvにし、チャックの残留
吸着力を減少させるようにした半導体製造装置における
ウェハ離脱方法に関し、 処理の終ったウェハを、容易に、しかもウェハを損なう
ことなく静電チャックから確実に離脱させうる方法を提
供することを目的とし、半導体製造装置の静電チャック
への印加電圧を停止するにおいて、印加電圧の極性を交
番させつつOFFにすること暮特徴とする半導体製造装
置におけるウェハ離脱方法を含み構成する。
本発明は、半導体ウェハのドライエツチングに使用する
静電チャックから半導体ウェハを離脱させるとき、静電
チャックの電極の電圧を交番させなからOvにし、チャ
ックの残留吸着力を減少させるようにした半導体製造装
置におけるウェハ離脱方法に関する。
静電チャックから半導体ウェハを離脱させるとき、静電
チャックの電極の電圧を交番させなからOvにし、チャ
ックの残留吸着力を減少させるようにした半導体製造装
置におけるウェハ離脱方法に関する。
半導体ウェハ(以下単にウェハという)に対してドライ
エツチングを行うには第4図に示される装置が用いられ
、図中、21は真空に保たれるチャンバ、22はウェハ
、23は静電チャック、24は13.56MHzの電源
25に接続された電極、26は対向電極を示し、電極2
4.26間にプラズマを発生させてウェハ22に対して
ドライエツチングを行う。
エツチングを行うには第4図に示される装置が用いられ
、図中、21は真空に保たれるチャンバ、22はウェハ
、23は静電チャック、24は13.56MHzの電源
25に接続された電極、26は対向電極を示し、電極2
4.26間にプラズマを発生させてウェハ22に対して
ドライエツチングを行う。
エツチングが終ると、静電チャックの電源を切り、図示
しないモータで上下運動をするピン27でウェハ22を
持ち上げ、そこに図示しないロボットのアームがきてウ
ェハ22をつかんでチャンバ21の外に出し、次いで次
のウェハを図示の位置までもってくる。この操作中、な
んらかの支障がない限り、チャンバ21は真空に保たれ
てん)る。
しないモータで上下運動をするピン27でウェハ22を
持ち上げ、そこに図示しないロボットのアームがきてウ
ェハ22をつかんでチャンバ21の外に出し、次いで次
のウェハを図示の位置までもってくる。この操作中、な
んらかの支障がない限り、チャンバ21は真空に保たれ
てん)る。
このような毎葉式の反応性イオンエツチング(RIB
)中に、プラズマによってウェハが加熱され、レジスト
劣化やエツチングプロファイル劣化を発生させる可能性
があるので、それを防止するために、ウェハを冷却する
。その方法として冷却源と機械的なりランプを組み合わ
せる方法があるが、より高真空で真空チャックまたは静
電チャックを用いる方法も行われ、ウェハへのダメージ
の観点からは静電チャックが優れている。
)中に、プラズマによってウェハが加熱され、レジスト
劣化やエツチングプロファイル劣化を発生させる可能性
があるので、それを防止するために、ウェハを冷却する
。その方法として冷却源と機械的なりランプを組み合わ
せる方法があるが、より高真空で真空チャックまたは静
電チャックを用いる方法も行われ、ウェハへのダメージ
の観点からは静電チャックが優れている。
静電チャックを詳細に示す第5図を参照すると、静電チ
ャック10は絶縁体10から成るもので、ウェハ16を
吸着する側とは反対側に、+(例えば+IKV)電源1
2に接続された電極13と、−(例えば−I KV)電
源14に接続された電極15が配置されている。
ャック10は絶縁体10から成るもので、ウェハ16を
吸着する側とは反対側に、+(例えば+IKV)電源1
2に接続された電極13と、−(例えば−I KV)電
源14に接続された電極15が配置されている。
第5図を再び参照すると、静電チャック10にはIKν
程度の高電圧を印加し、ウェハに誘起した電荷との間の
Coulombの力でウェハを固定する。なお同図にお
いて、+と−はそれぞれ正と負の電荷を模式的に表す。
程度の高電圧を印加し、ウェハに誘起した電荷との間の
Coulombの力でウェハを固定する。なお同図にお
いて、+と−はそれぞれ正と負の電荷を模式的に表す。
ドライエツチングなどの処理を終了して、ウェハを離脱
させるべく第6図の線図に示されるように電源を切って
電源に加わる電圧Voをゼロに落しても、静電チャック
10の電極13.15の上の誘電体(静電チャックは前
述した如く絶縁性材料で作られたものである)の分極に
よる残留電荷によりチャックからウェハが離れず、無理
にとろうとするとウェハを破損する場合がある。なお第
6図で横軸には時間を、縦軸には印加電圧をKVでとる
。
させるべく第6図の線図に示されるように電源を切って
電源に加わる電圧Voをゼロに落しても、静電チャック
10の電極13.15の上の誘電体(静電チャックは前
述した如く絶縁性材料で作られたものである)の分極に
よる残留電荷によりチャックからウェハが離れず、無理
にとろうとするとウェハを破損する場合がある。なお第
6図で横軸には時間を、縦軸には印加電圧をKVでとる
。
第4図に戻ると、前記したように電源をOFFにし、次
いでピン27を上方に動かしてウェハを静電チャックか
ら離脱させるのであるが、ウェハが上記した理由で離れ
ないときにピンの力を大にすると、ウェハが破損する。
いでピン27を上方に動かしてウェハを静電チャックか
ら離脱させるのであるが、ウェハが上記した理由で離れ
ないときにピンの力を大にすると、ウェハが破損する。
そうなると、チャンバの真空を破り、破損したウェハを
除去するだけでな(、ウェハの破損によって発生したウ
ェハの欠けが次工程で次のウェハに付着したり、または
ウェハと静電チャックの間に入ってチャックの吸着力を
弱めたりすることがないように、例えばアルコールを用
いて静電チャックを清拭し、次いでチャンバ内の水分、
空気をパージし、真空引きをしてチャンバ内の真空度を
所定の値に戻さなければならず、それには1〜3時間の
時間が費やされる。
除去するだけでな(、ウェハの破損によって発生したウ
ェハの欠けが次工程で次のウェハに付着したり、または
ウェハと静電チャックの間に入ってチャックの吸着力を
弱めたりすることがないように、例えばアルコールを用
いて静電チャックを清拭し、次いでチャンバ内の水分、
空気をパージし、真空引きをしてチャンバ内の真空度を
所定の値に戻さなければならず、それには1〜3時間の
時間が費やされる。
ピンでウェハがとれないとき、ウェハの破損を発生させ
ないため、真空を破り、ピンセットなどを用いてウェハ
を離脱するときでも、十分に注意してもウェハが破損し
て上記の問題が発生するし、ウェハが破損しなくても真
空を破り、ウェハを離脱し、チャンバ内の空気をパージ
し、もとの真空に戻すにやはり1時間程度の時間が費や
される。
ないため、真空を破り、ピンセットなどを用いてウェハ
を離脱するときでも、十分に注意してもウェハが破損し
て上記の問題が発生するし、ウェハが破損しなくても真
空を破り、ウェハを離脱し、チャンバ内の空気をパージ
し、もとの真空に戻すにやはり1時間程度の時間が費や
される。
そこで本発明は、処理の終ったウェハを、容易に、しか
もウェハを損なうことなく静電チャックから確実に離脱
させうる方法を提供することを目的とする。
もウェハを損なうことなく静電チャックから確実に離脱
させうる方法を提供することを目的とする。
上記問題点は、半導体製造装置の静電チャックへの印加
電圧を停止するにおいて、印加電圧の極性を交番させつ
つOFFにすることを特徴とする半導体製造装置におけ
るウェハ離脱方法によって解決される。
電圧を停止するにおいて、印加電圧の極性を交番させつ
つOFFにすることを特徴とする半導体製造装置におけ
るウェハ離脱方法によって解決される。
静電チャックの電極上の電荷は接地すれば直ちに逃がせ
ることができるが、問題は静電チャックを構成する絶縁
体内に誘起された電荷である。絶縁体にある程度の導電
性をもたせることも考えられるが、そうすると電極間の
絶縁性が弱くなるので問題である。
ることができるが、問題は静電チャックを構成する絶縁
体内に誘起された電荷である。絶縁体にある程度の導電
性をもたせることも考えられるが、そうすると電極間の
絶縁性が弱くなるので問題である。
そこで本発明は、絶縁体内に誘起された電荷を消去する
ために、電圧を吸着時の電圧VoからいきなりOにする
従来の方法の代りに、第2図に示される如(Voよりも
ピークが小さく、かつ、極性が反対の−v1にし、次い
で+Voより小なる+v2にし次には−v1より小なる
ーv3にし、さらに逐次この方法を繰り返して0ボルト
に近付けることにより誘起電荷を小さくするのである。
ために、電圧を吸着時の電圧VoからいきなりOにする
従来の方法の代りに、第2図に示される如(Voよりも
ピークが小さく、かつ、極性が反対の−v1にし、次い
で+Voより小なる+v2にし次には−v1より小なる
ーv3にし、さらに逐次この方法を繰り返して0ボルト
に近付けることにより誘起電荷を小さくするのである。
以下、本発明を図示の実施例により具体的に説明する。
第5図に示される配置において、電源12からAには+
l000V、他方の電源14からBには一1000Vが
印加されているとする。ここで、A、Bはそれぞれ電源
12.14から電極13.13と電極15.15へ至る
線の分岐点である0本発明の一実施例においては、この
電圧を切るときに、電源12からAに、−500V 、
250 V 、 −125V 、 62.5Vと印加電
圧を例えば1秒ごとに一1/2倍して印加し、0にもっ
てゆ< (50v以下は切り捨てる)。この変化は第
3図の線図に示され、同図において横軸には時間(1)
を秒でとり、縦軸にはAに加えられる電圧をVでとる。
l000V、他方の電源14からBには一1000Vが
印加されているとする。ここで、A、Bはそれぞれ電源
12.14から電極13.13と電極15.15へ至る
線の分岐点である0本発明の一実施例においては、この
電圧を切るときに、電源12からAに、−500V 、
250 V 、 −125V 、 62.5Vと印加電
圧を例えば1秒ごとに一1/2倍して印加し、0にもっ
てゆ< (50v以下は切り捨てる)。この変化は第
3図の線図に示され、同図において横軸には時間(1)
を秒でとり、縦軸にはAに加えられる電圧をVでとる。
同様に、Bには前記と正負の符号を逆にした値の電圧を
印加する。
印加する。
こうすることによって、静電チャック内に誘起された+
と−の電荷は確実に減少し、Aに加えられる電圧が0の
ときにはこれら電荷はほとんど残留しない状態にあるか
ら、ピンの操作によってウェハは確実に静電チャックか
ら離脱する。
と−の電荷は確実に減少し、Aに加えられる電圧が0の
ときにはこれら電荷はほとんど残留しない状態にあるか
ら、ピンの操作によってウェハは確実に静電チャックか
ら離脱する。
また上記の方法に代えて、Aに加えられる電圧を、10
0OV、 −900V、 800 V、 −700V、
600V 、、、、−100V 、 OVと絶対値を
等差数列的に変えて0にもっていき、Bには正負の符号
の逆にした電圧を印加することもできる。
0OV、 −900V、 800 V、 −700V、
600V 、、、、−100V 、 OVと絶対値を
等差数列的に変えて0にもっていき、Bには正負の符号
の逆にした電圧を印加することもできる。
さらには、前記した印加電圧はパルスで印加しそのパル
ス幅を逐次小さくする方法をとってもよ(、または上記
の2つの方法において電圧をパルスで印加してもよい。
ス幅を逐次小さくする方法をとってもよ(、または上記
の2つの方法において電圧をパルスで印加してもよい。
上記の方法を実施するには第1図に示す装置を用いる。
この装置において、分岐点Aには、電源12からと交流
電源17から切換式で電圧が印加されるようになってい
る。
電源17から切換式で電圧が印加されるようになってい
る。
静電チャックへの電圧を逐次低下してゼロ(0)にする
には、交流電源の電圧υを び−UP sin wt とし、OD間の可変抵抗17の接点をCとすると、Aの
電位真は ’JIA−(QCloo) 17p sin wtとな
る。ここで、Vpは交流電源の振幅、Wは交流電源の角
周波数である。接点Cを例えば図示しないモータで駆動
することにより、 を交番させなから0ボルトにするこ
とができ、図示のものと同じ手段を電源14の側にも設
けられる。
には、交流電源の電圧υを び−UP sin wt とし、OD間の可変抵抗17の接点をCとすると、Aの
電位真は ’JIA−(QCloo) 17p sin wtとな
る。ここで、Vpは交流電源の振幅、Wは交流電源の角
周波数である。接点Cを例えば図示しないモータで駆動
することにより、 を交番させなから0ボルトにするこ
とができ、図示のものと同じ手段を電源14の側にも設
けられる。
以上述べてきたように本発明によれば、静電チャックの
過度の残留吸着力によりウェハが離脱不可能となること
によるダウンタイムが少なくなりエツチングなどに用い
る装置の稼働率が向上し、また無理にウェハを取り出す
ことによるウェハの破損が防止され、コストダウンに有
効である。
過度の残留吸着力によりウェハが離脱不可能となること
によるダウンタイムが少なくなりエツチングなどに用い
る装置の稼働率が向上し、また無理にウェハを取り出す
ことによるウェハの破損が防止され、コストダウンに有
効である。
第1図は本発明実施例の図、
第2図は本発明の原理を示す線図、
第3図は本発明方法を示す線図、
第4図はドライ°エツチング装置の断面図、第5図は静
電チャックの断面図、 第6図は従来例方法を示す線図である。 図において、 10は静電チャック、 11は絶縁体、 12と14は電源、 13と15は電極、 16はウェハ、 17は交流電源、 18は可変抵抗 を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 静電すマツ2の話j1圀 第5 図 にυ 第2図 トキgRtたt禾す線図 第3図
電チャックの断面図、 第6図は従来例方法を示す線図である。 図において、 10は静電チャック、 11は絶縁体、 12と14は電源、 13と15は電極、 16はウェハ、 17は交流電源、 18は可変抵抗 を示す。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 久木元 彰 静電すマツ2の話j1圀 第5 図 にυ 第2図 トキgRtたt禾す線図 第3図
Claims (4)
- (1)半導体製造装置の静電チャック(11)への印加
電圧を停止するにおいて、 印加電圧の極性を交番させつつOFFにすることを特徴
とする半導体製造装置におけるウェハ離脱方法。 - (2)前記交番電圧のピーク高さを逐次低くしつつOF
Fに漸減させる特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (3)前記交番電圧のパルス幅を逐次小にしつつ印加電
圧をOFFにする特許請求の範囲第1項記載の方法。 - (4)交番電圧をパルスとしてピーク高さを逐次低くす
る特許請求の範囲第1項記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62269302A JPH01112745A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 半導体製造装置におけるウエハ離脱方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62269302A JPH01112745A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 半導体製造装置におけるウエハ離脱方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01112745A true JPH01112745A (ja) | 1989-05-01 |
Family
ID=17470452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62269302A Pending JPH01112745A (ja) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | 半導体製造装置におけるウエハ離脱方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01112745A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250579A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置 |
WO1998000861A1 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system |
JPH11297803A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置および被吸着物離脱方法 |
JP2002280438A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
WO2005109489A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. | ワーク除電方法及びその装置 |
JP2009300905A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Stanley Electric Co Ltd | 基板貼り合わせ方法 |
JP2011077288A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 搬送装置 |
JP2014107382A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体基板の脱離方法 |
US9130000B2 (en) | 2008-09-30 | 2015-09-08 | Mitsubishi Heavy Industries | Wafer bonding device and wafer bonding method |
KR20190070299A (ko) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 디바이스 칩의 제조 방법 및 픽업 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4920800B1 (ja) * | 1970-06-16 | 1974-05-27 | ||
JPS6199308A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Hitachi Metals Ltd | 脱磁方法 |
-
1987
- 1987-10-27 JP JP62269302A patent/JPH01112745A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4920800B1 (ja) * | 1970-06-16 | 1974-05-27 | ||
JPS6199308A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Hitachi Metals Ltd | 脱磁方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08250579A (ja) * | 1995-03-14 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置の静電チャック用電源および半導体製造装置 |
WO1998000861A1 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-08 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system |
EP1376682A1 (en) * | 1996-06-28 | 2004-01-02 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for clamping and declamping a semiconductor wafer in a wafer processing system |
JPH11297803A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | 静電吸着装置および被吸着物離脱方法 |
JP4647122B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2011-03-09 | 株式会社アルバック | 真空処理方法 |
JP2002280438A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理方法 |
WO2005109489A1 (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Shin-Etsu Engineering Co., Ltd. | ワーク除電方法及びその装置 |
JP2009300905A (ja) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Stanley Electric Co Ltd | 基板貼り合わせ方法 |
US9130000B2 (en) | 2008-09-30 | 2015-09-08 | Mitsubishi Heavy Industries | Wafer bonding device and wafer bonding method |
JP2011077288A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 搬送装置 |
JP2014107382A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体基板の脱離方法 |
KR20190070299A (ko) * | 2017-12-12 | 2019-06-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 디바이스 칩의 제조 방법 및 픽업 장치 |
JP2019106435A (ja) * | 2017-12-12 | 2019-06-27 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの製造方法及びピックアップ装置 |
CN110034065A (zh) * | 2017-12-12 | 2019-07-19 | 株式会社迪思科 | 器件芯片的制造方法和拾取装置 |
CN110034065B (zh) * | 2017-12-12 | 2024-01-09 | 株式会社迪思科 | 器件芯片的制造方法和拾取装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5001594A (en) | Electrostatic handling device | |
JP2867526B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
US6760213B2 (en) | Electrostatic chuck and method of treating substrate using electrostatic chuck | |
KR980012817A (ko) | 정전 척으로부터 제품을 인출시키기 위한 장치 및 방법 | |
JPH01112745A (ja) | 半導体製造装置におけるウエハ離脱方法 | |
KR102281155B1 (ko) | 정전 척 장치 및 정전 흡착 방법 | |
WO2012090430A1 (ja) | 静電吸着装置 | |
JP6069768B2 (ja) | 静電チャック装置及びその制御方法 | |
JPH04132239A (ja) | ウエハーチャック | |
JP3974475B2 (ja) | 静電チャック装置及びその装置を用いた基板の処理方法 | |
JPH06244270A (ja) | 静電吸着装置 | |
JPH0685045A (ja) | ウェーハ離脱方法 | |
GB2293689A (en) | Electrostatic chuck | |
TWI725011B (zh) | 用於移除在基板製造處理期間累積在基板接觸表面上的粒子的裝置、基板支撐件、及方法 | |
KR0171062B1 (ko) | 드라이에칭장치 | |
JPH0722499A (ja) | 半導体製造装置及び方法 | |
JPH05291384A (ja) | 静電吸着方法 | |
JP2503364B2 (ja) | ウエハの静電吸着装置、ウエハの静電吸着方法、ウエハの離脱方法及びドライエッチング方法 | |
JPH04100257A (ja) | 静電吸着機構を備えた処理装置および該静電吸着機構の残留電荷除去方法 | |
KR20030020072A (ko) | 유니폴라 정전척 | |
KR20100001609A (ko) | 웨이퍼 척킹 및 디척킹 장치 | |
JPH11111826A (ja) | 静電チャックにおける試料の脱離方法 | |
JPH04117188A (ja) | 静電吸着装置と基板離脱方法 | |
JP2001267094A (ja) | 静電気除去装置及び静電気除去方法 | |
US9142438B2 (en) | Techniques for clamping and declamping a substrate |