JP7464862B2 - 発光装置、光源 - Google Patents

Description

本開示は、発光装置、光源に関する。

半導体発光素子を回路基板に実装しパッケージ化した半導体発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１は、半導体発光素子はバンプを介して回路基板とフリップチップ実装して接続された半導体発光素子及び発光装置が記載されている。半導体発光素子は静電気で破壊しやすいため保護素子とともに回路基板に実装されることがある。ところが保護素子を回路基板上にフリップチップ実装すると、保護素子の周辺が暗くなってしまうので保護素子を省きたいということで、ｎ側バンプとｐ側バンプとの間に、バリスタ粉末を含むペーストを焼結したバリスタである保護部材を配置するというものである。

また、サージのバイパス経路を形成することが可能な複合樹脂及びその複合樹脂を用いた電子デバイスが知られている（例えば、特許文献２参照）。

さらに、マトリックス樹脂中に充填材を均一に分散させ、優れた非直線抵抗特性が得られる非直線抵抗樹脂材料が知られている（例えば、特許文献３参照）。

特開２０１２－０２３３２８号公報 特開２０１６－１３４６０５号公報 特開２０１５－１０１７１４号公報

本開示に係る実施形態は、静電気による破壊を抑制するとともに、光取り出し効率の高い発光装置又は光源を提供することを課題とする。

実施形態に係る発光装置は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる側面と、を有し、前記第２面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、を備え、前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体と、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体と、を持ち、前記光反射部が前記一対の素子電極のそれぞれと接触するように配置され、前記光反射部は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。

また、異なる実施形態に係る発光装置は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる側面と、を有し、前記第２面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、前記一対の素子電極と電気的に接続する、第１リードフレーム配線部と、前記第１リードフレーム配線部から離隔する第２リードフレーム配線部と、粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、を備え、前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体と、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体と、を持ち、前記光反射部が前記第１リードフレーム配線部と前記第２リードフレーム配線部とのそれぞれと接触するように配置され、前記光反射部は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。

さらに、実施形態に係る光源は、第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる側面と、を有し、前記第２面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、前記一対の素子電極と電気的に接続する、少なくとも２つの配線部を備える回路基板と、粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、を備え、前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体と、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体と、を持ち、前記光反射部が前記２つの配線部のそれぞれと接触するように配置され、前記光反射部は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。

本開示の実施形態によれば、静電気による破壊を抑制するとともに、光取り出し効率の高い発光装置又は光源を提供することができる。

第１実施形態に係る発光装置の下面側から見た概略下面図である。 第１実施形態に係る発光装置の概略断面図である。 第１実施形態の変形例に係る発光装置の下面側から見た概略下面図である。 第１実施形態に係る光反射部を例示する概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の上面側から見た概略上面図である。 第２実施形態に係る発光装置の下面側から見た概略下面図である。 第２実施形態に係る発光装置の概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の概略断面図である。 第３実施形態の変形例に係る発光装置の概略断面図である。 第４実施形態に係る発光装置の概略上面図である。 第４実施形態に係る発光装置の概略断面図である。 第５実施形態に係る光源の概略斜視図である。 第５実施形態に係る光源の概略断面図である。 実施例に係る回路基板に光反射部を配置した概略断面図である。 実施例に係る発光装置の電流－電圧特性を示す測定結果である。 実施例に係る発光装置の光反射率を示す図である。

以下、本開示に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示に係る技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、発明を以下のものに限定しない。一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。また、図面は実施形態を概略的に示すものであり、説明を明確にするため、各部材のスケールや間隔、位置関係等を誇張し、あるいは、部材の一部の図示を省略している場合がある。各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。なお、同一の名称、符号については、原則として、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。

＜第１実施形態に係る発光装置＞
本開示の発光装置について図面を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置の下面側から見た概略下面図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置の概略断面図である。図２は、図１のＩＩ－ＩＩ線で切断している。図３は、第１実施形態の変形例に係る発光装置の下面側から見た概略下面図である。図４は、第１実施形態に係る光反射部を例示する概略断面図である。

第１実施形態に係る発光装置は、第１面１と、第１面１と反対側の第２面２と、第１面１及び第２面２と繋がる側面３と、を有し、第２面２に異なる極性を持つ一対の素子電極７を有する発光素子１０と、粉体状の半導電性物質２１と粉体状の光反射性物質２２と絶縁性の結合材２３とを含む光反射部２０と、を備え、半導電性物質２１は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体２１ａと、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体２１ｂと、を持ち、光反射部２０が一対の素子電極７のそれぞれと接触するように配置され、光反射部２０は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。これにより、静電気による破壊を抑制するとともに、光取り出し効率の高い発光装置を提供することができる。「バリスタ特性」とは、「電流－電圧特性がオームの法則に従わない非直線性」のことをいう。

より詳細には、発光素子１０は、サファイア等の素子基板５上にｐ、ｎ型の半導体層６が配置されている。半導体層６は保護膜で覆われているが、覆っていなくてもよい。保護膜は絶縁膜である。例えば、素子基板５上にｎ型半導体層があり、そのｎ型半導体層の上面にはｐ型半導体層が形成されている。発光素子１０の外周端部を除きｎ型半導体層及びｐ型半導体層の表面に形成されている保護膜は、ｎ型半導体層の占める領域とｐ型半導体層の占める領域とのそれぞれに開口部を備えている。それぞれの開口部では、ｎ型半導体層とｎ側電極７ａ、ｐ型半導体層とｐ側電極７ｂとが電気的に接続している。ｎ側電極７ａとｐ側電極７ｂとの間にはバリスタ機能と光反射性機能を有する光反射部２０を配置する。ｎ側電極７ａおよびｐ側電極７ｂは例えば電解メッキ法で形成した銅ポストである。

光反射部２０は、一対の素子電極７のそれぞれと接触するように配置されていればよく、例えば、一対の素子電極７間に配置されていてもよく、変形例に示すように、一対の素子電極７間及び／又は一対の素子電極７の外周端部に配置されていてもよい。ただし、後述するように、異なる極性を有する電極と接するように配置されていればよく、バンプ、リードフレーム配線部、実装基板側の配線部などの間、又は、これら異なる部材間どうしの間に配置されても良い。

発光装置において、バリスタ特性は、非直線性係数（α）が３以上であることが好ましく、４以上が更に好ましく、５以上が特に好ましい。これにより静電気による破壊を大幅に抑制することができる。

光反射部２０において、結合材２３の１００重量部に対し、第１粉体２１ａは、３０量部以上４５０重量部以下であり、第２粉体２１ｂは２０重量部以上２００重量部以下であることが好ましい。結合材２３の１００重量部に対し、第１粉体２１ａは１００重量部以上が更に好ましく、３５０重量部以下が特に好ましい。第１粉体２１ａの含有量を高くすることで導電性を高めることができるからである。また、結合材２３の１００重量部に対し、第２粉体２１ｂは７０重量部以上１８０重量部以下であることが更に好ましい。結合材２３に対する第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂを所定の範囲にすることで、静電気による破壊を更に抑制することができる。また、製造工程において適度な粘度を保持することで一対の素子電極７間に配置し易くすることができる。第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２等の粉体量を増加するに伴い、バリスタ特性を向上させると共に、光反射部２０の粘度を高くすることができる。光反射部２０の粘度を高くすることで第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２等の粉体の分散性を高めることができ、バリスタ特性の安定性や信頼性を向上させることができる。第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２等の粉体が偏在するとバリスタ特性が落ちたり、バリスタ特性を発現しなかったりする場合がある。

第１粉体２１ａに対し、第２粉体２１ｂの重量比率は、４．４％以上６６７％以下であることが好ましく、３０％以上２４０％以下であることがより好ましく、４０％以上２００％以下であることが特に好ましい。これにより非直線性係数を高くし、静電気による破壊を大幅に抑制するすることができる。第１粉体２１ａに第２粉体２１ｂを所定量配合することで、導電パスを形成し易くすることができる。球状等の第１粉体２１ａの粒子間に針状部分を含む第２粉体２１ｂが入り込みやすく、導電パスを形成し易くすることができる。

光反射部２０は、電流－電圧特性がオームの法則に従わない非直線性を示す。例えば、光反射部２０は透光性の樹脂硬化物である結合材２３と、結合材２３中に分散された半導電性を持つ純度９５％以上の白色の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末から成る複数の第１粉体２１ａと、結合材２３中に分散された半導電性を持つ白色の酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末から成る複数の第２粉体２１ｂと、を備える。例えば、第１粉体２１ａは、球状、略球状の粒子であり、第２粉体２１ｂは、４方向に伸びる針状の形状を持つテトラポット状の粒子である。ただし、４方向に伸びる針状の形状のうちの一部が混合工程において、割れや欠けが生じ、１方向、２方向、３方向となる場合もあり、また、針状部分の長さが不均一となることもある。また、第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２は、それぞれ凝集することもあるが、凝集体、粉体が均一に分散されていることが好ましい。

光反射部２０は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。光反射部２０中に光反射性物質２２を所定量配合することで、主に可視光領域での光の反射率を高くすることができる。一方で、光反射性物質２２が酸化物等の絶縁性である場合、光反射性物質２２の配合量を高くするとバリスタ特性を得ることができないため、所定の配合量とすることが好ましい。

以下、各構成部材について詳細説明する。

（発光素子）
発光素子１０は、光取り出し面となる第１面１と、第１面１と反対側の第２面２と、第１面１及び第２面２と繋がる側面３と、を有し、第２面２に異なる極性を持つ一対の素子電極７を有する。発光素子１０は、一例として直方体形状に形成されている。発光素子１０は、サファイア等の素子基板５と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層と発光層とからなる半導体層６と、を有する発光ダイオードを用いることが好ましく、目的および用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、紫色（ピーク波長３８０ｎｍ～４３０ｎｍの光）青色（ピーク波長４３０ｎｍ～４９０ｎｍの光）、緑色（ピーク波長４９０ｎｍ～５７０ｎｍの光）の発光素子１０としては、ＺｎＳｅ、窒化物系半導体（Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１－Ｘ－Ｙ}Ｎ，０≦Ｘ，０≦Ｙ，Ｘ＋Ｙ≦１）、ＧａＰ等を用いることができる。

また、赤色（波長６２０ｎｍ～７５０ｎｍの光）の発光素子１０としては、ＧａＡｌＡｓ，ＡｌＩｎＧａＰ等を用いることができる。なお、蛍光体を用いた発光装置とする場合には、その蛍光体を効率良く励起できる短波長の発光が可能な窒化物系半導体を用いることが好ましい。また、発光素子１０の組成や発光色、大きさ等は、目的および用途に応じて適宜選択することができる。

発光素子１０の素子電極７は、ｎ側電極７ａ及びｐ側電極７ｂが第２面２に間を空けて配置されている。発光素子１０は、一対の素子電極７に導電部材を配置して、発光素子１０の第２面２と回路基板７０との間が所定間隔以上となるようにしている。

（光反射部）
光反射部２０は、粉体状の半導電性物質２１と粉体状の光反射性物質２２と絶縁性の結合材２３とを含む。半導電性物質２１は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体２１ａと、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体２１ｂと、を持つ。光反射部２０は、通常の電圧では高インピーダンスだが、過電在が加わると、高インピーダンスから低インピーダンスへと瞬時に変化する優れた非オーム性を有する。低インピーダンスになることで、過電流を２次側（接地側など）へ流すことができ、その後、すぐに高インピーダンスへと自動復帰する性質を持っている。

第１粉体２１ａは、直径若しくは長径が１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下が特に好ましい。ミクロンオーダーの粒子を含むことで、電気抵抗を下げることもできる。また第１粉体２１ａが凝集せずに分散されていることで光反射部２０の厚みを薄くすることができる。光反射部２０の厚みは特に限定されないが、１０μｍ以上７０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上６０μｍ以下がさらに好ましく、３０μｍ以上５０μｍ以下が特に好ましい。ただし、第１粉体２１ａは凝集していない方が好ましいが、凝集していても、光反射部２０内において分散されていれば使用することができる。

第１粉体２１ａの粒径測定はレーザー回折・散乱法（ＪＩＳ Ｚ８８２５）に準拠した方法で測定を行い、各試料の数平均粒子径として算出した値を用いることができる。

第２粉体２１ｂは、平均繊維長が１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが特に好ましい。また、この第２粉体２１ｂのアスペクト比（数平均繊維長／数平均繊維径）としては１．５以上５０００以下の範囲であることが好ましく、より成形品表面の横方向に対する熱伝導性に優れるさらに２以上の範囲のものが好ましく、さらに１０以上の範囲のものがより好ましい。一方、機械的強度、特に、ウェルド部における機械的強度に優れる点から、１０００以下の範囲のものが好ましく、さらに５００以下の範囲のものがより好ましく、さらに１００以下の範囲のものがより好ましい。

第２粉体２１ｂの数平均繊維径および数平均繊維長は、キーエンス製「超深度マルチアングル顕微鏡ＶＨＸ－Ｄ５００」によりＳＥＭ画像（倍率１５００倍）を得、当該ＳＥＭ画像中の任意の繊維２０本を選び出し、測定するものでもよい。

半導電性物質２１は、ＢａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＺｎＯ、ＢｉＯ、ＣｏＯ、ＭｎＯ、ＳｂＯ、ＣｒＯ、ＮｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯから選ばれる少なくとも１種であることが好ましいが、酸化亜鉛（ＺｎＯ）が特に好ましい。また、酸化亜鉛の純度も９０％以上が好ましく、９５％以上が寄り好ましく、９７％以上が特に好ましい。酸化亜鉛は他の酸化物に比べて非常に大きな非直線性の電流－電圧特性を持つため、印加電圧が微小な領域では絶縁体として、一方で電圧が大きい領域では導体として働く。ＺｎＯは、均質性の向上によるサージ電流の均等分担と、高い沿面絶縁性を実現することができる。また回路電圧が常時課電される状態に対して安定性、信頼性が高い。半導電性物質２１は、酸化亜鉛が８５重量％以上であることが好ましく、９０重量％以上であることがより好ましく、９５重量％以上であることが特に好ましい。

第１粉体２１ａは、第１粉体２１ａに、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、又は、これらから選択される少なくとも１種を含む酸化物若しくは窒化物、が含有されていない、又は、０．０１重量％以下であることが好ましい。第１粉体２１ａにＡｌやＢｉ等が含まれると着色し、光反射率が低下するためである。例えば、第１粉体２１ａの酸化亜鉛粉末に、Ａｌが１％程度含有されると導電性を有するようになり、短絡に至るおそれがある。また、第１粉体２１ａが着色して白色度が低下するおそれがある。また、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ等を数％含むとこれらが結晶粒界に酸化物として偏析して粉末自体がバリスタ機能を有するようになるが、黒色化した粉末となり４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有することが出来ない。

第２粉体２１ｂは、体積固有抵抗が０．１Ω・ｃｍ以上１０００Ω・ｃｍ以下であることが好ましく、０．５Ω・ｃｍ以上５００Ω・ｃｍ以下がより好ましく、１Ω・ｃｍ以上１００Ω・ｃｍ以下が特に好ましい。これにより光反射部の絶縁性を維持しつつサージ電流を放電するための良好な導電パスを形成することができる。

第２粉体２１ｂは、テトラポット型のウィスカー形状である酸化亜鉛が好ましい。テトラポット型の酸化亜鉛粉末は、光反射部２０内において、第１粉体２１ａどうしをつないで良好な導電パスを形成する。また、テトラポット型のウィスカーを光反射部２０に高濃度で配合しても樹脂の混合、成形等の作業性を改善する効果も有り、光反射部２０に良好なバリスタ特性と光反射効率の向上を得ることができる。

結合材２３は、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、若しくはこれらの少なくとも１種を含むハイブリッド樹脂、ガラス、又は、セラミックスから選択される少なくとも１種であることが好ましい。シリコーン等の樹脂は安価で作業性も良く、透光性も高い。また、樹脂は、トランスファー成形、圧縮成形、インジェクション成形法、スクリーン印刷成形等において良好な成形性を有する。一方、ガラスやセラミックスは耐熱性、耐光性が樹脂に比べて高いため、耐熱性、耐光性が求められる箇所においてはこれらを使用することが好ましい。

光反射性物質２２は、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、炭酸バリウム、硫酸バリウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、ガラスフィラーから選択される少なくとも１種であることが好ましい。光反射性物質２２は、酸化亜鉛等の半導電性物質を除く。結合材２３は酸化チタン（ＴｉＯ_２）が好ましい。酸化チタンは屈折率が高いため、例えば、結合材２３に屈折率が１．４０以上１．６０以下の樹脂を使用した場合、屈折率が２．７０の酸化チタンを使用することで、屈折率の差が大きくなり、光反射率が向上するからである。光反射性物質２２の粒径（メジアン径）は、特に限定されないが、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．１５μｍ以上１μｍ以下がより好ましく、０．２μｍ以上０．４μｍ以下が特に好ましい。

光反射部２０は、さらに、フュームドシリカ、若しくは、高級脂肪酸アマイドのいずれかを含んでもよい。これらを含むことにより光反射部での第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２の沈降や凝集を防ぎ均一分散を促進することができる。
光反射部２０は、さらに、アルミネート系、シラン系、チタネート系、ジルコネート系の少なくともいずれか１種のカップリング剤を含むことが好ましい。結合材２３にカップリング剤を添加することにより、第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２のそれぞれの濡れ性を向上させることができるからである。また、カップリング剤は第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２を結合材２３に混合する前に、表面改質処理を施しておいてもよい。

光反射部２０は、さらに、イオン捕捉粉末を含むことが好ましい。これにより、光反射部２０内にＮａ^＋やＫ^＋、ＳＯ_４ ^２－、ＮＯ^３―等の不純物が含まれる場合、不純物イオンを捕捉して光反射部２０のリーク特性の悪化や樹脂の硬化阻害を防止することができる。イオン捕捉粉末はＺｒ系、Ｂｉ系、Ｂｉ，Ｓｂ系、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｒ系やＢｉ、Ｚｒ系等の無機イオン捕捉剤を用いることが好ましい。イオン捕捉粉末は、一次粒子径が１μｍ以下、好ましくは８００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下であることが好ましい。

光反射部２０は、さらに、導電粒子を含んでもよい。光反射部２０に導電粒子を少量含有させることで、第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂの含有量を減らせることができる。結合材１００重量部に対し、導電粒子は、１０重量部以上４０重量部以下であってもよく、１３重量部以上３５重量部以下であってもよい。

（第１実施形態に係る発光装置の製造方法）
次に、第１実施形態に係る発光装置の製造方法について概略を説明する。

一対の素子電極７を持つ発光素子１０を準備した後、一対の素子電極７間に光反射部２０を配置する。

準備において、一対の素子電極７は、電解めっき法等でめっき処理される。

配置において、一対の素子電極７間にスクリーン印刷法や圧縮成形法などにより、光反射部２０を配置する。光反射部２０はｎ側電極７ａ及びｐ側電極７ｂのそれぞれと接触している。その後、光反射部２０の結合材２３を固化又は硬化する。例えば、ｎ側電極７ａ及びｐ側電極７ｂの全体を結合材２３で被覆した場合、ｎ側電極７ａ及びｐ側電極７ｂの表面が露出するように、光反射部２０の表面をバックサイドグラインダーなどで研削する。これにより、ｎ側電極７ａ及びｐ側電極７ｂが光反射部２０から露出される。

次に発光装置の集合体をダイシングブレード、またはレーザー光により切断して個別の発光装置に個片化する。なお、発光装置は、ひとつのｎ型、ｐ型半導体層を含むシングルチップ構造でも良いし、複数のｎ型、ｐ型半導体層を含むマルチチップ構造であっても良い。

このようにして製造された発光装置は、ｎ側電極７ａ、ｐ側電極７ｂを通じて、半導体層６に電流が供給され発光する。そして、半導体層６から出射される光は、主に第１面１を透過し、外部に出射される。これにより、静電気による破壊を抑制するとともに、光取り出し効率の高い発光装置を提供することができる。

＜第２実施形態に係る発光装置＞
第２実施形態に係る発光装置について、図面を用いて説明する。図５は、第２実施形態に係る発光装置の上面側から見た概略上面図である。図６は、第２実施形態に係る発光装置の下面側から見た概略下面図である。図７は、第２実施形態に係る発光装置の概略断面図である。図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ線で切断している。

第２実施形態に係る発光装置は、第１実施形態に係る発光装置に比べて、発光素子１０の第１面１と向かい合うように波長変換部材４０を備える。発光素子１０の第１面１と波長変換部材４０との間には接着剤５０が配置され、発光素子１０と波長変換部材４０とを固定している。また、発光素子１０の側面３にも断面視で略三角形形状のフィレットとなる接着剤５０が配置されており、発光素子１０の第１面１と波長変換部材４０との間に配置された接着剤５０と連続している。光反射部２０は、発光素子１０の側面３の側方、発光素子１０の第２面２に連続して配置されている。光反射部２０は一対の素子電極７間及び一対の素子電極７の外周端部にも配置されている。それ以外は概ね第１実施形態に係る発光装置と共通しているため、説明を省略する。このような構成を採ることにより、バリスタ機能を持たせるとともに、発光素子１０から側方に放出される光を、発光素子１０の側方に配置された光反射部２０で反射し、発光装置の上方への光取り出しを向上させることができる。バリスタ機能についても、一対の素子電極７間だけでなく、一対の素子電極７の外周端部においても、光反射部２０と一対の素子電極７とが接触しているため、バリスタ機能を高めることができる。この発光装置は、ＣＳＰ（Chip Size Package）型発光装置として用いることができる。

なお、光反射部２０は、発光素子１０の側面３の側方だけでなく、直接、発光素子１０の側面３に配置してもよい。また、光反射部２０は、波長変換部材４０の側面若しくは側方に配置されていてもよい。波長変換部材４０の側面若しくは側方に光反射部２０を配置することで、コントラストの良い発光装置を提供することができる。

（波長変換部材）
波長変換部材は、蛍光体を含有する。波長変換部材は、無機材料を含有してもよい。波長変換部材は、蛍光体と無機材料とを含むセラミックス複合体を含むことが好ましい。波長変換部材は、蛍光体と無機材料とを含むセラミックス複合体からなる蛍光体層の単層のものであってもよく、蛍光体と無機材料とを含むセラミックス複合体からなる蛍光体層と、樹脂、ガラス及び無機物からなる群から選択される少なくとも１種の材料からなる透光性層とが積層されたものであってもよい。また、蛍光体と無機材料とを含むセラミックス複合体は、１種の第１蛍光体を含むものであってもよく、第１蛍光体とは組成が異なる他種の第２蛍光体を含むものであってもよい。また、１種の第１蛍光体と無機材料とを含む第１セラミックス複合体を第１蛍光体層とし、第１蛍光体とは組成が異なる他種の第２蛍光体と無機材料とを含む第２セラミックス複合体を第２蛍光体層とし、更に蛍光体を含まない透光性層が積層されたものであってもよい。透光性層はセラミックス複合体に含まれる後述する無機酸化物と同様の無機酸化物からなる板状体であってもよい。

波長変換部材に含まれる蛍光体は、希土類アルミン酸塩蛍光体を含み、無機材料は無機酸化物を含むことが好ましい。蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｙ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ_８ＭｇＳｉ_４Ｏ_１６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）_３（Ｏ，Ｎ）_４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２Ｓｉ_０．９９Ａｌ_０．０１Ｆ_５．９９：Ｍｎ）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する蛍光体（例えば、ＣｓＰｂ（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）_３）、又は、量子ドット蛍光体（例えば、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、ＡｇＩｎＳ_２又はＡｇＩｎＳｅ_２）等を用いることができる。

ＫＳＡＦ系蛍光体としては、下記式（Ｉ）で表される組成を有していてよい。
Ｍ_２［Ｓｉ_ｐＡｌ_ｑＭｎ_ｒＦ_ｓ］ （Ｉ）

式（Ｉ）中、Ｍはアルカリ金属を示し、少なくともＫを含んでよい。Ｍｎは４価のＭｎイオンであってよい。ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、０．９≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦１．１、０＜ｑ≦０．１、０＜ｒ≦０．２、５．９≦ｓ≦６．１を満たしていてよい。好ましくは、０．９５≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦１．０５又は０．９７≦ｐ＋ｑ＋ｒ≦１．０３、０＜ｑ≦０．０３、０．００２≦ｑ≦０．０２又は０．００３≦ｑ≦０．０１５、０．００５≦ｒ≦０．１５、０．０１≦ｒ≦０．１２又は０．０１５≦ｒ≦０．１、５．９２≦ｓ≦６．０５又は５．９５≦ｓ≦６．０２５であってよい。例えば、Ｋ_２［Ｓｉ_{０．９４６}Ａｌ_{０．００５}Ｍｎ_{０．０４９}Ｆ_{５．９９５}］、Ｋ_２［Ｓｉ_{０．９４２}Ａｌ_{０．００８}Ｍｎ_{０．０５０}Ｆ_{５．９９２}］、Ｋ_２［Ｓｉ_{０．９３９}Ａｌ_{０．０１４}Ｍｎ_{０．０４７}Ｆ_{５．９８６}］で表される組成が挙げられる。このようなＫＳＡＦ系蛍光体によれば、輝度が高く、発光ピーク波長の半値幅の狭い赤色発光を得ることができる。本明細書において、蛍光体の組成を示す組成式中、カンマ（，）で区切られて記載されている複数の元素は、これら複数の元素のうち少なくとも１種の元素を組成式中に含むことを意味し、複数の元素から２種以上を組み合わせて含んでいてもよい。また、蛍光体の組成を示す式中、コロン（：）の前は母体結晶を構成する元素及びそのモル比を表し、コロン（：）の後は賦活元素を表す。「モル比」は、蛍光体の組成の１モル中の元素のモル量を表す。

波長変換部材に含まれる無機酸化物は、発光素子からの光及び蛍光体で波長変換された光を透過する透光性を有する無機酸化物であることが好ましい。無機酸化物としては、例えばＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＭｇＯ、ＴｉＯ_２、ＣｅＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２及びＹ_２Ｏ_３からなる群から選択される少なくとも１種の無機酸化物が挙げられる。本明細書において、透光性とは、発光素子から出射される光及び蛍光体で波長変換された光の６０％以上を透過するものであることを意味し、透光性を有するものとしては、例えば発光素子から出射される光の透過率が７０％以上のものでもよく、８０％以上のものでもよく、９０％以上のものでもよい。セラミックス複合体に含まれる蛍光体が、希土類アルミン酸塩蛍光体である場合、無機材料は、Ａｌ_２Ｏ_３を含むことが好ましい。

なお、波長変換部材４０は、蛍光体１００％である必要はなく、蛍光体に酸化アルミニウム等の熱伝導性の良い部材を０．０１重量％以上１０重量％以下混合したものであってもよい。また、ガラスやセラミックスのような透光性部材に蛍光体層を配置したものであってもよい。透光性部材への蛍光体の配置は印刷、ディスペンス等の手法を使用することができる。

（接着剤）
接着剤５０は、その一部により波長変換部材４０と発光素子１０とを接着する接着層を形成すると共に、他の一部によりフィレットを形成するように配置される。フィレットを構成する接着剤５０としては、発光素子１０からの出射光を波長変換部材４０へと有効に導光でき、発光素子１０と波長変換部材４０とを光学的に連結できる透光性材料を用いることが好ましい。接着剤５０としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂を用いることができ、耐熱性の高いシリコーン樹脂を用いることが好ましい。なお、発光素子１０と波長変換部材４０との間に形成された接着層の厚さは薄ければ薄い程好ましく、これにより放熱性が向上するとともに、発光素子１０と波長変換部材４０との間の接着剤５０を透過する光の損失が少なくなるため、発光装置の光出力が向上する。また、接着剤５０の屈折率は発光素子１０よりも小さく、波長変換部材４０よりも高いことが好ましい。屈折率を所定の関係にすることで、発光素子１０からの出射光を効率良く接着剤５０及び波長変換部材４０を介して外部に放出することができる。

接着剤５０は、波長変換部材４０の下面周縁と発光素子１０の側面３との間に配置される。フィレットは、外側に向かって断面視で外形線が略直線あるいは凸曲線となるように配置されることが好ましいが、凹曲線となっていてもよい。さらに、フィレットは、発光素子１０の側面３の一部又は全部を覆うように配置されている。

接着剤５０は、波長変換部材４０と発光素子１０の第１面１との接着に必要な接着層の量以外の余剰分の接着剤５０を発光素子１０の側面３まで延在させることで、フィレットを形成することができる。なお、フィレットの断面三角形状は、接着層に連続して波長変換部材４０の下面及び発光素子１０の側面３が直交する位置に形成される。このフィレットの断面三角形状の部分は、シリコーン樹脂等と発光素子１０の側面３や波長変換部材４０の下面との濡れ性や粘度を適正化することによって形成することができる。

（第２実施形態に係る発光装置の製造方法）
次に、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について図面を用いて概略を説明する。図８乃至図１７は、第２実施形態に係る発光装置の製造工程を示す概略断面図である。

まず、金属プレート６１に貼り付けられた両面テープ６２を用いて、透光性シート６３と蛍光体シート６４を貼り付ける。目的に応じてどちらか一方のシートでも良い。なお蛍光体シート６４は最終的に個片化された後は波長変換部材４０となる。

次に蛍光体シート６４及び透光性シート６３の一部へダイシングブレードＡでハーフカット溝を付ける。この溝は透光性シート６３の途中まで溝が形成される。

次に接着剤５０を用いて、発光素子１０の第１面１と蛍光体シート６４とが向かい合うように接着する。この場合、発光素子１０は、蛍光体シート６４の溝部分でのセルフアライメント効果により波長変換部材４０の中心に配置され、また、接着剤５０で発光素子１０の側面３にフィレットが形成される。

次に、発光素子１０の側方に光反射部２０を配置する。このとき、発光素子１０の第２面２に設けた一対の素子電極７を覆うように光反射部２０を配置する。また、接着剤５０の表面、及び、蛍光体シート６４の溝に光反射部２０を配置する。この配置方法は、トランスファー成形、圧縮成形、インジェクション成形法、スクリーン印刷成形、ディスペンス、噴霧等でも良い。配置した光反射部２０を固化若しくは硬化する。圧縮成形における金型温度は、樹脂の硬化温度付近、例えば、樹脂の硬化温度よりも－３０℃以上５０℃以下の間の金型温度を使用することが好ましい。例えば、樹脂の硬化温度が１３０℃であれば、金型温度が１２０℃以上１４０℃以下とする。硬化温度は、３０秒以上３０分以下、好ましくは１分以上１０分以下である。樹脂は、一次硬化、二次硬化と二段階で硬化させてもよく、一段階で硬化させてもよい。光反射部２０は樹脂やガラスやセラミックス等の固化、硬化により簡易に固形化することができる。特に焼結のような１０００℃以上の工程を経ることなく光反射部２０を形成することができる。

次に、一対の素子電極７が露出するように光反射部２０を研削する。

次に、研削して露出した一対の素子電極７に金等のスパッタ膜をコーティングして、必要な部分以外をレーザーで除去して被膜７ｃを形成する。これにより一対の素子電極７の母材である銅の変色を抑制することができる。

次に、隣り合う発光素子１０の間における蛍光体シート６４の溝部分にダイシングブレードＢを用いてハーフカット溝を形成する。

溝を形成した後、金属プレート６１を両面テープ６２から剥がす。

最後に、透光性シート６３の全部及び蛍光体シート６４の一部を研削してハーフカット溝を露出させ、各発光装置を個片化することにより、第２実施形態に係る発光装置を製造することができる。蛍光体シート６４は個片化されると波長変換部材に相当する。ただし、蛍光体シート６４を研削せずに、透光性シート６３の一部のみを研削して透光性部材を持つ発光装置とすることもできる。

（第３実施形態に係る発光装置）
第３実施形態に係る発光装置について図面を用いて概略を説明する。図１８は、第３実施形態に係る発光装置の概略断面図である。第１実施形態に係る発光装置、第２実施形態に係る発光装置と、同じような構成を採る部分については説明を省略することもある。

第１面１と、第１面１と反対側の第２面２と、第１面１及び第２面２と繋がる側面３と、を有し、第２面２に異なる極性を持つ一対の素子電極７を有する発光素子１０と、一対の素子電極７と電気的に接続する、第１リードフレーム配線部８ａと、第１リードフレーム配線部８ａから離隔する第２リードフレーム配線部８ｂと、粉体状の半導電性物質２１と粉体状の光反射性物質２２と絶縁性の結合材２３とを含む光反射部２０と、を備え、半導電性物質２１は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体２１ａと、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体２１ｂと、を持ち、光反射部２０が第１リードフレーム配線部８ａと第２リードフレーム配線部８ｂとのそれぞれと接触するように配置され、光反射部２０は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。一対の素子電極７は第１リードフレーム配線部８ａ、第２リードフレーム配線部８ｂとそれぞれ電気的に接続されているが、ワイヤや半田等の導電部材を介して配置されていてもよく、又は、直接接続されていてもよい。パッケージ８は、第１リードフレーム配線部８ａ及び第２リードフレーム配線部８ｂが樹脂やセラミックス等の固定部８ｃにより固定されている。パッケージ８は底平面と側面を持つ凹部が形成され、凹部の底平面に発光素子１０がフェイスアップ実装されている。発光素子１０は蛍光体が含有された透光性の封止部材８ｄで封止されている。光反射部２０は、第１リードフレーム配線部８ａと第２リードフレーム配線部８ｂとのそれぞれと接触するように配置されていればよく、例えば、パッケージ８の凹部の底平面を構成する第１リードフレーム配線部８ａと第２リードフレーム配線部８ｂと固定部８ｃ上に配置している。これにより発光素子１０から放出された光が、第１リードフレーム配線部８ａと第２リードフレーム配線部８ｂとの間の固定部８ｃを透過して、パッケージ８の裏面側に放出されるのを抑制することができ、パッケージ８の表面側への光取り出しを向上させることができる。光反射部２０は、固定部８ｃ上の第１リードフレーム配線部８ａと第２リードフレーム配線部８ｂとの外縁に沿った形状、例えば直線状に形成されている。また、光反射部２０の幅は、第１リードフレーム配線部８ａと第２リードフレーム配線部８ｂとの幅の１．１倍以上３倍以下が好ましい。なお、第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２を結合材２３中に高濃度にした光反射部２０を使用することもできるが、光反射部２０を配置した後、第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２を沈降若しくは遠心沈降させたものであってもよい。これにより、光反射部２０の厚みを均一に、光反射効率を高くすることができる。発光素子１０は半田等の金属部材や樹脂等の接着剤５０を介してパッケージ８の凹部の底平面に実装される。接着剤５０に樹脂を使用し、光反射部２０にも樹脂を使用する場合は、同じ材質であるため、接着剤５０と光反射部２０との密着性を高くすることができる。

第３実施形態に係る発光装置は、第１実施形態に係る発光装置と異なり、発光素子１０は、パッケージ８に配置されている。発光素子１０の実施形態もフェイスダウンからフェイスアップに変わっている。一対の素子電極７は第１リードフレーム配線部８ａ、第２リードフレーム配線部８ｂとワイヤを介して接続されている。さらに光反射部２０は凹部の底平面に配置されている。特に第１リードフレーム配線部８ａと第２リードフレーム配線部８ｂとに接触するように光反射部２０が配置されている。

第３実施形態の変形例に係る発光装置について図面を用いて概略を説明する。図１９は、第３実施形態の変形例に係る発光装置の概略断面図である。第３実施形態の変形例に係る発光装置は、第３実施形態に係る発光装置と光反射部の形態が異なる以外は概ね同じであるため、同じような構成を採る部分については説明を省略する。

光反射部２０は、発光素子１０が実装される部分を除く、凹部の底平面の全面に配置されている。光反射部２０は、発光素子１０が実装される部分だけでなく、ワイヤ等の導電部材と第１リードフレーム配線部８ａ等との接続部分を除いてもよい。さらに、光反射部２０の部分配置や複数回配置を用いて、光反射部２０を凹部の底平面の全面に配置しても良い。これにより発光素子１０から放出された光が、第１リードフレーム配線部８ａと第２リードフレーム配線部８ｂとの間の固定部８ｃを透過して、パッケージ８の裏面側に放出されるのを抑制するのに加え、光反射率やバリスタ特性を向上させることができる。

（第４実施形態に係る発光装置）
第４実施形態に係る発光装置について図面を用いて概略を説明する。図２０は、第４実施形態に係る発光装置の概略上面図である。図２１は、第４実施形態に係る発光装置の概略断面図であり、図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線で切断している。第１実施形態乃至第３実施形態に係る発光装置と、同じような構成を採る部分については説明を省略することもある。

第４実施形態に係る発光装置は、基板９ｃに第１配線部９ａ、第２配線部９ｂを備え、回路基板としてもよい。発光素子１０は、素子基板５に半導体層６が配置され、半導体層６にｎ側電極７ａ、ｐ側電極７ｂが配置されている。半導体層６が配置されている側と反対側の素子基板５に波長変換部材４０が配置されている。素子基板５と波長変換部材４０との間は接着剤５０が配置され、素子基板５に波長変換部材４０が固定されている。また波長変換部材４０上には透光性部材４２が配置されている。発光素子１０は基板９ｃ上にフリップチップ実装されており、発光素子１０のｎ側電極７ａ、ｐ側電極７ｂは、第１配線部９ａ、第２配線部９ｂと、直接又は半田若しくは金属層等を介して電気的に接続されている。ｎ側電極７ａとｐ側電極７ｂの間、第１配線部９ａと第２配線部９ｂとの間、半導体層６の側面若しくは側方、素子基板５の側面若しくは側方、波長変換部材４０の側面若しくは側方に光反射部２０が配置されているが、異なる電極間を接続するように配置されていれば一部でもよい。この光反射部２０は、トランスファー成形や圧縮成形等により形成してもよい。第１配線部９ａと第２配線部９ｂとの間に光反射部２０を設ける場合は、基板９ｃにめっき等で突起を形成し、突起以外の基板９ｃ上に光反射部２０を配置し、研削等で突起を露出させ、第１配線部９ａと第２配線部９ｂを形成する。その後、発光素子１０を配置した後、光反射部２０を基板９ｃ上に配置してもよい。第１配線部９ａと第２配線部９ｂとの間は、０．１５ｍｍ以上０．２５ｍｍ以下が好ましく、配線部の突起の高さは２５μｍ以上５０μｍ以下が好ましいが、これに限定されない。

なお、第４実施形態に係る発光装置の製造方法は、上記及び特許第６２１７７０５号公報を参照することにより製造することができる。

（第５実施形態に係る光源）
第５実施形態に係る光源について図面を用いて概略を説明する。図２２は、第５実施形態に係る光源の概略斜視図である。図２３は、第５実施形態に係る光源の概略断面図であり、図２２のＸＸＩＩＩ―ＸＸＩＩＩ線で切断している。

光源は、第１面１と、第１面１と反対側の第２面２と、第１面１及び第２面２と繋がる側面３と、を有し、第２面２に異なる極性を持つ一対の素子電極７を有する発光素子１０と、一対の素子電極７と電気的に接続する、少なくとも２つの配線部を備える回路基板７０と、粉体状の半導電性物質２１と粉体状の光反射性物質２２と絶縁性の結合材２３とを含む光反射部２０と、を備え、半導電性物質２１は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体２１ａと、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体２１ｂと、を持ち、光反射部２０が２つの配線部のそれぞれと接触するように配置され、光反射部２０は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。少なくとも２つの配線部は第１配線部９ａ、第２配線部９ｂが含まれている。回路基板７０は、基板９ｃ上に第１配線部９ａ、第２配線部９ｂを備える。一対の素子電極７はｎ側電極７ａ、ｐ側電極７ｂの異なる極性を持ち、ｎ側電極７ａ及びｐ側電極７ｂは、第１配線部９ａ及び第２配線部９ｂにそれぞれ電気的に接続されている。光反射部２０は、一対の素子電極７間及び第１配線部９ａ、第２配線部９ｂ間に配置されている。発光素子１０の第１面１に配置され発光素子１０からの光を波長変換する波長変換部材４１と透光性部材４２とを備える。発光素子１０の第１面１と波長変換部材４１との間、及び、発光素子１０の側面３に、接着剤５０を配置する。接着剤５０は光反射部２０の一部を覆うように発光素子１０の側方に配置される。光反射部２０上に、酸化チタンのような光反射性物質を含有させた光反射層４３を形成する。さらに、透光性部材４２及び光反射層４３に接するように、半球状のレンズ４４が配置されている。光反射部２０は、アンダーフィルのように使用されるが、所定の流動性を持たせたとしても、結合材２３中に、第１粉体２１ａ、第２粉体２１ｂ、光反射性物質２２を所定量含むため、バリスタ特性と所定の光反射率とを有する。

以下、実施例に係る光反射部、発光装置について説明する。

（光反射部の調整）
光反射部として、粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む。半導電性物質は、球状若しくは略球状の形状を持つ第１粉体と、４方向に延びる針状の形状を持つ第２粉体と、を持つ。

結合材として、フェニルシリコーン樹脂（デュポン・東レ・スペシャルティ・マテリアル社製ダウコーニング株式会社製：製品型番ＯＥ７６６０）、第１粉体として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、第２粉体としてテトラポット型の酸化亜鉛（ＺｎＯ）（パナソニック株式会社製：パナテトラ酸化亜鉛単結晶）、光反射性物質としては酸化チタン（ＴｉＯ_２）、有色マイクロバリスタ材として酸化亜鉛（ＺｎＯ）（音羽電機工業株式会社製）、カップリング剤としてシランカップリング剤（信越シリコーン株式会社製：製品型番ＫＢＭ－１０８３）を使用する。表１には、これら粉体の配合比、及び、物性値を記載する。これら粉体の混合は自転公転式ミキサー、ディソルバー、三本ロールミル、回転式混合機、二軸ミキサー等の公知の混合機を使用することができる。

実施例及び比較例ではフェニルシリコーン樹脂とシランカップリング剤とを予め調合し、その後、自転公転式ミキサー（シンキー製自転公転式ミキサー 品名 ＡＲＶ―３１０ＬＥＤ）を用いて回転数１２００ｒｐｍ、攪拌時間約３分で混合を実施する。その後、粉体を所定量配合し、３分程度実施後、自転公転式ミキサーで３分程度混錬を実施する。

（電極間封止）
上記光反射部の組成物を用いて、電極間封止を行う。一対の素子電極間に光反射部を配置した場合のバリスタ特性、光反射率を確認するため、測定の便宜上、電極間封止を使用する。図２４は、実施例に係る回路基板に光反射部を配置した概略断面図である。比較例も同様の構成を採る。評価用の回路基板として、基板９ｇに２つの配線部９ｆを備える。基板９ｇは厚さ０．３ｍｍのビスマレイミドトリアジンレジンを用い、配線部９ｆは厚さ０．０１８ｍｍの銅箔を用い、２つの配線部９ｆの距離は０．２ｍｍである。この２つの配線部９ｆと接触するように、光反射部２０ｆを配置する。光反射部２０ｆは圧縮成形法を用いて、厚さ０．３ｍｍの被膜を形成する。圧縮成形法の成形条件は、金型温度１２０℃以上１４０℃以下、硬化時間約４分で行う。圧縮成形機を用いて光反射部２０ｆを一次硬化させた後、樹脂の反応を完結するために、ポストキュアー（二次硬化）を１５０℃で約４時間の条件で実施する。

（電流－電圧特性の評価）
オシロスコープを用いて評価基板上の２つの配線間に０Ｖから４００Ｖまでの電圧を印加した時に流れた電流値を測定する。図２５は、実施例に係る発光装置の電流－電圧特性を示す測定結果である。

この測定結果において、実施例１乃至５、比較例３は、電流－電圧特性からバリスタ特性が得られているが、特に実施例２、３、５は、高いバリスタ特性が得られている。一方、比較例１及び２は、バリスタ特性が得られていない。実施例１乃至５について、バリスタ電流－電圧特性から非直線性係数（α値）を算出した。具体的にはグラフのカーブからＩ＝Ｋ・Ｖαに適合するαを求めた。その結果から実施例３、実施例２、実施例５の順に良好であり、実施例３が最も良好であった。

（光反射率）
次に、実施例、比較例に係る光反射部の表面の光反射率を測定した。光反射率は、村上色彩技術研究所製高速分光光度計（ＣＭＳ－３５ＳＰ）を用いて測定する。図２６は、実施例に係る発光装置の光反射率を示す図である。

この結果から、実施例１から５は、比較例３に比べて高い光反射率を示す。具体的には実施例１から５は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で少なくとも５０％以上の光反射率を有していた。

これらから、実施例１から５に係る光反射部は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で少なくとも５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ。特に実施例３、実施例２、実施例５は、非直線性係数（α値）が４以上と高いバリスタ特性を持っている。実施例１から５に係る光反射部は、４５０ｎｍの波長に対して６０％以上の光反射率を有し、７３０ｎｍの波長に対して７５％以上の光反射率を有する。

本開示の実施形態に係る発光装置及び光源は、液晶ディスプレイのバックライト光源、車載用又は一般屋内外照明等の各種照明器具、屋内外用ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置等に利用することができる。

１ 第１面
２ 第２面
３ 側面
５ 素子基板
６ 半導体層
７ 素子電極
７ａ ｎ側電極
７ｂ ｐ側電極
７ｃ 被膜
８ パッケージ
８ａ 第１リードフレーム配線部
８ｂ 第２リードフレーム配線部
８ｃ 固定部
８ｄ 封止部材
９ａ 第１配線部
９ｂ 第２配線部
９ｃ 基板
９ｆ 配線部
９ｇ 基板
１０ 発光素子
２０、２０ｆ 光反射部
２１ 半導電性物質
２１ａ 第１粉体
２１ｂ 第２粉体
２２ 光反射性物質
２３ 結合材
４０ 波長変換部材
４１ 波長変換部材
４２ 透光性部材
４３ 光反射層
４４ レンズ
５０ 接着剤
７０ 回路基板
Ａ、Ｂ ダイシングブレード

Claims (15)

1. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる側面と、を有し、前記第２面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、
   粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、
   を備え、
   前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体と、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体と、を持ち、
   前記光反射部が前記一対の素子電極のそれぞれと接触するように配置され、
   前記光反射部は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ、発光装置。
2. 前記バリスタ特性は、非直線性係数（α）が３以上である、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記発光装置は、さらに、前記発光素子の前記第１面と向かい合うように波長変換部材を備える、請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記光反射部は、前記発光素子の前記側面若しくは側方、及び／又は、前記波長変換部材の側面若しくは側方、に配置されている、請求項３に記載の発光装置。
5. 前記第１粉体、前記第２粉体は、前記結合材１００重量部に対し、前記第１粉体は、３０以上４５０重量部以下であり、前記第２粉体は２０以上２００重量部以下である、請求項１又は２に記載の発光装置。
6. 前記第１粉体に対し、前記第２粉体の重量比率は、４．４％以上６６７％以下である、請求項１又は２に記載の発光装置。
7. 前記第１粉体は、直径若しくは長径が１μｍ以上５０μｍ以下であり、前記第２粉体は、平均繊維長が１μｍ以上５０μｍ以下である、請求項１又は２に記載の発光装置。
8. 前記半導電性物質は、ＢａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＺｎＯ、ＢｉＯ、ＣｏＯ、ＭｎＯ、ＳｂＯ、ＣｒＯ、ＮｉＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯから選ばれる少なくとも１種である、請求項１又は２に記載の発光装置。
9. 前記第１粉体は、純度９５％以上のＺｎＯであり、
   前記第１粉体に、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｃｏ、Ｍｎ、又は、これらから選択される少なくとも１種を含む酸化物若しくは窒化物、が含有されていない、又は、０．０１重量％以下である、請求項１又は２に記載の発光装置。
10. 前記第２粉体は、体積固有抵抗が０．１Ω・ｃｍ以上１０００Ω・ｃｍ以下である、請求項１又は２に記載の発光装置。
11. 前記結合材は、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、若しくはこれらの少なくとも１種を含むハイブリッド樹脂、ガラス、又は、セラミックスである、請求項１又は２に記載の発光装置。
12. 前記光反射性物質は、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素から選択される少なくとも１種である、請求項１又は２に記載に記載の発光装置。
13. 前記光反射部は、さらに、フュームドシリカ、若しくは、高級脂肪酸アマイドのいずれかを含む、請求項１又は２に記載の発光装置。
14. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる側面と、を有し、前記第２面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、
    前記一対の素子電極と電気的に接続する、第１リードフレーム配線部と、前記第１リードフレーム配線部から離隔する第２リードフレーム配線部と、
    粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、
    を備え、
    前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体と、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体と、を持ち、
    前記光反射部が前記第１リードフレーム配線部と前記第２リードフレーム配線部とのそれぞれと接触するように配置され、
    前記光反射部は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ、発光装置。
15. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面と、前記第１面及び前記第２面と繋がる側面と、を有し、前記第２面に異なる極性を持つ一対の素子電極を有する発光素子と、
    前記一対の素子電極と電気的に接続する、少なくとも２つの配線部を備える回路基板と、
    粉体状の半導電性物質と粉体状の光反射性物質と絶縁性の結合材とを含む光反射部と、
    を備え、
    前記半導電性物質は、球状、長球、楕円体、略球状、略長球、略楕円体の少なくともいずれか１種の形状を持つ第１粉体と、１方向又は２方向以上に延びる針状の形状を持つ第２粉体と、を持ち、
    前記光反射部が前記２つの配線部のそれぞれと接触するように配置され、
    前記光反射部は、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の波長域で５０％以上の光反射率を有し、かつ、バリスタ特性を持つ、光源。

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