JP7460448B2 - 基板処理方法、および、基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 324
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 507
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 287
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 100
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 44
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 44
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 28
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 11
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 7
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N hydrofluoric acid Substances F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/02—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area for controlling time, or sequence, of delivery
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
- B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
- B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
- B05B15/55—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids
- B05B15/555—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter using cleaning fluids discharged by cleaning nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
本願明細書に開示される技術の第2の態様は、基板に第1のノズルから第1の薬液を吐出する工程と、前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する工程と、前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に第2のノズルから前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する工程とを備え、前記第1の薬液が吐出された後、かつ、前記第2の薬液が吐出される前に、前記基板にリンス液を吐出する工程をさらに備え、前記リンス液は、前記第1のノズル内の前記液体を吸引する工程の前に、前記第1のノズルから吐出される。
本願明細書に開示される技術の第3の態様は、基板に第1のノズルから第1の薬液を吐出する工程と、前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する工程と、前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に第2のノズルから前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する工程とを備え、前記第1の薬液が吐出された後、かつ、前記第2の薬液が吐出される前に、前記基板にリンス液を吐出する工程をさらに備え、前記リンス液は、前記第1のノズル内の前記液体を吸引する工程の間に、前記第2のノズルから吐出される。
本願明細書に開示される技術の第4の態様は、基板に第1のノズルから第1の薬液を吐出する工程と、前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する工程と、前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に第2のノズルから前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する工程とを備え、前記第1の薬液が吐出された後、かつ、前記第2の薬液が吐出される前に、前記基板にリンス液を吐出する工程をさらに備え、前記リンス液を吐出する工程は、前記第1のノズルおよび前記第2のノズルの双方において、時間順次に行われる。
本願明細書に開示される技術の第5の態様は、第2から4のうちのいずれか1つの態様に関連し、前記第1のノズル内の前記液体を吸引する工程が、前記リンス液を吐出する工程の間に終了する。
本願明細書に開示される技術の第12の態様は、基板に第1の薬液を吐出する第1のノズルと、前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する吸引機構と、前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する第2のノズルと、前記第1のノズル、前記吸引機構および前記第2のノズルの制御を行う制御部とを備え、前記制御部が、前記基板に前記第1のノズルから前記第1の薬液を吐出させた後、かつ、前記第2のノズルから前記第2の薬液を吐出させる前に、前記基板にリンス液を吐出させ、前記リンス液を、前記第1のノズル内の前記液体を吸引する前に、前記第1のノズルから吐出させる。
本願明細書に開示される技術の第13の態様は、基板に第1の薬液を吐出する第1のノズルと、前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する吸引機構と、前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する第2のノズルと、前記第1のノズル、前記吸引機構および前記第2のノズルの制御を行う制御部とを備え、前記制御部が、前記基板に前記第1のノズルから前記第1の薬液を吐出させた後、かつ、前記第2のノズルから前記第2の薬液を吐出させる前に、前記基板にリンス液を吐出させ、前記リンス液を、前記第1のノズル内の前記液体を吸引する間に、前記第2のノズルから吐出させる。
本願明細書に開示される技術の第14の態様は、基板に第1の薬液を吐出する第1のノズルと、前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する吸引機構と、前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する第2のノズルと、前記第1のノズル、前記吸引機構および前記第2のノズルの制御を行う制御部とを備え、前記制御部が、前記基板に前記第1のノズルから前記第1の薬液を吐出させた後、かつ、前記第2のノズルから前記第2の薬液を吐出させる前に、前記基板にリンス液を吐出させ、前記リンス液を、前記第1のノズルおよび前記第2のノズルの双方において、時間順次に吐出させる。
以下、本実施の形態に関する基板処理方法、および、基板処理装置について説明する。
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置1の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理装置1は、ロードポートLPと、インデクサロボットIRと、センターロボットCRと、制御部90と、少なくとも1つの処理ユニットUTa(図1においては4つの処理ユニット)とを備える。
図6は、図3および図4に例が示された供給および吸引機構14の構成の例を模式的に示す図である。なお、供給および吸引機構15の構成、供給および吸引機構16の構成、および、供給および吸引機構30の構成も、それぞれの機構で供給する処理液の種類を除いては図6に例が示される構成と同様である。
次に、図7から図10を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明する。ここで、図7、図8、図9および図10は、基板処理装置の動作のうち、特に供給および吸引機構14、および、供給および吸引機構15の動作を説明するための模式図である。
本実施の形態に関する基板処理方法、および、基板処理装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図11は、本実施の形態に関する処理ユニットUTの構成の例を模式的に示す図である。処理ユニットUTにおけるそれぞれの構成の動作は、制御部90によって制御される。また、図12は、対向部材26の構成の例を模式的に示す断面図である。
次に、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明する。本実施の形態に関する基板処理装置による基板処理方法は、処理ユニットUTへ搬送された基板Wに対し薬液処理を行う工程と、薬液処理が行われた基板Wに対し洗浄処理を行う工程と、洗浄処理が行われた基板Wに対し乾燥処理を行う工程と、乾燥処理が行われた基板Wを処理ユニットUTから搬出する工程とを備える。
本実施の形態に関する基板処理方法、および、基板処理装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図14は、本実施の形態に関する処理ユニットUTbの構成の例を模式的に示す図である。処理ユニットUTbにおけるそれぞれの構成の動作は、制御部90によって制御される。
図15は、図14に例が示された供給および吸引機構38の構成の例を模式的に示す図である。なお、供給および吸引機構39の構成も、供給する処理液の種類を除いては図15に例が示される構成と同様である。
次に、図16から図19を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明する。ここで、図16、図17、図18および図19は、基板処理装置の動作のうち、特に供給および吸引機構38、および、供給および吸引機構39の動作を説明するための模式図である。
本実施の形態に関する基板処理方法、および、基板処理装置について説明する。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態で説明された構成要素と同様の構成要素については同じ符号を付して図示し、その詳細な説明については適宜省略するものとする。
図20は、本実施の形態に関する処理ユニットUTcの構成の例を模式的に示す図である。処理ユニットUTcにおけるそれぞれの構成の動作は、制御部90によって制御される。
図21は、図20に例が示された供給および吸引機構330の構成の例を模式的に示す図である。なお、供給および吸引機構332、供給および吸引機構334、供給および吸引機構336の構成も、供給する処理液の種類を除いては図21に例が示される構成と同様である。
次に、図22から図25を参照しつつ、本実施の形態に関する基板処理装置の動作を説明する。ここで、図22、図23、図24および図25は、基板処理装置の動作のうち、特にノズル310およびノズル312から処理液が供給される動作を説明するための模式図である。
次に、以上に記載された実施の形態によって生じる効果の例を示す。なお、以下の説明においては、以上に記載された実施の形態に例が示された具体的な構成に基づいて当該効果が記載されるが、同様の効果が生じる範囲で、本願明細書に例が示される他の具体的な構成と置き換えられてもよい。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
5 スピンチャック
8,10,12,13,21,310,312,314,316,400,402 ノズル
14,15,16,30,38,39,330,332,334,336 供給および吸引機構
17 カップ
17a 上端部
18 隔壁
19 FFU
20 排気ダクト
22 スピンモータ
23 スピン軸
24 スピンベース
25 挟持部材
26,26A 対向部材
27,27A 遮断板
28 回転軸
29 基板対向面
31 支持アーム
32 軸ノズル
33 ケーシング
34 回転機構
35 昇降機構
36 不活性ガス供給源
44 接続配管
45 排液配管
46 薬液配管
47 リンス液配管
48,49 吸引配管
50,51,52,53,56 バルブ
54 調整バルブ
55,57 吸引装置
80 チャンバ
90 制御部
91 CPU
92 ROM
93 RAM
94 記憶装置
94P 処理プログラム
95 バスライン
96 入力部
97 表示部
98 通信部
108,110,112,113,121,320,322,324,326,401,403 配管
127 爪部
132 貫通穴
200,203 薬液
201,202 リンス液
300 ノズルアーム
300A アーム部
300B 軸体
300C アクチュエータ
302 支持部
Claims (14)
- 基板に第1のノズルから第1の薬液を吐出する工程と、
前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する工程と、
前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に第2のノズルから前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する工程とを備え、
前記第1の薬液が吐出された後、かつ、前記第2の薬液が吐出される前に、前記基板にリンス液を吐出する工程をさらに備え、
前記第1のノズル内の前記液体を吸引する工程が、前記リンス液を吐出する工程の間に終了する、
基板処理方法。 - 基板に第1のノズルから第1の薬液を吐出する工程と、
前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する工程と、
前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に第2のノズルから前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する工程とを備え、
前記第1の薬液が吐出された後、かつ、前記第2の薬液が吐出される前に、前記基板にリンス液を吐出する工程をさらに備え、
前記リンス液は、前記第1のノズル内の前記液体を吸引する工程の前に、前記第1のノズルから吐出される、
基板処理方法。 - 基板に第1のノズルから第1の薬液を吐出する工程と、
前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する工程と、
前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に第2のノズルから前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する工程とを備え、
前記第1の薬液が吐出された後、かつ、前記第2の薬液が吐出される前に、前記基板にリンス液を吐出する工程をさらに備え、
前記リンス液は、前記第1のノズル内の前記液体を吸引する工程の間に、前記第2のノズルから吐出される、
基板処理方法。 - 基板に第1のノズルから第1の薬液を吐出する工程と、
前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する工程と、
前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に第2のノズルから前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する工程とを備え、
前記第1の薬液が吐出された後、かつ、前記第2の薬液が吐出される前に、前記基板にリンス液を吐出する工程をさらに備え、
前記リンス液を吐出する工程は、前記第1のノズルおよび前記第2のノズルの双方において、時間順次に行われる、
基板処理方法。 - 請求項2から4のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
前記第1のノズル内の前記液体を吸引する工程が、前記リンス液を吐出する工程の間に終了する、
基板処理方法。 - 請求項1から5のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
前記第1の薬液および前記第2の薬液は、一方が酸性の液体であり他方がアルカリ性の液体である、
基板処理方法。 - 請求項1から6のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
前記リンス液は水である、
基板処理方法。 - 請求項1から7のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
前記第1のノズルおよび前記第2のノズルは、前記基板に対向して配置される遮断板の中央部に共通して設けられる、
基板処理方法。 - 請求項1から8のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
前記第1のノズルと前記第2のノズルとは、互いに近傍に配置される、
基板処理方法。 - 請求項1から9のうちのいずれか1つに記載の基板処理方法であり、
前記第1のノズル内の液体を吸引する工程が、前記基板の上方において行われる、
基板処理方法。 - 基板に第1の薬液を吐出する第1のノズルと、
前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する吸引機構と、
前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する第2のノズルと、
前記第1のノズル、前記吸引機構および前記第2のノズルの制御を行う制御部とを備え、
前記制御部が、前記基板に前記第1のノズルから前記第1の薬液を吐出させた後、かつ、前記第2のノズルから前記第2の薬液を吐出させる前に、前記基板にリンス液を吐出させ、
前記第1のノズル内の前記液体の吸引を、前記リンス液の吐出が行われている間に終了させる、
基板処理装置。 - 基板に第1の薬液を吐出する第1のノズルと、
前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する吸引機構と、
前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する第2のノズルと、
前記第1のノズル、前記吸引機構および前記第2のノズルの制御を行う制御部とを備え、
前記制御部が、前記基板に前記第1のノズルから前記第1の薬液を吐出させた後、かつ、前記第2のノズルから前記第2の薬液を吐出させる前に、前記基板にリンス液を吐出させ、
前記リンス液を、前記第1のノズル内の前記液体を吸引する前に、前記第1のノズルから吐出させる、
基板処理装置。 - 基板に第1の薬液を吐出する第1のノズルと、
前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する吸引機構と、
前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する第2のノズルと、
前記第1のノズル、前記吸引機構および前記第2のノズルの制御を行う制御部とを備え、
前記制御部が、前記基板に前記第1のノズルから前記第1の薬液を吐出させた後、かつ、前記第2のノズルから前記第2の薬液を吐出させる前に、前記基板にリンス液を吐出させ、
前記リンス液を、前記第1のノズル内の前記液体を吸引する間に、前記第2のノズルから吐出させる、
基板処理装置。 - 基板に第1の薬液を吐出する第1のノズルと、
前記第1の薬液が吐出された後、前記第1のノズル内の液体を吸引する吸引機構と、
前記第1のノズル内の前記液体の吸引が停止された後、前記基板に前記第1の薬液とは異なる第2の薬液を吐出する第2のノズルと、
前記第1のノズル、前記吸引機構および前記第2のノズルの制御を行う制御部とを備え、
前記制御部が、前記基板に前記第1のノズルから前記第1の薬液を吐出させた後、かつ、前記第2のノズルから前記第2の薬液を吐出させる前に、前記基板にリンス液を吐出させ、
前記リンス液を、前記第1のノズルおよび前記第2のノズルの双方において、時間順次に吐出させる、
基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020094554A JP7460448B2 (ja) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
TW110116667A TWI836216B (zh) | 2020-05-29 | 2021-05-10 | 基板處理方法以及基板處理裝置 |
KR1020210068193A KR102635867B1 (ko) | 2020-05-29 | 2021-05-27 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN202110585185.7A CN113731671A (zh) | 2020-05-29 | 2021-05-27 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020094554A JP7460448B2 (ja) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021190559A JP2021190559A (ja) | 2021-12-13 |
JP7460448B2 true JP7460448B2 (ja) | 2024-04-02 |
Family
ID=78728362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020094554A Active JP7460448B2 (ja) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 基板処理方法、および、基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7460448B2 (ja) |
KR (1) | KR102635867B1 (ja) |
CN (1) | CN113731671A (ja) |
TW (1) | TWI836216B (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016042517A (ja) | 2014-08-15 | 2016-03-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2018056550A (ja) | 2016-09-21 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102342131B1 (ko) * | 2014-08-15 | 2021-12-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP2017212335A (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7048403B2 (ja) * | 2018-04-25 | 2022-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、基板処理方法、遅延期間設定方法およびプログラム |
-
2020
- 2020-05-29 JP JP2020094554A patent/JP7460448B2/ja active Active
-
2021
- 2021-05-10 TW TW110116667A patent/TWI836216B/zh active
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016042517A (ja) | 2014-08-15 | 2016-03-31 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2018056550A (ja) | 2016-09-21 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021190559A (ja) | 2021-12-13 |
TWI836216B (zh) | 2024-03-21 |
KR20210147956A (ko) | 2021-12-07 |
TW202201515A (zh) | 2022-01-01 |
KR102635867B1 (ko) | 2024-02-13 |
CN113731671A (zh) | 2021-12-03 |
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