JP7429128B2 - マルチ電子ビーム照射装置及びマルチ電子ビーム照射方法 - Google Patents
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Description
マルチ1次電子ビームを形成する形成機構と、
前記マルチ1次電子ビームを屈折させる電磁レンズと、
前記マルチ1次電子ビームの通過位置に合わせて、前記マルチ1次電子ビームの各ビームを通過させる、複数の径寸法の複数の開口部が各々形成された、前記マルチ1次電子ビームの各ビームの像面共役位置を前記径寸法に応じて調整可能な複数段の電極基板と、
前記複数段の電極基板を通過した前記マルチ1次電子ビームが照射される試料を載置することが可能なステージと、
を備え、
前記複数段の電極基板は、前記電磁レンズの磁場中に配置されることを特徴とする。
マルチ1次電子ビームを形成し、
電磁レンズを用いて前記マルチ1次電子ビームを屈折させ、
前記マルチ1次電子ビームの通過位置に合わせて、前記マルチ1次電子ビームの各ビームを通過させる、複数の径寸法の複数の開口部が各々形成された、前記マルチ1次電子ビームの各ビームの像面共役位置を前記径寸法に応じて調整可能な複数段の電極基板を用いて、前記マルチ1次電子ビームに前記複数段の電極基板を通過させ、
ステージに載置された試料に、前記複数段の電極基板を通過した前記マルチ1次電子ビームを照射し、
前記複数段の電極基板は、前記電磁レンズの磁場中に配置されることを特徴とする。
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。図1において、基板に形成されたパターンを検査する検査装置100は、マルチ電子ビーム検査装置の一例である。検査装置100は、画像取得機構150、及び制御系回路160を備えている。画像取得機構150は、電子ビームカラム102(電子鏡筒ともいう。)(マルチビームカラムの一例)、検査室103、検出回路106、チップパターンメモリ123、ステージ駆動機構142、及びレーザ測長システム122を備えている。電子ビームカラム102内には、電子銃201、照明レンズ202、成形アパーチャアレイ基板203(形成機構の一例)、電磁レンズ205、収差補正器204、一括ブランキング偏向器212、制限アパーチャ基板206、電磁レンズ220、ビームセパレーター214、対物レンズ207、主偏向器208、副偏向器209、偏向器218、投影レンズ224、及びマルチ検出器222が配置されている。照明レンズ202、成形アパーチャアレイ基板203、電磁レンズ205、収差補正器204、一括ブランキング偏向器212、制限アパーチャ基板206、電磁レンズ220、ビームセパレーター214、対物レンズ207、主偏向器208、及び副偏向器209によって1次電子ビーム光学系が構成される。また、ビームセパレーター214、偏向器218、及び投影レンズ224によって2次電子ビーム光学系が構成される。
15 通過孔
20 マルチ1次電子ビーム
22 穴
29 サブ照射領域
33 マスクダイ
34 照射領域
50,52,56 記憶装置
54 被検査画像生成部
57 位置合わせ部
58 比較部
100 検査装置
101 基板
102 電子ビームカラム
103 検査室
105 XYステージ
106 検出回路
107 位置回路
108 比較回路
109 記憶装置
110 制御計算機
112 参照画像作成回路
114 ステージ制御回路
117 モニタ
118 メモリ
119 プリンタ
120 バス
121 収差補正回路
122 レーザ測長システム
123 チップパターンメモリ
124 レンズ制御回路
126 ブランキング制御回路
128 偏向制御回路
142 ステージ駆動機構
144,146,148 DACアンプ
150 画像取得機構
160 制御系回路
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203 成形アパーチャアレイ基板
204 収差補正器
205 電磁レンズ
206 制限アパーチャ基板
207 対物レンズ
208 主偏向器
209 副偏向器
212 一括ブランキング偏向器
214 ビームセパレーター
216 ミラー
218 偏向器
220 電磁レンズ
222 マルチ検出器
224 投影レンズ
300 マルチ2次電子ビーム300
330 検査領域
332 チップ
Claims (10)
- マルチ1次電子ビームを形成する形成機構と、
前記マルチ1次電子ビームを屈折させる電磁レンズと、
前記マルチ1次電子ビームの通過位置に合わせて、前記マルチ1次電子ビームの各ビームを通過させる、複数の径寸法の複数の開口部が各々形成された、前記マルチ1次電子ビームの各ビームの像面共役位置を前記径寸法に応じて調整可能な複数段の電極基板と、
前記複数段の電極基板を通過した前記マルチ1次電子ビームが照射される試料を載置することが可能なステージと、
を備え、
前記複数段の電極基板は、前記電磁レンズの磁場中に配置されることを特徴とするマルチ電子ビーム照射装置。 - 前記複数段の電極基板の各電極基板に独立した電位を印加する電源回路をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のマルチ電子ビーム照射装置。
- 前記複数段の電極基板の各電極基板において、前記複数の開口部の各開口部の径寸法が、前記マルチ1次電子ビーム全体の軌道中心軸に対して回転対称になることを特徴とする請求項1記載のマルチ電子ビーム照射装置。
- 前記複数段の電極基板の各電極基板において、前記複数の開口部の各開口部の径寸法が前記マルチ1次電子ビーム全体の軌道中心軸から離れるに従って大きくなることを特徴とする請求項1記載のマルチ電子ビーム照射装置。
- 前記複数段の電極基板は、前記マルチ1次電子ビームの各ビームの像面位置と共役な位置とは異なる位置に配置されることを特徴とする請求項1記載のマルチ電子ビーム照射装置。
- 前記複数段の電極基板を通過した前記マルチ1次電子ビームを前記試料面にフォーカスさせる対物レンズをさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のマルチ電子ビーム照射装置。
- 前記試料に前記マルチ1次電子ビームが照射されたことに起因して放出されるマルチ2次電子ビームを前記マルチ1次電子ビームから分離するビームセパレーターと、
分離された前記マルチ2次電子ビームを個別に検出するマルチ検出器と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1記載のマルチ電子ビーム照射装置。 - マルチ1次電子ビームを形成し、
電磁レンズを用いて前記マルチ1次電子ビームを屈折させ、
前記マルチ1次電子ビームの通過位置に合わせて、前記マルチ1次電子ビームの各ビームを通過させる、複数の径寸法の複数の開口部が各々形成された、前記マルチ1次電子ビームの各ビームの像面共役位置を前記径寸法に応じて調整可能な複数段の電極基板を用いて、前記マルチ1次電子ビームに前記複数段の電極基板を通過させ、
ステージに載置された試料に、前記複数段の電極基板を通過した前記マルチ1次電子ビームを照射し、
前記複数段の電極基板は、前記電磁レンズの磁場中に配置されることを特徴とするマルチ電子ビーム照射方法。 - 前記複数段の電極基板の各電極基板に独立した電位を印加することを特徴とする請求項8記載のマルチ電子ビーム照射方法。
- 前記複数段の電極基板の各電極基板において、前記複数の開口部の各開口部の径寸法が、前記マルチ1次電子ビーム全体の軌道中心軸に対して回転対称になることを特徴とする請求項8記載のマルチ電子ビーム照射方法。
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