JP7348210B2 - Euvリソグラフィ用接着層 - Google Patents
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Description
関連出願
本願は、2018年7月13日提出の、ADHESION LAYERS FOR EUV LITHOGRAPHY(EUVリソグラフィ用接着層)と題した米国特許仮出願第62/684,359号の優先権の利益を主張するものであり、その全体を参照して本明細書に援用する。
本発明は、一般に、EUV(極紫外線)リソグラフィを使用してマイクロ電子構造体を作製する方法に関する。
半導体産業がムーアの法則に従い続けるにつれて、絶えず小さくなっていく機構サイズに対する需要は、パターン倒れを防ぐために、より薄いフィルムを使用することを必要とする。より薄いフィルムは、パターンを基板に転写するために、ハードマスクを使用することを必要とするであろう。極紫外線(EUV)露光は、7nmノード以上の必要な臨界寸法(CD)ターゲットを達成するための単一露光リソグラフィの選択方法となることが期待されている。残念ながら、EUVリソグラフィは、強力な放射線源の欠如、確率論的効果、および接着の問題を含む多くの問題によって妨げられてきた。
本発明の方法
より詳細には、本発明は、EUV(すなわち、13.5nm)リソグラフィに特に適したマイクロ電子構造体を形成する方法を提供する。本発明の方法では、表面を有する基板が提供される。任意のマイクロ電子基板を利用することができる。基板は、シリコン、SiGe、SiO2、Si3N4、SiON、アルミニウム、タングステン、タングステンシリサイド、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、Ti3N4、ハフニウム、HfO2、ルテニウム、リン化インジウム、サンゴ、ブラックダイヤモンド、ガラス、またはそれらの混合物などの半導体基板であることが好ましい。任意の中間層は、処理前に基板上に形成されてもよい。基板は、平坦面を有することができ、またはトポグラフィ機構(ビアホール、トレンチ、コンタクトホール、***機構、ラインなど)を含むことができる。本明細書で用いられる「トポグラフィ」は、基板表面内または基板表面上の構造体の高さまたは深さを指す。
本発明の組成物は、溶媒系に分散または溶解されたポリマーまたは小分子および任意の架橋剤を含む。本発明の組成物はまた、界面活性剤、酸、酸触媒、塩基、塩基触媒、ポリマー、触媒、添加剤、およびそれらの混合物からなる群から選択されるものなどの任意の成分を含有してもよい。接着層の組成物は、使用されるフォトレジストと適合するように選択されるべきであることが理解されるであろう。
実施例1
酢酸グラフトポリマーの合成および配合
この実施例では、1.9グラムの氷酢酸(Spectrum Chemical Mfg. Corp.、ガーデナ、カリフォルニア州)および15グラムのグリシジルメタクリレートおよびヒドロキシプロピルメタクリレート(GMA-HPMA)コポリマー(PGME中20%、大阪、日本)を、丸底フラスコ内に測り取り、撹拌を開始した。撹拌しながら、0.18グラムの塩化ベンジルトリエチルアンモニウム(BTEAC)を添加した。次に、2.8グラムのPGME(KMG Electronic Chemicals、フォートワース、テキサス州)を添加し、これを用いて側面をリンスした。丸底フラスコに凝縮器およびN2供給口を取り付けた。反応物を110℃に16時間加熱して、母液1を生成した。
酪酸グラフトポリマーの合成および配合
この手順では、2.79グラムの酪酸(シグマアルドリッチ社、セントルイス、ミズーリ州)および15グラムのGMA-HPMA共重合体(PGME中20%)を丸底フラスコ内に測り取り、撹拌を開始した。撹拌しながら、0.18グラムのBTEACを添加した。5.34グラムのPGMEを添加し、これを用いて側面をリンスした。丸底フラスコに凝縮器およびN2供給口を取り付けた。反応物を110℃に16時間加熱して、母液2を生成した。
2-(2-メトキシエトキシ)酢酸グラフトポリマーの合成および配合
この実施例では、2.79グラムの2-(2-メトキシエトキシ)酢酸(シグマアルドリッチ社、セントルイス、ミズーリ州)および15グラムのGMA-HPMA共重合体(PGME中20%)を丸底フラスコ内に測り取り、撹拌を開始した。撹拌しながら、0.18グラムのBTEACを添加し、その後、9.49グラムのPGMEを添加し、これを用いて側面をリンスした。丸底フラスコに凝縮器およびN2供給口を取り付けた。反応物を110℃に16時間加熱して、母液3を生成した。
2-[2-(2-メトキシエトキシ)エトキシ]の合成と配合
酢酸グラフトポリマー
この手順では、5.65グラムの2-(2-メトキシエトキシ)酢酸(シグマアルドリッチ社、セントルイス、ミズーリ州)および15グラムのGMA-HPMA共重合体(PGME中20%)を丸底フラスコ内に測り取り、撹拌を開始した。撹拌しながら、0.18グラムのBTEACを添加し、その後、13.48グラムのPGMEを添加し、これを使用して側面をリンスした。丸底フラスコに凝縮器およびN2供給口を取り付けた。反応物を110℃に16時間加熱して、母液4を生成した。
9-アントラセンカルボン酸グラフトポリマーの合成と配合
この実施例では、3.28グラムの9-アントラセンカルボン酸(PCAS Canada、ケベック州)および34.26グラムのGMA-HPMA共重合体(PGME中20%)を丸底フラスコ内に測り取り、撹拌を開始した。撹拌しながら、0.08グラムのBTEACを添加し、その後、2.33グラムのPGMEを添加し、これを使用して側面をリンスした。丸底フラスコに凝縮器およびN2供給口を取り付けた。反応物を116℃に24時間加熱して、母液5を生成した。
スチレン-グリシジルメタクリレートポリマーの合成と配合
この実施例では、20.46グラムのグリシジルメタクリレート(シグマアルドリッチ社、セントルイス、ミズーリ州)、60グラムのスチレン(シグマアルドリッチ社、セントルイス、ミズーリ州)、および0.234グラムのAIBN(Charkit、ノーウォーク、コネチカット州)を、丸底フラスコ内に測り取り、窒素でパージした。反応物を80℃に2時間加熱した。メタノール中に沈殿させることによって反応物を急冷し、固体を集めて母液6を生成した。
高分子の合成と配合
この手順において、17.288グラムのトリス(2,3-エポキシプロピル)イソシアヌレート(TEPIC-S、Nissan Chemical America Corp.、東京、日本)、0.242グラムの臭化テトロブチルホスホニウム(日産化学株式会社、東京、日本)、5.176グラムの4-シアノ安息香酸(三京化成株式会社、大阪、日本)、および15.544グラムの4-ヒドロキシ安息香酸(三京化成株式会社、大阪、日本)を、丸底フラスコ内に測り取り、46.65グラムのPGME(KMG Electronic Chemicals、フォートワース、テキサス州)に溶解した。反応物を撹拌しながら116℃に18時間加熱して、母液7を生成した。
エステルポリマーの合成および配合
この実施例では、10.28グラムのMA-DGIC(四国、徳島、日本)、5.106グラムのフマル酸(テート&ライル、ベッドフォードパーク、イリノイ州)、0.200グラムのヒドロキノン(シグマアルドリッチ社、セントルイス、ミズーリ州)、および0.414グラムの塩化ベンジルトリエチルアンモニウム(アルファ・エイサー社)を丸底フラスコ内に測り取り、64.00グラムのPGME(KMG Electronic Chemicals、フォートワース、テキサス州)に溶解した。反応物を110℃に8時間加熱して、母液8を生成した。
材料特性化
ポリマーを、厚い移動相またはTHF移動相を使用してMWおよび多分散性、およびHPLCについて特徴化した。結果を表1に示す。配合もまた、HPLCによっても特徴化された。図1は、実施例2で合成した母液のHPLCを示し、図2は、実施例2からの最終配合のHPLCを示す。
リソグラフィ結果
実施例5からの材料を、1,241rpmで30秒間スピンコーティングし、205℃で60秒間ベークすることによって、ハードマスク(実験的なグラフトシルセスキオキサンハードマスク、ブルーワーサイエンス、ローラ、ミズーリ州)上にスピンコーティングして、5nmの膜を形成した。次に、レジスト(JSR J3030、JSR Microから入手可能)を、1,931rpmで26秒間スピンコーティングすることによってコーティングし、次いで130℃で60秒間ベークして30nmの被膜を形成した。次に、表2に示すパラメータを用いてレジストを露光した。使用したレジストおよび画像形成プロセスもまた、表2に示す。NXE3300 EUVスキャナ(ASMLから入手可能)を画像形成工程に使用し、Pro Zトラック(東京エレクトロン株式会社(TEL)から入手可能)をウェハプロセスに使用した。表3は、レジストの下のSOCおよびHMのみを使用したリソグラフィ品質(表3の上半分)と、レジストの下に本発明の接着層を添加したSOCおよびHM(表3の下半分)との比較を示す。接着層の使用は、プロセスウィンドウを著しく広げた。
スピンオンカーボン層に塗布される下地層
高温スピンオンカーボン材料を二つのシリコンウェハに適用した。実施例5からの材料を、ウェハのうちの1つの上のスピンオンカーボン材料上にスピンコーティングした。Inpriaからの金属含有EUVフォトレジストを、両ウェハ上にコーティングし、EUVリソグラフィを用いて両ウェハをパターン化した。図4に示すように、実施例5からの下地層を用いたプロセス(右側の画像)では、ラインブリッジングまたは倒れは見られなかったが、下地層を用いないプロセス(左側の画像)では、12nmの機構サイズに対してブリッジングまたはライン倒れが見られた。
Claims (31)
- 構造体を形成する方法であって、
基板を準備する工程であって、前記基板が、その上に1つ以上の中間層を含み、前記1つ以上の中間層が、スピンオンカーボン層、ハードマスク層、または、前記スピンオンカーボン層および前記スピンオンカーボン層上の前記ハードマスク層の両方を含み、前記ハードマスク層が、シラン、シロキサン、シルセスキオキサン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、および、非晶質シリコンの1つ以上を含む、工程と、
前記スピンオンカーボン層上または前記ハードマスク層上に組成物をスピンコートする工程であって、前記組成物が、ビニルモノマー、アクリルモノマー、スチレンモノマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される繰り返しモノマーを含むポリマーを含み、前記ビニルモノマーが、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、前記アクリルモノマーが、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、tert-ブチルメタクリレート、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、工程と、
前記組成物をベークして接着層を形成する工程であって、前記接着層が、単分子層よりも大きいが9nm未満である平均厚さと、100wt%とした前記接着層の合計重量に対して、約0.001wt%未満の金属含有量とを有する工程と、
前記接着層上にフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層の少なくとも一部をEUV放射にさらす工程と、を有する方法。 - 前記基板が、シリコン、SiGe、SiO2、Si3N4、SiON、アルミニウム、タングステン、タングステンシリサイド、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、Ti3N4、ハフニウム、HfO2、ルテニウム、リン化インジウム、サンゴ、ブラックダイヤモンド、ガラス、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記接着層が、約0wt%の金属含有量を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記ポリマーが、カルボン酸部分を有する発色団、アルキルカルボン酸、芳香族カルボン酸、カルボン酸部分を有するエーテル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される部分でグラフトされた繰り返しビニルモノマーをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記組成物が、カルボン酸部分を有する発色団、アルキルカルボン酸、芳香族カルボン酸、カルボン酸部分を有するエーテル、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される部分を有する化合物をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層が、金属を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層が、金属を含まない、請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層をEUV放射にさらす工程が、約5mJ/cm2~約100mJ/cm2の線量で行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層をEUV放射にさらす工程の後に、前記フォトレジスト層にパターンを形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記パターンを前記接着層、前記1つ以上の中間層、および前記基板に転写する工程をさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層にパターンを形成する工程が、前記フォトレジスト層を現像液と接触させて、前記フォトレジスト層の一部を除去する工程を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記パターンを転写する工程が、前記接着層、前記1つ以上の中間層、および前記基板をエッチングする工程を含む、請求項11に記載の方法。
- 前記パターンが、約40nm未満のハーフピッチの解像度を有する、請求項10に記載の方法。
- 前記1つ以上の中間層が前記ハードマスク層を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ以上の中間層が、さらに前記スピンオンカーボン層を含み、前記ハードマスク層が前記スピンオンカーボン層上にある、請求項14に記載の方法。
- 前記1つ以上の中間層が、前記スピンオンカーボン層を含む、請求項1に記載の方法。
- 構造体を形成する方法であって、
基板を準備する工程であって、前記基板が、その上に1つ以上の中間層を含み、前記1つ以上の中間層が、スピンオンカーボン層、ハードマスク層、または、前記スピンオンカーボン層および前記スピンオンカーボン層上の前記ハードマスク層の両方を含み、前記ハードマスク層が、シラン、シロキサン、シルセスキオキサン、酸窒化シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、および、非晶質シリコンの1つ以上を含む、工程と、
前記スピンオンカーボン層上または前記ハードマスク層上に組成物をスピンコートする工程であって、前記組成物が、ビニルモノマー、アクリルモノマー、スチレンモノマー、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される繰り返しモノマーを含むポリマーを含み、前記ビニルモノマーが、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、およびそれらの組み合わせからなる群から選択され、前記アクリルモノマーが、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルメタクリレート、2-ヒドロキシエチルアクリレート、tert-ブチルメタクリレート、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、工程と、
前記組成物をベークして接着層を形成する工程であって、前記接着層が、非導電性であり、単分子層よりも大きいが9nm未満の平均厚さを有する工程と、
前記接着層上にフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層の少なくとも一部をEUV放射にさらす工程と、を有する方法。 - 前記基板が、シリコン、SiGe、SiO2、Si3N4、SiON、アルミニウム、タングステン、タングステンシリサイド、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、窒化タンタル、Ti3N4、ハフニウム、HfO2、ルテニウム、リン化インジウム、サンゴ、ブラックダイヤモンド、ガラス、およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項17に記載の方法。
- 前記ポリマーが、カルボン酸部分を有する発色団、アルキルカルボン酸、芳香族カルボン酸、カルボン酸部分を有するエーテル、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される部分でグラフトされた繰り返しビニルモノマーをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記組成物が、カルボン酸部分を有する発色団、アルキルカルボン酸、芳香族カルボン酸、カルボン酸部分を有するエーテル、およびそれらの組み合わせからなる群より選択される部分を有する化合物をさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層が、金属を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層が、金属を含まない、請求項17に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層をEUV放射にさらす工程が、約5mJ/cm2~約100mJ/cm2の線量で行われる、請求項17に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層をEUV放射にさらす工程の後に、前記フォトレジスト層にパターンを形成することをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記パターンを前記接着層、前記1つ以上の中間層、および前記基板に転写する工程をさらに含む、請求項24に記載の方法。
- 前記パターンが、約40nm未満のハーフピッチの解像度を有する、請求項24に記載の方法。
- 前記1つ以上の中間層が前記ハードマスク層である、請求項17に記載の方法。
- 前記1つ以上の中間層が、さらに前記スピンオンカーボン層を含み、前記ハードマスク層が前記スピンオンカーボン層上にある、請求項27に記載の方法。
- 前記1つ以上の中間層が、前記スピンオンカーボン層を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層が金属酸化物を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層が金属酸化物を含む、請求項17に記載の方法。
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---|---|---|---|---|
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WO2021011367A1 (en) * | 2019-07-12 | 2021-01-21 | Inpria Corporation | Stabilized interfaces of inorganic radiation patterning compositions on substrates |
CN116705595A (zh) * | 2020-01-15 | 2023-09-05 | 朗姆研究公司 | 用于光刻胶粘附和剂量减少的底层 |
US12002675B2 (en) * | 2020-06-18 | 2024-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist layer outgassing prevention |
US20220102200A1 (en) * | 2020-09-30 | 2022-03-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Patterning material including carbon-containing layer and method for semiconductor device fabrication |
WO2022196259A1 (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US11955336B2 (en) * | 2021-04-23 | 2024-04-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP2024027460A (ja) * | 2022-08-17 | 2024-03-01 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015030060A1 (ja) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜を適用したパターン形成方法 |
JP2015108781A (ja) | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び錯体 |
WO2016208300A1 (ja) | 2015-06-24 | 2016-12-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、積層体、及び、有機溶剤現像用レジスト組成物 |
JP2017181639A (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社先端ナノプロセス基盤開発センター | パターン形成方法および半導体素子の製造方法 |
Family Cites Families (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10227986A (ja) | 1997-02-17 | 1998-08-25 | Hitachi Ltd | 光スイッチとその製造方法及び光スイッチを用いた光通信機器 |
US5919599A (en) | 1997-09-30 | 1999-07-06 | Brewer Science, Inc. | Thermosetting anti-reflective coatings at deep ultraviolet |
US7361444B1 (en) | 1998-02-23 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Multilayered resist systems using tuned polymer films as underlayers and methods of fabrication thereof |
JP2000206680A (ja) | 1999-01-14 | 2000-07-28 | Mitsubishi Chemicals Corp | 感光性組成物、感光性平版印刷版及び感光性平版印刷版の製版方法 |
US7709177B2 (en) | 1999-02-23 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | Multilayered resist systems using tuned polymer films as underlayers and methods of fabrication thereof |
JP4299921B2 (ja) | 1999-07-05 | 2009-07-22 | 関西ペイント株式会社 | ポジ型可視光感光性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2004512672A (ja) | 2000-06-06 | 2004-04-22 | イーケーシー テクノロジー,インコーポレイティド | 電子材料製造法 |
EP1392508B1 (en) | 2001-04-17 | 2018-10-10 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating composition with improved spin bowl compatibility |
US6809127B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-10-26 | Cognis Corporation | Radiation curable compositions with enhanced adhesion |
US7323289B2 (en) | 2002-10-08 | 2008-01-29 | Brewer Science Inc. | Bottom anti-reflective coatings derived from small core molecules with multiple epoxy moieties |
KR100564694B1 (ko) | 2004-01-16 | 2006-03-30 | 삼성전자주식회사 | (디클로로테트라메틸)디실라잔 화합물과 이를 이용한 접착력 향상방법 및 포토레지스트 패턴의 형성방법 |
US20050279995A1 (en) | 2004-06-21 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for preparing organic insulating film and organic insulating film prepared from the same |
US8709705B2 (en) * | 2004-12-13 | 2014-04-29 | Pryog, Llc | Metal-containing compositions and method of making same |
EP1891145B1 (en) | 2005-06-13 | 2017-08-09 | Pibond Oy | Method for producing a polymer for semiconductor optoelectronics comprising polymerizing functionalized silane monomers with bridging hydrocarbon group |
KR20110002500A (ko) * | 2005-07-05 | 2011-01-07 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 감광성 접착제, 및 이것을 이용하여 얻어지는 접착 필름, 접착 시트, 접착제층 부착 반도체 웨이퍼, 반도체장치 및 전자부품 |
US7396631B2 (en) | 2005-10-07 | 2008-07-08 | 3M Innovative Properties Company | Radiation curable thermal transfer elements |
US20090047517A1 (en) | 2007-06-27 | 2009-02-19 | Francesco Caruso | Multilayer polymer films |
JP2011500216A (ja) | 2007-10-17 | 2011-01-06 | プリンストン ユニバーシティー | 機能化基板とその製造方法 |
KR100928111B1 (ko) | 2007-11-30 | 2009-11-24 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US20090197086A1 (en) | 2008-02-04 | 2009-08-06 | Sudha Rathi | Elimination of photoresist material collapse and poisoning in 45-nm feature size using dry or immersion lithography |
US8163461B2 (en) | 2008-04-09 | 2012-04-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Photoacid generator compounds and compositions |
DE112009000979B4 (de) | 2008-04-23 | 2014-12-11 | Brewer Science, Inc. | Photoempfindliche Hartmaske für die Mikrolithographie |
KR20090117324A (ko) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 형성을 위한 포토레지스트의 패터닝 방법 |
US8257910B1 (en) | 2008-06-24 | 2012-09-04 | Brewer Science Inc. | Underlayers for EUV lithography |
US8207264B2 (en) | 2008-07-11 | 2012-06-26 | Tyco Healthcare Group Lp | Functionalized inclusion complexes as crosslinkers |
KR20100042959A (ko) * | 2008-10-17 | 2010-04-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
US9176377B2 (en) | 2010-06-01 | 2015-11-03 | Inpria Corporation | Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods |
JP5739418B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2015-06-24 | 株式会社Adeka | ケイ素含有硬化性組成物、該ケイ素含有硬化性組成物の硬化物及び該ケイ素含有硬化性組成物より形成されるリードフレーム基板 |
JP5820676B2 (ja) | 2010-10-04 | 2015-11-24 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | 下層組成物および下層を像形成する方法 |
SG11201401430RA (en) | 2011-10-10 | 2014-09-26 | Brewer Science Inc | Spin-on carbon compositions for lithographic processing |
WO2013078211A1 (en) | 2011-11-21 | 2013-05-30 | Brewer Science Inc. | Assist layers for euv lithography |
US10838123B2 (en) * | 2012-01-19 | 2020-11-17 | Supriya Jaiswal | Materials, components, and methods for use with extreme ultraviolet radiation in lithography and other applications |
US8703386B2 (en) | 2012-02-27 | 2014-04-22 | International Business Machines Corporation | Metal peroxo compounds with organic co-ligands for electron beam, deep UV and extreme UV photoresist applications |
CN104136997B (zh) | 2012-03-08 | 2016-05-11 | 日产化学工业株式会社 | 高密合性抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
MX370613B (es) | 2012-11-05 | 2019-12-18 | Dow Global Technologies Llc | Composiciones de polimero funcionalizado y peliculas formadas a partir del mismo. |
US9746768B2 (en) | 2013-01-24 | 2017-08-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Resist overlayer film forming composition for lithography and method for producing semiconductor device using the same |
JP2014202969A (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-27 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法 |
US9310684B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-04-12 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
KR102351281B1 (ko) | 2013-09-11 | 2022-01-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 다층 레지스트 프로세스용 무기 막 형성 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US9372402B2 (en) | 2013-09-13 | 2016-06-21 | The Research Foundation For The State University Of New York | Molecular organometallic resists for EUV |
JP6010564B2 (ja) * | 2014-01-10 | 2016-10-19 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
US20150234272A1 (en) | 2014-02-14 | 2015-08-20 | Intel Corporation | Metal oxide nanoparticles and photoresist compositions |
KR102364126B1 (ko) | 2014-03-24 | 2022-02-18 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법, 수지 및 레지스트 하층막 형성 조성물 |
EP4050014A3 (en) | 2014-10-23 | 2022-12-14 | Inpria Corporation | Organometallic solution based high resolution patterning compositions |
EP3222688A4 (en) | 2014-11-19 | 2018-06-27 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Film-forming composition containing crosslinkable reactive silicone |
TWI603145B (zh) | 2014-12-31 | 2017-10-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 光微影方法 |
US9543159B2 (en) | 2015-03-27 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Patterning process of a semiconductor structure with a wet strippable middle layer |
EP3356445B1 (en) | 2015-09-30 | 2021-01-06 | E Ink Corporation | Polyurethane adhesive layers for electro-optic assemblies |
US10228618B2 (en) | 2015-10-13 | 2019-03-12 | Inpria Corporation | Organotin oxide hydroxide patterning compositions, precursors, and patterning |
US9996004B2 (en) | 2015-11-20 | 2018-06-12 | Lam Research Corporation | EUV photopatterning of vapor-deposited metal oxide-containing hardmasks |
KR102515377B1 (ko) | 2015-12-24 | 2023-03-28 | 삼성전자주식회사 | 하드 마스크 조성물, 탄소 나노 튜브 막구조체, 패턴 형성 방법 및 반도체 장치 제조 방법 |
JP6534959B2 (ja) | 2016-04-21 | 2019-06-26 | 信越化学工業株式会社 | 有機膜の形成方法及び半導体装置用基板の製造方法 |
TWI804224B (zh) | 2016-08-12 | 2023-06-01 | 美商英培雅股份有限公司 | 減少邊緣珠區域中來自含金屬光阻劑之金屬殘留物的方法 |
JP6741540B2 (ja) * | 2016-09-28 | 2020-08-19 | 東京応化工業株式会社 | 基板の表面物性を制御する方法 |
US9929012B1 (en) | 2016-12-14 | 2018-03-27 | International Business Machines Corporation | Resist having tuned interface hardmask layer for EUV exposure |
US10082736B2 (en) * | 2017-01-13 | 2018-09-25 | International Business Machines Corporation | Approach to lowering extreme ultraviolet exposure dose for inorganic hardmasks for extreme ultraviolet patterning |
US10096477B2 (en) | 2017-02-15 | 2018-10-09 | International Business Machines Corporation | Method to improve adhesion of photoresist on silicon substrate for extreme ultraviolet and electron beam lithography |
WO2019099981A2 (en) | 2017-11-20 | 2019-05-23 | Inpria Corporation | Organotin clusters, solutions of organotin clusters, and application to high resolution patterning |
TW202348612A (zh) | 2018-04-05 | 2023-12-16 | 美商英培雅股份有限公司 | 包含錫化合物的組合物及其應用 |
US10381481B1 (en) * | 2018-04-27 | 2019-08-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer photoresist |
TW202016279A (zh) | 2018-10-17 | 2020-05-01 | 美商英培雅股份有限公司 | 圖案化有機金屬光阻及圖案化的方法 |
-
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2024
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015030060A1 (ja) | 2013-08-28 | 2015-03-05 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜を適用したパターン形成方法 |
JP2015108781A (ja) | 2013-12-05 | 2015-06-11 | 東京応化工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び錯体 |
WO2016208300A1 (ja) | 2015-06-24 | 2016-12-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、積層体、及び、有機溶剤現像用レジスト組成物 |
JP2017181639A (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社先端ナノプロセス基盤開発センター | パターン形成方法および半導体素子の製造方法 |
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