JP7311447B2 - 気密端子 - Google Patents
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Description
点は、前記第1端部と前記第2端部との間の位置にある。
ので、端面8aの周辺でTIG(Tungsten Inert Gas)溶接法によってフランジ9を溶接、固定しても、溶接で生じた熱が第2セラミック基板7に伝わりにくくなるため、第2セラミック基板7にクラックが生じにくくなる。
1750℃以下の温度で焼成することにより第1セラミック基板および第2セラミック基板を得ることができる。
1a 縮径部
2 第1貫通孔
3 第1セラミック基板
3a 基部
3b 第1環状部
3c 第2環状部
4 第1円筒体
5 第2円筒体
6 第2貫通孔
7 第2セラミック基板
8 パイプ
9 フランジ
9a 第3貫通孔
9b 第4貫通孔
10 第1金属層
10a メタライズ層
10b 被覆層
11 ろう付け部
12 環状体
13 第2金属層
13a メタライズ層
13b 被覆層
14 第3金属層
14a メタライズ層
14b 被覆層15 第4金属層
15a メタライズ層
15b 被覆層
16 狭小空間
20 気密端子
Claims (7)
- 柱状または筒状の導通部材と、
第1外周面、該第1外周面と同軸上に位置する段差面、前記第1外周面の第1端部から前記導通部材の軸心に向かって延びる第1端面、前記段差面の第2端部から前記導通部材の軸心に向かって延びる第2端面、および前記導通部材を挿入するための第1貫通孔を有する円板状の第1セラミック基板と、
該第1セラミック基板を外周側から接合する第1円筒体と、を備えてなる気密端子であって、
前記段差面は、前記第2端部を起点とする第1金属層を備え、該第1金属層の終点は、前記第1端部と前記第2端部との間の位置にある、気密端子。 - 柱状または筒状の導通部材と、
第1外周面、該第1外周面の第1端部から前記導通部材の軸心に向かって延びる第1端面、前記第1外周面の第2端部から前記導通部材の軸心に向かって延びる第2端面、および前記導通部材を挿入するための第1貫通孔を有する円板状の第1セラミック基板と、
該第1セラミック基板を外周側から接合してなる第1円筒体と、を備えてなる気密端子であって、
前記外周面は、前記第2端部を起点とする第1金属層を備え、該第1金属層の終点は、前記第1端部と前記第2端部との間の位置にある、気密端子。 - 前記終点は、前記第2端部から前記第1端部と前記第2端部との間隔の40%以上80%以下離れた位置にある、請求項1または2に記載の気密端子。
- 前記導通部材は、前記第1セラミック基板と対向する位置に縮径部を有する、請求項1乃至3のいずれかに記載の気密端子。
- 前記第1円筒体と軸方向に沿って連結する第2円筒体と、
前記第1円筒体を囲繞するための第2貫通孔を厚み方向に有する第2セラミック基板と、前記第2円筒体の位置する側で前記第2セラミック基板の外周面の一部に接合するパイプと、
該パイプの外周側に位置するフランジとを備えてなり、該フランジは第2セラミック基板の反対側に位置する端面の側を囲繞している、請求項1~4のいずれかに記載の気密端子。 - 前記第1セラミック基板と前記導通部材とは接合してなり、前記第1セラミック基板と前記導通部材との接合部は、
前記フランジの前記第1円筒体側の主面から前記第1円筒体に向かって離れた位置にある、請求項5に記載の気密端子。 - 前記第2セラミック基板と前記パイプとは接合してなり、前記第2セラミック基板と前記パイプとの接合部は、
前記フランジの前記第1円筒体側の主面から前記第1円筒体に向かって離れた位置にある、請求項5または6に記載の気密端子。
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