JP7206504B2 - 発光装置 - Google Patents

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Description

実施形態は、発光装置に関する。
表示装置等の光源として、発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)を用いた面状の発光装置が用いられている。表示装置等の薄型化に伴い、発光装置にも薄型化が要求されている。しかしながら、発光装置を薄型化すると、輝度ムラの低減を実現することが困難になる。
特開2012-064476号公報 特開2018-010041号公報
本発明の実施形態は、輝度ムラが低減され、薄型化が可能な発光装置を提供することを目的とする。
実施形態に係る発光装置は、発光素子と、前記発光素子の周囲に設けられた導光部材と、前記発光素子上及び前記導光部材上に設けられ、前記発光素子に接し、前記発光素子から出射した光を拡散させる拡散板と、前記拡散板の上面に設けられた金属パターンと、を備える。前記拡散板の上面における前記金属パターンが設けられていない領域の割合は、前記発光素子から遠いほど増加する。
実施形態によれば、輝度ムラが低減され、薄型化が可能な発光装置を実現できる。
第1の実施形態に係る発光装置を示す上面図である。 図1Aに示すA-A’線による端面図である。 第1の実施形態における第1金属部分を示す斜視図である。 第1の実施形態における第2金属部分を示す斜視図である。 第2の実施形態に係る発光装置を示す斜視図である。 第2の実施形態に係る発光装置を示す端面図である。 第3の実施形態に係る発光装置を示す端面図である。 第4の実施形態に係る発光装置を示す端面図である。 第5の実施形態に係る発光装置を示す端面図である。 第6の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 第7の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 第8の実施形態における金属パターンを示す平面図である。 第9の実施形態における金属パターンを示す平面図である。 第10の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 第11の実施形態における金属パターンを示す平面図である。
<第1の実施形態>
図1A及び図1Bに示すように、本実施形態に係る発光装置1は、配線基板10と、反射層20と、発光素子30と、導光部材40と、拡散板50と、金属パターン60と、を備える。導光部材40は、発光素子30の周囲に設けられている。拡散板50は、発光素子30上及び導光部材40上に設けられ、発光素子30に接し、発光素子30から出射した光を拡散させる。金属パターン60は拡散板50の上面50aに設けられている。なお、配線基板10及び反射層20は設けられていなくてもよい。本実施形態においては、配線基板10及び反射層20が設けられている例を説明する。
本明細書においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を採用する。拡散板50の上面50aに平行であって、相互に直交する方向を「X方向」及び「Y方向」とし、拡散板50の上面50aに垂直な方向を「Z方向」とする。Z方向のうち、配線基板10から拡散板50に向かう方向を「上」ともいい、その逆方向を「下」ともいうが、この表現も便宜的なものであり、重力の方向とは無関係である。また、本明細書において、「光を反射させる」との表現は、入射した光の反射率が透過率よりも高いことを意味し、「光を透過させる」との表現は、入射した光の透過率が反射率よりも高いことを意味する。更に、後述する各図は模式的なものであり、図を見やすくするために、適宜省略及び誇張している。
配線基板10の形状は、例えば、矩形の板状である。配線基板10の厚さ方向はZ方向であり、配線基板10の端縁はX方向及びY方向に延びている。配線基板10においては、絶縁層11が設けられており、絶縁層11内に配線12及びビア13が設けられている。
反射層20は、配線基板10上に設けられている。反射層20は、例えば、白色の樹脂材料又は反射フィルムにより形成されている。反射層20は、発光素子30から出射した光を反射させる。なお、白色の樹脂材料とは、光反射性を有する白色物質を含有させた樹脂である。
発光素子30は反射層20に搭載されている。発光素子30は、例えば、発光ダイオード(LED)である。発光素子30においては、半導体部分31と、一対の電極32が設けられている。一対の電極32は半導体部分31の下面に設けられている。半導体部分31の下部は反射層20内に配置されている。半導体部分31の下部を除く部分は、反射層20の上面から突出している。一対の電極32は、反射層20を厚さ方向に貫通し、配線基板10の相互に異なる配線12に接続されている。
導光部材40の形状は、全体として板状である。本実施形態においては、導光部材40には、反射部41及び透光部42が設けられている。反射部41は、例えば、白色の樹脂材料からなり、発光素子30から出射した光を反射させる。反射部41は、例えば、発光素子30から離れた位置に配置されている。反射部41の上面41aは、発光素子30から遠ざかるにつれて拡散板50に近づくように傾斜している。上面41aは、XY平面に対して傾斜した4つの平坦面であってもよい。例えば、反射部41の上面41aは、逆四角錐台形の側面を構成していてもよい。又は、上面41aは、凹状若しくは凸状に湾曲していてもよい。透光部42は、例えば、透光性の樹脂材料からなり、発光素子30から出射した光を透過させる。透光部42は、反射部41上に設けられており、発光素子30の側面に接していてもよい。
導光部材40の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂若しくはポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂若しくはシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂、又はガラス等を用いることができる。なお、反射層20や反射部41に用いる白色の樹脂材料は、光反射性を有する白色物質を含有させた樹脂である。樹脂材料としては、例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂材料が挙げられる。また、光反射性を有する白色物質としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト等が挙げられる。
上述の如く、拡散板50は発光素子30上及び導光部材40上に設けられており、発光素子30に接している。例えば、発光素子30の上面は拡散板50の下面に接している。拡散板50は、発光素子30から出射した光を拡散させつつ透過させる。
拡散板50には、透光性材料からなる母材51が設けられていてもよい。母材51内には、蛍光体52が含まれていてもよい。蛍光体52は、発光素子30から出射した光の一部を吸収し、吸収した光とは波長が異なる光を放射する。但し、拡散板50の構成は、これには限定されない。例えば、拡散板50には、蛍光体52が含まれた部分と、蛍光体52が実質的に含まれていない部分があってもよい。拡散板50には、蛍光体52が含まれていなくてもよい。拡散板50には、発光素子30及び導光部材40を拡散板50に接着するための接着剤層が含まれていてもよい。拡散板50には、光を拡散させる光拡散材が含まれていてもよい。光拡散材の材料としては、例えば、酸化チタンが挙げられる。蛍光体52の材料例は後述する。
金属パターン60は、拡散板50の上面50aに設けられている。金属パターン60は金属からなる。ここで、金属パターンとは、拡散板50の上面50aに設けられている金属を一体として称するものであり、ある面において、金属が存在する領域と存在しない領域とによって模様を成している。また、金属パターンは、複数の金属であって、複数の金属が相互に離隔して存在するものであったり、1つの金属であって、金属の内側において、金属が存在しない複数の領域が相互に離隔して存在するものであったり、これらが混在したものであったりする。
金属パターン60には、少なくとも、拡散板50内を伝播してきた光を反射して、拡散板50内に光を輝度ムラが小さくなるように行き渡らせる機能と、拡散板50から熱を排出する機能がある。金属パターン60の材料としては、例えば、アルミニウム、銅、銀、又は、銀合金等が挙げられる。金属パターン60に到達した光を効率よく反射させるためには、光の反射率が高い金属を用いることが好ましく、このような金属としては、アルミニウム、銀または銀合金等が挙げられる。また、拡散板50の上面50aで金属パターン60を介して効率よく熱拡散させるためには、熱伝導率が高い金属を用いることが好ましく、このような金属としては、銅、銀または銀合金等が挙げられる。さらに、金属パターン60に到達した光を効率よく反射させるとともに拡散板50の上面50aで効率よく熱拡散させるために、金属パターン60を、アルミニウム/銅の積層体やアルミニウム/銅/アルミニウムの積層体とすることもできる。金属パターン60は、例えば、多数の第1金属部分61と、1つの第2金属部分62を含む。金属パターン60の厚さ、すなわち、Z方向の長さは、0.5μm~50μm、好ましくは、1μm~15μmとすることができる。
図2Aに示すように、第1金属部分61の形状は、例えば、円板状である。図2Bに示すように、第2金属部分62の形状は、例えば、矩形の板状である。第1金属部分61の直径は、例えば、第2金属部分62の一辺の長さよりも短い。
図1A及び図1Bに示すように、第2金属部分62は、例えば、拡散板50の上面50aにおける発光素子30の直上域に配置されている。なお、第2金属部分62は、発光素子30の直上域の一部に配置されていてもよく、発光素子30の直上域を含む領域に配置されていてもよい。複数の第1金属部分61は、拡散板50の上面50aにおける第2金属部分62が設けられていない領域に配置されている。
第1金属部分61の配置密度は、発光素子30に近いほど密である。このため、拡散板50の上面50aにおける金属パターン60が設けられていない領域55の割合は、発光素子30から遠いほど増加する。拡散板50の内部から上面50aに到達した光のうち、金属パターン60に到達した光は、金属パターン60によって拡散板50の内部に向けて反射される。領域55に到達した光は、少なくとも一部が拡散板50の外部に出射する。
拡散板50の上面50aは、複数の領域に分かれている。以下、上面50aが5つの領域に分かれている例を説明するが、これには限定されない。例えば、上面50aは、第1領域56a、第2領域56b、第3領域56c、第4領域56d、第5領域56eを有している。
第1領域56aは、上面50aにおける発光素子30の直上域である。第2領域56bは、第1領域56aの周囲に配置されている。第3領域56cは、第2領域56bの周囲に配置されている。第4領域56dは、第3領域56cの周囲に配置されている。第5領域56eは、第4領域56dの周囲に配置されている。
上方から見て、第1領域56aの形状は発光素子30の形状と同じであり、例えば矩形である。上方から見て、第2領域56b、第3領域56c、第4領域56d、及び、第5領域56eの形状は、例えば、矩形の枠状である。上方から見て、導光部材40の反射部41の内縁は、第2領域56b内に位置する。また、第5領域56eの外縁は、上面50aの外縁である。すなわち、第5領域56eは、拡散板50の端縁を含む。
第1領域56aにおいては、第1領域56aの全体に第2金属部分62が配置されている。第2領域56bにおいては、複数の第1金属部分61が相互に接して配置されている。第2領域56bの最内周部に配置された第1金属部分61は、第1領域56aに配置された第2金属部分62に接している。なお、図2Bにおいて、第2金属部分62に接する第1金属部分61は、図示が省略されている。第3領域56c、第4領域56d、及び、第5領域56eにおいては、それぞれ複数の第1金属部分61が相互に離れて配置されている。但し、第4領域56dにおける第1金属部分61の配列密度は、第3領域56cにおける第1金属部分61の配列密度よりも低く、第5領域56eにおける第1金属部分61の配列密度は、第4領域56dにおける第1金属部分61の配列密度よりも低い。
このため、第1領域56aにおける金属パターン60が設けられていない領域55の割合r1は、第2領域56bにおける領域55の割合r2よりも低い。第2領域56bにおける領域55の割合r2は、第3領域56cにおける領域55の割合r3よりも低い。第3領域56cにおける領域55の割合r3は、第4領域56dにおける領域55の割合r4よりも低い。第4領域56dにおける領域55の割合r4は、第5領域56eにおける領域55の割合r5よりも低い。すなわちr1~r5の関係は、r1<r2<r3<r4<r5である。
第1領域56aは、全体に第2金属部分62が配置されているため、第1領域56aにおける領域55の割合r1は、例えば、0%である。第5領域56eにおける領域55の割合r5は、例えば90%以上であり、100%、すなわち、金属パターン60が設けられていなくてもよい。
金属パターン60の形成方法は、例えば、金属微粒子を含むペーストを用いたスクリーン印刷若しくはインクジェット印刷等の印刷法と、パンチング法(打ち抜き法)、ダイシング法、ブラスト除去法若しくはレーザ加工法等の物理的加工法と、又は、エッチング法、ダマシン法若しくはリフトオフ法等のいずれかを選択することができる。コストの観点からは印刷法が優れるが、加工精度の観点からは半導体プロセスが好ましい。例えば、透明樹脂板の上面に凹部を形成し、その後、この透明樹脂板の上面全体に金属膜を形成し、上面を研削することにより金属膜を選択的に除去し、凹部内のみに残留させる。そして、凹部内に残留した金属膜を拡散板50の上面50aに転写することにより、上面50aに金属パターン60を形成してもよい。
各部の厚さ、すなわち、Z方向の長さの一例を挙げると、配線基板10の厚さは100μm程度であり、反射層20の厚さは65μm程度であり、導光部材40の厚さは100μm程度であり、拡散板50の厚さは100μm程度である。
以下、各部の構成及び材料の例を示す。
上述の如く、発光素子30は、半導体部分31と、一対の電極32を含む。発光素子30は、さらにサファイア等からなる透光性基板を備えていてもよい。半導体部分31が紫外光又は青色光から緑色光の可視光を発光可能である場合、半導体部分31は、例えば、III-V族化合物半導体、具体的には、InAlGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等の窒化物系の半導体を含むことができる。半導体部分31が赤色光の可視光を発光可能である場合、半導体部分31は、GaAs、GaAlAs、GaP、InGaAs、InGaAsP等の半導体を含むことができる。半導体部分31の厚さは、例えば、3μm~500μmとすることができる。
半導体部分31は、上述のような紫外光、青色光、緑色光、赤色光などの発光色を発光可能な発光層を、少なくとも1つ備えることができる。例えば、半導体部分は、第1導電型半導体層(例えば、n型半導体層)と、第2導電型半導体層(例えば、p型半導体層)との間に1つの発光色を発光可能な発光層を含む半導体積層体とすることができる。なお、前記発光層は、ダブルヘテロ接合や単一量子井戸構造(SQW)などの単一の活性層を持つ構造でもよいし、多重量子井戸構造(MQW)のようにひとまとまりの活性層群を持つ構造でもよい。
また、半導体部分31は、複数の発光層を含むこともできる。例えば、半導体部分は、n型半導体層とp型半導体層との間に複数の発光層を含む構造であってもよいし、n型半導体層と発光層とp型半導体層とを順に含む構造が複数回繰り返された構造であってもよい。複数の発光層には、発光色が異なる活性層を含んでいてもよいし、発光色が同じ活性層を含んでいてもよい。なお、同じ発光色とは、使用上同じ発光色とみなせる範囲、例えば、主波長で数nm程度のばらつきがあってもよい。発光色の組み合わせとしては適宜選択することができる。例えば、半導体部分に2つの活性層を含む場合、発光色の組み合わせとしては、青色光と青色光、緑色光と緑色光、赤色光と赤色光、紫外光と紫外光、青色光と緑色光、青色光と赤色光、又は緑色光と赤色光などが挙げられる。
また、発光素子30は、一対の電極32と反対側の面や、その面とつながる側面などに蛍光体を含有する層や、光拡散剤を含有する層をさらに有していてもよい。
一対の電極32は、当該分野で公知の材料及び構成で、任意の厚みで形成することができる。電極32は、例えば、金(Au)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)、鉄(Fe)、及び、銀(Ag)からなる群から選択された1種以上の金属若しくはその合金からなる単層膜、又は。これらの単層膜を積層させた積層膜によって形成することができる。具体的には、電極32は、半導体部分31側から、(Ti/Rh/Au)、(Ti/Pt/Au)、(W/Pt/Au)、(Rh/Pt/Au)、(Ni/Pt/Au)、(Al-Cu合金/Ti/Pt/Au)、(Al-Si-Cu合金/Ti/Pt/Au)、(Ti/Rh)などの積層膜によって形成することができる。
蛍光体52は、当該分野で公知の蛍光体のいずれを用いてもよい。例えば、青色発光素子又は紫外線発光素子で励起可能な蛍光体としては、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(YAG:Ce);セリウムで賦活されたルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体(LAG:Ce);ユウロピウム及び/又はクロムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム系蛍光体(CaO-Al-SiO2);ユウロピウムで賦活されたシリケート系蛍光体((Sr,Ba)SiO);βサイアロン蛍光体、CASN系蛍光体、SCASN系蛍光体等の窒化物系蛍光体;KSF系蛍光体(KSiF:Mn);硫化物系蛍光体、量子ドット蛍光体などが挙げられる。これらの蛍光体と、青色発光素子又は紫外線発光素子と組み合わせることにより、様々な色の発光装置(例えば、白色系の発光装置)を製造することができる。これらの蛍光体は、1種類又は複数用いることができる。複数用いる場合は、混合して単一層としてもよいし、各蛍光体を含有する層を積層してもよい。また、波長変換部材には、粘度を調整する等の目的で、各種のフィラー等を含有させてもよい。
量子ドット蛍光体としては、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI族化合物、及びIV族化合物からなる群より選択される少なくとも1種を含むものが挙げられる。発光効率の観点からは、量子ドット蛍光体は、Cd及びInの少なくとも一方を含む化合物を含むことが好ましい。
II-VI族化合物の具体例としては、CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe等が挙げられる。III-V族化合物の具体例としては、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等が挙げられる。IV-VI族化合物の具体例としては、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PnTe等が挙げられる。IV族化合物の具体例としては、Si、Ge、SiC、SiGe等が挙げられる。
また、量子ドット蛍光体としては、コアシェル構造を有するものが好ましい。コアを構成する化合物のバンドギャップよりもシェルを構成する化合物のバンドギャップを広くすることで、量子ドット蛍光体の量子収率をより向上させることが可能となる。コア及びシェルの組み合わせ(コア/シェル)としては、CdSe/ZnS、InP/ZnS、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS、CdTe/ZnS等が挙げられる。
次に、本実施形態に係る発光装置1の動作について説明する。
配線基板10を介して発光素子30に電力が供給されると、発光素子30の半導体部分31が発光する。発光素子30は、例えば、青色の光を出射する。発光素子30から出射した光の一部は、導光部材40の透光部42内を通過して、拡散板50に入射する。発光素子30から出射した光は、拡散板50に入射するまでに、反射層20の上面により反射されてもよく、反射部41の上面41aにより反射されてもよい。発光素子30から出射した光の他の一部は、透光部42を通過せずに拡散板50に入射する。拡散板50内において、母材51は光を透過させる。蛍光体52は光を吸収して、異なる波長の光を放射する。例えば、蛍光体52は黄色の光を放射する。これにより、拡散板50からは、例えば白色の光が出射する。
拡散板50の内部から上面50aに到達した光のうち、金属パターン60に到達した光は、金属パターン60により反射されて、拡散板50内に戻され、拡散板50と透光部42との界面49、反射部41の上面41a、又は、反射層20の上面によって反射される。拡散板50の上面50aに到達した光のうち、金属パターン60が設けられていない領域55に到達した光の少なくとも一部は、拡散板50の外部に出射する。つまり金属パターン60が形成された拡散板50の上面50aが、発光装置1から光が出射される面となる。このようにして、発光素子30から出射した光は、界面49又は上面41a等と、金属パターン60との間で反射を繰り返しつつ、水平方向(XY方向)に伝播され、拡散される。
また、発光素子30において発生した熱の一部は、拡散板50内を伝達して上面50aに到達する。上面50aに到達した熱の一部は、金属パターン60を介して外部に放出される。
次に、本実施形態における効果について説明する。
発光装置1においては、発光素子30が拡散板50に接している。これにより、発光装置1のZ方向における長さを低減できる。この結果、発光装置1を薄型化できる。
また、発光装置1においては、拡散板50の上面50aにおける金属パターン60が設けられていない領域55の割合が、発光素子30から遠いほど増加しているため、発光素子30から遠いほど、拡散板50から光が出射しやすい。これにより、拡散板50の上面50aにおいて発光素子30に近い領域に光が集中することを抑制し、上面50aから出射する光の輝度ムラを低減できる。この結果、輝度ムラが低減され、薄型化が可能な発光装置1を実現できる。
特に、拡散板50の上面50aの第1領域56aには、第2金属部分62が設けられており、金属パターン60が設けられていない領域55の割合r1が0%である。このため、発光素子30の直上に強い光が出射することを回避でき、輝度ムラをより低減させることができる。
更に、発光装置1においては、拡散板50の上面50aに金属パターン60が設けられているため、放熱性が良好である。特に、上面50aのうち、発光素子30に近い領域ほど、金属パターン60が設けられていない領域が小さく、金属パターン60の配置密度が高いため、発光素子30から放出される熱を効率的に排出することができる。これは、発光素子30が発光ダイオード(LED)のような発光に伴って微小領域に多量の熱を放出する素子の場合に、特に有効である。
また、拡散板50に含まれる蛍光体52が量子ドット(Quantum Dot:QD)蛍光体である場合は、量子ドット蛍光体は熱に弱いため、金属パターン60を介して放熱することによる効果が特に大きい。
更に、金属パターン60は金属により形成されているため、樹脂材料により形成されている場合と比較して、所定の遮光率を実現しつつ、より薄く形成することができる。金属パターン60を金属により形成すると、例えば、フィラーを含有させた透明樹脂により形成した場合と比較して、厚さを100分の1以下とすることができ、さらには1000分の1程度とすることができる。
<第2の実施形態>
以下の実施形態においては、主として第1の実施形態との相違点を説明し、第1の実施形態と同様な部分には、同じ符号を付して、説明を簡略化又は省略する。
図3A及び図3Bに示すように、本実施形態に係る発光装置2においては、複数のユニット100が設けられており、X方向及びY方向に沿って周期的に配列されている。各ユニット100の構成は、第1の実施形態に係る発光装置1の構成と同様である。発光素子30は、ユニット100毎に設けられている。配線基板10、反射層20、導光部材40、拡散板50は、隣り合うユニット100間で連続していてもよい。各ユニット100のX方向及びY方向の長さは、例えば、2mm程度である。発光素子30のX方向及びY方向の長さは、例えば、140μm程度である。
本実施形態によれば、複数のユニット100を配列することにより、容易に発光装置2の大型化を図ることができる。
<第3の実施形態>
図4に示すように、本実施形態に係る発光装置3は、第1の実施形態に係る発光装置1と比較して、拡散板50に第1層58及び第2層59が設けられている点が異なっている。第1層58は発光素子30に接している。第1層58は、透光性の樹脂材料からなり、蛍光体を実質的に含まない。第2層59は第1層58上に設けられている。第2層59においては、透光性材料からなる母材51が設けられており、母材51内には、蛍光体52が含まれている。なお、第1層58及び第2層59の少なくとも一方には、光拡散材が含まれていてもよい。
本実施形態によれば、拡散板50に蛍光体を実質的に含まない第1層58を設けることにより、発光素子30から出射した光が第1層58内をXY平面に沿って伝播しやすくなる。この結果、拡散板50の上面50aを広くしても、輝度ムラを低減しやすくなる。また、第1層58上に蛍光体52を含む第2層59を設けることにより、混色により所望の色の光を得ると共に、光をより拡散させることができる。なお、拡散板50においては、3以上の層が積層されていてもよい。
拡散板50に蛍光体を実質的に含まない第1層58を設けると、発光素子30から放出された熱が上方に抜けにくくなる。しかしながら、本実施形態においては、拡散板50の上面50aに金属パターン60を設けているため、上方への放熱性を補うことができる。このため、蛍光体52として量子ドット蛍光体等の熱に弱い蛍光体を用いることも可能となる。
<第4の実施形態>
図5に示すように、本実施形態に係る発光装置4は、第1の実施形態に係る発光装置1と比較して、発光素子30の上部に遮光層33が設けられている点と、導光部材40に反射部41が設けられていない点と、導光部材40に光反射層43が設けられている点が異なっている。
発光素子30の遮光層33は、例えば、金属材料、光反射性物質を含有する樹脂材料、誘電体多層膜を用いた無機材料等によって形成することができ、例えば金属からなり、半導体部分31から上方に出射する光を遮断する。このうち、金属材料は、光反射率の高い金属材料を用いることが好ましく、例えば、銀、アルミニウム、ロジウム、金、銅等及びそれらの合金の1以上が挙げられる。また光反射性物質及び樹脂材料としては、反射層20や反射部41に用いる白色の樹脂材料で例示したもののなかから選択することができる。また、誘電体多層膜は、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウ等を用いたものが挙げられる。なかでも、金属材料を用いることにより、発光素子30の周辺に集中した熱を、金属パターン60が形成された領域に拡散させることで、放熱性を改善することができるので好ましい。
導光部材40の光反射層43は発光素子30の下方に配置されており、例えば、反射層20と透光部42の間に配置されている。光反射層43は、発光素子30から出射した光を上方に向けて反射するか、又は乱反射する。光反射層43は、例えば金属からなり、例えば、アルミニウム又は銀合金等の光の反射率が高い材料により形成されていてもよい。又は、光反射層43として、多数の気泡を含む樹脂シート(例えば発泡樹脂シート)や、光拡散材を含む樹脂シート等を用いることができる。光反射層43を形成する樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂若しくはポリエステル樹脂等の熱可塑性樹脂、又は、エポキシ樹脂若しくはシリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。光拡散材としては、酸化チタン、シリカ、アルミナ、酸化亜鉛又はガラス等の公知の材料を用いることができる。又は、光反射層43として、鏡面反射フィルム等を用いてもよい。
本実施形態に係る発光装置4においては、発光素子30に遮光層33が設けられていることにより、発光素子30から直上に出射する光を抑制し、輝度ムラをより低減させることができる。また、導光部材40に光反射層43が設けられていることにより、光の取出効率を向上させることができる。
なお、遮光層33及び光反射層43は、いずれか一方のみを設けてもよい。また、上述の第2の実施形態及び第3の実施形態は、組み合わせて実施してもよい。例えば、第3の実施形態のように、拡散板50に第1層58及び第2層59を設けると共に、第4の実施形態のように、発光素子30に遮光層33を設け、導光部材40に光反射層43を設けてもよく、遮光層33及び光反射層43のうち一方を設けてもよい。更に、第3の実施形態及び第4の実施形態についても、第2の実施形態のように、複数のユニットを配列させてもよい。
<第5の実施形態>
図6に示すように、本実施形態に係る発光装置5は、第1の実施形態に係る発光装置1と比較して、発光素子30の半導体部分31の上部が拡散板50内に配置されている。すなわち、半導体部分31の上部は拡散板50内に埋め込まれている。これにより、第1の実施形態に係る発光装置1と比較して、発光装置5をより薄型化することができる。
<第6の実施形態>
図7に示すように、本実施形態に係る発光装置6においては、金属パターン60が一体的に形成されている。金属パターン60には、複数の開口60aが形成されている。開口60aは金属パターン60を厚さ方向に貫いている。複数の開口60aは、X方向及びY方向に沿って配列されている。発光素子30から遠いほど、開口60aは大きい。図3A及び図3Bに示すように、複数の発光装置がX方向及びY方向に沿って周期的に配列されている場合、ある発光装置5の金属パターン60は、隣の発光装置5の金属パターン60と一体的に形成されていてもよい。このため、金属パターン60に流入した熱は、複数の発光装置6にわたって伝達される。これにより、例えば、点灯している発光装置6において発生した熱が、消灯している発光装置6の金属パターン60に伝わり、そこから外部に排出される。この結果、発光装置6は放熱性が良好となる。
なお、金属パターン60は発光装置6の上面全体を覆う必要はなく、発光素子30よりも大きければよい。このような場合でも発光素子30の周辺に集中した熱を、金属パターン60が形成された領域に拡散させることで、放熱性を改善することができる。
<第7の実施形態>
図8に示すように、本実施形態に係る発光装置は、第6の実施形態に係る発光装置6と比較して、金属パターン60の周辺部の形状が櫛状であり、周辺部に配置された開口60aが発光装置の端縁に向かって延びている延伸部を有している。延伸する方向における延伸部の長さは、他の開口60aのいずれの開口の最大径よりも大きく、好ましくは2倍以上である。これにより、本実施形態に係る発光装置においては、周辺部の輝度を増加させることができる。また、金属パターン60の周辺における櫛状の先端まで熱を拡散でき、放熱性が良好となる。
<第8の実施形態>
図9は、本実施形態における金属パターンを模式的に示す平面図である。
図9に示すように、本実施形態に係る発光装置においては、金属パターン60の開口60aが、相互に例えば60°の角度をなす3方向に沿って配列されている。これにより、輝度ムラがより低減する。なお、図9は、金属パターンの設計思想を示す図であり、平面視において、金属パターンを除いた発光装置の大きさに対して、金属パターン60が大きくてもよいし、小さくてもよい。図9では、発光装置に対して、金属パターン60が大きい場合を示している。この場合、発光装置よりも外側にある金属パターンは存在しなくてもよい。
<第9の実施形態>
図10は、本実施形態における金属パターンを模式的に示す平面図である。
図10に示すように、本実施形態に係る発光装置においては、金属パターン60の開口60aが同心円状に配列されている。これにより、輝度ムラがより低減する。なお、図10は、金属パターンの設計思想を示す図であり、平面視において、金属パターンを除いた発光装置の大きさに対して、金属パターン60が大きくてもよいし、小さくてもよい。図10では、発光装置に対して、金属パターン60が小さい場合を示している。この場合、平面視で、発光装置よりも内側にのみ金属パターンが存在することとなる。
<第10の実施形態>
図11に示すように、本実施形態に係る発光装置においては、金属パターン60が、1つの第2金属部分62と、相互に離隔した複数の第1金属部分61と、を有している。第2金属部分62には複数の開口62aが形成されている。Z方向から見て、第2金属部分62は発光装置の中央部に配置されており、複数の第1金属部分61は発光装置の周辺部に配置されている。第2金属部分62の開口62aは、例えば、X方向及びY方向に沿って配列されており、発光素子30から遠いほど大きい。第1金属部分61は、発光素子30から遠いほど小さい。これによっても、輝度ムラをより低減できる。なお、図11は、金属パターンの設計思想を示す図であり、平面視において、金属パターンを除いた発光装置の大きさに対して、金属パターン60が、同じでもよいし、大きくてもよいし、小さくてもよい。図11では、発光装置に対して、金属パターン60が同じ大きさの場合を示している。
<第11の実施形態>
図12は、本実施形態における金属パターンを模式的に示す平面図である。
図12に示すように、本実施形態に係る発光装置においては、金属パターン60の第2金属部分62の複数の開口62a及び複数の第1金属部分61が、3方向に沿って配列されている。なお、図12は、金属パターンの設計思想を示す図であり、平面視において、金属パターンを除いた発光装置の大きさに対して、金属パターン60が大きくてもよいし、小さくてもよい。図12では、発光装置に対して、金属パターン60が小さい場合を示している。この場合、平面視で、発光装置よりも内側にのみ金属パターンが存在することとなる。
前述の各実施形態は、本発明を具現化した例であり、本発明はこれらの実施形態には限定されない。例えば、前述の各実施形態において、いくつかの構成要素又は工程を追加、削除又は変更したものも本発明に含まれる。例えば、各実施形態において、拡散板の上面に金属パターンが配置される領域は、発光装置よりも小さくてもよく、同じでもよい。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。例えば、各実施形態において示した金属パターンは、他の実施形態に係る発光装置に適用することができる。
本発明は、例えば、照明装置及び表示装置の光源等に利用することができる。
1、1a、2、3、4、5、6:発光装置
10:配線基板
11:絶縁層
12:配線
13:ビア
20:反射層
30:発光素子
31:半導体部分
32:電極
33:遮光層
40:導光部材
41:反射部
41a:反射部の上面
42:透光部
43:光反射層
49:界面
50:拡散板
50a:拡散板の上面
51:母材
52:蛍光体
55:拡散板の上面における金属パターンが設けられていない領域
56a:第1領域
56b:第2領域
56c:第3領域
56d:第4領域
56e:第5領域
58:第1層
59:第2層
60:金属パターン
60a:開口
61:第1金属部分
62:第2金属部分
62a:開口
100:ユニット
r1、r2、r3、r4、r5:領域55の割合

Claims (15)

  1. 発光素子と、
    前記発光素子の周囲に設けられた導光部材と、
    前記発光素子上及び前記導光部材上に設けられ、前記発光素子に接し、前記発光素子から出射した光を拡散させる拡散板と、
    前記拡散板の上面に設けられた金属パターンと、
    を備え、
    前記金属パターンは、平面視において前記発光素子から離れる方向に延びる複数の延伸部を有し、
    前記拡散板の上面における前記金属パターンが設けられていない領域の割合は、前記発光素子から遠いほど増加する発光装置。
  2. 前記拡散板の上面において、前記発光素子の直上域に相当する第1領域における前記割合は、前記第1領域の周囲に配置された第2領域における前記割合よりも低い請求項1に記載の発光装置。
  3. 前記第1領域における前記割合は0%である請求項2に記載の発光装置。
  4. 前記金属パターンは、相互に離隔した複数の第1金属部分を含む請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置。
  5. 平面視において、前記延伸部の先端は前記拡散板の外縁に到達している請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置。
  6. 前記金属パターンは一体的に形成されており、複数の開口が形成された請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置。
  7. 前記金属パターンは、
    相互に離隔した複数の第1金属部分と、
    複数の開口が形成された1つの第2金属部分と、
    を有する請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置。
  8. 前記金属パターンは、アルミニウム、銅、銀、及び、銀合金からなる群より選択された1種以上の材料を含む請求項1~7のいずれか1つに記載の発光装置。
  9. 前記拡散板は蛍光体を含む請求項1~8のいずれか1つに記載の発光装置。
  10. 前記拡散板は、
    前記発光素子に接し、蛍光体を含まない第1層と、
    前記第1層上に設けられ、蛍光体を含む第2層と、
    を有する請求項1~8のいずれか1つに記載の発光装置。
  11. 前記拡散板は、前記第2層上に設けられた第3層をさらに有し、
    前記第3層は蛍光体を含まないか、又は、前記第3層の蛍光体濃度は前記第2層の蛍光体濃度よりも低い請求項10に記載の発光装置。
  12. 前記発光素子の一部は、前記拡散板内に配置された請求項1~11のいずれか1つに記載の発光装置。
  13. 前記発光素子は、前記拡散板に接した遮光層を有する請求項1~12のいずれか1つに記載の発光装置。
  14. 前記導光部材は、
    前記発光素子から遠ざかるにつれて前記拡散板に近づくように上面が傾斜した反射部と、
    前記反射部上に設けられ、前記発光素子の側面に接した透光部と、
    を有する請求項1~13のいずれか1つに記載の発光装置。
  15. 前記導光部材は、前記発光素子の下方に配置された光反射層を有する請求項1~14のいずれか1つに記載の発光装置。
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