JP7163938B2 - 撮像素子及び固体撮像装置 - Google Patents
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Description
一対の電極の間に配置された光電変換層、及び、
一対の電極のうち一方と光電変換層とに挟まれた少なくとも1つの応力緩衝層、
を備えており、
応力緩衝層は、結晶層を含む積層構造、具体的には、結晶層とアモルファス層とを交互に2層ずつ(合計4層)、積層した構造を有する。
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る。
各撮像素子は、第1電極、第1電極上に形成された受光層、及び、受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る。
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る。
1.本開示の撮像素子及び電子デバイス、全般に関する説明
2.実施例1(撮像素子及び電子デバイス)
3.実施例2(実施例1の変形)
4.実施例3(本開示の固体撮像装置)
5.その他
本開示の撮像素子、本開示の固体撮像装置における撮像素子あるいは本開示の電子デバイスにあっては、第1電極と第2電極との間に0ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-0(アンペア)、第1電極と第2電極との間に5ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-5(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd-5/Jd-0≦1.2
を満足する形態とすることができる。また、第1電極と第2電極との間に0ボルトを超え、5ボルト以下の電圧を印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd/Jd-0≦1.2
を満足する。ここで、暗電流は、光が照射されていない状態で、具体的には、暗所状態下、第1電極と第2電極との間に逆バイアス電圧を印加したとき、第1電極と第2電極との間を流れる電流を計測することで求めることができる。
第2電極は、受光層等の側から、第2B層及び第2A層の積層構造を有し、
第2電極の第2A層の仕事関数の値は、第2電極の第2B層の仕事関数の値よりも低い構成とすることもできる。そして、この場合、第2電極の第2A層の仕事関数の値と第2電極の第2B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである構成とすることができ、更には、第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差は0.4eV以上である構成とすることができる。あるいは又、第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき受光層等において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る構成とすることができる。ここで、このような第2電極の第2A層及び第2B層の仕事関数の値の制御は、スパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量(酸素ガス分圧)を制御することで達成することができる。また、第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mであり、第2電極の第2A層の厚さと第2電極の第2B層の厚さの割合は9/1乃至1/9である構成とすることができる。尚、受光層等に対する酸素原子や酸素分子の影響を少なくするために、第2電極の第2A層の厚さよりも第2B層の厚さは薄いことが、より好ましい。このように、第2電極が第2A層及び第2B層の2層構造を有し、しかも、第2B層と第2A層の仕事関数の差を規定することによって、第2電極における仕事関数の最適化を図ることができ、キャリアの授受(移動)が一層容易になる。
シリコン半導体基板から成る基板10を準備する。ここで、基板10には、例えば、撮像素子や電子デバイスの駆動回路や受光層等(これらは図示せず)、配線11が設けられており、表面には絶縁層12が形成されている。絶縁層12には、底部に配線11が露出した開口部13が設けられている。そして、開口部13内を含む絶縁層12上に、スパッタリング法に基づき、ITOから成る第1電極21を形成(成膜)する(図1A参照)。
次いで、第1電極21のパターニングを行った後、全面に、真空蒸着法にて、キナクリドンから成る受光層等23を形成(成膜)し、更に、受光層等23上に、スパッタリング法に基づき、IZOあるいはIGZOから成る第2電極22を形成(成膜)する。こうして、図1Bに示す構造を有する実施例1の電子デバイスを得ることができる。
0.8≦Jd-5/Jd-0≦1.2
を満足している。また、第1電極21と第2電極22との間に0ボルトを超え、5ボルト以下の電圧(逆バイアス電圧)を印加したときに第1電極21と第2電極22との間を流れる暗電流の値をJd(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd/Jd-0≦1.2
を満足している。
ここで、
h:プランク定数
c:光速
q:電子の電荷
λ:入射光の波長(μm)
I:明電流であり、実施例1の測定にあっては、逆バイアス電圧1ボルトにおいて得られる電流値(アンペア/cm2)
P:入射光のパワー(アンペア/cm2)
である。
内部量子効率(%) オン/オフ比
実施例1 63 3.4
比較例1 45 1.6
実施例1 比較例1
Ra 0.36nm 2.5nm
Rq 0.46nm 3.6nm
波長450nmにおける光透過率 93% 78%
波長550nmにおける光透過率 88% 84%
厚さ100nmのITOから成る第1電極
厚さ100nmのキナクリドンから成る受光層等
厚さ100nmの非晶質酸化物であるIZOから成る第2電極(実施例1)、あるいは、厚さ100nmの結晶酸化物であるITOとから成る第2電極(比較例1)
を、この順に、ガラス基板上に成膜して得られた積層構造体のデータである。尚、室温(具体的には、22゜C乃至28゜C)において、スパッタリング法に基づきIZO膜あるいはITO膜を成膜した。また、シリコンウェハ上に積層構造体を成膜した。内部応力は、市販の薄膜ストレス測定装置を用いて、周知の方法に基づき測定した。
[A01]《撮像素子》
第1電極、第1電極上に形成された受光層、及び、受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る撮像素子。
[A02]第1電極と第2電極との間に0ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-0(アンペア)、第1電極と第2電極との間に5ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-5(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd-5/Jd-0≦1.2
を満足する[A01]に記載の撮像素子。
[A03]積層構造体は、10MPa乃至50MPaの圧縮応力の内部応力を有する[A01]又は[A02]に記載の撮像素子。
[A04]第2電極の表面粗さRaは1.5nm以下であり、Rqは2.5nm以下である[A01]乃至[A03]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A05]第2電極の仕事関数は4.5eV以下である[A01]乃至[A04]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A06]第2電極の仕事関数の値は、4.1eV乃至4.5eVである[A05]に記載の撮像素子。
[A07]波長400nm乃至660nmの光に対する第2電極の光透過率は75%以上である[A01]乃至[A06]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A08]第2電極の電気抵抗値は1×10-6Ω・cm以下である[A01]乃至[A07]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A09]第2電極のシート抵抗値は、3×10Ω/□乃至1×103Ω/□である[A01]乃至[A08]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A10]第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mである[A01]乃至[A09]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A11]第2電極の厚さは2×10-8m乃至1×10-7mである[A10]に記載の撮像素子。
[A12]第2電極は、酸化インジウム、酸化錫及び酸化亜鉛から成る群から選択された1種類の材料に、アルミニウム、ガリウム、錫及びインジウムから成る群から選択された少なくとも1種類の材料を添加又はドーピングした材料から成る[A01]乃至[A11]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A13]第2電極は、Ina(Ga,Al)bZncOdから成る[A01]乃至[A11]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A14]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上である[A12]又は[A13]に記載の撮像素子。
[A15]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき受光層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[A14]に記載の撮像素子。
[A16]第2電極は、受光層側から、第2B層及び第2A層の積層構造を有し、
第2電極の第2A層の仕事関数の値は、第2電極の第2B層の仕事関数の値よりも低い[A13]に記載の撮像素子。
[A17]第2電極の第2A層の仕事関数の値と第2電極の第2B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである[A16]に記載の撮像素子。
[A18]第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差は0.4eV以上である[A16]又は[A17]に記載の撮像素子。
[A19]第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき受光層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[A18]に記載の撮像素子。
[A20]第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mであり、
第2電極の第2A層の厚さと第2電極の第2B層の厚さの割合は9/1乃至1/9である[A16]乃至[A19]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A21]第2電極は、インジウム-ガリウム酸化物、インジウム・ドープのガリウム-亜鉛酸化物、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛、インジウム-亜鉛酸化物、又は、ガリウム・ドープの酸化亜鉛から構成されている[A01]乃至[A20]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A22]第1電極は、インジウム-スズ酸化物、インジウム-亜鉛酸化物、又は、酸化錫から構成されている[A01]乃至[A21]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A23]第2電極をスパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量を制御することで、第2電極の仕事関数の値が制御される[A01]乃至[A22]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[A24]第2電極において、酸素の含有率が化学量論組成の酸素含有率よりも少ない[A01]乃至[A23]のいずれか1項に記載の撮像素子。
[B01]《固体撮像装置》
撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置であって、
各撮像素子は、第1電極、第1電極上に形成された受光層、及び、受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る固体撮像装置。
[B02][A01]乃至[A24]のいずれか1項に記載の撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置。
[C01]第1電極、第1電極上に形成された発光・受光層、及び、発光・受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物から成る電子デバイス。
[C02]第1電極と第2電極との間に0ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-0(アンペア)、第1電極と第2電極との間に5ボルトを印加したときに第1電極と第2電極との間を流れる暗電流の値をJd-5(アンペア)としたとき、
0.8≦Jd-5/Jd-0≦1.2
を満足する[C01]に記載の電子デバイス。
[C03]積層構造体は、10MPa乃至50MPaの圧縮応力の内部応力を有する[C01]又は[C02]に記載の電子デバイス。
[C04]第2電極の表面粗さRaは1.5nm以下であり、Rqは2.5nm以下である[C01]乃至[C03]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C05]第2電極の仕事関数は4.5eV以下である[C01]乃至[C04]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C06]第2電極の仕事関数の値は、4.1eV乃至4.5eVである[C05]に記載の電子デバイス。
[C07]波長400nm乃至660nmの光に対する第2電極の光透過率は75%以上である[C01]乃至[C06]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C08]第2電極の電気抵抗値は1×10-6Ω・cm以下である[C01]乃至[C07]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C09]第2電極のシート抵抗値は、3×10Ω/□乃至1×103Ω/□である[C01]乃至[C08]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C10]第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mである[C01]乃至[C09]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C11]第2電極の厚さは2×10-8m乃至1×10-7mである[C10]に記載の電子デバイス。
[C12]第2電極は、酸化インジウム、酸化錫及び酸化亜鉛から成る群から選択された1種類の材料に、アルミニウム、ガリウム、錫及びインジウムから成る群から選択された少なくとも1種類の材料を添加又はドーピングした材料から成る[C01]乃至[C11]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C13]第2電極は、Ina(Ga,Al)bZncOdから成る[C01]乃至[C11]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C14]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上である[C12]又は[C13]に記載の電子デバイス。
[C15]第2電極の仕事関数の値と第1電極の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき発光・受光層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[C14]に記載の電子デバイス。
[C16]第2電極は、発光・受光層側から、第2B層及び第2A層の積層構造を有し、
第2電極の第2A層の仕事関数の値は、第2電極の第2B層の仕事関数の値よりも低い[C13]に記載の電子デバイス。
[C17]第2電極の第2A層の仕事関数の値と第2電極の第2B層の仕事関数の値との差は、0.1eV乃至0.2eVである[C16]に記載の電子デバイス。
[C18]第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差は0.4eV以上である[C16]又は[C17]に記載の電子デバイス。
[C19]第1電極の仕事関数の値と第2電極の第2A層の仕事関数の値との差を0.4eV以上とすることで、仕事関数の値の差に基づき発光・受光層において内部電界を発生させ、内部量子効率の向上を図る[C18]に記載の電子デバイス。
[C20]第2電極の厚さは1×10-8m乃至1.5×10-7mであり、
第2電極の第2A層の厚さと第2電極の第2B層の厚さの割合は9/1乃至1/9である[C16]乃至[C19]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C21]第2電極は、インジウム-ガリウム酸化物、インジウム・ドープのガリウム-亜鉛酸化物、酸化アルミニウム・ドープの酸化亜鉛、インジウム-亜鉛酸化物、又は、ガリウム・ドープの酸化亜鉛から構成されている[C01]乃至[C20]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C22]第1電極は、インジウム-スズ酸化物、インジウム-亜鉛酸化物、又は、酸化錫から構成されている[C01]乃至[C21]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C23]第2電極をスパッタリング法に基づき形成する際の酸素ガス導入量を制御することで、第2電極の仕事関数の値が制御される[C01]乃至[C22]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
[C24]第2電極において、酸素の含有率が化学量論組成の酸素含有率よりも少ない[C01]乃至[C23]のいずれか1項に記載の電子デバイス。
Claims (6)
- 第1電極、前記第1電極上に形成された受光層、及び、前記受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
前記第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物であるインジウム-亜鉛酸化物(IZO)あるいはインジウム・ドープのガリウム-亜鉛酸化物(IGZO)からなり、4.1eV乃至4.3eVの仕事関数を有し、
前記受光層の電子親和力が前記第2電極の仕事関数よりも小さく、
前記受光層のイオン化エネルギが前記第2電極の仕事関数よりも大きい
撮像素子。 - 前記第2電極の仕事関数の値と前記第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上0.9eV以下である
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第2電極は、前記受光層側から、第1層及び第2層の積層構造を有し、
前記第1層及び前記第2層は、いずれもIn a (Ga,Al) b Zn c O d からなり、
前記第2電極の前記第2層の仕事関数の値は、前記第2電極の前記第1層の仕事関数の値よりも低い
請求項1または請求項2に記載の撮像素子。 - 撮像素子を、複数、備えた固体撮像装置であって、
各々の前記撮像素子は、第1電極、前記第1電極上に形成された受光層、及び、前記受光層上に形成された第2電極から成る積層構造体を備えており、
前記第2電極は、透明で導電性を有する非晶質酸化物であるインジウム-亜鉛酸化物(IZO)あるいはインジウム・ドープのガリウム-亜鉛酸化物(IGZO)からなり、4.1eV乃至4.3eVの仕事関数を有し、
前記受光層の電子親和力が前記第2電極の仕事関数よりも小さく、
前記受光層のイオン化エネルギが前記第2電極の仕事関数よりも大きい
固体撮像装置。 - 前記第2電極の仕事関数の値と前記第1電極の仕事関数の値との差は0.4eV以上0.9eV以下である
請求項4に記載の固体撮像装置。 - 前記第2電極は、前記受光層側から、第1層及び第2層の積層構造を有し、
前記第1層及び前記第2層は、いずれもIn a (Ga,Al) b Zn c O d からなり、
前記第2電極の前記第2層の仕事関数の値は、前記第2電極の前記第1層の仕事関数の値よりも低い
請求項4または請求項5に記載の固体撮像装置。
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CN206710760U (zh) * | 2017-05-12 | 2017-12-05 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种摄像部件、显示装置 |
TW201911549A (zh) * | 2017-08-16 | 2019-03-16 | 日商索尼股份有限公司 | 攝像元件、積層型攝像元件及固體攝像裝置 |
JP2020017688A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、電子機器 |
JP7027286B2 (ja) * | 2018-09-13 | 2022-03-01 | 株式会社東芝 | 検出素子および検出器 |
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Citations (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002305297A (ja) | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003243052A (ja) | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Canon Inc | 光電変換モジュール |
JP2004119525A (ja) | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Japan Science & Technology Corp | 酸化物半導体pn接合デバイス |
JP2004266079A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法、並びに電子機器 |
JP2005064273A (ja) | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光起電力素子用電極及びそれを用いた光起電力素子 |
JP2005268243A (ja) | 2004-03-16 | 2005-09-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光子検出器及びその製造方法 |
JP2007067194A (ja) | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子 |
US20070138470A1 (en) | 2005-11-21 | 2007-06-21 | Stmicroelectronics S.R.L. | Photosensitive integrated circuit equipped with a reflective layer and corresponding method of production |
JP2007311647A (ja) | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
JP2008148090A (ja) | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Fujifilm Corp | 画像信号読出方法および装置並びに画像信号読出システム |
JP2008172258A (ja) | 2008-01-28 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 光検出器 |
JP2008227091A (ja) | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
JP2008288253A (ja) | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Fujifilm Corp | 機能性素子の製造方法、光電変換素子、撮像素子 |
JP2009530812A (ja) | 2006-03-13 | 2009-08-27 | ソロパワー、インコーポレイテッド | 薄膜太陽電池製造用の前駆体膜及び化合物膜の調製技術及びこれに対応する装置 |
JP2009212389A (ja) | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 透明有機薄膜トランジスタ |
JP2010003901A (ja) | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
WO2010047309A1 (ja) | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 出光興産株式会社 | 光起電力素子、および、その製造方法 |
JP2010098266A (ja) | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光起電力素子、および、その製造方法 |
JP2010161269A (ja) | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機光電変換素子及びその製造方法並びに有機光電変換撮像素子 |
JP2010258438A (ja) | 2009-03-30 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び撮像素子 |
JP2011199152A (ja) | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sony Corp | 光電変換素子及び固体撮像装置 |
JP2011233752A (ja) | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
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JP2012227112A (ja) | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Industrial Technology Research Institute | 発光素子および表示装置 |
JP2013062185A (ja) | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Ulvac Japan Ltd | 透明導電膜形成方法 |
JP2013110066A (ja) | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Ulvac Japan Ltd | 色素増感型太陽電池の製造装置及び色素増感型太陽電池の製造方法 |
JP2013201001A (ja) | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Nippon Shokubai Co Ltd | 積層体並びに該積層体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオード素子及び光電変換素子 |
US20130270600A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Michael Helander | Functionalization of a Substrate |
US20130327387A1 (en) | 2012-06-08 | 2013-12-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Se OR S BASED THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
WO2014073278A1 (ja) | 2012-11-06 | 2014-05-15 | ソニー株式会社 | 光電変換素子および固体撮像装置ならびに電子機器 |
JP2014120616A (ja) | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機光電変換素子、それを備えた積層型有機撮像素子及び積層型有機太陽電池、並びに有機光電変換素子の製造方法 |
JP2015522707A (ja) | 2012-04-13 | 2015-08-06 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッドOti Lumionics Inc. | 基板の官能基化 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1044286A (ja) * | 1996-08-01 | 1998-02-17 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 静電気防止フィルムおよびそれを用いた偏光フィルム |
JP4843911B2 (ja) * | 2004-06-14 | 2011-12-21 | ソニー株式会社 | 撮像素子およびカメラ |
JP4729275B2 (ja) * | 2004-07-16 | 2011-07-20 | 富士フイルム株式会社 | 有機材料層のパターニング方法およびこれを用いた電子デバイス |
JP5025135B2 (ja) * | 2006-01-24 | 2012-09-12 | 三洋電機株式会社 | 光起電力モジュール |
EP1970959A3 (en) * | 2007-03-12 | 2013-07-31 | FUJIFILM Corporation | Photoelectric conversion element and solid-state imaging device |
JP5262212B2 (ja) * | 2008-03-20 | 2013-08-14 | 三菱電機株式会社 | フォトセンサーアレイ基板 |
JP5330779B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2013-10-30 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置、及びその製造方法 |
JP5503946B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
KR101389381B1 (ko) * | 2012-09-26 | 2014-05-07 | 한국기계연구원 | 수명이 향상된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법 |
JP5981399B2 (ja) * | 2012-10-04 | 2016-08-31 | 富士フイルム株式会社 | 成膜用有機材料及びそれを用いて得られた有機光電変換素子、撮像素子、受光層形成方法、有機光電変換素子の製造方法 |
JP6128020B2 (ja) | 2013-04-10 | 2017-05-17 | ソニー株式会社 | 電子デバイス及び固体撮像装置、並びに、電子デバイスにおける電極形成方法 |
KR102356695B1 (ko) * | 2014-08-18 | 2022-01-26 | 삼성전자주식회사 | 광 유도 부재를 가지는 이미지 센서 |
JP6702190B2 (ja) * | 2014-08-21 | 2020-05-27 | ソニー株式会社 | 撮像素子及び固体撮像装置 |
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Patent Citations (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002305297A (ja) | 2001-04-09 | 2002-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2003243052A (ja) | 2002-02-13 | 2003-08-29 | Canon Inc | 光電変換モジュール |
JP2004119525A (ja) | 2002-09-24 | 2004-04-15 | Japan Science & Technology Corp | 酸化物半導体pn接合デバイス |
JP2004266079A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法、並びに電子機器 |
JP2005064273A (ja) | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光起電力素子用電極及びそれを用いた光起電力素子 |
JP2005268243A (ja) | 2004-03-16 | 2005-09-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光子検出器及びその製造方法 |
JP2007067194A (ja) | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Fujifilm Corp | 有機光電変換素子、および積層型光電変換素子 |
US20070138470A1 (en) | 2005-11-21 | 2007-06-21 | Stmicroelectronics S.R.L. | Photosensitive integrated circuit equipped with a reflective layer and corresponding method of production |
JP2009530812A (ja) | 2006-03-13 | 2009-08-27 | ソロパワー、インコーポレイテッド | 薄膜太陽電池製造用の前駆体膜及び化合物膜の調製技術及びこれに対応する装置 |
JP2007311647A (ja) | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子 |
JP2008148090A (ja) | 2006-12-12 | 2008-06-26 | Fujifilm Corp | 画像信号読出方法および装置並びに画像信号読出システム |
JP2008227091A (ja) | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
JP2008288253A (ja) | 2007-05-15 | 2008-11-27 | Fujifilm Corp | 機能性素子の製造方法、光電変換素子、撮像素子 |
JP2008172258A (ja) | 2008-01-28 | 2008-07-24 | Toshiba Corp | 光検出器 |
JP2009212389A (ja) | 2008-03-05 | 2009-09-17 | Fujifilm Corp | 透明有機薄膜トランジスタ |
JP2010003901A (ja) | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び固体撮像素子 |
WO2010047309A1 (ja) | 2008-10-20 | 2010-04-29 | 出光興産株式会社 | 光起電力素子、および、その製造方法 |
JP2010098266A (ja) | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 光起電力素子、および、その製造方法 |
JP2010161269A (ja) | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機光電変換素子及びその製造方法並びに有機光電変換撮像素子 |
JP2010258438A (ja) | 2009-03-30 | 2010-11-11 | Fujifilm Corp | 光電変換素子及び撮像素子 |
JP2011199152A (ja) | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Sony Corp | 光電変換素子及び固体撮像装置 |
JP2011233752A (ja) | 2010-04-28 | 2011-11-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光電変換装置 |
JP2012129298A (ja) | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2012177623A (ja) | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置、及び放射線画像検出装置の製造方法 |
JP2012227112A (ja) | 2011-04-19 | 2012-11-15 | Industrial Technology Research Institute | 発光素子および表示装置 |
JP2013062185A (ja) | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Ulvac Japan Ltd | 透明導電膜形成方法 |
JP2013110066A (ja) | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Ulvac Japan Ltd | 色素増感型太陽電池の製造装置及び色素増感型太陽電池の製造方法 |
JP2013201001A (ja) | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Nippon Shokubai Co Ltd | 積層体並びに該積層体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、発光ダイオード素子及び光電変換素子 |
US20130270600A1 (en) | 2012-04-13 | 2013-10-17 | Michael Helander | Functionalization of a Substrate |
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US20130327387A1 (en) | 2012-06-08 | 2013-12-12 | Korea Institute Of Science And Technology | Se OR S BASED THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME |
WO2014073278A1 (ja) | 2012-11-06 | 2014-05-15 | ソニー株式会社 | 光電変換素子および固体撮像装置ならびに電子機器 |
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---|---|---|
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