以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1に示すように、基板液処理システム1Aは、キャリア搬入出部2と、ロット形成部3と、ロット載置部4と、ロット搬送部5と、ロット処理部6と、制御部7とを有する。
このうちキャリア搬入出部2は、複数枚(たとえば、25枚)の基板(シリコンウエハ)8を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア9の搬入及び搬出を行う。
このキャリア搬入出部2には、複数個のキャリア9を載置するキャリアステージ10と、キャリア9の搬送を行うキャリア搬送機構11と、キャリア9を一時的に保管するキャリアストック12,13と、キャリア9を載置するキャリア載置台14とが設けられている。ここで、キャリアストック12は、製品となる基板8をロット処理部6で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック13は、製品となる基板8をロット処理部6で処理した後に一時的に保管する。
そして、キャリア搬入出部2は、外部からキャリアステージ10に搬入されたキャリア9を、キャリア搬送機構11を用いてキャリアストック12やキャリア載置台14に搬送する。また、キャリア搬入出部2は、キャリア載置台14に載置されたキャリア9を、キャリア搬送機構11を用いてキャリアストック13やキャリアステージ10に搬送する。キャリアステージ10に搬送されたキャリア9は、外部へ搬出される。
ロット形成部3は、1又は複数のキャリア9に収容された基板8を組合せて同時に処理される複数枚(たとえば、50枚)の基板8からなるロットを形成する。なお、ロットを形成するときは、基板8の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、基板8の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。
このロット形成部3には、複数枚の基板8を搬送する基板搬送機構15が設けられている。なお、基板搬送機構15は、基板8の搬送途中で基板8の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。
そして、ロット形成部3は、キャリア載置台14に載置されたキャリア9から基板搬送機構15を用いて基板8をロット載置部4に搬送し、ロットを形成する基板8をロット載置部4に載置する。また、ロット形成部3は、ロット載置部4に載置されたロットを基板搬送機構15でキャリア載置台14に載置されたキャリア9へ搬送する。なお、基板搬送機構15は、複数枚の基板8を支持するための基板支持部として、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)の基板8を支持する処理前基板支持部と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)の基板8を支持する処理後基板支持部の2種類を有している。これにより、処理前の基板8等に付着したパーティクル等が処理後の基板8等に転着するのを防止する。
ロット載置部4は、ロット搬送部5によってロット形成部3とロット処理部6との間で搬送されるロットをロット載置台16で一時的に載置(待機)する。
このロット載置部4には、処理前(ロット搬送部5で搬送される前)のロットを載置する搬入側ロット載置台17と、処理後(ロット搬送部5で搬送された後)のロットを載置する搬出側ロット載置台18とが設けられている。搬入側ロット載置台17及び搬出側ロット載置台18には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
そして、ロット載置部4では、ロット形成部3で形成したロットが搬入側ロット載置台17に載置され、そのロットがロット搬送部5を介してロット処理部6に搬入される。また、ロット載置部4では、ロット処理部6からロット搬送部5を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台18に載置され、そのロットがロット形成部3に搬送される。
ロット搬送部5は、ロット載置部4とロット処理部6との間やロット処理部6の内部間でロットの搬送を行う。
このロット搬送部5には、ロットの搬送を行うロット搬送機構19が設けられている。ロット搬送機構19は、ロット載置部4とロット処理部6に沿わせて配置したレール20と、複数枚の基板8を保持しながらレール20に沿って移動する移動体21とで構成する。移動体21には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を保持する基板保持体22が進退自在に設けられている。
そして、ロット搬送部5は、搬入側ロット載置台17に載置されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットをロット処理部6に受け渡す。また、ロット搬送部5は、ロット処理部6で処理されたロットをロット搬送機構19の基板保持体22で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台18に受け渡す。さらに、ロット搬送部5は、ロット搬送機構19を用いてロット処理部6の内部においてロットの搬送を行う。
ロット処理部6は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板8を1ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。
このロット処理部6には、基板8の乾燥処理を行う乾燥処理装置23と、基板保持体22の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置24と、基板8の洗浄処理を行う洗浄処理装置25と、基板8のエッチング処理を行う2台の本発明によるエッチング処理装置(基板液処理装置)1とが並べて設けられている。
乾燥処理装置23は、処理槽27と、処理槽27に昇降自在に設けられた基板昇降機構28とを有する。処理槽27には、乾燥用の処理ガス(IPA(イソプロピルアルコール)等)が供給される。基板昇降機構28には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置23は、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構28で受取り、基板昇降機構28でそのロットを昇降させることで、処理槽27に供給した乾燥用の処理ガスで基板8の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置23は、基板昇降機構28からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受け渡す。
基板保持体洗浄処理装置24は、処理槽29を有し、この処理槽29に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構19の基板保持体22に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体22の洗浄処理を行う。
洗浄処理装置25は、洗浄用の処理槽30とリンス用の処理槽31とを有し、各処理槽30,31に基板昇降機構32,33を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽30には、洗浄用の処理液(SC-1等)が貯留される。リンス用の処理槽31には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。
エッチング処理装置1は、エッチング用の処理槽34とリンス用の処理槽35とを有し、各処理槽34,35に基板昇降機構36,37が昇降自在に設けられている。エッチング用の処理槽34には、エッチング用の処理液(リン酸水溶液)が貯留される。リンス用の処理槽35には、リンス用の処理液(純水等)が貯留される。
これら洗浄処理装置25とエッチング処理装置1は、同様の構成となっている。エッチング処理装置(基板液処理装置)1について説明すると、基板昇降機構36には、1ロット分の複数枚の基板8が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置1において、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構36で受取り、基板昇降機構36でそのロットを昇降させることでロットを処理槽34のエッチング用の処理液に浸漬させて基板8のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置1は、基板昇降機構36からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受け渡す。また、ロット搬送機構19の基板保持体22からロットを基板昇降機構37で受取り、基板昇降機構37でそのロットを昇降させることでロットを処理槽35のリンス用の処理液に浸漬させて基板8のリンス処理を行う。その後、基板昇降機構37からロット搬送機構19の基板保持体22にロットを受け渡す。
制御部7は、基板液処理システム1Aの各部(キャリア搬入出部2、ロット形成部3、ロット載置部4、ロット搬送部5、ロット処理部6、エッチング処理装置1)の動作を制御する。
この制御部7は、たとえばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体38を備える。記憶媒体38には、基板液処理装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部7は、記憶媒体38に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置1の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部7の記憶媒体38にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体38としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
〔基板液処理装置〕
続いて基板液処理システム1Aが含む基板液処理装置A1について詳細に説明する。図2及び図3に示すように、基板液処理装置A1は、エッチング処理装置1と、基板昇降機構36(搬送部)と、制御部7とを備える。
(エッチング処理装置)
エッチング処理装置1は、液処理部40と、処理液供給部44と、処理液排出部67と、複数(例えば六つ)のガスノズル70と、ガス供給部89と、ガス加熱部94と、ガス抜き部95と、液位センサ80とを備える。
液処理部40は、基板8に対して液処理(エッチング処理)を実行する部分であり、処理槽41と、外槽42と、処理液43とを含む。
処理槽41は、処理液43及び基板8を収容する。処理液43の具体例としては、リン酸水溶液が挙げられる。処理槽41の上部は開放されているので、上方から処理槽41内の処理液43に基板8を浸漬することが可能である。後述のように、処理槽41内には、円形の基板8が起立した状態で配置される。以下、高さ方向に直交して処理槽41内の基板8に沿う方向を「幅方向」といい、高さ方向及び幅方向に直交する方向(すなわち処理槽41内の基板8の厚さ方向)を「奥行方向」という。
処理槽41の底面のうち、幅方向における両側部分は、外側に向かうにつれて高くなっている。これにより、処理槽41内の入隅部と、基板8の外周との間のデッドスペースが小さくなり、処理液43の滞留が生じ難くなっている。
外槽42は、処理槽41を包囲するように設けられており、処理槽41から溢れた処理液を収容する。
処理液供給部44は、処理槽41内に処理液43を供給する。たとえば処理液供給部44は、処理液供給源45と、流量調節器46と、純水供給源47と、流量調節器48と、処理液循環部49と、濃度計測部55とを含む。
処理液供給源45は、処理液43を外槽42に供給する。流量調節器46は、処理液供給源45から外槽42への処理液の流路に設けられており、当該流路の開閉及び開度調節を行う。
純水供給源47は、純水を外槽42に供給する。この純水は、処理液43の加熱によって蒸発した水分を補う。流量調節器48は、純水供給源47から外槽42への純水の流路に設けられており、当該流路の開閉及び開度調節を行う。
処理液循環部49は、外槽42内の処理液43を処理槽41内の下部に送る。たとえば処理液循環部49は、複数(例えば三つ)の処理液ノズル50と、循環流路51と、供給ポンプ52と、フィルタ53と、ヒータ54とを含む。
処理液ノズル50は、処理槽41内の下部に設けられており、処理液43を処理槽41内に吐出する。複数の処理液ノズル50は、同一高さにおいて幅方向に並んでおり、それぞれ奥行方向に延びている。
循環流路51は、外槽42から複数の処理液ノズル50に処理液を導く。循環流路51の一端部は外槽42の底部に接続されている。循環流路51の他端部は、複数本に分岐して複数の処理液ノズル50にそれぞれ接続されている。
供給ポンプ52、フィルタ53及びヒータ54は、循環流路51に設けられており、上流側(外槽42側)から下流側(処理液ノズル50側)に順に並んでいる。供給ポンプ52は、処理液43を上流側から下流側に圧送する。フィルタ53は、処理液43中に混入したパーティクルを除去する。ヒータ54は、処理液43を設定温度まで加熱する。設定温度は、たとえば処理液43の沸点近傍の値に設定されている。
濃度計測部55は、処理液43の濃度を計測する。たとえば濃度計測部55は、計測用流路56と、開閉弁57,59と、濃度センサ58と、洗浄流体供給部60と、洗浄流体排出部64とを有する。
計測用流路56は、ヒータ54と処理液ノズル50との間で循環流路51から分岐し、処理液43の一部を抜き出して外槽42に還流させる。開閉弁57,59は、計測用流路56において上流側(循環流路51側)から下流側(外槽42側)に順に並んでおり、それぞれ計測用流路56を開閉する。濃度センサ58は、計測用流路56において開閉弁57,59の間に設けられており、計測用流路56を流れる処理液43の濃度(例えばリン酸濃度)を計測する。
洗浄流体供給部60は、洗浄用の流体(例えば純水)を濃度センサ58に供給する。たとえば洗浄流体供給部60は、洗浄流体供給源61と、供給流路62と、開閉弁63とを有する。洗浄流体供給源61は、洗浄用の流体の供給源である。供給流路62は、洗浄流体供給源61から濃度センサ58に洗浄用の流体を供給する。供給流路62の一端部は洗浄流体供給源61に接続されており、供給流路62の他端部は開閉弁57と濃度センサ58との間に接続されている。開閉弁63は供給流路62を開閉する。
洗浄流体排出部64は、洗浄用の流体を排出する。たとえば洗浄流体排出部64は、排出流路65と、開閉弁66とを有する。排出流路65は、濃度センサ58を通った洗浄用の流体を導出する。排出流路65の一端部は濃度センサ58と開閉弁59との間に接続されており、排出流路65の他端部は基板液処理システム1Aの排液管(不図示)に接続されている。開閉弁66は排出流路65を開閉する。
処理液排出部67は、処理槽41内から処理液43を排出する。たとえば処理液排出部67は、排液流路68と、開閉弁69とを有する。排液流路68は、処理槽41内の処理液を導出する。排液流路68の一端部は処理槽41の底部に接続されており、排液流路68の他端部は基板液処理システム1Aの排液管(不図示)に接続されている。開閉弁69は排液流路68を開閉する。
複数のガスノズル70は、処理槽41内の下部にて不活性ガス(例えばN2ガス)を吐出する。複数のガスノズル70は、処理液ノズル50よりも下において幅方向に並び、それぞれ奥行方向に延びている。各ガスノズル70の高さは、その配置位置が幅方向の中心から遠ざかるにつれて高くなっている。
複数のガスノズル70は、基板8と同心の円弧に沿うように並んでいてもよい。上記円弧に沿うように並ぶとは、各ガスノズル70が当該円弧上に位置する場合だけでなく、一部のガスノズル70が当該円弧から所定範囲内でずれている場合も含む。複数のガスノズル70が同一高さに位置する場合に比較して、各ガスノズル70から基板8の中心までの距離の均一性が高くなる限り、上記所定範囲は任意に設定可能である。
たとえば、複数のガスノズル70は、幅方向において最も内側に位置する一対のガスノズル70Aと、一対のガスノズル70Aよりも外側に位置する一対のガスノズル70Bと、一対のガスノズル70Bよりもさらに外側に位置する一対のガスノズル70Cとを含む。ガスノズル70B,70Bは、ガスノズル70A,70Aよりも上に位置し、ガスノズル70C,70Cはガスノズル70B,70Bよりも上に位置している。ガスノズル70A,70A,70B,70B,70C,70Cは、基板8と同心の円弧に沿うように並んでいる。
なお、ガスノズル70の数及び配置は適宜変更可能である。複数のガスノズル70は同一高さに配置されていてもよい。
図4に示すように、ガスノズル70は、処理槽41の底面に沿って奥行方向に延びるように配置された管状(例えば円管状)の本体71と、本体71の内面73及び外面74の間を貫通するように形成された少なくとも一つの吐出孔77とを有する。たとえばガスノズル70は、奥行方向に沿って並ぶ複数の吐出孔77を有する。本体71は、たとえば石英により構成されている。本体71は、石英に代えて、ケイ素を含有しない材料で構成されていてもよい。ケイ素を含有しない材料の具体例としては、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)等の樹脂材料が挙げられる。
各吐出孔77は、本体71の下部に設けられている。吐出孔77は、本体71の管中心72の鉛直下方からずれた位置に設けられていてもよい。この場合、吐出孔77の位置は、本体71の管中心72を含む鉛直な仮想平面75が吐出孔77内を通らないように設定されていてもよい。吐出孔77の中心は、本体71の管中心72まわりで鉛直下方±10°の範囲76内に位置していてもよい。
吐出孔77が管中心72の鉛直下方からずれる方向に制限はない。たとえば、吐出孔77は図示右側にずれているが、図示左側にずれていてもよい。また、図示右側にずれた吐出孔77と、図示左側にずれた吐出孔77とが奥行方向に沿って千鳥状に並んでいてもよい。
吐出孔77は、本体71の内面73側から外面74側に向かうにつれて開口面積が小さくなるように形成されている。このような吐出孔77を有するガスノズル70は、図5に例示するように、半管上の二つの部品78,79の一方に対して内面側から吐出孔77の加工を行った後、部品78,79を溶接又は溶着等により一体化することで形成可能である。
図2及び図3に戻り、ガス供給部89は、ガスノズル70に上記不活性ガスを供給する。たとえばガス供給部89は、ガス供給源90と、供給流路91と、開閉弁92と、流量調節器93とを含む。
ガス供給源90は、不活性ガスの供給源である。供給流路91は、ガス供給源90からガスノズル70に不活性ガスを導く。開閉弁92は供給流路91を開閉する。流量調節器93は、開閉弁92とガス供給源90との間において、供給流路91の開度を調節して不活性ガスの流量を調節する。
供給流路91、開閉弁92及び流量調節器93は、ガスノズル70の配置高さごとに設けられていてもよい。たとえばガス供給源90は、供給流路91A,91B,91Cと、開閉弁92A,92B,92Cと、流量調節器93A,93B,93Cとを含む。供給流路91Aは、ガス供給源90からガスノズル70A,70Aの一端部に不活性ガスを導く。供給流路91Bは、ガス供給源90からガスノズル70B,70Bの一端部に不活性ガスを導く。供給流路91Cは、ガス供給源90からガスノズル70C,70Cの一端部に不活性ガスを導く。開閉弁92A,92B,92Cは、供給流路91A,91B,91Cをそれぞれ開閉する。流量調節器93A,93B,93Cは、供給流路91A,91B,91Cの開度をそれぞれ調節する。
ガス加熱部94は、ガス供給源90によりガスノズル70に供給される不活性ガスを設定温度まで加熱する。設定温度は、たとえば処理液43の沸点近傍の値に設定されている。たとえばガス加熱部94は、供給流路91に設けられている。図示において、ガス加熱部94は、供給流路91A,91B,91Cがガス供給源90側にて合流した部分に設けられているが、これに限られない。ガス加熱部94は、供給流路91A,91B,91Cごとに設けられていてもよい。
ガス抜き部95は、ガスノズル70の本体71の内圧を低下させる。たとえばガス抜き部95は、減圧流路96と、減圧弁97とを含む。減圧流路96は、開閉弁92とガスノズル70との間において供給流路91から分岐し、供給流路91内のガスを導出する。減圧弁97は、減圧流路96を開閉する。
なお、ガス抜き部95は、強制排気用のポンプをさらに含んでいてもよい。減圧流路96及び減圧弁97は、ガスノズル70の配置高さごとに設けられていてもよい。たとえばガス抜き部95は、減圧流路96A,96B,96Cと、減圧弁97A,97B,97Cとを含む。減圧流路96Aは、開閉弁92Aとガスノズル70Aとの間において供給流路91Aから分岐し、供給流路91A内のガスを導出する。減圧流路96Bは、開閉弁92Bとガスノズル70Bとの間において供給流路91Bから分岐し、供給流路91B内のガスを導出する。減圧流路96Cは、開閉弁92Cとガスノズル70Cとの間において供給流路91Cから分岐し、供給流路91C内のガスを導出する。減圧弁97A,97B,97Cは、減圧流路96A,96B,96Cをそれぞれ開閉する。
液位センサ80は、処理液43に含まれる気体の量(以下、「処理液43の気体含有量」という。)に関する情報を取得する。たとえば液位センサ80は、気泡式液位計であり、気泡管81と、加圧ガス供給源83と、ガスライン84と、パージセット82と、検出ライン85と、第一検出器86Aと、第二検出器86Bとを含む。
気泡管81は、処理槽41内の処理液に挿入されており、その端部は処理槽41の底部近傍に位置している。加圧ガス供給源83は、液位計測用の不活性ガス(以下、「計測用ガス」という。)の供給源である。ガスライン84は、加圧ガス供給源83から気泡管81に計測用ガスを導く。気泡管81に導かれた計測用ガスは、気泡管81の端部から処理槽41内の処理液中に放出される。
パージセット82は、気泡管81からの計測ガスの放出量を一定にするように、ガスライン84の内圧を調節する。なお、一定とは、実質的な一定を意味し、所定値を基準として許容範囲内に収まっている状態を意味する。
検出ライン85は、気泡管81とパージセット82との間におけるガスライン84の内圧を第一検出器86A及び第二検出器86Bに伝達する。検出ライン85の一端部は、気泡管81とパージセット82との間においてガスライン84に接続されており、検出ライン85の他端部は二本に分岐して第一検出器86A及び第二検出器86Bにそれぞれ接続されている。
第一検出器86A及び第二検出器86Bは、検出ライン85により伝達された圧力を検出する。第一検出器86A及び第二検出器86Bの検出範囲は互いに異なっている。第一検出器86Aは、処理槽41内の処理液43の液位(液面の位置)が最低位(処理槽41が空の状態)のときにおける圧力から、当該液位が最高位(処理液43が処理槽41から溢れている状態)のときにおける圧力までの範囲を検出範囲としている。第二検出器86Bは、処理槽41内の処理液43の液位が最高位にあるときにおいて、処理液43の気体含有量に応じた圧力の変動範囲の最小値から最大値までを検出範囲としている。
処理液43の液位が最高位に保たれた状態において、第二検出器86Bの検出値は、主として処理液43の気体含有量に応じて変動することとなる。すなわち、処理液43の液位が最高位に保たれた状態において、第二検出器86Bの検出値は、実質的に、処理液43の気体含有量に相関する。一方、第一検出器86Aの検出範囲は、第二検出器86Bの検出範囲に比較して大きいので、第一検出器86Aによる圧力検出値は、処理液43の気体含有量の変動に対して実質的に不感である。このため、第一検出器86Aの検出値は、実質的に処理液43の液位に相関する。以上より、第一検出器86A及び第二検出器86Bを組合せて用いることで、処理液43の気体含有量に関する情報が得られる。すなわち、第一検出器86Aの検出値により、処理液43の液位が最高位に保たれていることが示されているときに、第二検出器86Bの検出値を取得することにより、処理液43の気体含有量に関する情報が得られる。
(基板昇降機構)
基板昇降機構36は、基板8を処理槽41内の処理液43に浸漬する。たとえば基板昇降機構36は、起立した複数の基板8を厚さ方向に沿って並べた状態で処理液43に浸漬する。
より具体的に、基板昇降機構36は、複数の支持アーム87と、昇降部88とを有する。複数の支持アーム87は、幅方向に沿って起立した複数の基板8を奥行方向に整列させた状態で支持する。複数の支持アーム87は幅方向に並び、それぞれ奥行方向に延びている。各支持アーム87は、奥行方向に並ぶ複数のスロット87aを有する。スロット87aは、幅方向に沿って上方に開口した溝状部分であり、起立した基板8の下部を受け入れる。
昇降部88は、複数の基板8を処理液43内に浸漬する高さと、複数の基板8を処理液43の液面より上に位置させる高さとの間で複数の支持アーム87を昇降させる。
(制御部)
制御部7は、ガスノズル70の下方の第一高さH1(たとえば、処理槽41の底面における最低部分の高さ)から、基板8を浸漬可能な第二高さH2(例えば、処理槽41の上端面の高さ)に液面が上昇するまで処理槽41に処理液43を供給するように処理液供給部44を制御することと、液面が第二高さH2以上にある状態で基板8を処理液43に浸漬するように基板昇降機構36を制御することと、液面が第二高さH2から第一高さH1に下降するまで処理槽41から処理液43を排出するように処理液排出部67を制御することと、液面が第一高さH1から第二高さH2に上昇する途中でガスの供給量を増やし、液面が第二高さH2から第一高さH1に下降する途中でガスの供給量を減らすようにガス供給部89を制御することと、を実行するように構成されている。
制御部7は、ガスノズル70の本体71内に処理液43を吸引し得る圧力まで本体71の内圧を低下させるようにガス抜き部95を制御することと、本体71内の処理液43を排出し得る圧力まで本体71の内圧を上昇させるようにガス供給部89を制御することと、をさらに実行するように構成されていてもよい。
また、制御部7は、基板8同士の間隔、基板8の浸漬が開始された後の経過時間、及びガスノズル70の配置位置の少なくともいずれかに応じて、ガス供給部89からガスノズル70へのガスの供給量を変えるように構成されている。
制御部7は、ガスの供給量の調節により、処理液43の気体含有量を目標値に近付けるようにガス供給部89を制御することをさらに実行するように構成されていてもよく、基板8同士の間隔、及び基板8の浸漬が開始された後の経過時間の少なくとも一方に応じてガスの供給量を変える際には、当該目標値を変えることでガスの供給量を変えてもよい。
図6は、制御部7の機能的な構成を例示するブロック図である。図6に示すように、制御部7は、機能上の構成(以下、「機能モジュール」という。)として、液供給制御部111と、排液制御部112と、浸漬制御部113と、ガス供給制御部114と、洗浄制御部118と、レシピ記憶部119を有する。
レシピ記憶部119は、処理内容を特定するために予め設定された各種パラメータを記憶する。
液供給制御部111は、上記第一高さH1から上記第二高さH2に液面が上昇するまで処理槽41に処理液43を供給するように処理液供給部44を制御する。以下、この制御を「処理液43の充填制御」という。
浸漬制御部113は、液面が第二高さH2以上にある状態で基板8を処理液43に浸漬するように基板昇降機構36を制御する。以下、この制御を「基板8の浸漬制御」とうい。
排液制御部112は、液面が第二高さH2から第一高さH1に下降するまで処理槽41から処理液43を排出するように処理液排出部67を制御する。以下、この制御を「処理液43の排出制御」という。
ガス供給制御部114は、より細分化された機能モジュールとして、オン・オフ制御部115と、目標値設定部116と、追従制御部117とを有する。
オン・オフ制御部115は、液面が第一高さH1から第二高さH2に上昇する途中でガスの供給量を増やし、液面が第二高さH2から第一高さH1に下降する途中でガスの供給量を減らすようにガス供給部89を制御する。ガスの供給量を増やすようにガス供給部89を制御することは、開閉弁92を閉状態から開状態にしてガスの供給を開始するようにガス供給部89を制御することを含む。ガスの供給量を減らすようにガス供給部89を制御することは、開閉弁92を開状態から閉状態にしてガスの供給を停止するようにガス供給部89を制御することを含む。
オン・オフ制御部115は、第一高さH1から第二高さH2まで上昇する液面がガスノズル70の吐出孔77に到達する前にガスの供給を開始し、第二高さH2から第一高さH1まで下降する液面が吐出孔77を通過した後にガスの供給を停止するようにガス供給部89を制御してもよい。
また、オン・オフ制御部115は、第一高さH1から第二高さH2まで上昇する液面がガスノズル70の吐出孔77に到達する前にガスの供給を開始し、第二高さH2から第一高さH1まで下降する液面が吐出孔77を通過した後にガスの供給を停止するようにガス供給部89を制御することを、高さの異なるガスノズル70ごとに実行してもよい。たとえば、オン・オフ制御部115は、第一高さH1から第二高さH2まで上昇する液面がガスノズル70Aの吐出孔77に到達する前に開閉弁92Aを閉状態から開状態にし、当該液面がガスノズル70Bの吐出孔77に到達する前に開閉弁92Bを閉状態から開状態にし、当該液面がガスノズル70Cの吐出孔77に到達する前に開閉弁92Cを閉状態から開状態にするようにガス供給部89を制御する。その後、オン・オフ制御部115は、第二高さH2から第一高さH1まで下降する液面がガスノズル70Cの吐出孔77を通過した後に開閉弁92Cを開状態から閉状態にし、当該液面がガスノズル70Bの吐出孔77を通過した後に開閉弁92Bを開状態から閉状態に、当該液面がガスノズル70Aの吐出孔77を通過した後に開閉弁92Cを開状態から閉状態にするようにガス供給部89を制御する。
オン・オフ制御部115は、第一高さH1から第二高さH2まで上昇する液面がガスノズル70の吐出孔77に到達する前にガスの供給を開始し、第二高さH2から第一高さH1まで下降する液面が吐出孔77を通過した後にガスの供給を停止するようにガス供給部89を制御することを、高さの異なるガスノズル70で同時に実行してもよい。この場合、オン・オフ制御部115は、第一高さH1から第二高さH2まで上昇する液面が最低位のガスノズル70(ガスノズル70A)の吐出孔77に到達する前にすべてのガスノズル70へのガスの供給を開始し、第二高さH2から第一高さH1まで下降する液面が最低位のガスノズル70の吐出孔77を通過した後にすべてのガスノズル70へのガスの供給を停止するようにガス供給部89を制御してもよい。
目標値設定部116は、基板8同士の間隔、及び基板8の浸漬が開始された後の経過時間の少なくともいずれかに応じて、処理液43の気体含有量の目標値を設定する。たとえば目標値設定部116は、上記経過時間を浸漬制御部113から取得し、当該経過時間に応じて処理液43の気体含有量の目標値を変える。より具体的に、目標値設定部116は、上記経過時間が所定のタイミングとなる前後で、処理液43の気体含有量の目標値を相違させてもよい。上記タイミングと、当該タイミング前後の目標値は予め設定され、レシピ記憶部119に記憶されており、目標値設定部116はこれらの情報をレシピ記憶部119から取得する。
レシピ記憶部119には、基板8同士の間隔に応じて異なる目標値が記憶されていてもよい。この場合、目標値設定部116は、基板8同士の間隔に応じて目標値を変えることとなる。なお、基板8同士の間隔は、基板昇降機構36の支持アーム87が支持する基板8の枚数に応じて定まる。支持アーム87が支持する基板8の枚数は、基板8に対するエッチング処理の条件に応じて適宜設定される。たとえば、隣り合う基板8の一方の溶出物が他方のエッチング処理に及ぼす影響を無視できない場合には、支持アーム87が支持する基板8の枚数を減らして一部のスロット87aを空け、基板8同士の間隔を大きくする必要がある。
追従制御部117は、ガスの供給量の調節により、処理液43の気体含有量を上記目標値に近付けるようにガス供給部89を制御する。この際に、追従制御部117は、ガスノズル70の配置位置に応じて、ガス供給部89からガスノズル70へのガスの供給量を変えてもよい。たとえば、追従制御部117は、上記幅方向の中心を基準としたガスノズル70の位置に応じて、ガス供給部89からガスノズル70へのガスの供給量を変えてもよい。すなわち、追従制御部117は、ガスノズル70の配置位置が上記幅方向の中心から遠ざかるにつれてガス供給部89からガスノズル70へのガスの供給量を大きくしてもよいし、ガスノズル70の配置位置が上記幅方向の中心から遠ざかるにつれてガス供給部89からガスノズル70へのガスの供給量を小さくしてもよい。より具体的に、追従制御部117は、ガスノズル70A,70B,70Cへのガスの供給量を相違させるように、流量調節器93A,93B,93Cの開度を相違させてもよい。
洗浄制御部118は、ガスノズル70の本体71内に処理液43を吸引し得る圧力まで本体71の内圧を低下させるようにガス抜き部95を制御することと、本体71内の処理液43を排出し得る圧力まで本体71の内圧を上昇させるようにガス供給部89を制御することと、を実行する。以下、この制御を「ガスノズル70の洗浄制御」という。洗浄制御部118は、ガスノズル70の洗浄制御を、液面が第一高さH1から第二高さH2に上昇した後、処理液43に基板8が浸漬される前に実行してもよいし、処理液43に基板8が浸漬された後、液面が第二高さH2から第一高さH1に下降する前に実行してもよい。
〔基板液処理方法〕
続いて、基板液処理方法の一例として、制御部7が実行する制御手順を説明する。図7に示すように、制御部7は、まずステップS01を実行する。ステップS01は、上述した処理液43の充填制御を含む。より詳細な手順は後述する。次に、制御部7はステップS02を実行する。ステップS02は、上述したガスノズル70の洗浄制御を含む。より詳細な手順は後述する。次に、制御部7はステップS03を実行する。ステップS03は、上述した基板8の浸漬制御を含む。より詳細な手順は後述する。次に、制御部7はステップS04を実行する。ステップS04は、上述した処理液43の排出制御を含む。より詳細な手順は後述する。
次に、制御部7はステップS05を実行する。ステップS05は、全ロットの液処理が完了したか否かを確認することを含む。ステップS05において、液処理が未完了のロットが残っていると判定した場合、制御部7は手順をステップS01に戻す。以後、全ロットの液処理が完了するまで、処理液43の充填制御、ガスノズル70の洗浄制御、基板8の浸漬制御、及び処理液43の排出制御が繰り返される。ステップS05において、全ロットの液処理が完了したと判定した場合、制御部7はエッチング処理装置1の制御を完了する。
図7の例において、制御部7は、処理液43の充填制御の後、基板8の浸漬制御の前にガスノズル70の洗浄制御を実行しているが、これに限られない。たとえば制御部7は、基板8の浸漬制御の後、処理液43の排出制御の前にガスノズル70の洗浄制御を実行してもよい。なお、エッチング処理装置1における処理では、洗浄処理装置25における処理に比較して、処理液への基板8の浸漬時に多くのケイ素が溶出する。これにより、処理槽34のケイ素濃度が高くなる場合には、図7の例のように、処理槽41の充填制御の後、基板8の浸漬制御の前にガスノズル70の洗浄制御を実行することが好ましい。
また、図7の例において、制御部7は、1ロットの処理ごとに、処理液の充填制御、ガスノズル70の洗浄制御、処理液の排出制御を実行しているが、これに限られず、複数ロットごとに処理液の充填制御、ガスノズル70の洗浄制御、及び処理液の排出制御を実行してもよい。
(処理液の充填手順)
続いて、上記ステップS01における処理液43の充填制御の詳細な手順を説明する。図8に示すように、制御部7は、まずステップS11を実行する。ステップS11では、液供給制御部111が、処理槽41への処理液43の充填を開始するように処理液供給部44を制御する。たとえば、液供給制御部111は、処理槽41が空であり、開閉弁69が閉じた状態にて、流量調節器46を開いて外槽42内への処理液43の供給を開始し、供給ポンプ52を駆動させて外槽42から処理槽41への送液を開始するように処理液供給部44を制御する。
次に、制御部7はステップS12を実行する。ステップS12では、オン・オフ制御部115が、次に開くべき開閉弁92について予め設定された開弁時間を待機する。開閉弁92の開弁時間は、当該開閉弁92に対応するガスノズル70の吐出孔77に液面が到達する前の時間に設定されており、レシピ記憶部119に記憶されている。開閉弁92の開弁時間は、対応するガスノズル70の高さに応じて異なっており、ガスノズル70が高位にあるほど長時間となっている。
次に、制御部7はステップS13を実行する。ステップS13では、オン・オフ制御部115が、ステップS12にて開弁時間の経過した開閉弁92を閉状態から開状態に切り替えるようにガス供給部89を制御する。
次に、制御部7はステップS14を実行する。ステップS14では、オン・オフ制御部115が、全ガスノズル70の開閉弁92が開かれたか否かを確認する。
ステップS14において、未開の開閉弁92が残っていると判定した場合、制御部7は手順をステップS12に戻す。以後、すべての開閉弁92が開かれるまで、制御部7は、開弁時間の待機と開閉弁92の開放とを繰り返す。これにより、低位のガスノズル70の開閉弁92から順に開かれる。より具体的に、処理液43の液面がガスノズル70Aの吐出孔77に到達する前に開閉弁92Aが開かれ、ガスノズル70Aの吐出孔77を通過した液面がガスノズル70Bの吐出孔77に到達する前に開閉弁92Bが開かれ、ガスノズル70Bの吐出孔77を通過した液面がガスノズル70Cの吐出孔77に到達する前に開閉弁92Cが開かれる。
ステップS14において、すべての開閉弁92が開かれたと判定した場合、制御部7はステップS15を実行する。ステップS15では、液供給制御部111が、予め設定された充填時間の経過を待機する。充填時間は、処理液43の液面が第二高さH2に到達する時間以降に設定されており、レシピ記憶部119に記憶されている。
次に、制御部7はステップS16を実行する。ステップS16では、液供給制御部111が、処理液43の循環制御を開始する。処理液43の循環制御は、供給ポンプ52の駆動を継続させることで、処理槽41から外槽42に溢れた処理液43を処理槽41の下部に還流させるように処理液供給部44を制御することを含む。当該循環制御において、液供給制御部111は、濃度センサ58により検出された処理液43の濃度に応じて純水用の流量調節器48の開度を調節するように処理液供給部44を制御することを実行してもよい。以上で、上記ステップS01が完了する。
(ガスノズルの洗浄手順)
続いて、上記ステップS02におけるガスノズル70の洗浄制御の詳細な手順を説明する。図9に示すように、制御部7は、まずステップS21を実行する。ステップS21では、洗浄制御部118が、開閉弁92を閉じてガスノズル70へのガスの供給を中断するようにガス供給部89を制御する。
次に、制御部7はステップS22を実行する。ステップS22では、洗浄制御部118は、ガスノズル70の本体71内に処理液43を吸引し得る圧力まで本体71の内圧を低下させるようにガス抜き部95を制御する。たとえば洗浄制御部118は、減圧弁97を閉状態から開状態にするようにガス抜き部95を制御する。
次に、制御部7はステップS23を実行する。ステップS23では、洗浄制御部118が、予め設定された減圧時間を待機する。減圧時間は、洗浄に適した量の処理液43が本体71内に吸引されるように設定されており、レシピ記憶部119に記憶されている。
次に、制御部7はステップS24を実行する。ステップS24では、洗浄制御部118が、本体71内の減圧を停止するようにガス抜き部95を制御する。たとえば洗浄制御部118は、減圧弁97を開状態から閉状態にするようにガス抜き部95を制御する。
次に、制御部7はステップS25を実行する。ステップS25では、洗浄制御部118が、予め設定された洗浄時間を待機する。洗浄時間は、本体71内に吸引された処理液43による洗浄効果が十分に得られるように設定されており、レシピ記憶部119に記憶されている。
次に、制御部7はステップS26を実行する。ステップS26では、洗浄制御部118が、本体71内の処理液43を排出し得る圧力まで本体71の内圧を上昇させるようにガス供給部89を制御する。たとえば洗浄制御部118は、開閉弁92を開いてガスノズル70へのガスの供給を再開するようにガス供給部89を制御する。
次に、制御部7はステップS27を実行する。ステップS27では、洗浄制御部118が、予め設定された排液時間を待機する。排液時間は、本体71内に吸引された処理液43を十分に排液できるように設定されており、レシピ記憶部119に記憶されている。以上で上記ステップS02が完了する。
(基板の浸漬手順)
続いて、上記ステップS03における基板8の浸漬制御の詳細な手順を説明する。図10に示すように、制御部7は、まずステップS31を実行する。ステップS31では、浸漬制御部113が、複数の基板8を処理液43の液面より上に位置させる高さから、当該複数の基板8を処理液43内に浸漬する高さまで、複数の支持アーム87を下降させるように基板昇降機構36を制御する。
次に、制御部7はステップS32を実行する。ステップS32では、浸漬制御部113が、予め設定された処理時間の経過を待機する。処理時間は、必要とされるエッチングの程度に応じて設定され、レシピ記憶部119に記憶されている。
次に、制御部7はステップS33を実行する。ステップS33では、浸漬制御部113が、複数の基板8を処理液43内に浸漬する高さから、当該複数の基板8を処理液43の液面より上に位置させる高さまで、複数の支持アーム87を上昇させるように基板昇降機構36を制御する。以上で上記ステップS03が完了する。
(基板の浸漬中におけるガス供給部の制御手順)
基板8の浸漬制御に並行して、制御部7は、ガス供給部89によるガスの供給量の制御を実行する。以下、ガスの供給量の制御手順を説明する。図11に示すように、制御部7は、まずステップS41を実行する。ステップS41では、目標値設定部116が、処理液43の気体含有量の目標値をレシピ記憶部119から取得する。
上述の通り、レシピ記憶部119には、基板8同士の間隔に応じて異なる目標値が記憶されていてもよい。この場合、目標値設定部116は、基板8同士の間隔に応じて目標値を変えることとなる。
次に、制御部7はステップS42を実行する。ステップS42では、追従制御部117が、処理液43の気体含有量に関する情報を液位センサ80から取得する。
次に、制御部7はステップS43を実行する。ステップS43では、追従制御部117が、処理液43の気体含有量を目標値に近付けるように、ガス供給部89からガスノズル70へのガスの供給量を設定する。たとえば、追従制御部117は、ステップS42において取得された情報に基づいて、処理液43の気体含有量の現在値を算出し、目標値と現在値との偏差を算出し、当該偏差に比例演算、比例・積分演算、又は比例・積分・微分演算を施して流量調節器93の開度を算出する。
追従制御部117は、ガスノズル70の配置位置に応じて、ガス供給部89からガスノズル70へのガスの供給量を変えてもよい。たとえば、追従制御部117は、上記幅方向の中心を基準としたガスノズル70の位置に応じて、当該ガスノズル70に対応する流量調節器93の開度設定値を変えてもよい。すなわち、追従制御部117は、ガスノズル70の配置位置が上記幅方向の中心から遠ざかるにつれて流量調節器93の開度設定値を大きくしてもよいし、ガスノズル70の配置位置が上記幅方向の中心から遠ざかるにつれて流量調節器93の開度設定値を小さくしてもよい。より具体的に、追従制御部117は、ガスノズル70A,70B,70Cへのガスの供給量を相違させるように、流量調節器93A,93B,93Cの開度を相違させてもよい。
次に、制御部7はステップS44を実行する。ステップS44では、追従制御部117が、ステップS43にて設定された開度設定値に応じて流量調節器93の開度を調節するようにガス供給部89を制御する。
次に、制御部7はステップS45を実行する。ステップS45では、基板8の浸漬が開始された後の経過時間が目標値の変更タイミングに到達したか否かを目標値設定部116が確認する。目標値設定部116は、経過時間の情報を浸漬制御部113から取得し、目標値の変更タイミングの情報をレシピ記憶部119から取得する。
ステップS45において、経過時間が目標値の変更タイミングに到達したと判定した場合、制御部7はステップS46を実行する。ステップS46では、目標値設定部116が、処理液43の気体含有量の目標値を変更する。たとえば目標値設定部116は、変更タイミング以降における処理液43の気体含有量の目標値をレシピ記憶部119から取得する。
次に、制御部7はステップS47を実行する。ステップS45において、経過時間が目標値の変更タイミングに到達していないと判定した場合、制御部7はステップS46を実行することなくステップS47を実行する。ステップS47では、基板8の浸漬が完了したか否かを目標値設定部116が確認する。目標値設定部116は、基板8の浸漬が完了したか否かを示す情報を浸漬制御部113から取得する。
ステップS47において、基板8の浸漬が完了していないと判定した場合、制御部7は手順をステップS42に戻す。以後、基板8の浸漬が完了するまで、処理液43の気体含有量を目標値に近付ける制御と、経過時間に応じて目標時間を変更することとが繰り返される。
ステップS47において、基板8の浸漬が完了したと判定した場合、制御部7はガスの供給量の制御を完了する。
(処理液の排出手順)
続いて、上記ステップS04における処理液43の排出制御の詳細な手順を説明する。図12に示すように、制御部7は、まずステップS51を実行する。ステップS51では、排液制御部112が、処理槽41からの処理液43の排出を開始するように処理液供給部44及び処理液排出部67を制御する。たとえば排液制御部112は、流量調節器46及び流量調節器48を閉じて処理液43及び純水の供給を停止するように処理液供給部44を制御した後、開閉弁69を閉状態から開状態にして処理槽41からの処理液43の排出を開始するように処理液排出部67を制御する。
次に、制御部7はステップS52を実行する。ステップS52では、オン・オフ制御部115が、次に閉じるべき開閉弁92について予め設定された閉弁時間を待機する。開閉弁92の閉弁時間は、当該開閉弁92に対応するガスノズル70の吐出孔77を液面が通過する時以降の時間に設定されており、レシピ記憶部119に記憶されている。開閉弁92の閉弁時間は、対応するガスノズル70の高さに応じて異なっており、ガスノズル70が低位にあるほど長時間となっている。
次に、制御部7はステップS53を実行する。ステップS53では、オン・オフ制御部115が、ステップS52にて閉弁時間の経過した開閉弁92を開状態から閉状態に切り替えるようにガス供給部89を制御する。
次に、制御部7はステップS54を実行する。ステップS54では、オン・オフ制御部115が、全ガスノズル70の開閉弁92が閉じられたか否かを確認する。
ステップS54において、開いた開閉弁92が残っていると判定した場合、制御部7は手順をステップS52に戻す。以後、すべての開閉弁92が閉じられるまで、閉弁時間の待機と開閉弁92の閉塞とが繰り返される。これにより、高位のガスノズル70の開閉弁92から順に閉じられる。より具体的に、処理液43の液面がガスノズル70Cの吐出孔77を通過した後に開閉弁92Cが閉じられ、ガスノズル70Cの吐出孔77を通過した液面がガスノズル70Bの吐出孔77を通過した後に開閉弁92Bが閉じられ、ガスノズル70Bの吐出孔77を通過した液面がガスノズル70Aの吐出孔77を通過した後に開閉弁92Aが閉じられる。
ステップS54において、すべての開閉弁92が閉じられたと判定した場合、制御部7はステップS55を実行する。ステップS55では、排液制御部112が、予め設定された排液時間の経過を待機する。排液時間は、処理液43の液面が第一高さH1に到達する時間以降に設定されており、レシピ記憶部119に記憶されている。
次に、制御部7はステップS56を実行する。ステップS56では、排液制御部112が、供給ポンプ52の駆動を停止するように処理液供給部44を制御し、開閉弁69を閉じるように処理液排出部67を制御する。以上で、上記ステップS04が完了する。
〔本実施形態の効果〕
以上に説明したように、基板液処理装置A1は、処理液43及び基板8を収容する処理槽41と、基板8を処理槽41内の処理液43に浸漬する基板昇降機構36と、処理槽41内に処理液43を供給する処理液供給部44と、処理槽41内から処理液43を排出する処理液排出部67と、処理槽41内の下部にてガスを吐出するガスノズル70と、ガスノズル70にガスを供給するガス供給部89と、ガスノズル70の下方の第一高さH1から、基板8を浸漬可能な第二高さH2に液面が上昇するまで処理槽41に処理液43を供給するように処理液供給部44を制御することと、液面が第二高さH2以上にある状態で基板8を処理液43に浸漬するように基板昇降機構36を制御することと、液面が第二高さH2から第一高さH1に下降するまで処理槽41から処理液43を排出するように処理液排出部67を制御することと、液面が第一高さH1から第二高さH2に上昇する途中でガスの供給量を増やし、液面が第二高さH2から第一高さH1に下降する途中でガスの供給量を減らすようにガス供給部89を制御することと、を実行するように構成された制御部7と、を備える。
基板液処理装置A1によれば、処理液43の供給により液面が第一高さH1から第二高さH2まで上昇する際、処理液43が第二高さH2に到達する前にガスノズル70へのガスの供給量が増やされる。これにより、ガスノズル70内への処理液の進入が抑制される。処理液43の排出により液面が第二高さH2から第一高さH1まで下降する際、処理液43が第一高さH1に到達する前にガスノズル70へのガスの供給量が減らされる。これにより、処理液43の排出後におけるガスノズル70の過乾燥を抑制することで、ガスノズル70に残留した成分の固着・固定化が抑制される。従って、処理液43へのガスの供給経路が長期間にわたって一定の状態に保たれるので、処理液43へのガス供給状態の安定化に有効である。
ガスノズル70は、処理槽41の底面に沿うように配置された管状の本体71と、本体71の内面73及び外面74の間を貫通するように形成された吐出孔77とを有し、制御部7は、第一高さH1から第二高さH2まで上昇する液面が吐出孔77に到達する前にガスの供給量を増やし、第二高さH2から第一高さH1まで下降する液面が吐出孔77を通過した後にガスの供給量を減らすようにガス供給部を制御してもよい。この場合、ガスノズル70内への処理液43の進入をさらに抑制することができる。
吐出孔77は、本体71の下部に設けられていてもよい。この場合、ガスノズル70内に進入した処理液43をガスノズル70外に排出し易い。
本体71は円管状であってもよく、吐出孔77は、本体71の管中心72の鉛直下方からずれた位置に設けられていてもよい。この場合、ガスノズル70からの気泡の浮上方向を本体71の一方側に集中させ、気泡の拡散状態の安定性を向上させることができる。
吐出孔77の位置は、本体71の管中心72を含む鉛直な仮想平面75が吐出孔77内を通らないように設定されていてもよい。この場合、気泡の浮上方向をより確実に本体71の一方側に集中させることができる。
吐出孔77の中心は、本体71の管中心72まわりで鉛直下方±10°の範囲76内に位置していてもよい。この場合、ガスノズル70内からの処理液の排出性と、気泡の拡散状態の安定性との両立を図ることができる。
基板液処理装置A1は、本体71の内圧を低下させるガス抜き部95をさらに備えてもよく、制御部7は、本体71内に処理液43を吸引し得る圧力まで本体71の内圧を低下させるようにガス抜き部95を制御することと、本体71内の処理液43を排出し得る圧力まで気泡管81の内圧を上昇させるようにガス供給部89を制御することと、をさらに実行するように構成されていてもよい。この場合、ガスノズル70内への処理液43の進入に伴い残留していた物質を洗い流すことができる。
制御部7は、本体71内に処理液43を吸引し得る圧力まで本体71の内圧を低下させるようにガス抜き部95を制御することと、本体71内の処理液43を排出し得る圧力まで本体71の内圧を上昇させるようにガス供給部89を制御することとを、液面が第一高さH1から第二高さH2に上昇した後、処理液43に基板8が浸漬される前に実行してもよい。この場合、基板8の浸漬により処理液43内に溶出した物質がガスノズル70内に進入することを抑制することができる。
制御部7は、本体71内に処理液43を吸引し得る圧力まで本体71の内圧を低下させるようにガス抜き部95を制御することと、本体71内の処理液43を排出し得る圧力まで本体71の内圧を上昇させるようにガス供給部89を制御することとを、処理液43に基板8が浸漬された後、液面が第二高さH2から第一高さH1に下降する前に実行してもよい。この場合、基板8の浸漬前の処理液43にガスノズル70内からの排出物が混入することを抑制することができる。
以上、実施形態について説明したが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。処理対象の基板はシリコンウエハに限られず、たとえばガラス基板、マスク基板、FPD(Flat Panel Display)等であってもよい。また、エッチング処理装置1に関する構成を基板液処理装置A1として詳細に示したが、同様の構成を洗浄処理装置25にも適用可能である。
〔付記〕
上述した実施形態は、以下の構成を含んでいる。
(1)
処理液及び基板を収容する処理槽と、
前記基板を前記処理槽内の前記処理液に浸漬する搬送部と、
前記処理槽内に前記処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理槽内の下部にてガスを吐出するガスノズルと、
前記ガスノズルに前記ガスを供給するガス供給部と、を備え、
前記ガスノズルは、
前記処理槽の底面に沿うように配置された管状の本体と、
前記本体の内面及び外面の間を貫通するように前記本体の下部に形成された吐出孔とを有し、
前記吐出孔は、前記本体の管中心の鉛直下方からずれた位置に設けられている、基板液処理装置。
(2)
前記吐出孔の位置は、前記本体の管中心を含む鉛直な仮想平面が前記吐出孔内を通らないように設定されている、上記(1)記載の基板液処理装置。
(3)
前記吐出孔の中心は、前記本体の管中心まわりで鉛直下方±10°の範囲内に位置している、上記(2)記載の基板液処理装置。
(4)
前記本体の内圧を低下させるガス抜き部と、
前記本体内に前記処理液を吸引し得る圧力まで前記本体の内圧を低下させるように前記ガス抜き部を制御することと、前記本体内の前記処理液を排出し得る圧力まで前記本体の内圧を上昇させるように前記ガス供給部を制御することと、を実行するように構成された制御部と、をさらに備える、上記(1)~(3)のいずれか一項記載の基板液処理装置。