JP6814733B2 - 自動化された判定に基づくエネルギー分散型x線測定法及びその装置 - Google Patents
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- 238000000691 measurement method Methods 0.000 title description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 228
- 238000012552 review Methods 0.000 claims description 84
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 63
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 49
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 32
- 238000000724 energy-dispersive X-ray spectrum Methods 0.000 claims description 23
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 14
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims description 4
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 2
- -1 scratches Substances 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 24
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000001198 high resolution scanning electron microscopy Methods 0.000 description 7
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010606 normalization Methods 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
- G01N23/2252—Measuring emitted X-rays, e.g. electron probe microanalysis [EPMA]
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/06—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption
- G01N23/083—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and measuring the absorption the radiation being X-rays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/20—Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
- G01N2223/07—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission
- G01N2223/079—Investigating materials by wave or particle radiation secondary emission incident electron beam and measuring excited X-rays
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/22—Treatment of data
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
- H01J2237/2806—Secondary charged particle
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method
- H01J2237/2807—X-rays
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- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
- H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
本特許出願は、2014年10月27日付けで出願された米国予備特許出願第62/069,048号の優先権を主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。本特許出願はまた、2015年5月8日付けで出願された米国予備特許出願第62/159,180号の優先権も主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。本特許出願はまた、2015年6月5日付けで出願された米国予備特許出願第62/171,698号の優先権も主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。本特許出願はまた、2015年8月12日付けで出願された米国予備特許出願第62/204,325号の優先権も主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。本特許出願は、2015年6月19日付けで出願されたインド特許出願第3080/CHE/2015号の優先権を主張しており、その開示はその全体が参照によってここに援用される。
上述された図は必ずしも縮尺があっておらず、描写的であって且つ特定の具現化に限定するものではないことが意図されている。特定の寸法、配置、及び磁気的対物レンズのレンズ電流は可変で且つ各具現化に依存する。
Claims (16)
- ターゲット基板上の欠陥性ダイにて検出された欠陥の自動化されたレビューのための方法であって、
前記欠陥の位置を含む結果ファイルを得るステップと、
前記欠陥の電子ビームイメージを得る様に、二次電子顕微鏡(SEM)を使用して前記欠陥の自動化されたレビューを実行するステップと、
前記電子ビームイメージから判定された前記欠陥の形態に基づいて、前記欠陥のタイプへの自動化された分類を実行するステップと、
自動化されたエネルギー分散型X線(EDX)レビューのために特定のタイプの欠陥を選択するステップと、
前記特定のタイプの欠陥に関する前記自動化されたEDXレビューを実行するステップと、
タイプごとの欠陥頻度分布である欠陥パレートを生成するステップであり、前記欠陥パレートは、前記欠陥の形態に基づき分類された欠陥のタイプごとの出現頻度と、前記欠陥のタイプの中の特定のタイプの欠陥について、元素情報によってさらに分類された出現頻度を含む、ステップと、
を包含する、方法。 - 前記自動化されたEDXレビューを実行するステップが、前記特定のタイプの各欠陥に対して、
欠陥サイトへの移動、
前記欠陥サイトからのEDXスペクトルの獲得、
前記欠陥サイトから参照サイトへの移動、
前記参照サイトからのEDXスペクトルの獲得、
前記欠陥サイトからのEDXスペクトル及び前記参照サイトからのEDXスペクトルからの相違スペクトルの生成、
を包含する、請求項1に記載の方法。 - 前記欠陥サイトが反復するセルのアレイにあると示されており、前記欠陥サイトから参照サイトへの移動が、前記参照サイトが、隣接するセル内の前記欠陥サイトに対応する位置にあるように、一次電子ビームを一方向へセル寸法だけ偏向することによって実行される、請求項2に記載の方法。
- 前記欠陥サイトが非アレイパターン構造にあると示されており、
前記欠陥性ダイ上で前記欠陥サイトを取り囲むエリアの第1のイメージを得るための電子ビームイメージングステップと、
隣接するダイ上で前記参照サイトを取り囲むエリアの第2のイメージを得るための電子ビームイメージングステップと、
前記第2のイメージを前記第1のイメージと並べた後に、前記第2のイメージにおける前記参照サイトの位置を決定するステップと、
をさらに包含する、請求項2に記載の方法。 - 前記欠陥性ダイから前記参照ダイへの移動が、前記SEMの視野を前記欠陥性ダイ上の前記欠陥サイトから前記隣接するダイの前記参照サイトへ動かすように、前記ターゲット基板を保持しているステージの並進によって実行される、請求項4に記載の方法。
- 前記特定のタイプの各欠陥に対する前記相違スペクトルから元素情報を導出するステップをさらに包含する、請求項2に記載の方法。
- 前記欠陥パレートが、欠陥頻度対タイプの棒グラフを備える、請求項1に記載の方法。
- ターゲット基板上で検出された欠陥の自動化されたレビューのための装置であって、
一次電子ビームを生成し且つ前記一次電子ビームを前記ターゲット基板の表面にフォーカスするための電子ビームカラムと、
前記ターゲット基板を前記一次電子ビームの下に保持するための可動ステージと、
前記一次電子ビームを偏向させる偏向器と、
前記一次電子ビームによる衝撃のために前記ターゲット基板の表面から発せられた二次電子ビームを検出するための電子検出器と、
前記一次電子ビームによる衝撃のために前記ターゲット基板の表面から発せられたX線を検出するように構成されたX線検出器と、
コンピュータ読み取り可能なコード及びデータを記憶するための非遷移データストレジを備え且つ前記コンピュータ読み取り可能なコードを実行するためのプロセッサをさらに備える制御システムと、
を備えており、前記コンピュータ読み取り可能なコードが、
前記ターゲット基板上の欠陥性ダイにて検出された欠陥の位置を含む結果ファイルを得て、
前記欠陥の電子ビームイメージを得る様に、前記欠陥の自動化された二次電子顕微鏡(SEM)レビューを実行し、
前記電子ビームイメージから判定された前記欠陥の形態に基づいて、前記欠陥のタイプへの自動化された分類を実行し、
自動化されたエネルギー分散型X線(EDX)レビューのために特定のタイプの欠陥を選択し、
前記特定のタイプの欠陥に関する前記自動化されたEDXレビューを実行し、
タイプごとの欠陥頻度分布である欠陥パレートを生成し、前記欠陥パレートは、前記欠陥の形態に基づき分類された欠陥のタイプごとの出現頻度と、前記欠陥のタイプの中の特定のタイプの欠陥について、元素情報によってさらに分類された出現頻度を含む、
指示を備える、装置。 - 前記自動化されたEDXレビューを実行する指示が、
欠陥サイトへ移動し、
前記欠陥サイトからEDXスペクトルを獲得し、
前記欠陥サイトから参照サイトへ移動し、
前記参照サイトからEDXスペクトルを獲得し、
前記欠陥サイトからのEDXスペクトル及び前記参照サイトからのEDXスペクトルから相違スペクトルを生成する、
指示をさらに包含する、請求項8に記載の装置。 - 前記欠陥サイトが反復するセルのアレイにあると示されており、前記欠陥サイトから参照サイトへ移動する指示が、一次電子ビームを一方向へセル寸法だけ偏向する指示を包含する、請求項9に記載の装置。
- 前記欠陥サイトが非アレイパターン構造にあると示されており、前記自動化されたEDXレビューを実行する指示が、
前記欠陥性ダイ上で前記欠陥サイトを取り囲むエリアの第1のイメージを得るために電子ビームイメージングを使用し、
隣接するダイ上で前記参照サイトを取り囲むエリアの第2のイメージを得るために電子ビームイメージングを使用し、
前記第2のイメージを前記第1のイメージと並べた後に、前記第2のイメージにおける前記参照サイトの位置を決定する、
指示をさらに包含する、請求項9に記載の装置。 - 前記欠陥性ダイから前記参照ダイへ移動する指示が、SEMの視野を前記欠陥性ダイ上の前記欠陥サイトから前記隣接するダイの前記参照サイトへ動かすように、前記ターゲット基板を保持しているステージを並進させる指示を包含する、請求項11に記載の装置。
- 前記自動化されたEDXレビューを実行する指示が、前記特定のタイプの各欠陥に対する前記相違スペクトルから元素情報を導出する指示をさらに包含する、請求項9に記載の装置。
- 前記欠陥パレートが欠陥頻度対タイプの棒グラフを備える、請求項8に記載の装置。
- 前記欠陥パレートは、孔、引っ掻き傷、粒子を区別し、さらに、第1の成分のフォールオン粒子と第2の成分のフォールオン粒子を区別する、請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥パレートは、孔、引っ掻き傷、粒子を区別し、さらに、第1の成分のフォールオン粒子と第2の成分のフォールオン粒子を区別する、請求項8に記載の装置。
Applications Claiming Priority (13)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462069048P | 2014-10-27 | 2014-10-27 | |
US62/069,048 | 2014-10-27 | ||
US201562159180P | 2015-05-08 | 2015-05-08 | |
US62/159,180 | 2015-05-08 | ||
US201562171698P | 2015-06-05 | 2015-06-05 | |
US62/171,698 | 2015-06-05 | ||
IN3080/CHE/2015 | 2015-06-19 | ||
IN3080CH2015 | 2015-06-19 | ||
US201562204325P | 2015-08-12 | 2015-08-12 | |
US62/204,325 | 2015-08-12 | ||
US14/919,563 | 2015-10-21 | ||
US14/919,563 US9696268B2 (en) | 2014-10-27 | 2015-10-21 | Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus |
PCT/US2015/057455 WO2016069523A1 (en) | 2014-10-27 | 2015-10-27 | Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017532564A JP2017532564A (ja) | 2017-11-02 |
JP6814733B2 true JP6814733B2 (ja) | 2021-01-20 |
Family
ID=55791780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017521139A Active JP6814733B2 (ja) | 2014-10-27 | 2015-10-27 | 自動化された判定に基づくエネルギー分散型x線測定法及びその装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9696268B2 (ja) |
JP (1) | JP6814733B2 (ja) |
KR (1) | KR102219788B1 (ja) |
CN (2) | CN106796188A (ja) |
DE (1) | DE112015004853T5 (ja) |
SG (1) | SG11201702727SA (ja) |
TW (1) | TWI656340B (ja) |
WO (1) | WO2016069523A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9778215B2 (en) * | 2012-10-26 | 2017-10-03 | Fei Company | Automated mineral classification |
US9696268B2 (en) * | 2014-10-27 | 2017-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus |
KR102409943B1 (ko) * | 2017-11-29 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
JP6679049B2 (ja) | 2018-09-28 | 2020-04-15 | 株式会社リガク | 測定装置、プログラム及び測定装置の制御方法 |
US10928336B1 (en) * | 2019-07-29 | 2021-02-23 | Applied Materials Israel Ltd. | X-ray based evaluation of a status of a structure of a substrate |
DE102019126200A1 (de) * | 2019-09-27 | 2021-04-01 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | EDX-Verfahren |
KR20220062635A (ko) * | 2019-10-18 | 2022-05-17 | 주식회사 히타치하이테크 | 검사 시스템, 및 비일시적 컴퓨터 판독 가능 매체 |
EP3995808B1 (de) * | 2020-11-09 | 2023-01-04 | Siltronic AG | Verfahren zum klassifizieren von unbekannten partikeln auf einer oberfläche einer halbleiterscheibe |
CN114723650A (zh) * | 2020-12-21 | 2022-07-08 | 东方晶源微电子科技(北京)有限公司 | 晶圆缺陷检测方法和装置、设备及存储介质 |
CN116130377B (zh) * | 2023-04-17 | 2023-09-29 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 外延晶圆的缺陷检测方法、装置、***及其制造方法 |
Family Cites Families (55)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2787924B2 (ja) * | 1989-06-29 | 1998-08-20 | 株式会社島津製作所 | 電子線マイクロアナライザー |
JP2922940B2 (ja) | 1989-11-22 | 1999-07-26 | 株式会社日立製作所 | エネルギ分散形x線分析装置 |
US5263075A (en) | 1992-01-13 | 1993-11-16 | Ion Track Instruments, Inc. | High angular resolution x-ray collimator |
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-
2015
- 2015-10-21 US US14/919,563 patent/US9696268B2/en active Active
- 2015-10-22 TW TW104134805A patent/TWI656340B/zh active
- 2015-10-27 DE DE112015004853.7T patent/DE112015004853T5/de active Pending
- 2015-10-27 SG SG11201702727SA patent/SG11201702727SA/en unknown
- 2015-10-27 CN CN201580055501.2A patent/CN106796188A/zh active Pending
- 2015-10-27 WO PCT/US2015/057455 patent/WO2016069523A1/en active Application Filing
- 2015-10-27 CN CN202010883345.1A patent/CN111982953A/zh active Pending
- 2015-10-27 JP JP2017521139A patent/JP6814733B2/ja active Active
- 2015-10-27 KR KR1020177014282A patent/KR102219788B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016069523A1 (en) | 2016-05-06 |
DE112015004853T5 (de) | 2017-07-13 |
US9696268B2 (en) | 2017-07-04 |
JP2017532564A (ja) | 2017-11-02 |
KR20170077184A (ko) | 2017-07-05 |
CN111982953A (zh) | 2020-11-24 |
TWI656340B (zh) | 2019-04-11 |
KR102219788B1 (ko) | 2021-02-23 |
US20160116425A1 (en) | 2016-04-28 |
CN106796188A (zh) | 2017-05-31 |
TW201627659A (zh) | 2016-08-01 |
SG11201702727SA (en) | 2017-05-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181015 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |