JP6653119B2 - 半導体発光装置及びリードフレーム - Google Patents
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Description
図1(b)は、図1におけるA−A断面図である。
図1(c)は、図1におけるB−B断面図である。
図1(a)においては、図1(b)及び(c)に示す蛍光体層60の図示を省略している。
図3(b)は、図3(a)におけるC−C断面図である。
壁部33、32aの内壁の上端が下端よりもチップ20の側部から遠ざかるように壁部33、32aの内壁が傾斜していると、チップ20の側部に光が入射しやすくなる。
逆に、壁部33、32aの内壁の上端が下端よりもチップ20の側部に近づくように壁部33、32aの内壁が傾斜していると、チップマウントの作業性が低下する。
したがって、チップマウントの作業性、およびチップ側部への光入射低減の両方を考慮し、壁部33、32aの内壁は、チップ20の側部に対して実質的に平行に対向して、チップ20の側部を囲むことが望ましい。
逆に、壁部33におけるチップ側部に対向しない外壁33bの傾斜は、リフレクタ32の内壁32bと同様に光反射面として機能させることができる。
したがって、図2に示すように、壁部33の内壁33aと、リードフレーム11の上面とがなす角は、壁部33の外壁33bと、リードフレーム11の上面とがなす角よりも小さい。内壁33aの方が、外壁33bよりもリードフレーム11の上面に対して垂直に近い角度になっている。
図4(b)は、他の実施形態の半導体発光装置の模式上面図である。
図6(b)は、他の実施形態の半導体発光装置の模式上面図である。
図7(a)は、図6(b)におけるA−A断面図である。
図7(b)は、図7(a)における下面図である。
図8(b)は、図8(a)におけるB−B断面図である。
図8(c)は、図8(a)におけるC−C断面図である。
壁部81の内壁81aの上端が下端よりもチップ20の側部から遠ざかるように壁部81の内壁81aが傾斜していると、チップ20の側部に光が入射しやすくなる。
逆に、壁部81の内壁81aの上端が下端よりもチップ20の側部に近づくように壁部81の内壁81aが傾斜していると、チップマウントの作業性が低下する。
したがって、チップマウントの作業性、およびチップ側部への光入射低減の両方を考慮し、壁部81の内壁81aは、チップ20の側部に対して平行に対向して、チップ20の側部を囲んでいる。
図13(b)における縦軸は、0°のCyの値に対するCyの相対変化ΔCyを表す。
図13(b)の結果より、ΔCyがANSI規格の0.12以内に収まっていることがわかる。
すなわち、図12の形状のレンズ91は色割れを抑制する。
Claims (15)
- リードフレームと、
前記リードフレーム上に搭載され、シリコン基板と、前記シリコン基板上に設けられた発光素子とを有するチップと、
前記チップの側部に対向し、前記リードフレームの上面に対して鈍角を形成して傾斜して設けられた内壁と、前記内壁の反対側の外壁とを有する壁部と、
前記リードフレームの外縁部に設けられたリフレクタと、
前記リフレクタで囲まれた領域における少なくとも前記チップの上に設けられ、蛍光体を有する蛍光体層と、
を備え、
前記壁部は、前記発光素子の放射光および前記蛍光体の放射光に対する反射性を有し、
前記チップの前記側部と、前記壁部の前記内壁との間の距離は、前記チップの厚さよりも小さく、
前記リードフレームの上面と前記内壁とがなす角は、前記リードフレームの前記上面と前記外壁とがなす角よりも小さく、
前記リフレクタの内壁は、前記リードフレームの上面に対して鈍角を形成して傾斜し、
前記壁部の高さは前記チップの厚さよりも大きい半導体発光装置。 - リードフレームと、
前記リードフレーム上に搭載され、シリコン基板と、前記シリコン基板上に設けられた発光素子とを有するチップと、
前記チップの側部に対向し、前記リードフレームの上面に対して鈍角を形成して傾斜して設けられた内壁と、前記内壁の反対側の外壁とを有する壁部と、
前記壁部の前記内壁の内側の領域の範囲内の前記チップ上に設けられ、蛍光体を有し、前記チップよりも薄い蛍光体層と、
を備え、
前記壁部は、前記発光素子の放射光および前記蛍光体の放射光に対する反射性を有し、
前記チップの前記側部と、前記壁部の前記内壁との間の距離は、前記チップの厚さよりも小さく、
前記リードフレームの前記上面と前記内壁とがなす角は、前記リードフレームの前記上面と前記外壁とがなす角よりも小さく、
前記壁部の高さは前記チップの厚さよりも大きい半導体発光装置。 - 前記チップの前記側部と、前記壁部の前記内壁との間の距離が、30μm以上150μm以下である請求項1または2に記載の半導体発光装置。
- 前記壁部は樹脂を含む請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記蛍光体層は、前記壁部の前記内壁の内側の領域の範囲内の前記チップ上に設けられている請求項1記載の半導体発光装置。
- 前記壁部をまたいで前記チップの上面と前記リードとを接続するワイヤをさらに備えた請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記リードフレームは、前記チップが搭載される第1領域と、ワイヤがボンディングされる第2領域とを有し、
前記リードフレームにおける前記第1領域および前記第2領域以外の領域の表面が、白色樹脂で覆われている請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記リードフレーム上に搭載され、前記発光素子と電気的に並列接続されたツェナーダイオードをさらに備えた請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記チップおよび前記蛍光体層が設けられた領域を覆い、前記ツェナーダイオードを覆わないレンズをさらに備えた請求項8記載の半導体発光装置。
- 前記蛍光体層は、
樹脂と、
前記樹脂中に分散された複数の前記蛍光体と、
前記樹脂中に分散された複数の光散乱材と、
を有する請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。 - 前記チップに近い側で、前記蛍光体の濃度は前記光散乱材の濃度よりも高い請求項10記載の半導体発光装置。
- 前記蛍光体層上に設けられ、複数の光散乱材が分散された樹脂層をさらに備えた請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記チップおよび前記蛍光体層が設けられた領域を覆うレンズをさらに備えた請求項10〜12のいずれか1つに記載の半導体発光装置。
- 前記レンズは、
凸面と、
前記凸面の下に続き、前記凸面よりも曲率が小さい側面と、
を有する請求項9または13に記載の半導体発光装置。 - 前記凸面および前記側面は、変曲点を介さずに連続している請求項14記載の半導体発光装置。
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