JP6567762B2 - アルゴンまたは水素を含む銅及び銅合金ターゲット - Google Patents
アルゴンまたは水素を含む銅及び銅合金ターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP6567762B2 JP6567762B2 JP2018504501A JP2018504501A JP6567762B2 JP 6567762 B2 JP6567762 B2 JP 6567762B2 JP 2018504501 A JP2018504501 A JP 2018504501A JP 2018504501 A JP2018504501 A JP 2018504501A JP 6567762 B2 JP6567762 B2 JP 6567762B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering target
- raw material
- gas
- purity
- wtppm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims description 104
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 title claims description 65
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims description 63
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 46
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 35
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 13
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 112
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 88
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 16
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 81
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 49
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 49
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 48
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 48
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 description 38
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 25
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 21
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 21
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 2
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/01—Alloys based on copper with aluminium as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C9/00—Alloys based on copper
- C22C9/05—Alloys based on copper with manganese as the next major constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D1/00—Treatment of fused masses in the ladle or the supply runners before casting
- B22D1/002—Treatment with gases
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D21/00—Casting non-ferrous metals or metallic compounds so far as their metallurgical properties are of importance for the casting procedure; Selection of compositions therefor
- B22D21/02—Casting exceedingly oxidisable non-ferrous metals, e.g. in inert atmosphere
- B22D21/025—Casting heavy metals with high melting point, i.e. 1000 - 1600 degrees C, e.g. Co 1490 degrees C, Ni 1450 degrees C, Mn 1240 degrees C, Cu 1083 degrees C
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
1)銅または銅合金からなるスパッタリングターゲットであって、アルゴンまたは水素のいずれか、あるいは両者を、アルゴンまたは水素それぞれについて1wtppm以上10wtppm以下含有することを特徴とするスパッタリングターゲット、
2)前記アルゴンまたは水素のうち、アルゴンのみを含有することを特徴とする前記1)に記載のスパッタリングターゲット、
3)前記アルゴンまたは水素のうち、水素のみを含有することを特徴とする前記1)に記載のスパッタリングターゲット、
4)前記アルゴンと水素の両者を含有することを特徴とする前記1)に記載のスパッタリングターゲット、
5)前記スパッタリングターゲットが、アルミニウムまたはマンガンの何れかを含む銅合金からなることを特徴とする、前記1)〜4)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット、
6)前記銅合金が、アルミニウムを0.1〜5wt%、またはマンガンを0.1〜15wt%含む銅合金であることを特徴とする、前記1)〜5)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット、
7)前記1)〜6)のいずれか一に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、原料をアルゴン、または水素、あるいはそれら両者を原料に吹き込みながら溶解する工程、前記溶解した原料を冷却固化して銅または銅合金インゴットとする工程前記インゴットを加工処理してスパッタリングターゲットとする工程を含むことを特徴とする、スパッタリングターゲットの製造方法、
純度6Nの高純度Cuを原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径5mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を100mmとして、H2ガス0.7scfm(19.81slm)、Arガス24scfm(679.2slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は2wtppm、Ar量は1.5wtppmであった。
純度6Nの高純度Cuを原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が長辺8mm短辺3mmの長方形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を120mmとして、H2ガス0.4scfm(11.32slm)、Arガス14scfm(396.2slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1.2wtppm、Ar量は1wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は320秒であった。
純度6Nの高純度Cuを原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が長径10mm短径4mmの楕円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を90mmとして、H2ガス0scfm(0slm)、Arガス8scfm(226.4slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1wtppm未満(検出限界未満)、Ar量は1.2wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は314秒であった。
純度6Nの高純度Cuを原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が底辺10mm高さ10mmの二等辺三角形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を110mmとして、H2ガス0.5scfm(14.15slm)、Arガス0scfm(0slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1.2wtppm、Ar量は1wtppm未満(検出限界未満)であった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は307秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度5N以上の高純度Alを0.1wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径7mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を120mmとして、H2ガス0.3scfm(8.49slm)、Arガス10scfm(283slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1.5wtppm、Ar量は1wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は299秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度5N以上の高純度Alを1.0wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径10mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を130mmとして、H2ガス0.2scfm(8.49slm)、Arガス8scfm(283slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1.4wtppm、Ar量は1wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は304秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度5N以上の高純度Alを5.0wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が長径15mm、短径10mmの楕円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を80mmとして、H2ガス0.5scfm(14.15slm)、Arガス16scfm(452.8slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は2.1wtppm、Ar量は2wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は311秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度5N以上の高純度Alを3.0wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が底辺15mmm、高さ10mmの二等辺三角形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を110mmとして、H2ガス0scfm(0slm)、Arガス10scfm(283slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1wtppm未満(検出限界未満)、Ar量は1.3wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は305秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度5N以上の高純度Alを0.5wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が長辺15mmm、短辺10mmの四角形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を130mmとして、H2ガス0.4scfm(11.32slm)、Arガス0scfm(0slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1.3wtppm、Ar量は1wtppm未満(検出限界未満)であった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間296秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度4N以上の高純度Mnを0.1wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が長辺15mmm、短辺10mmの四角形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を90mmとして、H2ガス0.3scfm(8.49slm)、Arガス10scfm(283slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1.2wtppm、Ar量は1.4wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間334秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度4N以上の高純度Mnを2.0wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が底辺12mm、高さ8mmの二等辺三角形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を50mmとして、H2ガス0.5scfm(14.15slm)、Arガス17scfm(481.1slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1.8wtppm、Ar量は1.5wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間305秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度4N以上の高純度Mnを15wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が長変20mm、短辺10mmの楕円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を100mmとして、H2ガス0.4scfm(11.32slm)、Arガス15scfm(424.5slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1.5wtppm、Ar量は1wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間289秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度4N以上の高純度Mnを8.0wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が一辺5mmの正方形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を80mmとして、H2ガス0scfm(0slm)、Arガス6scfm(169.8slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1wtppm未満(検出限界未満)、Ar量は1.4wtppmであった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間300秒であった。
純度6Nの高純度Cuに純度4N以上の高純度Mnを1.0wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径8mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を90mmとして、H2ガス0.3scfm(8.49slm)、Arガス0scfm(0slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量は1.2wtppm、Ar量は1wtppm未満(検出限界未満)であった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間280秒であった。
純度6Nの高純度Cuを原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径5mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を500mmとして、H2ガス0scfm(0slm)、Arガス6scfm(169.8slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量、Ar量ともに1wtppm未満(検出限界未満)であった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は135秒であり、各実施例と比較して大幅に短いものであった。
純度6Nの高純度Cuを原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径50mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を200mmとして、H2ガス0.5scfm(14.15slm)、Arガス0scfm(0slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量、Ar量ともに1wtppm未満(検出限界未満)であった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は125秒であり、各実施例と比較して大幅に短いものであった。
純度6Nの高純度Cuに純度5N以上の高純度Alを2.0wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径50mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を200mmとして、H2ガス0.3scfm(8.49slm)、Arガス10scfm(283slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量、Ar量ともに1wtppm未満(検出限界未満)であった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間はわずか87秒であり、各実施例と比較して大幅に短いものであった。
純度6Nの高純度Cuに純度5N以上の高純度Alを0.5wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径5mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を500mmとして、H2ガス0scfm(0slm)、Arガス6scfm(169.8slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量、Ar量ともに1wtppm未満(検出限界未満)であった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は122秒であり、各実施例と比較して大幅に短いものであった。
純度6Nの高純度Cuに純度4N以上の高純度Mnを0.1wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径50mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を200mmとして、H2ガス0.4scfm(11.32slm)、Arガス14scfm(396.2slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量、Ar量ともに1wtppm未満(検出限界未満)であった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間は143秒であり、各実施例と比較して大幅に短いものであった。
純度6Nの高純度Cuに純度4N以上の高純度Mnを1.0wt%添加して原料とし、これを加熱溶解して原料溶湯とした。その際、原料の加熱溶解の間、吹き込み口形状が直径5mmの円形のガス吹込みノズルから、原料溶湯の表面へ向けて、吹き込み口の最先端と溶湯表面との間の最短距離を500mmとして、H2ガス0.1scfm(2.83slm)、Arガス4scfm(113.2slm)の流量で継続的に吹き掛けた。溶解工程の後、溶湯の冷却を行うことで鋳造インゴットを得た。鋳造インゴットを取り出した後、直径440mm、厚さ12mmの形状に加工してCuスパッタリングターゲットとした。このスパッタリングターゲットについて、ArおよびHそれぞれの含有量分析を行ったところ、H量、Ar量ともに1wtppm未満(検出限界未満)であった。さらに、このスパッタリングターゲットについて、実施例1と同様の放電安定性の評価試験を行ったところ、プラズマの連続持続時間はわずか75秒であり、各実施例と比較して大幅に短いものであった。
Claims (7)
- 銅または銅合金からなるスパッタリングターゲットであって、アルゴンまたは水素のいずれか、あるいは両者を含有し、前記アルゴンまたは水素のうちアルゴンのみを含有する場合、またはアルゴンと水素の両者を含有する場合、アルゴンまたは水素それぞれについて1wtppm以上10wtppm以下含有し、前記アルゴンまたは水素のうち水素のみを含有する場合、水素を1.2wtppm以上2.1wtppm以下含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 前記アルゴンまたは水素のうち、アルゴンのみを含有することを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記アルゴンまたは水素のうち、水素のみを含有することを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記アルゴンと水素の両者を含有することを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記スパッタリングターゲットが、アルミニウムまたはマンガンの何れかを含む銅合金からなることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記銅合金が、アルミニウムを0.1〜5wt%、またはマンガンを0.1〜15wt%含む銅合金であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法であって、
銅または銅合金原料を用意する工程、
前記用意した原料をアルゴン、または水素、あるいはそれら両者を導入した雰囲気中で溶解する工程、
前記溶解した原料を冷却固化して銅または銅合金インゴットとする工程、
前記インゴットを加工処理してスパッタリングターゲットとする工程、
を含むことを特徴とする、スパッタリングターゲットの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016045611 | 2016-03-09 | ||
JP2016045611 | 2016-03-09 | ||
PCT/JP2017/008965 WO2017154890A1 (ja) | 2016-03-09 | 2017-03-07 | アルゴンまたは水素を含む銅及び銅合金ターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017154890A1 JPWO2017154890A1 (ja) | 2018-07-05 |
JP6567762B2 true JP6567762B2 (ja) | 2019-08-28 |
Family
ID=59789501
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018504501A Active JP6567762B2 (ja) | 2016-03-09 | 2017-03-07 | アルゴンまたは水素を含む銅及び銅合金ターゲット |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190085442A1 (ja) |
EP (1) | EP3428309A4 (ja) |
JP (1) | JP6567762B2 (ja) |
KR (1) | KR102192280B1 (ja) |
CN (1) | CN108699680A (ja) |
SG (1) | SG11201807093PA (ja) |
TW (1) | TW201804009A (ja) |
WO (1) | WO2017154890A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108085536A (zh) * | 2018-01-26 | 2018-05-29 | 宁波华成阀门有限公司 | 一种易切削无铅黄铜及其制造方法 |
US20230287559A1 (en) * | 2022-03-10 | 2023-09-14 | Tosoh Smd, Inc. | Low carbon defect copper-manganese sputtering target and method for producing the same |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1949921A1 (de) | 1969-10-03 | 1971-04-22 | Hovalwerk Ag Ospelt | Verfahren zum Betrieb einer Heizanlage und Heizanlage |
JPH0813141A (ja) * | 1994-06-28 | 1996-01-16 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP3819487B2 (ja) | 1996-08-16 | 2006-09-06 | 同和鉱業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
JP4237743B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2009-03-11 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット用インゴットの製造方法 |
JP4197579B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2008-12-17 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲットとそれを用いたAl配線膜の製造方法および電子部品の製造方法 |
US6398929B1 (en) | 1999-10-08 | 2002-06-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor and shields generating self-ionized plasma for sputtering |
US9896745B2 (en) * | 2002-01-30 | 2018-02-20 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Copper alloy sputtering target and method for manufacturing the target |
JP2004193546A (ja) | 2002-10-17 | 2004-07-08 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット |
JP2005034337A (ja) | 2003-07-14 | 2005-02-10 | Sanyu Plant Service Kk | ダイオキシン類の分解方法 |
JP4756458B2 (ja) * | 2005-08-19 | 2011-08-24 | 三菱マテリアル株式会社 | パーティクル発生の少ないMn含有銅合金スパッタリングターゲット |
US20090065354A1 (en) * | 2007-09-12 | 2009-03-12 | Kardokus Janine K | Sputtering targets comprising a novel manufacturing design, methods of production and uses thereof |
SG185766A1 (en) * | 2010-07-30 | 2012-12-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target and/or coil and process for producing same |
KR20170005146A (ko) * | 2013-03-07 | 2017-01-11 | 제이엑스금속주식회사 | 구리 합금 스퍼터링 타깃 |
-
2017
- 2017-03-07 US US16/082,967 patent/US20190085442A1/en not_active Abandoned
- 2017-03-07 CN CN201780015432.1A patent/CN108699680A/zh active Pending
- 2017-03-07 KR KR1020187026266A patent/KR102192280B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-07 WO PCT/JP2017/008965 patent/WO2017154890A1/ja active Application Filing
- 2017-03-07 JP JP2018504501A patent/JP6567762B2/ja active Active
- 2017-03-07 EP EP17763230.4A patent/EP3428309A4/en not_active Withdrawn
- 2017-03-07 SG SG11201807093PA patent/SG11201807093PA/en unknown
- 2017-03-09 TW TW106107674A patent/TW201804009A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201804009A (zh) | 2018-02-01 |
KR102192280B1 (ko) | 2020-12-17 |
WO2017154890A1 (ja) | 2017-09-14 |
US20190085442A1 (en) | 2019-03-21 |
CN108699680A (zh) | 2018-10-23 |
JPWO2017154890A1 (ja) | 2018-07-05 |
EP3428309A1 (en) | 2019-01-16 |
EP3428309A4 (en) | 2020-02-12 |
SG11201807093PA (en) | 2018-09-27 |
KR20180111994A (ko) | 2018-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4955008B2 (ja) | Cu−Mn合金スパッタリングターゲット及び半導体配線 | |
TWI651426B (zh) | 鉭濺鍍靶及其製造方法 | |
JP5969138B2 (ja) | タンタルスパッタリングターゲット | |
WO2004083482A1 (ja) | 銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに半導体素子配線 | |
WO2011115259A1 (ja) | ニッケル合金スパッタリングターゲット、Ni合金薄膜及びニッケルシリサイド膜 | |
KR101950549B1 (ko) | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
JP2015206120A (ja) | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
KR101854009B1 (ko) | 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법 | |
JP5722427B2 (ja) | 銅チタン合金製スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットを用いて形成した半導体配線並びに同半導体配線を備えた半導体素子及びデバイス | |
KR101291822B1 (ko) | 스퍼터링 타깃 및/또는 코일 그리고 이들의 제조 방법 | |
JP3727115B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP5847207B2 (ja) | チタンインゴット、チタンインゴットの製造方法及びチタンスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6567762B2 (ja) | アルゴンまたは水素を含む銅及び銅合金ターゲット | |
KR20150053795A (ko) | 탄탈 스퍼터링 타깃 및 그 제조 방법 | |
TW201335403A (zh) | 高純度銅鉻合金濺鍍靶 | |
JP2005330591A (ja) | スパッタリングターゲット | |
JP2014043643A (ja) | Cu合金薄膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2010235998A (ja) | スパッタリング用チタンターゲット | |
JP5750393B2 (ja) | Cu−Ga合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2000219922A (ja) | 高純度チタン及びその製造方法 | |
JP4421586B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法および銅配線膜の製造方法 | |
RU2392685C1 (ru) | Распыляемые мишени из высокочистых сплавов на основе переходных металлов и способ их производства | |
JPH0813141A (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2004193546A (ja) | 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット | |
WO2015057051A1 (en) | Sputtering high throughput aluminum film |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A529 | Written submission of copy of amendment under article 34 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A5211 Effective date: 20171116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180209 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190514 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190530 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190731 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6567762 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |