JP6556664B2 - 窒化物半導体基板 - Google Patents
窒化物半導体基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6556664B2 JP6556664B2 JP2016105768A JP2016105768A JP6556664B2 JP 6556664 B2 JP6556664 B2 JP 6556664B2 JP 2016105768 A JP2016105768 A JP 2016105768A JP 2016105768 A JP2016105768 A JP 2016105768A JP 6556664 B2 JP6556664 B2 JP 6556664B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- layer
- base substrate
- substrate
- nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 111
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 91
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 68
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 63
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 21
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 72
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 33
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 29
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 21
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 5
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000700 radioactive tracer Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
(下地基板の準備)
まず、直径6インチ、面方位(111)、ボロンドープで比抵抗0.004Ωcm、酸素濃度が1.0×1018cm-3のシリコン単結晶基板を下地基板として準備した。
図1に示すような層構造を備えた窒化物半導体基板を、以下の工程により作製した。
まず、前記のシリコン単結晶基板をMOCVD装置内にセットし、昇温、ガス置換後に、1000℃×15分、水素100%雰囲気で熱処理を行った。
続いて、原料ガスとしてトリメチルアルミニウム(TMA)、アンモニア(NH3)を用い、炭素濃度1×1018atoms/cm3、厚さ100nmのAlN単結晶からなる初期窒化物の層2を、500℃で気相成長させた。なお、これ以降の13族窒化物半導体層の形成は全て、成長温度の基準を1000℃とし、これに1〜15℃の範囲で微調整を加えている。前記層2の上に、原料ガスとしてトリメチルガリウム(TMG)、TMA、NH3を用い、炭素濃度5×1019atoms/cm3、厚さ300nmのAlxGa1-xN単結晶層(x=0.1)を気相成長させた。
次に、原料ガスとしてTMG、TMA、NH3を用い、炭素濃度5×1019atoms/cm3で、厚さ5nmのAlN単結晶層及び厚さ30nmのGaN単結晶層を交互に各8層気相成長させて、続いて、炭素濃度1×1018atoms/cm3にて、厚さ1250nmのGaN単結晶層を同様にして積層し、バッファ層3を形成した。
その後、活性層4である電子走行層として、炭素濃度1×1016atoms/cm3、厚さ700nmのGaN単結晶層を同様にして積層し、さらに、電子供給層として、厚さ18nmのAlyGa1-yN単結晶層(y=0.26)を同様にして積層し、13族窒化物半導体基板を得た。
なお、気相成長により形成した各層の厚さや炭素濃度の制御は、原料ガスの流量と供給時間及び基板温度、その他公知の成長条件の調整により行った。
前記熱処理の条件を、1000℃×5分とした以外は、実施例1と同様にして、比較例1のサンプルを作製、評価した。
前記熱処理の条件を1000℃×7分とした以外は、実施例1と同様にして、実施例2のサンプルを作製、評価した。
前記熱処理の条件を1000℃×10分とした以外は、実施例1と同様にして、実施例3のサンプルを作製、評価した。
前記熱処理の条件を1000℃×30分とした以外は、実施例1と同様にして、実施例4のサンプルを作製、評価した。
前記熱処理の条件を1100℃×10分とした以外は、実施例1と同じ条件で比較例2のサンプルを作製、評価した。
前記熱処理の条件を900℃×10分とした以外は、実施例1と同じ条件で比較例3のサンプルを作製、評価した。
[比較例4]
前記熱処理の条件を800℃×10分とした以外は、実施例1と同じ条件で比較例4のサンプルを作製、評価した。
2 初期窒化物からなる層
3 窒化物半導体層(バッファ層)
4 窒化物半導体層(電子走行層)
5 窒化物半導体層(電子供給層)
10 くぼみ部
12 張り出し部
20、21 下地基板と初期窒化物からなる層との境界線
W くぼみ部10の直径
D くぼみ部10の平均深さ
K 下地基板の一主面
X 材料
p1、p2、p3、p4 角部
p5 中央部
Claims (3)
- 1×10 18 atoms/cm 3 以上のボロンを含有し、かつ、酸素濃度が8×10 17 cm -3 以上1.8×10 18 cm -3 以下のシリコン単結晶からなる下地基板の一主面上に初期窒化物及び窒化物半導体が順次積層された窒化物半導体基板であって、
前記窒化物半導体基板の任意の一断面において、前記下地基板と前記初期窒化物との界面から前記下地基板側に向かって、直径6nm以上60nm以下、深さ3nm以上45nm以下のくぼみ部を3×108個/cm2以上1×1011個/cm2以下有することを特徴とする窒化物半導体基板。 - 前記くぼみ部は、組成、結晶構造、結晶方位、結晶相の少なくともいずれかが前記下地基板と異なるものであることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体基板。
- 前記くぼみ部は、空隙、あるいは多結晶もしくは非晶質の無機材料で充填されている形態の、少なくともいずれかであることを特徴とする、請求項2記載の窒化物半導体基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/202,736 US9748344B2 (en) | 2015-07-08 | 2016-07-06 | Nitride semiconductor substrate having recesses at interface between base substrate and initial nitride |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015136598 | 2015-07-08 | ||
JP2015136598 | 2015-07-08 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017019710A JP2017019710A (ja) | 2017-01-26 |
JP6556664B2 true JP6556664B2 (ja) | 2019-08-07 |
Family
ID=57888817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016105768A Active JP6556664B2 (ja) | 2015-07-08 | 2016-05-27 | 窒化物半導体基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6556664B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11515408B2 (en) * | 2020-03-02 | 2022-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Rough buffer layer for group III-V devices on silicon |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4352473B2 (ja) * | 1998-06-26 | 2009-10-28 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5163045B2 (ja) * | 2007-10-15 | 2013-03-13 | サンケン電気株式会社 | エピタキシャル成長基板の製造方法及び窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
JP5277270B2 (ja) * | 2010-07-08 | 2013-08-28 | 学校法人立命館 | 結晶成長方法および半導体素子 |
JP5891650B2 (ja) * | 2011-08-18 | 2016-03-23 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
-
2016
- 2016-05-27 JP JP2016105768A patent/JP6556664B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017019710A (ja) | 2017-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9966259B2 (en) | Silicon-based substrate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP6863423B2 (ja) | 電子デバイス用基板およびその製造方法 | |
TWI570260B (zh) | 矽晶圓 | |
JP5684043B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
US9748344B2 (en) | Nitride semiconductor substrate having recesses at interface between base substrate and initial nitride | |
JP6239017B2 (ja) | 窒化物半導体基板 | |
JP2005306680A (ja) | 半導体基板、自立基板及びそれらの製造方法、並びに基板の研磨方法 | |
JP6269368B2 (ja) | 窒化ガリウム基板 | |
JP2014222730A (ja) | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ | |
JP2011171639A (ja) | 半導体装置、半導体ウェハ、半導体装置の製造方法及び半導体ウェハの製造方法 | |
JP6556664B2 (ja) | 窒化物半導体基板 | |
JP2016219690A (ja) | 13族窒化物半導体基板 | |
JP6101565B2 (ja) | 窒化物半導体エピタキシャルウェハ | |
JP6089122B2 (ja) | 窒化物半導体積層体およびその製造方法並びに窒化物半導体装置 | |
TWI578382B (zh) | A semiconductor substrate, a semiconductor device, and a semiconductor device | |
WO2012137309A1 (ja) | 窒化物電子デバイスを作製する方法 | |
JP6815278B2 (ja) | 窒化物半導体積層物、半導体装置、窒化物半導体積層物の製造方法および半導体装置の製造方法 | |
JP6108609B2 (ja) | 窒化物半導体基板 | |
JP7220647B2 (ja) | 窒化物半導体基板及びその製造方法 | |
JP6493511B2 (ja) | 窒化ガリウム基板 | |
JP2009263144A (ja) | 半導体結晶 | |
TWI457985B (zh) | Semiconductor structure with stress absorbing buffer layer and manufacturing method thereof | |
JP2013147383A (ja) | 窒化物半導体ウエハおよび窒化物半導体ウエハの製造方法 | |
JP2021044596A (ja) | 窒化物半導体積層物、半導体装置、および窒化物半導体積層物の製造方法 | |
JP5743928B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180608 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190305 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20190425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190709 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190710 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6556664 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |