JP6307753B2 - 半導体基板の平坦化加工方法 - Google Patents
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Description
1).TTVが2.0μm以下のテンプレート基板の表面に水膜を形成する行程。
2).前記水膜上に前記半導体基板をのせて貼り合わせ、前記テンプレート基板と前記半導体基板が前記水膜によって接合された積層体を形成する行程。
3).前記テンプレート基板を下にして前記積層体を吸着チャックに載置した後、前記吸着チャックを回転させて前記水膜の厚みを50〜1,000nmの間の厚みまで減らす行程。
4).前記積層体の前記半導体基板の裏面を研削加工する平坦化加工行程。
5).平坦化加工された前記積層体より平坦化加工された前記半導体基板を、前記水膜との貼り合わせ面より分離してTTVが1.0μm以下の平坦化加工された前記半導体基板として回収する行程。
1).セラミック製のテンプレート基板チャックの表面に水膜を形成する行程。
2).前記水膜上に前記半導体基板を接合して貼り合わせ、セラミック製の前記テンプレート基板チャックと前記半導体基板が前記水膜によって接合された積層体を形成する行程。
3).前記積層体のセラミック製の前記テンプレート基板チャックの回転軸を回転させて前記水膜の厚みを50〜1,000nmの間の厚みまで減らす行程。
4).前記積層体の前記半導体基板の裏面を研削加工する平坦化加工行程。
5).前記積層体より平坦化加工された前記半導体基板を、前記水膜との貼り合わせ面より分離してTTVが1.0μm以下の平坦化加工された前記半導体基板として回収する行程。
(1).TTVが2.0μm以下のテンプレート基板(T)の表面に水膜(wm)を形成し、その水膜(wm)の上に半導体基板(W)を載せてテンプレート基板(T)と半導体基板(W)が水膜(wm)によって接合された積層体(S)を形成する行程。(図1の1参照)
(2).前記積層体(S)をスピンナー上に載せ、500〜10,000min−1の回転速度でスピン(回転)させて水膜(wm)の厚みを50〜1,000nmに調整する行程。(図1の2参照)
(3).前記積層体(S)の周縁部に撥水膜を形成する行程。(図1の3参照)
(4).この積層体(S)を吸着チャック(C)の上にテンプレート基板(T)面が下方を向くように載置し、ついで、吸着チャック(C)の回転軸を回転させながら、回転する研削砥石(G)をインフィードダウンさせて半導体基板(W)の裏面を研削砥石(G)により研削加工(研磨加工も含む)して前記半導体基板(W)の厚みを5〜50μmの厚みまで薄くする平坦化加工行程。(図1の4参照)
(5).平坦化加工された積層体(S)に水を噴射して平坦化加工された半導体基板(W)を前記水膜(wm)面より分離してTTVが0.8μm以下、厚み5〜50μmの平坦化加工された半導体基板(W)として回収する行程。
(i).特許文献1記載のようにテンプレート基板(T)と半導体基板(W)の2枚を水槽中の水中で平行にして接触させ、さらに押し付けてテンプレート基板(T)と半導体基板(W)間に存在する水膜(wm)より余分な水分を排除して両基板の接合を水の表面張力で強固にした積層体(S)を得た後、この積層体(S)を水槽より取り出す。
(ii).吸着チャック(C)上に載置されたテンプレート基板(T)の上面にロールコーターまたはダイコーター、あるいは、スプレーコ―ターを用いて純水を塗布し、次いで、この水塗布面に半導体基板(W)を重ね合わせて積層体(S)を形成する。
(iii).基板収納カセット内に収納されているテンプレート基板(T)を吸着チャック(C)上方に移送する途中に設けられた回転するスポンジロールコーターにテンプレート基板(T)表面を接触させることにより水膜(wm)を形成し、ついで、吸着チャック(C)上にテンプレート基板(T)が吸着チャック(C)面に接するように載置した後、水膜(wm)面上に半導体基板(W)を載置して積層体(S)を形成する。
(iv).恒温多湿室(絶対湿度は80%以上)内にテンプレート基板(T)と半導体基板(W)を保管して湿気を両基板の表面に付着させた後、両基板を重ね合わせ、然る後に恒温多湿室外へ運び出し、冷気に曝すことにより両基板間に水膜(wm)を形成させて積層体(S)を形成する。
(v).表面粗さが15nm以下の吸着チャック(C)をテンプレート基板(T)と見做し、この吸着チャック(C)上に純水をスピンコートして水膜(wm)を形成し、この水膜(wm)上に半導体基板(W)を載置した後、前記半導体基板(W)面を風船プレスで加圧して積層体(S)を形成する。
(vi).平坦度が0.5μm以下のテンプレート基板(T)上に純水をスピンコートして水膜(wm)を形成し、この水膜(wm)上に半導体基板(W)を載置してテンプレート基板(T)と半導体基板(W)が水膜(wm)によって接合された積層体(S)を形成し、ついで、この積層体(S)をバキューム室に移し、減圧して前記水膜(wm)の厚みを50〜300nm厚みまで減らして積層体(S)を形成する。
直径320mm、厚み2mmの硼酸珪素ガラス基板からなるテンプレート基板(T)と、厚み775μmのシリコン基板表面にプリント配線を施した直径300mmの半導体基板(W)を水槽中の水中で平行にして接触させ、さらに押し付けて約1,500nmの厚みの水膜(wm)で接合された積層体(S)を得た。
直径320mm、厚み4mm、表面粗さ(Ra)12nmの石英ガラス製のテンプレート基板チャック上に純水を供給しながら前記石英ガラス製のテンプレート基板チャックの回転軸を3,000min −1 で15秒間回転させるスピンコート方法で厚み約800nmの水膜を形成した。
T テンプレート基板
W 半導体基板(被研削物)
S 積層体
C 吸着チャック
Claims (2)
- 次の1)から5)の行程を経過して、TTVが1.0μm以下の平坦化加工表面を有する半導体基板を製造することを特徴とする、半導体基板の平坦化加工方法。
1).TTVが2.0μm以下のテンプレート基板の表面に水膜を形成する行程。
2).前記水膜上に前記半導体基板をのせて貼り合わせ、前記テンプレート基板と前記半導体基板が前記水膜によって接合された積層体を形成する行程。
3).前記テンプレート基板を下にして前記積層体を吸着チャックに載置した後、前記吸着チャックを回転させて前記水膜の厚みを50〜1,000nmの間の厚みまで減らす行程。
4).前記積層体の前記半導体基板の裏面を研削加工する平坦化加工行程。
5).平坦化加工された前記積層体より平坦化加工された前記半導体基板を、前記水膜との貼り合わせ面より分離してTTVが1.0μm以下の平坦化加工された前記半導体基板として回収する行程。 - 次の1)から5)の行程を経過して、TTVが1.0μm以下の平坦化加工表面を有する半導体基板を製造することを特徴とする、半導体基板の平坦化加工方法。
1).セラミック製のテンプレート基板チャックの表面に水膜を形成する行程。
2).前記水膜上に前記半導体基板を接合して貼り合わせ、セラミック製の前記テンプレート基板チャックと前記半導体基板が前記水膜によって接合された積層体を形成する行程。
3).前記積層体のセラミック製の前記テンプレート基板チャックの回転軸を回転させて前記水膜の厚みを50〜1,000nmの間の厚みまで減らす行程。
4).前記積層体の前記半導体基板の裏面を研削加工する平坦化加工行程。
5).前記積層体より平坦化加工された前記半導体基板を、前記水膜との貼り合わせ面より分離してTTVが1.0μm以下の平坦化加工された前記半導体基板として回収する行程。
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