JP6305269B2 - 加工方法 - Google Patents
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Landscapes
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Description
13 半導体基板
13a 上面(表面)
15 ストリート(分割予定ライン)
17a デバイス
17b TEG
19 低誘電率絶縁膜
21 金属パターン
23 表面保護部材
Claims (2)
- 半導体基板の表面に複数の低誘電率絶縁膜と金属パターンとが積層されているとともに格子状に形成されたストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されている被加工物の、該ストリート上の該低誘電率絶縁膜及び該金属パターンを除去する加工方法であって、
被加工物に形成された該デバイスの表面を表面保護部材で覆い該ストリートは露出させるマスク工程と、
被加工物にウエットエッチング液を供給して該ストリート上に露出した金属パターンを除去するウエットエッチング工程と、
該ウエットエッチング工程後の被加工物を洗浄液によって洗浄する洗浄工程と、
該洗浄工程後の被加工物を乾燥させる乾燥工程と、
該乾燥工程の後、被加工物のストリート上に露出した低誘電率絶縁膜をドライエッチングによって除去するドライエッチング工程と、を備え、
該ストリート上の該金属パターンと該低誘電率絶縁膜とが除去されて半導体基板が露出するまで、該ウエットエッチング工程と該洗浄工程と該乾燥工程と該ドライエッチング工程とを順次繰り返すことを特徴とする加工方法。 - 該ストリート上の該金属パターンと該低誘電率絶縁膜とが除去され半導体基板が露出した被加工物にドライエッチングを施して、被加工物をストリートに沿って個々のデバイスチップに分割する分割工程を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の加工方法。
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