JP6231770B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置の構成について、図1および図2を参照して説明する。図1は本発明の一態様の成膜装置の構造の上面図であり、図2は図1の切断線A−Bにおける断面を含む成膜装置の構造の側面図である。
本実施の形態で例示して説明する成膜装置200の除去室の構成の変形例について、図2(B)を用いて説明する。
本実施の形態で例示する成膜装置200は、成膜室203の内部の圧力を制御する排気機構55と、除去室250の内部の圧力を制御する排気機構55と、除去室250の内部の雰囲気を調整するガス導入機構54を備える。
シャドーマスク搬送機構は、成膜に用いられる前のシャドーマスク15aを、成膜室203の内部で搬送する第1の搬送動作(矢印F)と、成膜に用いられた後のシャドーマスク15bを、除去室250の内部で搬送する第2の搬送動作(矢印R)を行う。
第1の仕切り弁221と第2の仕切り弁222は、プラズマ源52がプラズマを照射している間、プラズマ源52から成膜室203を隔離するものであればよい。プラズマを用いてシャドーマスクに付着した成膜材料を除去する間、成膜室203の圧力が上昇するのを防ぐ構成、または、成膜室203がプラズマに曝されて気化した物質によって汚染されるのを防ぐ構成であればよい。
蒸着源31a(31b〜31h)は、成膜材料を噴出するものであればよく、噴出する方向に指向性があるものが、材料を効率よく利用できるため好ましい。
プラズマ源52は、平行平板型のプラズマ源である。
本発明の一態様の成膜装置には、さまざまなシャドーマスクを用いることができる。例えば、開口部が設けられた薄板または箔を、剛直な枠(マスクフレームともいう)に張ったものが用いることができる。
本実施の形態で例示して説明する成膜方法およびシャドーマスクに付着した成膜材料を除去する方法は、4つのステップを有する。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置の構成について、図4を参照して説明する。図4(A)は本発明の一態様の成膜装置の構成を模式的に示すブロック図であり、図4(B)は図4(A)の成膜装置とシャドーマスクを用いて、複数の被成膜体を連続して成膜し、使用されたシャドーマスクを連続して再生する方法について説明する図である。
本実施の形態で例示して説明する成膜方法およびシャドーマスクに付着した成膜材料を除去する方法は、7つのステップを有する。被成膜体として基板を用いる場合を図4に示す。なお、図中の第1の基板は第1の成膜体、第2の基板は第2の成膜体、第3の基板は第3の成膜体、と読み替えることができる
本実施の形態では、表示パネルの作製に適用可能な本発明の一態様の成膜装置の構成の一例について説明する。本実施の形態で例示して説明する成膜装置の構成を図5に示す。なお、シャドーマスクが成膜室内を搬送される経路を実線で、除去室内を搬送される経路を破線で示す。
図5(A)に示す成膜装置200Wは、発光素子の作製に適用可能な成膜装置である。
図5(B)に示す成膜装置200RGBは、発光素子の作製に適用可能な成膜装置である。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置の構成について、図6および図7を参照して説明する。図6(A)および図6(B)は本発明の一態様の成膜装置を構成する第1の処理ユニット110の上面図であり、図7(A)および図7(B)は、本発明の一態様の成膜装置100の上面図である。
本実施の形態で例示する成膜装置の変形例について、図8を参照して説明する。図8(A)は本発明の一態様の成膜装置を構成する第1の処理ユニット110の構成を模式的に示す図であり、図8(B)および図8(C)は処理ユニットを2つ接続して、成膜装置を構成した例である。また、図8(D)は処理ユニットを4つ接続して、成膜装置を構成した例である。このように、接続する処理ユニットの数は、積層する膜の数に応じて変えることができる。
連結室は、搬入室と、成膜室と、他の処理ユニットの除去室と、を接続し、その間における被成膜体とシャドーマスクの移動を可能にする。また、搬入室から供給される被成膜体を、他の処理ユニットから供給されるシャドーマスクに重ねる。連結室は、被成膜体とシャドーマスクの位置あわせ機構を備えるとよい。
蒸着源は、成膜材料を噴出するものであればよく、噴出する方向に指向性があるものが材料を効率よく利用できるため好ましい。
本発明の一態様の成膜装置には、さまざまなシャドーマスクを用いることができる。例えば、開口部が設けられた薄板または箔を、剛直な枠(マスクフレームともいう)に張ったものが用いることができる。
シャドーマスク搬送機構は、シャドーマスクを、処理ユニットの内部で搬送する。
除去室は洗浄機構を備え、シャドーマスクに付着した成膜材料を除去できる。特に、精細な開口部(例えば、直径または一辺が1μm以上500μm以下)が設けられたシャドーマスクを損傷することなく、付着した成膜材料を除去できる。
洗浄機構に用いるプラズマ源は、平行平板型のプラズマ源の他、さまざまなプラズマ源を適用できる。
除去室の洗浄機構がプラズマ源を用いる場合は、除去室は、内部の圧力を制御する排気機構と、内部の雰囲気を調整するガス導入機構を備える。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置の構成について、図9を参照して説明する。図9(A)および図9(B)は本発明の一態様の成膜装置を構成する第1の処理ユニット110の上面図であり、図9(C)および図9(D)は、本発明の一態様の成膜装置100Bの上面図である。
第1の処理ユニット110の第1の連結室111Aと、第2の処理ユニット120の第2の受渡室121Bを第1のモードで運転し、第1の受渡室111Bおよび第2の連結室121Aを第2のモードで運転することができる(図9(C)参照)。
また、第1の処理ユニット110に設けられた第1の連結室111Aおよび第1の受渡室111B並びに第2の処理ユニット120に設けられた第2の連結室121Aおよび第2の受渡室121Bを、全て第1のモードで運転できる(図9(D)参照)。
本実施の形態では、実施の形態5において説明する本発明の一態様の成膜装置を用いた積層膜の作製方法について、図10(A)を参照して説明する。
上記の構成を備える成膜装置100Cを用いて、第1の搬入室112から供給される被成膜体を、第2の除去室125の他方の開口部から供給されるシャドーマスクに重ね合わせて、第1の成膜室114に供給する。
第1の成膜室114を用いて、被成膜体上に蒸着源31から噴出する成膜材料を含む第1の層、蒸着源32から噴出する成膜材料を含む第2の層、蒸着源33から噴出する成膜材料を含む第3の層および蒸着源34から噴出する成膜材料を含む第4の層をシャドーマスクの開口部に露出する被成膜体にこの順に成膜し、被成膜体を前記第1の受渡室111Bに供給する。
第2のモードの第1の受渡室111Bが、被成膜体が重ね合わされた状態のシャドーマスクを第1の除去室115に供給し、第2のモードの第1の除去室115が、被成膜体が重ね合わされた状態のシャドーマスクを前記第2の処理ユニット120の第2の連結室121Aに供給する。
第2のモードの第2の連結室121Aが、被成膜体が重ね合わされたシャドーマスクを第2の成膜室124に供給する。
第2の成膜室124を用いて、蒸着源35から噴出する成膜材料を含む第5の層、蒸着源36から噴出する成膜材料を含む第6の層および蒸着源37から噴出する成膜材料を含む第7の層を、シャドーマスクの開口部に露出する被成膜体に成膜された第4の層に重ねてこの順に成膜し、被成膜体を第2の受渡室121Bに供給する。
第1のモードの第2の受渡室121Bが、被成膜体を第2の搬出室123に、シャドーマスクを第2の除去室125に、それぞれ供給する。
第1のモードの第2の除去室125が、シャドーマスクを洗浄し、シャドーマスクを第1の処理ユニット110の第1の連結室111Aに供給する。
本実施の形態では、実施の形態5において説明する本発明の一態様の成膜装置を用いた積層膜の作製方法について、図10(B)を参照して説明する。
上記の構成を備える成膜装置の第1のモードの第1の連結室111Aが、第1の搬入室112から供給される第1の被成膜体を、第2の除去室125の他方の開口部から供給される第1のシャドーマスクに重ね合わせて第1の成膜室114に供給する。また、第1のモードの第2の連結室121Aが、第2の搬入室122から供給される第2の被成膜体を第1の除去室115の他方の開口部から供給される第2のシャドーマスクに重ね合わせて第2の成膜室124に供給する。
第1の成膜室114を用いて、被成膜体上に蒸着源31から噴出する成膜材料を含む第1の層、蒸着源32から噴出する成膜材料を含む第2の層並びに蒸着源33から噴出する成膜材料を含む前記第3の層を第1のシャドーマスクの開口部に露出する第1の被成膜体にこの順に成膜し、第1の受渡室111Bに供給する。
第1のモードの第1の受渡室111Bが、第1の被成膜体を第1の搬出室113に、第1のシャドーマスクを第1の除去室115に、それぞれ供給する。また、第1のモードの第2の受渡室121Bが、第2の被成膜体を第2の搬出室123に、第2のシャドーマスクを第2の除去室125に、それぞれ供給する。
第1のモードの第1の除去室115が、第1のシャドーマスクを洗浄し、第1のシャドーマスクを第2の処理ユニット120の第2の連結室121Aに供給する。また、第1のモードの第2の除去室125が、第2のシャドーマスクを洗浄し、第2のシャドーマスクを第1の処理ユニット110の第1の連結室111Aに供給する。
本実施の形態では、実施の形態5において説明する本発明の一態様の成膜装置を用いた発光素子の作製方法について、図11(A)および図12を参照して説明する。
はじめに、本実施の形態で例示する発光素子の作製方法に適用できる成膜装置100Eの構成ついて、図11(A)を参照して説明する。
第1の成膜室114は、第1の層を成膜するための材料を含む蒸着源31と、第2の層を成膜するための材料を含む蒸着源32と、第3の層を成膜するための材料を含む蒸着源33と、第4の層を成膜するための材料を含む蒸着源34と、が一方の開口部側から他方の開口部側に向かって順番に、設けられている。なお、排気機構38が、第1の成膜室114に接続されている。排気機構38には、例えばターボポンプ、クライオポンプ等を適用できる。
第2の成膜室124は、第5の層を成膜するための材料を含む蒸着源35と、第6の層を成膜するための材料を含む蒸着源36と、第7の層を成膜するための材料を含む蒸着源37と、が一方の開口部側から他方の開口部側に向かって順番に、設けられている。なお、排気機構38が、第2の成膜室124に接続されている。
本実施の形態で例示する発光素子の作製方法によれば、2つの処理ユニットを備える成膜装置を用いて、一方の処理ユニットに設けられた成膜室で成膜する成膜材料の層に重ねて、他方の処理ユニットに設けられた成膜室で成膜する成膜材料の層を成膜できる。従って、本実施の形態で例示する発光素子の作製方法は、実施の形態10の発光素子の構成例3に例示される構成の発光素子に好適である。
除去室は、プラズマ源52、ガス導入機構54、排気機構55を備える。プラズマ源52は、平行平板型のプラズマ源であり、下部電極52aと上部電極52bを備える。
以下に、成膜装置100Eを用いる発光素子の作製方法について、図11(A)を参照して説明する。
上記の構成を備える成膜装置を用いて、第1の搬入室112から供給される、第1の電極を備える被成膜体を第2の除去室125の他方の開口部から供給されるシャドーマスクに重ね合わせて第1の成膜室114に供給する。
第1の成膜室114を用いて、蒸着源31から噴出する成膜材料を含む第1の層、蒸着源32から噴出する成膜材料を含む第2の層、蒸着源33から噴出する成膜材料を含む第3の層および蒸着源34から噴出する成膜材料を含む第4の層をシャドーマスクの開口部に露出する被成膜体の第1の電極に重ねてこの順に成膜し、第1の受渡室111Bに供給する。
第2のモードの第1の受渡室111Bが、被成膜体が重ね合わされた状態のシャドーマスクを第1の除去室115に供給し、第2のモードの第1の除去室115が、被成膜体が重ね合わされた状態のシャドーマスクを前記第2の処理ユニット120の第2の連結室121Aに供給する。
第2のモードの第2の連結室121Aが、被成膜体が重ね合わされたシャドーマスクを第2の成膜室124に供給する。
第2の成膜室124を用いて、蒸着源35から噴出する成膜材料を含む第5の層、蒸着源36から噴出する成膜材料を含む第6の層および蒸着源37から噴出する成膜材料を含む第7の層をシャドーマスクの開口部に露出する被成膜体に成膜された第4の層に重ねてこの順に成膜し、被成膜体を第2の受渡室121Bに供給する。
第1のモードの第2の受渡室121Bが、被成膜体を第2の搬出室123に、シャドーマスクを第2の除去室125に、それぞれ供給する。
第1のモードの第2の除去室125が、シャドーマスクを洗浄し、シャドーマスクを第1の処理ユニット110の第1の連結室111Aに供給する。
第2の搬出室123が、被成膜体を第2の導電膜形成室126に供給する。
第2の導電膜形成室126を用いて、第2の電極を第7の層に重ねて形成し、被成膜体を第2の導電膜形成室126から第2の封止室127に供給する。
第2の封止室127を用いて、第1の層、第2の層、第3の層、第4の層、第5の層、第6の層、第7の層および第2の電極がこの順に積層された積層膜を被成膜体と封止材の間に封止する。
本実施の形態では、実施の形態5において説明する本発明の一態様の成膜装置を用いた発光素子の作製方法について、図11(B)および図13を参照して説明する。
はじめに、本実施の形態で例示する発光素子の作製方法に適用できる成膜装置100Fの構成ついて、図11(B)を参照して説明する。
第1の成膜室114および第2の成膜室124は、いずれも第1の層を成膜するための材料を含む蒸着源31と、第2の層を成膜するための材料を含む蒸着源32と、第3の層を成膜するための材料を含む蒸着源33と、が一方の開口部側から他方の開口部側に向かって順番に、設けられている。
本実施の形態で例示する発光素子の作製方法によれば、2つの処理ユニットを備える成膜装置を用いて、並行して発光素子を作製できる。従って、本実施の形態で例示する発光素子の作製方法は、実施の形態10の発光素子の構成例1に例示される構成の発光素子に好適である。
以下に、成膜装置100Fをもちいる発光素子の作製方法について、図11(B)を参照して説明する。
第1の搬入室112から供給される第1の被成膜体を、第2の除去室125の他方の開口部から供給される第1のシャドーマスクに重ね合わせて第1の成膜室114に供給する。
第1の成膜室114において、蒸着源31から噴出する成膜材料を含む第1の層、蒸着源32から噴出する成膜材料を含む第2の層並びに蒸着源33から噴出する成膜材料を含む第3の層を第1のシャドーマスクの開口部に露出する第1の被成膜体にこの順に成膜し、第1の受渡室111Bに供給する。
第1のモードの第1の受渡室111Bが、第1の被成膜体を第1の搬出室113に、第1のシャドーマスクを第1の除去室115に、それぞれ供給する。
第1のモードの第1の除去室115が、第1のシャドーマスクを洗浄し、第1のシャドーマスクを第2の処理ユニット120の第2の連結室121Aに供給する。
第1の搬出室113が、第1の被成膜体を第1の導電膜形成室116に供給し、第2の搬出室123が、第2の被成膜体を第2の導電膜形成室126に供給する。
第1の導電膜形成室116を用いて、第2の電極を第1の被成膜体の第3の層に重ねて形成し、第1の被成膜体を第1の導電膜形成室116から第1の封止室117に供給する。
第1の封止室117を用いて、第1の層、第2の層、第3の層、および第2の電極がこの順に積層された積層膜を、第1の被成膜体と封止材の間に封止する。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置および成膜、積層膜若しくは発光素子の作製方法を適用できる発光素子の構成の一例について、図14を参照して説明する。
発光素子の構成の一例を図14(A)に示す。図14(A)に示す発光素子は、陽極1101と陰極1102の間にEL層が挟まれている。
発光素子の構成の他の一例を図14(C)に示す。図14(C)に例示する発光素子は、陽極1101と陰極1102の間に発光ユニット1103を含むEL層が挟まれている。さらに、陰極1102と発光ユニット1103との間には中間層1104が設けられている。なお、当該発光素子の構成例2の発光ユニット1103には、上述の発光素子の構成例1が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構成例1の記載を参酌できる。
発光素子の構成の他の一例を図14(D)に示す。図14(D)に例示する発光素子は、陽極1101と陰極1102の間に2つの発光ユニットが設けられたEL層を備えている。さらに、第1の発光ユニット1103aと、第2の発光ユニット1103bとの間には中間層1104が設けられている。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置および発光素子の作製方法を適用できる発光素子の構成の一例について、説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置を用いて作製することができる表示パネルの構成の一例について説明する。
本実施の形態で例示する表示パネルの構成を図15に示す。図15(A)は本実施の形態で例示する表示パネルの構造の上面図であり、図15(B)は図15(A)の切断線A−BおよびC−Dにおける断面を含む構造の側面図であり、図15(C)は図15(A)の切断線E−Fにおける断面を含む画素の構造の側面図である。
図15(A)に例示する表示パネル400には、トップゲート型のトランジスタが適用されている。ソース側の駆動回路部403s、ゲート側の駆動回路部403g並びに副画素にはさまざまな構造のトランジスタを適用できる。また、これらのトランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。
表示部401に設けられた画素402の構成について、図15(C)を参照して説明する。
隔壁418は第1の電極421B、第1の電極421Gおよび第1の電極421Rの端部を覆って形成されている。
本実施の形態で例示する表示パネル400は、第1の基板410、第2の基板440、およびシール材405で囲まれた空間に、発光素子を封止する構造を備える。
本実施の形態の変形例を図16に示す。図16(A)は図15(A)の切断線A−BおよびC−Dにおける断面を含む構造の側面図であり、図16(B)は図15(A)の切断線E−Fにおける断面を含む画素の構造の側面図である。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜装置を用いて作製できる表示パネルの構成の一例について説明する。
図17(A)に例示する表示パネルは、副画素402Gを含む表示部と、ソース側の駆動回路部403sとが、第1の基板410上に設けられている。副画素402Gにはトランジスタ471が設けられ、ソース側の駆動回路部403sにはトランジスタ472が設けられており、いずれもボトムゲート型のトランジスタである。
図17(B)に例示する表示パネルには、ボトムゲート型のトランジスタが適用されている。また、表示部の画素に設けられた発光モジュールは、第1の基板410側に光を発する構成となっている。
本実施例では、上部電極と下部電極を有する平行平板型のプラズマ源を備える除去室を用いた。13.56MHzの高周波電源を、マッチングボックスを介して上部電極に接続した。下部電極は接地され、ガス導入のためのシャワー板を兼ねる。シャドーマスク・ステージは上部電極と下部電極の間に配置された。
除去速度を測定する試料として、9−[4−(10−フェニル−9−アントラセニル)フェニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)を140nm蒸着したシリコン基板をアルミ板に固定して用いた。なお、CzPAは発光素子に適用できる成膜材料である。
除去速度(エッチングレートともいう)の、処理に用いたガスの種類に対する依存性と、高周波電源の出力に対する依存性を、図18に示す。なお、除去の条件は、ガスの流量を200sccm、圧力を5Pa、上部電極から試料までの距離を30mmとした。
除去速度の、処理に用いたガスに対する依存性と、上部電極から試料までの距離に対する依存性を、図19に示す。上部電極から試料までの距離は、30mmまたは0mmとした。なお、除去の条件は、ガスの流量を200sccm(2種類のガスを混合する場合はそれぞれを100sccm)、圧力を5Pa、高周波電源の出力を600Wとした。
11a 被成膜体
11b 被成膜体
11c 被成膜体
15 シャドーマスク
15_1 シャドーマスク
15_2 シャドーマスク
15_3 シャドーマスク
15a シャドーマスク
15b シャドーマスク
15c シャドーマスク
15f マスクフレーム
21 成膜領域
22 成膜領域
22a 成膜領域
22b 成膜領域
22c 成膜領域
23 成膜領域
24 成膜領域
25 成膜領域
26 成膜領域
26a 成膜領域
26b 成膜領域
26c 成膜領域
27 成膜領域
31 蒸着源
31a〜31h 蒸着源
32 蒸着源
33 蒸着源
34 蒸着源
35 蒸着源
36 蒸着源
37 蒸着源
38 排気機構
41a ロボット
41b ロボット
41c ロボット
41d ロボット
45 シャドーマスク・ステージ
45a 支持部材
45b 支持部材
52 プラズマ源
52a 下部電極
52b 上部電極
52c 絶縁部材
53 高周波電源
54 ガス導入機構
55 排気機構
100 成膜装置
100B 成膜装置
100C 成膜装置
100D 成膜装置
100E 成膜装置
100F 成膜装置
110 処理ユニット
111A 連結室
111B 受渡室
112 搬入室
113 搬出室
114 成膜室
115 除去室
116 導電膜形成室
117 封止室
118 取り出し室
120 処理ユニット
121A 連結室
121B 受渡室
122 搬入室
123 搬出室
124 成膜室
125 除去室
126 導電膜形成室
127 封止室
128 取り出し室
130 処理ユニット
131A 連結室
131B 受渡室
133 搬出室
135 除去室
200 成膜装置
200W 成膜装置
200RGB 成膜装置
203 成膜室
203a 成膜室
203b 成膜室
203B 成膜室
203C 成膜室
203E 成膜室
203G 成膜室
203H 成膜室
203R 成膜室
203W 成膜室
204B アライメント部
204C アライメント部
204E アライメント部
204G アライメント部
204H アライメント部
204R アライメント部
204W アライメント部
211 搬入室
212 搬出室
221 第1の仕切り弁
222 第2の仕切り弁
250 除去室
250a 除去室
250b 除去室
250B 除去室
250C 除去室
250E 除去室
250G 除去室
250H 除去室
250R 除去室
250W 除去室
250_1 除去室
250_2 除去室
400 表示パネル
401 表示部
402 画素
402B 副画素
402G 副画素
402R 副画素
403g 駆動回路部
403s 駆動回路部
405 シール材
408 配線
410 基板
411 トランジスタ
412 トランジスタ
413 nチャネル型トランジスタ
414 pチャネル型トランジスタ
416 絶縁層
418 隔壁
420B 発光素子
420G 発光素子
420R 発光素子
421B 電極
421G 電極
421R 電極
422 電極
423 層
423a 層
423b 層
423B 層
423G 層
423R 層
424 中間層
428G カラーフィルタ
429 膜
431 空間
440 基板
441B カラーフィルタ
441G カラーフィルタ
441R カラーフィルタ
442 膜
445 スペーサ
450B 発光モジュール
450G 発光モジュール
450R 発光モジュール
471 トランジスタ
472 トランジスタ
481 トランジスタ
1101 陽極
1102 陰極
1103 発光ユニット
1103a 発光ユニット
1103b 発光ユニット
1104 中間層
1104a 電子注入バッファー
1104b 電子リレー層
1104c 電荷発生領域
1113 正孔注入層
1114 正孔輸送層
1115 発光層
1116 電子輸送層
1117 電子注入層
Claims (6)
- 除去室と、
前記除去室に、互いに離れて接続される第1の仕切り弁と第2の仕切り弁と、
前記第1の仕切り弁と前記第2の仕切り弁とに接続される成膜室と、
前記成膜室内に設けられた蒸着源と、
前記除去室内に設けられた平行平板型のプラズマ源と、
前記プラズマ源の上部電極と下部電極の間に設けられたシャドーマスク・ステージと、
被成膜体と前記被成膜体の一部を覆うシャドーマスクを重ね合わせた状態で、前記蒸着源から成膜材料が噴出する領域を移動するシャドーマスク搬送機構と、を有し、
前記シャドーマスク搬送機構が、前記被成膜体が重ね合わされた状態の前記シャドーマスクを移動して、前記蒸着源が噴出する前記成膜材料を前記被成膜体に成膜する成膜モードと、
前記シャドーマスク・ステージが、前記上部電極側に前記シャドーマスクを支持した状態で、前記プラズマ源が前記シャドーマスクにプラズマを照射するクリーニングモードと、を有し、
前記シャドーマスク・ステージは、前記上部電極側に絶縁性の支持部材を備え、
前記絶縁性の支持部材は、前記上部電極と前記シャドーマスク・ステージとの間の空間に延在するように配置されていることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1において、
前記支持部材が前記シャドーマスクを前記上部電極に接するように支持した状態で、前記プラズマ源が前記シャドーマスクにプラズマを照射する前記クリーニングモードを有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項2において、
プラズマを照射している状態で、前記上部電極とシャドーマスク・ステージとが電気的に絶縁され、且つ前記上部電極から前記下部電極までの距離D1に比べて、前記上部電極と電位が等しい部分から接地された前記シャドーマスク・ステージまでの距離D2が短く、D2がD1の0.5倍以下であることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記上部電極の温度調節機構を備えることを特徴とする成膜装置。 - 除去室と、
前記除去室に、互いに離れて接続される第1の仕切り弁と第2の仕切り弁と、
前記第1の仕切り弁と前記第2の仕切り弁と接続される成膜室と、
前記成膜室内に設けられた蒸着源と、
前記除去室内に設けられたプラズマ源と、
前記プラズマ源が照射するプラズマに照射されるようにシャドーマスクを支持するシャドーマスク・ステージと、
被成膜体と前記被成膜体の一部を覆うシャドーマスクを重ね合わせた状態で、前記蒸着源から成膜材料が噴出する領域を移動するシャドーマスク搬送機構と、を有し、
前記シャドーマスク搬送機構が、前記被成膜体が重ね合わされた状態の前記シャドーマスクを移動して、前記蒸着源が噴出する前記成膜材料を前記被成膜体に成膜する成膜モードと、
前記シャドーマスク・ステージが、上部電極側に前記シャドーマスクを支持した状態で、前記プラズマ源が前記シャドーマスクにプラズマを照射するクリーニングモードと、を有し、
前記シャドーマスク・ステージは、前記上部電極側に絶縁性の支持部材を備え、
前記絶縁性の支持部材は、前記上部電極と前記シャドーマスク・ステージとの間の空間に延在するように配置され、
前記シャドーマスクが前記除去室内を搬送される距離が、前記シャドーマスクが前記成膜室内を搬送される距離に比べて短いことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1乃至5のいずれか一において、
前記シャドーマスク・ステージ及び前記プラズマ源を、独立して備える前記除去室を複数有することを特徴とする成膜装置。
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