JP6107010B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献1に記載のパワー半導体モジュールは、配線基板と、配線基板に実装された半導体チップを備えている。配線基板は、絶縁体層と、絶縁体層上に形成されたエミッタ用電極、ゲート用電極及びリードフレーム用電極とを備えている。半導体チップの第1面には、ゲート電極及びエミッタ電極が形成されている。半導体チップの第1面と反対側の第2面には、コレクタ電極が形成されている。ゲート電極及びエミッタ電極は、それぞれ、ゲート用半田層及びエミッタ用半田層によってゲート用電極とエミッタ用電極に半田接合されている。コレクタ電極は、リードフレームに接合されるとともに、リードフレームは、コレクタ用半田層によってコレクタ用電極に半田接合されている。
この発明によれば、電極端子の熱伝導率が高くなり、半導体素子に対する冷却効率を向上させることができる。
図3に示すように、パワーモジュール100は、エミッタ電極21の第1配線層14に対向する面(下面)の全面(以下、単に「エミッタ電極21の全面」という)が半田層101によって第1配線層14に接合されている。また、パワーモジュール100は、ゲート電極22の配線層15に対向する面(下面)の全面(以下、単に「ゲート電極22の全面」という)が半田層102によって第2配線層15に接合されている。パワーモジュール100は、上記した構成以外は、実施形態に記載のパワーモジュール1と同一の構成となっている。半田層101の厚みは、ピラーバンプ30の厚み(軸方向の長さ)と同一となっている。また、半田層102の厚みは、ピラーバンプ33の厚み(軸方向の長さ)と同一となっている。
図4に示すように、まず、絶縁基板11の両面に金属層12,13が形成された回路基板10を準備する。絶縁基板11の上面11Bにパターン形成された金属層13、つまり第1配線層14及び第2配線層15は、例えばサブトラクティブ法やセミアディティブ法などの各種の配線形成方法により形成される。また、第1配線層14の溝部14X及び第2配線層15の溝部15Xは、例えばエッチング加工やプレス加工などにより形成される。
(1)エミッタ電極21に接続されたポスト31及びゲート電極22に接続されたポスト34の下面に接合材32,35を設けて、この接合材32,35によって半導体素子20と配線層14,15を接合することで、接合材32,35の厚みに偏りが生じることを抑制している。このため、接合材32,35の厚みが偏ることによる接合不良が抑制されている。また、接合材32,35の厚みの偏りを補うために接合材32,35の厚みを厚くする必要がなく、接合材32,35を薄くすることができる。接合材として半田を用いたとしても比較例のパワーモジュール100に比べて、半導体素子20と配線層14,15の接合材32,35を介した接合面積は減っているが、熱抵抗はほぼ同一であり、半導体素子20に対する冷却効率の低下も抑制されている。
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
○ 上記実施形態では、半導体素子20を回路基板10に実装する際に、接合材32A,35Aをポスト31,34にそれぞれ付与するようにした。これに限らず、例えば図6に示されるように、金属ナノ粒子ペーストからなる接合材32B,35Bを第1配線層14及び第2配線層15にそれぞれ付与するようにしてもよい。具体的には、接合材32B,35Bを溝部14X,15X内にそれぞれ付与するようにしてもよい。
○ 上記実施形態では、エミッタ電極21の下面に形成された複数のピラーバンプ30の全てが溝部14Xの底面を構成する第1配線層14と接続されるように上記溝部14Xを形成するようにした。これに限らず、少なくともピラーバンプ33と隣り合うピラーバンプ30が溝部14Xの底面を構成する第1配線層14と接続されるように溝部14Xを形成するようにしてもよい。すなわち、ピラーバンプ33と隣り合うピラーバンプ30の接合材32の広がりを防止する仕切部材としての溝部14Xが形成されていれば十分である。
○ 上記実施形態における上部電極40を省略してもよい。
○ 上記実施形態におけるアンダーフィル樹脂50を省略してもよい。
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下に追記する。
Claims (10)
- 電極を備えた半導体素子と、
前記電極の一面に複数接続されるとともに、前記一面に接合される端面とは反対側の接合面の面積が、前記一面の面積よりも小さい導電性の円柱状の電極端子と、
前記接合面に設けられた接合材を介して前記電極端子と電気的に接合された配線層を備えた回路基板と、を有し、
前記電極端子の高さは20〜80μmであり、
前記接合材の厚さは、前記電極端子の高さの1/2以下である1〜10μmであり、
前記電極端子の直径は、前記電極端子の高さと前記接合材の厚さとを合わせた寸法の2倍以上である200〜400μmであることを特徴とする半導体装置。 - 前記電極は、前記半導体素子の第1面に形成された第1電極と前記第1面に形成された前記第1電極と異なる第2電極とを含み、
前記電極端子は、前記第1電極に接続された円柱状の導電性の第1電極端子と前記第2電極に接続された円柱状の導電性の第2電極端子とを含み、
前記配線層は、前記第1電極端子と第1接合材を介して電気的に接合された第1配線層と前記第2電極端子と第2接合材を介して電気的に接合された第2配線層とを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子及び前記回路基板の少なくとも一方に形成され、隣り合う前記第1接合材の形成領域と前記第2接合材の形成領域とを仕切る仕切部材を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記仕切部材は、前記第1配線層に形成された第1段差部及び前記第2配線層に形成された第2段差部の少なくとも一方の段差部であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1段差部は、前記第1電極と対向する前記第1配線層に形成された第1溝部であり、
前記第2段差部は、前記第2電極と対向する前記第2配線層に形成された第2溝部であり、
前記第1電極端子は、前記第1接合材を介して前記第1溝部の底面を構成する前記第1配線層に電気的に接合され、
前記第2電極端子は、前記第2接合材を介して前記第2溝部の底面を構成する前記第2配線層に電気的に接合されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記仕切部材は、前記半導体素子の前記第1面、及び前記第1配線層と前記第2配線層が形成された前記回路基板の面の少なくとも一方の面に形成された絶縁性の堰部であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1電極端子及び前記第2電極端子は同じ高さになるように形成されていることを特徴とする請求項2〜6のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記接合材は、金、銀又は銅から選択される金属、もしくは金、銀及び銅の少なくとも一種を含む合金からなる金属ナノ粒子の焼結体であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記電極端子は、銅又は銅を含む合金からなることを特徴とする請求項1〜請求項8のうちいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1の面に形成された第1電極及び第2電極にそれぞれ接続された柱状の導電性の第1電極端子及び第2電極端子を有する半導体素子と、第1配線層と第2配線層とを有する回路基板とを、金属ナノ粒子と分散媒とを含む金属ナノ粒子ペーストからなる第1接合材を前記第1電極端子と前記第1配線層との間に介在させ、金属ナノ粒子と分散媒とを含む金属ナノ粒子ペーストからなる第2接合材を前記第2電極端子と前記第2配線層との間に介在させた状態で、前記第1電極端子と前記第1配線層を対向させ、且つ前記第2電極端子と前記第2配線層を対向させるように位置合わせする工程と、
前記位置合わせされた前記半導体素子と前記回路基板とを接近させるように加圧する加圧工程と、
を含み、前記加圧工程の後に、前記第1接合材を介して前記第1配線層に前記第1電極端子を電気的に接合するとともに、前記第2接合材を介して前記第2配線層に前記第2電極端子を電気的に接合する半導体装置の製造方法であって、
前記加圧工程における前記半導体素子及び前記回路基板の少なくとも一方には、隣り合う前記第1接合材の形成領域と前記第2接合材の形成領域とを仕切る仕切部材が形成されており、
前記第1接合材を介して前記第1配線層に前記第1電極端子が電気的に接合され、且つ、前記第2接合材を介して前記第2配線層に前記第2電極端子が電気的に接合された後に、前記第1電極端子と前記第2電極端子との間の隙間を含めて前記回路基板と前記半導体素子との間に樹脂を充填し、当該樹脂を硬化する工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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