JP6099635B2 - 検査装置を用いたコンターベースの欠陥検出 - Google Patents
検査装置を用いたコンターベースの欠陥検出 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6099635B2 JP6099635B2 JP2014512836A JP2014512836A JP6099635B2 JP 6099635 B2 JP6099635 B2 JP 6099635B2 JP 2014512836 A JP2014512836 A JP 2014512836A JP 2014512836 A JP2014512836 A JP 2014512836A JP 6099635 B2 JP6099635 B2 JP 6099635B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contour
- image
- segment
- defect
- reference image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims description 67
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 36
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 17
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/02—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material
- G01N23/04—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by transmitting the radiation through the material and forming images of the material
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T5/00—Image enhancement or restoration
- G06T5/50—Image enhancement or restoration using two or more images, e.g. averaging or subtraction
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
- H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Image Processing (AREA)
Description
本願は、2011年5月25日に出願された米国仮特許出願第61/489,871号の利益を主張するものであり、同仮特許出願の全体は、参照により本明細書に援用される。
Claims (16)
- 設計パターンの描画された画像を用いて基準画像から生成されたコンターを取得することと、
部位位置のターゲット画像を取得することと、
前記コンターを前記ターゲット画像に位置合わせすることと、
前記コンター上にピクセルに対する対比値を算出することと、
前記対比値に閾値を適用し、それによりコンターベースの欠陥ブロッブを判定することと、
前記ターゲット画像を、少なくとも前景セグメント、背景セグメント、およびコンターセグメントに分割することと、
を含む、ターゲット基板上で部位位置を検査する方法。 - 前記コンターに基づいて前記前景セグメントに配置されたシードを用いる手順により前景セグメントと背景セグメントとを区別することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- コーナー領域を判定することと、
前記コーナー領域のピクセルを含むコーナーセグメントに前記ターゲット画像をさらに分割することと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 各セグメントにおいて2次欠陥検出手順を実行し、それにより2次欠陥ブロッブを判定することをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 前記コンターベースの欠陥ブロッブと前記2次欠陥ブロッブとをマージして、マージされた欠陥ブロッブを取得することと、
前記マージされた欠陥ブロッブをランク付けすることと、
前記マージされた欠陥ブロッブを分類することと、
をさらに含む、請求項4に記載の方法。 - 前記部位位置に対応する参照部位の前記基準画像を取得することにより前記コンターを生成することと、
前記部位位置の前記設計パターンの描画された画像を取得することと、
前記基準画像に前記設計パターンの描画された画像を位置合わせすることと、
前記設計パターンの描画された画像を用いて前記基準画像から前記コンターを抽出することと、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 追加の基準画像を用いて前記コンターを検証することと、
検査レシピに関連付けて前記コンターを保存することと、
をさらに含む、請求項6に記載の方法。 - 入射電子ビームを生成するためのビーム源と、
前記入射電子ビームがターゲット領域上で走査されそれによりそこから2次電子が放出されるよう前記入射電子ビームを制御可能に偏向させるために構成された走査サブシステムと、
前記2次電子を検出してそれにより前記ターゲット領域の画像データフレームが生成されるよう構成された検出サブシステムと、
設計パターンの描画された画像を用いて基準画像から生成されたコンターを取得し、部位位置のターゲット画像を取得し、前記ターゲット画像に前記コンターを位置合わせし、前記コンター上のピクセルに対する対比値を算出し、前記対比値に閾値を適用しそれによりコンターベースの欠陥ブロッブを決定し、前記ターゲット画像を、少なくとも前景セグメント、背景セグメント、およびコンターセグメントに分割するよう、構成された制御および処理サブシステムと、
を備える、製造された基板に存在する欠陥を検出するシステム。 - 前記制御および処理サブシステムは、前記コンターに基づいて前記前景セグメントに配置されたシードを使用する手順により前景セグメントと背景セグメントとを区別するようさらに構成された、請求項8に記載のシステム。
- 前記制御および処理サブシステムは、コーナー領域を判定し、前記コーナー領域のピクセルを含むコーナーセグメントに前記ターゲット領域を分割するよう、さらに構成された請求項8に記載のシステム。
- 前記制御および処理サブシステムは、各セグメントにおいて2次欠陥検出手順を実行しそれにより2次欠陥ブロッブが判定されるようさらに構成された、請求項10に記載のシステム。
- 前記制御および処理サブシステムは、前記コンターベースの欠陥ブロッブと前記2次欠陥ブロッブとをマージしそれによりマージされた欠陥ブロッブが取得され、前記マージされた欠陥ブロッブをランク付けし、前記マージされた欠陥ブロッブを分類するようさらに構成された請求項11に記載のシステム。
- 前記制御および処理サブシステムは、前記部位位置の前記設計パターンの描画された画像を取得することにより前記部位位置に対応する参照部位の前記基準画像を取得し、前記基準画像に前記設計パターンの描画された画像を位置合わせし、前記設計パターンの描画された画像を用いて前記基準画像から前記コンターを取得することにより、前記コンターを生成するよう構成された請求項8に記載のシステム。
- 前記制御および処理サブシステムは、追加の基準画像を用いて前記コンターを検証し、検査レシピに関連付けて前記コンターを保存するようさらに構成された請求項13に記載のシステム。
- 部位位置の欠陥の検査に使用するためのコンターを生成する方法であって、
前記部位位置に対応する参照部位の基準画像を取得することと、
前記部位位置の設計パターンの描画された画像を取得することと、
前記基準画像に前記設計パターンの描画された画像を位置合わせすることと、
前記設計パターンの描画された画像を用いて前記基準画像から前記コンターを抽出することと、
前記基準画像を、少なくとも前景セグメント、背景セグメント、およびコンターセグメントに分割することと、
を含む、方法。 - 追加の基準画像を用いて前記コンターを検証することと、
検査レシピに関連付けて前記コンターを保存することと、
をさらに含む、請求項15の方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161489871P | 2011-05-25 | 2011-05-25 | |
US61/489,871 | 2011-05-25 | ||
US13/410,506 US8669523B2 (en) | 2011-05-25 | 2012-03-02 | Contour-based defect detection using an inspection apparatus |
US13/410,506 | 2012-03-02 | ||
PCT/US2012/032796 WO2012161874A2 (en) | 2011-05-25 | 2012-04-09 | Contour-based defect detection using an inspection apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014517523A JP2014517523A (ja) | 2014-07-17 |
JP6099635B2 true JP6099635B2 (ja) | 2017-03-22 |
Family
ID=47217950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014512836A Active JP6099635B2 (ja) | 2011-05-25 | 2012-04-09 | 検査装置を用いたコンターベースの欠陥検出 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8669523B2 (ja) |
JP (1) | JP6099635B2 (ja) |
KR (1) | KR101947843B1 (ja) |
TW (1) | TWI548872B (ja) |
WO (1) | WO2012161874A2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8669523B2 (en) * | 2011-05-25 | 2014-03-11 | Kla-Tencor Corporation | Contour-based defect detection using an inspection apparatus |
US9483819B2 (en) | 2013-01-29 | 2016-11-01 | Kla-Tencor Corporation | Contour-based array inspection of patterned defects |
US8946630B2 (en) * | 2013-03-29 | 2015-02-03 | International Business Machines Corporation | Automatic filtering of SEM images |
US8987010B1 (en) * | 2013-08-29 | 2015-03-24 | International Business Machines Corporation | Microprocessor image correction and method for the detection of potential defects |
US10127652B2 (en) | 2014-02-06 | 2018-11-13 | Kla-Tencor Corp. | Defect detection and classification based on attributes determined from a standard reference image |
KR20160087600A (ko) | 2015-01-14 | 2016-07-22 | 한화테크윈 주식회사 | 불량 검사 장치 및 방법 |
US10008364B2 (en) | 2015-02-27 | 2018-06-26 | Kla-Tencor Corporation | Alignment of multi-beam patterning tool |
US9501830B2 (en) * | 2015-03-18 | 2016-11-22 | Intel Corporation | Blob detection in noisy images |
US9996942B2 (en) * | 2015-03-19 | 2018-06-12 | Kla-Tencor Corp. | Sub-pixel alignment of inspection to design |
KR20230170806A (ko) * | 2017-10-02 | 2023-12-19 | 어플라이드 머티리얼즈 이스라엘 리미티드 | 패턴의 임계 치수 변동의 결정 |
US11379972B2 (en) * | 2020-06-03 | 2022-07-05 | Applied Materials Israel Ltd. | Detecting defects in semiconductor specimens using weak labeling |
JP7501272B2 (ja) * | 2020-09-18 | 2024-06-18 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | 検査装置、画像形成装置、及び検査プログラム |
CN117011297B (zh) * | 2023-10-07 | 2024-02-02 | 惠州市凯默金属制品有限公司 | 基于图像处理的铝合金汽配件模具缺陷检测方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5923430A (en) * | 1993-06-17 | 1999-07-13 | Ultrapointe Corporation | Method for characterizing defects on semiconductor wafers |
JP4076644B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2008-04-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | パターン歪検出装置及び検出方法 |
US6999183B2 (en) * | 1998-11-18 | 2006-02-14 | Kla-Tencor Corporation | Detection system for nanometer scale topographic measurements of reflective surfaces |
US6538249B1 (en) * | 1999-07-09 | 2003-03-25 | Hitachi, Ltd. | Image-formation apparatus using charged particle beams under various focus conditions |
JP2003016463A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Toshiba Corp | 図形の輪郭の抽出方法、パターン検査方法、パターン検査装置、プログラムおよびこれを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US7126699B1 (en) * | 2002-10-18 | 2006-10-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for multi-dimensional metrology and/or inspection of a specimen |
US7346883B2 (en) * | 2004-07-09 | 2008-03-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | System and method for integrated data transfer, archiving and purging of semiconductor wafer data |
US7676077B2 (en) * | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
US8331637B2 (en) * | 2006-03-03 | 2012-12-11 | Medic Vision-Brain Technologies Ltd. | System and method of automatic prioritization and analysis of medical images |
JP4943304B2 (ja) | 2006-12-05 | 2012-05-30 | 株式会社 Ngr | パターン検査装置および方法 |
US7904845B2 (en) * | 2006-12-06 | 2011-03-08 | Kla-Tencor Corp. | Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review |
US20080277591A1 (en) * | 2007-05-08 | 2008-11-13 | Orbotech Medical Solutions Ltd. | Directional radiation detector |
KR100877105B1 (ko) | 2007-06-27 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 패턴 검증 방법 |
JP4659004B2 (ja) | 2007-08-10 | 2011-03-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査方法、及び回路パターン検査システム |
TWI469235B (zh) * | 2007-08-20 | 2015-01-11 | Kla Tencor Corp | 決定實際缺陷是潛在系統性缺陷或潛在隨機缺陷之由電腦實施之方法 |
US8355562B2 (en) | 2007-08-23 | 2013-01-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Pattern shape evaluation method |
JP5202071B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2013-06-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子顕微鏡装置及びそれを用いた画像処理方法 |
US9710903B2 (en) * | 2008-06-11 | 2017-07-18 | Kla-Tencor Corp. | System and method for detecting design and process defects on a wafer using process monitoring features |
JP5414215B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2014-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 回路パターン検査装置、および回路パターンの検査方法 |
JP2010145800A (ja) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Elpida Memory Inc | 位相シフトマスクおよびその製造方法、ならびに集積回路の製造方法 |
US8055059B2 (en) * | 2008-12-23 | 2011-11-08 | Hermes Microvision Inc. | Method and system for determining a defect during sample inspection involving charged particle beam imaging |
JP5379571B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2013-12-25 | 株式会社アドバンテスト | パターン検査装置及びパターン検査方法 |
JP5501161B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-05-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 画像処理装置、及びコンピュータプログラム |
US8669523B2 (en) * | 2011-05-25 | 2014-03-11 | Kla-Tencor Corporation | Contour-based defect detection using an inspection apparatus |
-
2012
- 2012-03-02 US US13/410,506 patent/US8669523B2/en active Active
- 2012-04-09 JP JP2014512836A patent/JP6099635B2/ja active Active
- 2012-04-09 KR KR1020137032756A patent/KR101947843B1/ko active IP Right Grant
- 2012-04-09 WO PCT/US2012/032796 patent/WO2012161874A2/en active Application Filing
- 2012-04-16 TW TW101113517A patent/TWI548872B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI548872B (zh) | 2016-09-11 |
KR101947843B1 (ko) | 2019-02-13 |
WO2012161874A2 (en) | 2012-11-29 |
JP2014517523A (ja) | 2014-07-17 |
US8669523B2 (en) | 2014-03-11 |
KR20140033400A (ko) | 2014-03-18 |
WO2012161874A3 (en) | 2013-03-21 |
US20120298862A1 (en) | 2012-11-29 |
TW201300769A (zh) | 2013-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6099635B2 (ja) | 検査装置を用いたコンターベースの欠陥検出 | |
JP6785663B2 (ja) | 検査のための高解像度フルダイイメージデータの使用 | |
US7792351B1 (en) | Defect review using image segmentation | |
JP6188695B2 (ja) | 表面高さ属性を用いて瑕疵を分類する方法および装置 | |
JP6173487B2 (ja) | パターン化された欠陥の輪郭ベースのアレイ検査 | |
US8237119B2 (en) | Scanning type charged particle beam microscope and an image processing method using the same | |
US9171364B2 (en) | Wafer inspection using free-form care areas | |
JP5543872B2 (ja) | パターン検査方法およびパターン検査装置 | |
TWI780309B (zh) | 檢測位於具有非重複特徵的背景中之晶粒重複程式化缺陷 | |
TWI603078B (zh) | 高準確性基於設計之分類 | |
TW201629811A (zh) | 判定用於樣本上之關注區域之座標 | |
US20070165938A1 (en) | Pattern inspection apparatus and method and workpiece tested thereby | |
JPWO2014208202A1 (ja) | パターン形状評価装置及び方法 | |
TWI611162B (zh) | 相對臨界尺寸之量測的方法及裝置 | |
JP2003218181A (ja) | 欠陥撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150326 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161018 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170112 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6099635 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |