JP6017594B2 - 装置の作製方法及びelモジュールの作製方法 - Google Patents
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Description
を含む素子形成層を分離する技術に関するものである。
うる半導体素子、および複数の半導体素子を用いて機能する装置全般を含むものである。
ダイオード、MOS型コンデンサなどが挙げられる。また、半導体装置は、複数の半導体
素子を含む集積回路、複数の集積回路を含んだ装置、または集積回路とその他の要素を含
んだ装置を含むものである。集積回路には、例えば、CPU、ROMやRAMなどのメモ
リ回路などが含まれる。
液晶モジュール用基板、このモジュール基板を用いた液晶モジュールおよび液晶表示装置
、EL(エレクトロルミネッセンス)モジュール用基板、このモジュール基板を用いたE
LモジュールやEL表示装置、液晶モジュールやELモジュールを表示手段として用いた
電子機器、アンテナを備えた無線通信可能なICチップ、このようなICチップを搭載し
た電子タグ、ICカードなどが含まれる。
回路を作製した後、集積回路を製造に使用した基材からプラスチックフィルム基材へと転
写する技術が開発されている。集積回路を他の基材へ転写するには、まず、製造に使用し
た基板から集積回路を分離する工程が必要である。そのため、集積回路を基板から剥離す
る技術が開発されている。
れている。基板上に、非晶質シリコンなどからなる分離層、分離層上に薄膜素子からなる
被剥離層を設け、被剥離層を接着層により転写体に接着させる。レーザー光の照射により
分離層をアブレーションさせることで、分離層に剥離を生じさせている。
許文献2では、基板と酸化物層の間に金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合
が弱いことを利用して、酸化物層と金属層の界面で剥離を生じさせることで、被剥離層と
基板とを分離している。
いる。この現象は剥離帯電とよばれている。剥離が生じた瞬間は2つの層の表面が近接し
ているため、これらの表面の間で電気容量が形成される。剥離が進むと、2つの層の距離
の増大と共に電気容量は低下するが、剥離帯電によって生じた電荷量が変わらないため、
層表面の電位が電気容量に反比例して増大する。剥離された層の表面の電位が高くなると
、層表面に帯電している電荷が層内部に向かって放電を起こす場合がある。
で発生した熱により溶けて破壊される結果、半導体素子が機能しなくなることがある。ま
た半導体素子が外観できる損傷を受けず、動作することができても、高い電位が印加され
た影響で半導体や絶縁体が劣化し、半導体素子が所期の特性を示さなくなることがある。
したがって、静電気による放電が起こると、半導体素子が破壊される、または特性が劣化
した影響で半導体素子を用いた集積回路自体が正常に動かなくなるおそれがある。
の影響で半導体素子などが破壊されることは、静電気放電破壊(以下「ESD破壊」とい
う。)とよばれている。ESD破壊は歩留まりを大幅に下げる原因の1つである。従来、
ESD破壊を回避するための方法として、静電気による放電を発生させないようにする方
法、静電気による放電が発生しても、放電による半導体素子への損傷を抑制する方法があ
る。前者としては、イオナイザを半導体製造装置に設置して、発生した静電気を除電する
方法が知られている。後者の代表例は、半導体素子と共に保護回路を作製する方法であり
、保護回路により、放電で発生した高電位が半導体素子に印加されることを防いでいる。
電位差が大きい場合に発生しやすい。そのため、イオナイザは、放電の経路となる空気に
正イオンおよび負イオンを供給し、放電するほど大きな電位差が物体間に生じないように
することを目的とした装置である。しかし、剥離帯電による放電は、2つの層が分離した
、その一瞬の出来事であるため、イオナイザによる除電が間に合わないこともある。
するので、半導体素子の破壊は避けられる。しかしながら、剥離帯電においては、分離さ
れる2つの層の表面が帯電しているから、放電の経路が必ずしも保護回路を通るとは限ら
ない。そのため、剥離帯電については、保護回路によるESD破壊の防止は十分ではない
。
の範囲、9頁42行乃至48行参照)。基板上に導電膜を形成し、その上に半導体素子な
どを含む積層体を形成している。基板と導電膜の界面で剥離を生じさせて、剥離時に生じ
た電荷を導電膜に拡散させることで、帯電による半導体素子の破壊や特性劣化を回避して
いる。
目的によっては、導電膜が邪魔で、導電膜があることで所期の使用目的を果たせない場合
もある。このような場合は、特許文献3の剥離方法では導電膜を除去する必要がある。
回避することにある。また、特許文献3では、剥離後の半導体素子の下面が導電膜である
構造に限定されるが、本発明では、剥離後の半導体素子側の表面の材料として、抵抗の高
い絶縁材料を選択できるようにすることを別の課題とする。
の層のどちらの内部にも放電させないような手段を有する。より、具体的には、本発明に
係る半導体装置の作製方法は、半導体素子を含む素子形成層を基板から分離することによ
って現れる面を液体で濡らすことを特徴の1つとする。
、力を加えることによって剥離が容易に生ずるように、剥離層を設けることが好ましい。
本発明に係る半導体装置の他の作製方法は、基板上に剥離層を形成し、剥離層上に半導体
素子を含む素子形成層を形成し、力を加えることにより、剥離層と素子形成層の界面で剥
離を生じさせ、剥離によって現れる面を液体で濡らしながら、または湿らしながら、素子
形成層を基板から分離することを特徴の1つとする。
や、剥離層の内部であってもよい。
る面に液体を供給すればよい。液体の供給方法の1つは、液体を滴下するまたは注ぐ方法
である。他の方法の1つに、液体を霧状にして、または蒸気にして吹き付ける方法がある
。他の方法の1つに、液体に浸しながら、素子形成層を基板から分離する方法がある。他
の方法の1つに、液体を含んだスポンジや布のような液体保持手段を剥離によって生じた
隙間に置き、素子形成層を分離しながら液体保持手段から液体を放出させる方法がある。
を変質させない液体、または、これら材料と反応して生成物を生じない液体が好ましい。
それは、反応生成物が半導体装置を汚染するおそれがあること、また反応生成物を洗浄す
る工程が必要になるからである。液体には、素子形成層、剥離層および基板に対してエッ
チャントとして機能しない液体を選択することが好ましい。
、液体には、純水よりも比抵抗が低い水溶液を用いることができる。つまり、水を媒質に
物質が溶けた水溶液を用いることができる。水溶液の性質は酸性、アルカリ性、中性のい
ずれでもよい。例えば、酸や塩基が溶けている水溶液、塩(酸性塩、アルカリ性塩、正塩
のいずでもよい。)が溶けている水溶液などを用いることができる。
質には、例えば、二酸化炭素や塩化水素がある。また、物質が塩の場合、界面活性剤とし
て機能する塩が好ましい。界面活性剤を水に溶かすことにより、面を濡らしやすくできる
からである。
であり、水を少なくとも0.1%含むことが望ましい。揮発性の液体に、エタノールやア
セトンなどの有機溶剤を用いることができる。
の層を積層した構造体を、基板から分離する工程を含む構造物の作製方法に適用できる。
すなわち、本発明は、1つまたは複数の層を含む構造層を基板から分離する構造物の作製
方法に係り、構造層を基板から分離することによって現れる面を液体で濡らすことを特徴
とする。構造体を作製するときも、本発明に係る半導体装置と同様、剥離層を基板と構造
層の間に設けることが好ましい。
、瞬間的に電流が流れる現象である。剥離によって現れる面を濡らすまたは湿らすことで
、当該面の電気抵抗を下げることができる。電気抵抗が下がる結果、剥離帯電で生じた電
荷が濡れた面に拡散するので、剥離によって現れた面の電位が放電を生ずるほど高くなる
ことを回避することができる。すなわち、本発明により、剥離帯電による放電をなくすこ
とができる。
含んだ半導体装置の製造方法において、歩留まりを向上させることができる。また、ES
D破壊による半導体素子の特性劣化がなくすことができるため、本発明は、半導体装置の
信頼性を向上させることができる。
ちらにも放電させないようすることができるので、素子形成層の下面が絶縁材料であって
も、素子形成層に含まれる半導体素子が剥離帯電で生じた静電気により破壊されること、
および半導体素子の特性が劣化することを回避することができる。
同じ符号を付して、重複する説明を省略する。また、本発明は多くの異なる態様で実施す
ることが可能であり、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および
詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。したがって、本発明は
、本実施の形態および実施例の記載内容に限定して解釈されるものではない。
電荷が拡散する経路がなければ電荷は発生した箇所にとどまる。この状態で剥離が進行し
、発生した電荷による電位が大きくなれば、電気が通りやすい経路、例えば素子形成層内
部に向かって放電が起こる。
ない手段を有することを特徴とする。具体的には、基板から素子形成層を分離するときに
、分離された2つの層(層の一方が、基板の場合もある。)の間に液体を供給して、素子
形成層を分離することにより現れる面を濡らす、または湿らすようにする。図1〜図7を
用いて本発明の半導体装置の作製方法を説明する。
から容易に分離できるように、基板10上に剥離層12を形成し、剥離層12上に素子形
成層11を形成する。
ランジスタ、ダイオード、抵抗、容量素子等で集積回路が素子形成層11内に形成される
。素子形成層11は半導体装置の構成要素の1つである。
モリブデン(Mo)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ニッケル(
Ni)、コバルト(Co)、ジルコニウム(Zr)、亜鉛(Zn)、ルテニウム(Ru)
、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)、オスミウム(Os)またはイリジウム(Ir
)等である。合金は、タングステンとモリブデンの合金のようなこれら金属元素から選ば
れた複数の金属元素の合金である。これら金属膜や合金膜はスパッタリング法で形成する
ことができる。また、剥離層12となる金属膜または合金膜の厚さは20nm以上100
nm以下の範囲とすればよい。
して形成した金属膜または合金膜の表面を酸化させる。酸化させる方法には、熱酸化する
方法、酸素またはN2Oプラズマで表面を処理する方法、オゾン水等の酸化力の強い溶液
で表面を処理する方法などがある。また別の方法としては、素子形成層11を形成したと
き、素子形成層11と剥離層12の界面に酸化物が形成されるようにする方法がある。例
えば、スパッタ法でシリコン酸化物を成膜すると、金属膜または合金膜表面にシリコン酸
化物が堆積するとき、その表面を酸化することができる。なお、金属膜または合金膜を酸
化する代わりに、プラズマ処理や熱処理によって窒化してもよい。
層12の界面で剥離が生じないように、シリコン酸化物、シリコン酸化窒化物のような無
機材料からなる絶縁膜と金属膜(または合金膜)の多層膜とすることもできる。
体であることが好ましい。基板10は、例えば、ガラス基板、石英基板、金属基板、ステ
ンレス基板、表面に絶縁層を形成したシリコンウエハ等である。
定する。支持基材13は、基板10から分離された後、素子形成層11のハンドリングを
容易にするための部材である。また、素子形成層11を基板10から分離するとき、素子
形成層11を変形させる作業を容易にするための部材でもある。
持基材13には、素子形成層11を損傷させずに分離できる基材を用いる。また、素子形
成層11を変形できるように支持基材13は可撓性であることが望ましい。そのため、支
持基材13には、弱い力で剥離できる剥離フィルムを用いればよい。
リレート、ポリエーテルスルフォン等からなるプラスチック基板等が挙げられる。また、
可撓性フィルム(ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニ
ルなどからなる)を支持基材13とし、図2の構成において、エポキシ樹脂などの接着剤
により素子形成層11に接着する。
せるため、この界面に機械的な外力(いわゆる古典力学の法則に従う力)を与える。例え
ば、図3に示すように、支持基材13を撓めることで素子形成層11を変形させて、素子
形成層11と剥離層12の界面の端部で剥離を生じさせることができる。なお、基板10
が剛体のため剥離層12を撓めることが困難であるため、素子形成層11を変形させたが
、剥離層12を変形させることが容易であれば、剥離層12を変形してもよいし、素子形
成層11、剥離層12双方を変形してもよい。
きるし、ピンセットのような把持具で支持基材13をつまむことでも可能である。また、
後述するようにローラなどに支持基材13を絡め取ることでも、素子形成層11を変形す
ることができる。
よって生じた隙間に液体15を供給し、剥離によって現れた素子形成層11の下面と剥離
層12の上面を濡らす。なお、基板10を下に支持基材13を上にしたとき、下面とは層
の基板10側の面をいい、上面とは層の支持基材13側の面を指す。
次現れる素子形成層11の下面および剥離層12の上面が液体15で濡れるように、剥離
の先端部分(図4の鎖線で囲んだ部分17)に液体15を供給する。
非常に高いが、素子形成層11や剥離層12に接触することにより純水に不純物が混ざり
、電気抵抗が下がる。よって、剥離によって現れた素子形成層11の下面や剥離層12の
上面を純水で濡らすことにより、素子形成層11の下面や剥離層12の上面に剥離によっ
て生じた電荷を拡散することができる。したがって、素子形成層11や剥離層12の表面
が抵抗の高い材料で形成されていても、素子形成層11および剥離層12の内部に向かっ
て放電することが回避される。
生ずると同時に、剥離によって現れた面を液体で濡らし、その面の電気抵抗を下げている
。よって、本発明では、剥離が生じた瞬間に剥離帯電による電荷を拡散させることができ
るため、静電気による放電をなくすことができる。
、水を溶媒とし、その溶媒に溶質となる物質が溶けた水溶液を用いることができる。水溶
液の性質は酸性、アルカリ性、中性のいずれでもよい。例えば、酸や塩基が溶けている水
溶液、塩(塩は、酸性塩、アルカリ性塩、正塩のいずれでもよい。)が溶けている水溶液
などを用いることができる。液体15に用いることができる水溶液としては、具体的には
、二酸化炭素(CO2)の水溶液、塩化水素(HCl)の水溶液(塩酸)、水酸化テトラ
メチルアンモニウムの水溶液、塩化アンモニウム(NH4Cl)の水溶液などが挙げられ
る。
で気体となる分子が水に溶けた水溶液が好ましい。それは、液体15を乾燥したとき、水
と共に溶けた分子が気体となり、残らないためである。また、塩を溶かした水溶液を用い
る場合、界面活性剤として機能する塩が好ましい。界面活性剤を溶かすことで、液体15
で濡らしやすくできる。
の液体を含ませることにより乾燥処理が省略できる。揮発性の液体に少なくとも0.1%
程度水が含まれていれば、液体15により電荷を拡散させること、すなわち帯電防止の効
果を得ることができる。市販の高純度のエタノールやアセトンなどの有機溶剤には0.1
%以上の濃度で水を不純物として含んでいる製品もあるため、このような市販の有機溶剤
は、濃度調節せずに、本発明の水と揮発性の液体の混合溶液として用いることが可能であ
る。また、揮発性の液体の長所を生かすため、揮発性の液体の濃度は30%以上が好まし
い。よって、有機溶剤として普及している変性エタノールのような純度の低い有機溶剤も
、濃度調節せずに、本発明の水と揮発性の液体の混合溶液として用いることができる。
ら、剥離層12と共に基板10が分離される。図6に示すように、素子形成層11の下面
に、接着剤により第1の可撓性基板18を固定する。次に、素子形成層11の上面から支
持基材13を剥離する。支持基材13を剥離するときに、剥離帯電により素子形成層11
が破壊するおそれがある場合は、素子形成層11と剥離層12の間に液体15を供給する
のと同様に、素子形成層11と支持基材13の間に液体15を供給するとよい。
の可撓性基板19は必要に応じて設ければよい。以上の作製方法により、図7に示す素子
形成層11を有する可撓性の半導体装置を形成することができる。
ある。これらの可撓性基板18、19は、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、
ポリエーテルスルフォン等からなるプラスチック基板を用いることができる。また、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、
塩化ビニルなどの有機化合物からなるフィルムを用いることができる。
熱や、可視光や紫外光などを照射することで粘着性を発現し、冷却後は硬化して物体を接
着する接着剤を用いる。例えば、熱可塑性樹脂、光重合性樹脂などの樹脂を接着剤に用い
ることができる。
に液体15を逐次供給する。別言すると剥離によって逐次現れる面に液体を供給すればよ
い。液体の供給方法の1つは、ノズルやスポイトなどの注入手段により、剥離によって生
じた隙間に液体15を滴下する方法、または注ぐ方法がある。この場合、液体15の供給
は剥離の開始から終了まで常時行ってもよいし、間欠的に行ってもよい。また、図3に示
すような剥離の初期の段階のみ液体15を注ぐ、または滴下しておいて、剥離が進行する
にしたがって、供給した液体15を毛細管現象により、剥離の先端部分(図4の鎖線で囲
んだ部分17)にまで行き渡らせることができる。
を霧状にして吹き付ける方法もある。この方法でも、液体15の噴霧は、剥離が進行して
いる間、常時行ってもよいし、間欠的に行ってもよいし、剥離の初期段階のみ行ってもよ
い。なお、液体15として純水を用いる場合は、水蒸気にして吹き付けることができる。
えることにより液体を放出できるような液体保持媒体を用いる方法がある。
を浸しながら、素子形成層11を基板10から分離する方法もある。この場合、剥離が進
行する箇所が液体15に浸るようにすることで、剥離の先端部分(図4の鎖線で囲んだ部
分17)に液体15を行き渡らせることができる。
体15を供給する方法を説明する。なお、他の供給方法については、下記実施例において
詳述する。
形成層11上に支持基材13を固定する。図3に示すように支持基材13を撓めることに
より、素子形成層11と剥離層12の界面に剥離を生じさせる。
21を挿入する。なお、液体保持手段21を隙間に挿入した後、スポイトやノズルなどに
より液体15を供給して、液体保持手段21に液体15を含ませてもよい。液体保持手段
21には、スポンジや布など、液体を吸い取る機能を持つものを用いることができる。
向の基板10の一辺の長さよりも長くし、液体保持手段21の端部が基板10上に載らな
いようにするのが望ましい。
、剥離を進行させる。機械的な力を与える方法の例として、ローラ22を用いて素子形成
層11を巻き取る方法を説明する。図9に示すように、ローラ22を支持基材13上から
転がして、素子形成層11を支持基材13ごと巻き取ることで、基板10から素子形成層
11を分離することができる。
段21に含まれた液体15が押し出され、これから剥がれる部分が液体15に接触する。
すなわち、ローラ22の回転にしたがって現れる剥離層12の上面および素子形成層11
の下面を液体15で逐次濡らすことができる。したがって、剥離が生じた瞬間に、液体1
5により剥離で発生した電荷を拡散させ、帯電を防止することができる。
たが、本発明はこの例に限定されるものではない。剥離層は、機械的な力を加えることで
、素子形成層を剥離できるような材料であればよい。
合を例に説明したが、剥離が生じる部分はこれに限定されない。例えば、基板10上に剥
離層12として、シランガスを原料にプラズマCVD法により、水素を含んだ非晶質シリ
コン膜を形成する。基板10側からエキシマレーザなどの紫外光域のレーザーを照射し、
非晶質シリコン膜から水素を放出させる。これにより、非晶質シリコン膜と基板10との
密着性が減少する、または、非晶質シリコン膜自体が脆弱になるため、剥離層12と基板
10の界面または剥離層12の内部で剥離を生じさせることができる。
で剥離を生じさせることもできる。例えば、剥離層12として、タングステン膜をスパッ
タ法で形成し、タングステン膜上にスパッタ法で二酸化シリコン膜を形成する。二酸化シ
リコン膜を堆積させたとき、タングステン膜と二酸化シリコン膜の界面にタングステンの
酸化物が生成される。そのため、タングステン膜と二酸化シリコン膜の界面の接合が弱い
ため、剥離層12に力を与えることで、タングステン膜と二酸化シリコン膜の間で剥離を
生じさせることができる。
法を説明する。本実施例では、素子形成層には、13.56MHzの信号で無線通信を行
い、ICタグとして機能する集積回路を形成した。以下、図10〜図20、および図25
〜図28を用いて、本実施例を説明する。
路を形成した。以下、図25〜図28を用いて、剥離層101および素子形成層102の
作製方法を説明する。
ンチ角に切断した基板を用いた。図25に示すように、剥離層101は、酸化窒化シリコ
ン(SiOxNy、x<y)層101aとタングステン層101bの多層構造とした。酸
化窒化シリコン層101aは、平行平板型プラズマCVD装置により、原料ガスにSiH
4、N2Oを用いて、200nmの厚さに形成した。タングステン層101bは、スパッ
タリング装置でタングステンターゲットを用いて、厚さ50nm形成した。N2Oのプラ
ズマを発生させて、タングステン層101bの表面をプラズマ処理し、表面を酸化させて
、タングステン酸化物を形成した。このプラズマ処理により、剥離層101と素子形成層
102の界面であるタングステン酸化物で剥離が生じるようになる。また、剥離層101
の下層の酸化窒化シリコン層101aは、タングステン層101bをスパッタ法で形成し
ているとき、基板100(例えば、ガラス基板)から不純物が拡散しないようにするため
のバリア層である。バリア層には、酸化シリコンや窒化シリコンなど他の無機材料からな
る絶縁膜を用いることができる。
下地絶縁層となる絶縁膜103を形成した。絶縁膜103は酸化窒化シリコン(SiOx
Ny、x<y)層103aと酸化窒化シリコン(SiOxNy、x>y)層103bの積
層構造とした。1層目の酸化窒化シリコン層103aは、平行平板型プラズマCVD装置
で、原料ガスにSiH4、N2O、NH3、H2を用いて成膜した。2層目の酸化窒化シ
リコン層103bは、平行平板型のプラズマCVD装置によりSiH4、N2Oを原料ガ
スに用いて成膜した。
積回路を形成した。図27では、集積回路の断面図として、nチャネル型TFT104と
pチャネル型TFT105からなるCMOS回路のみを図示した。なお、1枚の基板10
0上には、行列的に配列された48個(8行×6列)の集積回路を同時に形成した。
形成した。まず、アンテナ106を形成する前に、集積回路(TFT104、105)を
覆って絶縁膜107を形成した。本実施例では、絶縁膜107を感光性ポリイミドで形成
し、絶縁膜107にアンテナ106を接続するための開口部を形成する。
を形成した。なお、同一の基板100上に形成された48個の集積回路のうち、半分には
アンテナ106を設けて、集積回路とアンテナとの積層体を形成した。また、残りの半分
はアンテナ106の代わりに、外付けのアンテナを接続するためのバンプを銀ペーストで
形成した。なお、アルミニウムなどの導電膜をスパッタ法で成膜し、エッチング法により
所望の形状に加工することで、アンテナ106やバンプを形成することができる。
。樹脂層108には、厚さ30μmのエポキシ樹脂層を形成した。以上により、基板10
0上に、剥離層101および素子形成層102からなる構造物が形成される。
2を基板100から分離したときに、集積回路を1つずつに分割できるように、図11に
示すように、素子形成層102に予め溝110を形成する。溝110は素子形成層102
中の各集積回路の周囲を囲むように形成される。本実施例では、波長266nm、出力2
WのUVレーザー光を照射することにより、溝110を形成した。
102と剥離層101との界面で若干剥離が生じ、溝110に沿って素子形成層102が
浮いた状態になった。
、厚さ100μmのポリエチレンテレフタレートからなるフィルムであり、フィルムの一
方の表面に厚さ50ミクロンの熱硬化性の樹脂層が設けられている。熱硬化の樹脂層は、
熱で硬化する前は粘着層として機能し、その表面はセパレートフィルム112で保護され
ている。加熱剥離フィルム111を、熱硬化性の樹脂層により素子形成層102に固定す
るために、図12に示すように、セパレートフィルム112の一部を除去した。そのため
セパレートフィルム112にUVレーザー光を照射して、素子形成層102に形成した溝
110と同様の切れ目を入れて、切れ目の内側のセパレートフィルム112を剥離した。
一対のローラ114を備えた市販のラミネート装置を用いて、素子形成層102に加熱剥
離フィルム111を貼り付けた。素子形成層102の最終的に半導体装置を構成する部分
(剥離の対象となる部分)は、熱硬化性の樹脂層(粘着層)により加熱剥離フィルム11
1が粘着される。一方、半導体装置を構成しない部分(剥離対象とはならない部分)は、
セパレートフィルム112が残っているため、加熱剥離フィルム111が粘着しない。
き上がった状態になっている。素子形成層102と剥離層101の間に液体を滴下する隙
間がせまい場合は隙間を広げる。本実施例では、素子形成層102の剥離した下面に、プ
ラスチック製のピンセットを挿入し、図14に示すように剥離層101上面と素子形成層
102の下面の間に隙間115を生じさせた。
する。本実施例ではスポイト117で液体116を滴下した。液体116は隙間115に
行き渡る充分な量を注入した。以降の工程では、液体116の供給は行っていない。
塩化水素を溶かした純水(以下、「HCl水」という)、およびエタノールを用いた。な
お、CO2水には比抵抗0.2MΩ・cmの水溶液を用いた。HCl水には、塩化水素濃
度が180ppmの水溶液を用いた。エタノールは濃度99.5%、水の濃度が0.5%
の市販のエタノールを濃度調節せず、そのまま用いた。
、素子形成層102を加熱剥離フィルム111ごとローラ118に絡め取り、素子形成層
102を基板100から分離した。ローラ118を回転することで逐次素子形成層102
が剥離層101から剥がれ、図15の状態で供給された液体116は毛細管現象により、
素子形成層102がこれから剥がれる部分119(剥離の先端部分)に移動する。したが
って、剥離によって現れる素子形成層102の上面と剥離層101の下面を剥離が生じた
瞬間に液体116によって濡らすことができた。
形成層102を剥がした。図18に示すように、基板100から分離された、加熱剥離フ
ィルム111がついた素子形成層102を得ることができる。液体116に純水やCO2
水、およびHCl水を用いた場合は、エアブロー装置により、加熱剥離フィルム111お
よび素子形成層102を乾燥した。
と加熱剥離フィルム111の間に液体116を供給してもよい。本実施例の場合は、液体
116を注入しなくとも、素子形成層102を破壊せずに、ローラ118から素子形成層
102を剥離できることが確認されている。素子形成層102が破壊されなかったのは、
素子形成層102において、集積回路と加熱剥離フィルム111の間に30μmの厚さの
エポキシ樹脂からなる絶縁膜107があることが理由の1つと考えられる。
で観察し、放電による電力破壊(放電によって生じた熱により、半導体層、絶縁膜、導電
膜などが溶ける破壊)が生じているかを確認した。光学顕微鏡の観察の目的は、視認でき
る破壊が半導体素子に生じていないかを確認することである。本実施例では、1つの基板
100上に形成された48個の集積回路全てを光学顕微鏡で観察した。
果、いずれの液体116でも、集積回路に電力破壊は生じていなかった。一方、液体11
6の供給を行わずに、素子形成層102を基板100から分離した場合は、電力破壊が生
じている集積回路があった。
ンプル)と、液体116の供給を行わなかった基板(サンプル)の観察結果を示す。液体
116には、純水、CO2水、HCl水を用いた。表1に示すように、液体116を供給
しなかった場合は、30%以上の集積回路において、断線や膜の溶融などの外観できる破
壊が観察された。また、破壊が生じた集積回路の基板上の分布(基板で形成される位置)
に規則性が無かった。そのため、液体を供給しない基板については、抜き取り検査では不
良品を見落とすおそれがある。といって、全数検査を行うのは、コスト面やタクトタイム
の点から負担が大きい。本発明を実施することにより、剥離放電による電力破壊をなくす
ことができるため、検査の負担を軽減することができる。
121を接着する。加熱剥離フィルム111を加熱して樹脂層を硬化させることで樹脂層
の粘着性を失わせた後、素子形成層102の上面から加熱剥離フィルム111を剥離する
。ラミネートフィルム121共に素子形成層102を集積回路ごとに分割する。分割され
た素子形成層102の上面に別のラミネートフィルム122を接着する。加圧しながら加
熱することで、図19に示すように、2つのラミネートフィルム121、122で封止さ
れた素子形成層102を有する半導体装置が作製される。
ラミネートフィルム122の代わりに、図20に示すようにアンテナが形成されたフィル
ム123を固定し、半導体装置を作製した。フィルム123と素子形成層102の接着に
は異方性導電性接着剤を用い、集積回路のバンプとフィルム123上のアンテナの端子が
電気的に接続されるようにする。
として用いることができる。なお、本発明に係る半導体装置は、インレットのような中間
製品だけでなく、図19および図20に示すようなインレットをプラスチックカードに内
蔵した、シールラベルに付けた、または紙に抄き込んだICカード、IDラベルおよびI
Cタグなどの最終製品も含むものである。
入力し所定の動作をするかを検査した。光学顕微鏡で観察した全ての半導体装置(光学顕
微鏡で観察対象となった集積回路を含む半導体装置)が動作することが確認された。表1
の光学顕微鏡観察の結果もふまえると、液体を供給しながら素子形成層を基板から分離す
ることにより、剥離によって生じた静電気が放電することを防止することができたと考え
られる。すなわち、本発明の実施により、剥離で生じた電荷により、半導体装置に含まれ
る半導体素子が破壊されること、および特性が劣化することを防止することができること
が分かった。
の酸化物や酸化窒化シリコンからなり、抵抗が高い材料であるが、本実施例を適用するこ
とにより、集積回路が剥離放電によって破壊されることを防ぐことができる。したがって
、本発明を適用することで、素子形成層102の下面を形成する材料は導電性材料に限定
されず、絶縁材料で形成することができる。以上の通り、本発明により、剥離によって生
じた電荷が、分離された2つの層の内部のどちらにも放電させないようすることができる
ので、素子形成層の下面が絶縁材料であっても、素子形成層に含まれる半導体素子が剥離
で生じた静電気による破壊、および半導体素子の特性の劣化を防止することができる。
子形成層102を曲げることで、素子形成層102に外力が加わった結果、割れたり、ひ
びが入ったりする場合がある。本発明のように液体を供給しながら、素子形成層102を
基板100から分離することで、素子形成層102を変形したことによる破壊(ひびや割
れ)がほとんど発生しないことが分かっている。
した結果を示す。表2には、液体116にCO2水を用いた基板(サンプル)と、液体1
16を供給していない基板(サンプル)の光学顕微鏡による観察結果を示す。液体を供給
しないで剥離された素子形成層では、半数程度に割れやひびが発生しているが、CO2水
を注入することで、割れやひびの発生を4%程度に低減できることが分かる。
電気による半導体素子の破壊や特性劣化を防止できると共に、変形による素子形成層の破
壊(割れやひび)の発生を抑えることもできる。
では、液体116を霧状にして噴射する方法を説明し、実施例1と共通な部分は説明を省
略する。
子形成層102の剥離した下面に、プラスチック製のピンセットを挿入し、図14に示す
ように剥離層101上面と素子形成層102の下面の間に隙間115を生じさせた。本実
施例では、この工程は不要である。
剥離フィルム111と共に素子形成層102を剥離層101から剥離する。ローラ118
を転がすときに、図21に示すようにローラ118を転がす側から、素子形成層102と
剥離層101の隙間に向かって、噴霧手段130から液体116を霧状にして吹き付けた
。ローラ118を回転することで剥離が生ずる部分が濡れるように、液体116を噴霧す
る。
、噴霧手段130から液体116を噴霧する。ローラ118により、加熱剥離フィルム1
11と共に素子形成層102が基板100から分離される。次に、加熱剥離フィルム11
1と素子形成層102の積層体をローラ118から剥がし、図18に示すように、加熱剥
離フィルム111に固定され、半導体装置ごとに分割された素子形成層102を得る。
までの工程を行った。液体の供給方法が違うことを除いて、他は、実施例1と同じ手段を
用いて同じ工程を行った。なお、本実施例では、霧吹きでCO2水を吹き付けた。
して放電による電力破壊あるかを検査した。光学顕微鏡観察は、同じ基板100を用いて
形成された全ての集積回路について行った。本実施例でも、電力破壊している集積回路は
無かった。
体装置を作製し、無線で信号を入力し半導体装置が所定の動作をするかを検査した。全て
の半導体装置が動作することが確認された。よって、本実施例の方法も、実施例1同様、
液体を供給しながら素子形成層を基板から分離することにより、剥離によって生じた静電
気が放電することを防止することが確認された。
115を広げる工程が不要であるため、実施例1の方法よりも剥離工程の自動化が容易で
ある。
する。実施例1と共通な部分は説明を省略する。本実施例では、液体116に浸しながら
、素子形成層102を基板から分離することで、液体を供給する方法を説明する。
うに、液体116を入れた容器140を用意する。容器140内で、基板100、剥離層
101および素子形成層102を液体116に浸す。加熱剥離フィルム111が液体11
6の水面側になるように、容器140中に基板100を置く。
して、加熱剥離フィルム111と共に素子形成層102を剥離層101から剥離する。液
体116中で、素子形成層102から剥離層101が剥離されるため、剥離が生じる面を
常時液体116に浸すことができる。加熱剥離フィルム111が液体116に浸らないよ
うに、容器140の液体116の量を調節することが好ましい。これは、加熱剥離フィル
ム111が液体116に触れていると、ローラ118に加熱剥離フィルム111が貼り付
きにくくなるからである。
図18に示すように、加熱剥離フィルム111に固定され、分割された素子形成層102
を得る。
までの工程を行った。液体の供給方法が違うことを除いて、他は、実施例1と同じ手段を
用いて同じ工程を行った。
して、放電による電力破壊の有無を確認した。光学顕微鏡観察は、1つの基板100上に
形成した全ての集積回路に対して行った。本実施例でも、電力破壊している集積回路は無
かった。
体装置を作製し、無線で信号を入力し半導体装置が動作するかを検査した。全ての半導体
装置が動作することが確認された。よって、本実施例の方法も、実施例1同様、液体を供
給しながら素子形成層を基板から分離することにより、剥離によって生じた静電気が放電
することを防止できることが確認された。
深さが基板100の厚みとほぼ同じ高さなるようにするのが望ましかった。液体116が
深いと加熱剥離フィルム111の上面が濡れて、ローラ118に加熱剥離フィルム111
が貼り付かなくなるおそれがある。逆に液体116が極端に浅いと、剥離層101と素子
形成層102の隙間に液体116が浸入しないおそれがあるからである。図23の状態で
、基板100を容器140に置いたときに、液体116が剥離層101と素子形成層10
2の隙間に浸入する様子は目視で確認できる。液体116が浸入しているかを確認するこ
とで、液体116の量を調節する。
することで、剥離で生じた静電気による半導体素子の破壊や特性劣化を防止できる。さら
に、機械的な外力が加わることで生ずる割れやひびのような破壊が、素子形成層で発生す
ることを低減することもできる。
の構成例を説明する。
ベル台紙160(セパレート紙)上に複数のIDラベル161が形成されている。各ID
ラベル161は、無線通信が可能なアンテナと集積回路を有するインレット162を内包
している。IDラベル161は、ボックス163に収納されている。IDラベル161に
は、その商品や役務に関する情報(商品名、ブランド、商標、商標権者、販売者、製造者
等)が記されている。一方、内蔵されているインレット162の集積回路には、その商品
(または商品の種類)固有のIDナンバーが記憶されている。インレット162の集積回
路には、IDラベル161の表面にラベルに明記しきれない多大な情報、例えば、商品の
産地、販売地、品質、原材料、効能、用途、数量、形状、価格、生産方法、使用方法、生
産時期、使用時期、賞味期限、取扱説明、商品に関する知的財産情報等が記憶されている
。
ラスチックのタグにインレット162を内蔵している。無線通信可能なIDタグ165を
商品に備え付けることにより、商品管理が容易になる。例えば、商品が盗難された場合に
、商品の経路を辿ることによって、その犯人を迅速に把握することができる。このように
、IDタグを備えることにより、いわゆるトレーサビリティに優れた商品を流通させるこ
とができる。
のプラスチックカードの間にインレット162(図示されていない)が挟まれて構成され
ている。このようなIDカード166としては、キャッシュカード、クレジットカード、
プリペイドカード、電子乗車券、電子マネー、テレフォンカード、会員カード等のあらゆ
るカード類が含まれる。
無記名債券167として構成した例を示す。無記名債券167には、インレット162が
埋め込まれている。無記名債券167には、切手、切符や入場券などのチケット、商品券
、図書券、文具券、ビール券、おこめ券、各種ギフト券、各種サービス券等が含まれるが
、もちろんこれらに限定されるものではない。
液晶モジュールの構成例を説明する。図30(A)は、液晶モジュールの正面図であり、
図30(B)は図30(A)中のA−A’で切断した断面図である。
203は走査線駆動回路である。第1の可撓性基板200上に、薄膜トランジスタなどか
らなる画素部202、信号線駆動回路201、および走査線駆動回路203が素子形成層
190に形成されている。素子形成層190を第1の可撓性基板200に接着剤により固
定することで、液晶モジュール用基板が構成されている。液晶モジュール用基板は、上述
した実施の形態、実施例1〜4で説明した方法で作製される。
190において、半導体素子は絶縁膜からなる下地膜209上に形成される。信号線駆動
回路201はnチャネル型薄膜トランジスタ211とpチャネル型薄膜トランジスタ21
2とを組み合わせたCMOS回路を有する。画素部202にはスイッチング用薄膜トラン
ジスタ213と容量素子214を有する。スイッチング用薄膜トランジスタ213は層間
絶縁膜221によって覆われている。層間絶縁膜221上には画素電極222が形成され
ている。画素電極222は、スイッチング用薄膜トランジスタ213に電気的に接続され
ている。
ンジスタ211およびpチャネル型薄膜トランジスタ212の配線を覆うように保護膜2
23が形成されている。保護膜223により、薄膜トランジスタの活性層や層間絶縁膜2
21等への不純物の侵入を防止することができる。保護膜223上に配向膜224が形成
されている。なお、配向膜224は必要に応じて形成される。
に入力される信号などを伝送するための配線であり、外部入力端子となるFPC(フレキ
シブルプリントサーキット)208が接続される。なお、本発明の液晶モジュールには、
FPC208のみを取り付けた形態と、FPC208およびPWB(プリント配線基板)
双方を取り付けた形態、双方を含む。
晶モジュール用基板と、第2の可撓性基板230を基材とする対向基板と、シール材20
5と、液晶240と、FPC(フレキシブルプリントサーキット)208とを有し、撓め
ることが可能である。
クス(BM)232、対向電極233、配向膜234が形成されている。カラーフィルタ
231は第1の可撓性基板200側に設けることもできる。また、対向電極233を第1
の可撓性基板200の素子形成層190に設けて、IPS方式の液晶モジュールを構成す
ることができる。
定され、第1の可撓性基板200と第2の可撓性基板230の間に、シール材205によ
って、液晶240が封入されている。
する例を示したが、画素部202のみを素子形成層190に形成し、信号線駆動回路20
1、走査線駆動回路203は、シリコンウエハを用いたICチップで構成し、COG法や
TAB法により、第1の可撓性基板200上の画素部202と電気的に接続する構成とす
ることもできる。
ELモジュールの構成例を説明する。図31(A)は、ELモジュールの正面図であり、
図31(B)は図31(A)中のA−A’で切断した断面図である。
ンジスタおよび発光素子を第1の可撓性基板301と第2の可撓性基板306との間に形
成したシール材305によって封止された構成である。
04とを含む素子形成層300が接着剤により固定され、ELモジュール用基板が構成さ
れる。ELモジュール用基板は、上述した実施の形態、実施例1〜4で説明した方法で作
製される。
とでELモジュールが構成される。本実施例のELモジュールは、ELモジュール用基板
とシール材305と第2の可撓性基板306で密閉された空間には充填材307が充填さ
れている。充填材307としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化
樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニレンアセ
テートを用いることができる。
走査線駆動回路304とは薄膜トランジスタを複数有する、図31(B)では信号線駆動
回路303に含まれる薄膜トランジスタ308と、画素部302に含まれる薄膜トランジ
スタ310のみ図示されている。画素部302は発光素子311を有し、発光素子311
は、薄膜トランジスタ310と電気的に接続されている。
配線である。引き回し配線314は、引き回し配線315b、引き回し配線315aを介
して2層構造の接続端子316と接続されている。接続端子316はフレキシブルプリン
トサーキット(FPC)318が有する端子と異方性導電膜319を介して電気的に接続
されている。
ルを表示部に具備した電子機器を含むものである。以下、液晶モジュールとELモジュー
ルをまとめて「表示モジュール」とよぶ。このような電子機器として、コンピュータ用の
モニタ、テレビジョン装置(単にテレビ、またはテレビジョン受信機ともよぶ)、デジタ
ルカメラ、デジタルビデオカメラ等のカメラ、携帯電話装置(単に携帯電話機、携帯電話
ともよぶ)およびPDA(Personal Digital Assistant)等
の携帯情報端末、ノート型コンピュータ、カーオーディオ、ナビゲーションシステム、デ
ジタル音楽プレーヤ、携帯型DVD再生装置、携帯型ゲーム機、業務用ゲーム機等が挙げ
られる。その具体例について、図32を参照して説明する。
には、画素部のみが素子形成層内に形成されて、走査線側駆動回路および信号線側駆動回
路は基板に実装されている構造、画素部と走査線側駆動回路を素子形成層内形成し、信号
線側駆動回路は別途ドライバICとして基板に実装されている構造、または、画素部と信
号線側駆動回路と走査線側駆動回路が素子形成層内に形成する構造などがある。本発明の
表示モジュールはいずれの構造も採用できる。なお、走査線側駆動回路および、信号線駆
動回路を基板に実装するには、TAB方式、COG方式などの実装方式を用いる。
ューナで受信した信号のうち、映像信号を増幅する映像信号増幅回路と、そこから出力さ
れる信号を赤、緑、青の各色に対応した色信号に変換する映像信号処理回路と、その映像
信号をドライバICの入力仕様に変換するためのコントロール回路などを有する。コント
ロール回路は、走査線側と信号線側にそれぞれ信号が出力する。デジタル駆動する場合に
は、信号線側に信号分割回路を設け、入力デジタル信号を複数に分割して供給する構成と
することもできる。
声信号処理回路を経てスピーカーに供給される。制御回路は受信局(受信周波数)や音量
の制御情報を入力部から受け、チューナや音声信号処理回路に信号を送出する。
み見込まれている。表示モジュールにより主画面403が形成され、その他付属設備とし
てスピーカー部409、操作スイッチなどが備えられている。このように、テレビジョン
装置を完成させることができる。
信機405により一般のテレビ放送の受信をはじめ、モデム404を介して有線または無
線による通信ネットワークに接続することにより一方向(送信者から受信者)または双方
向(送信者と受信者間、又は受信者間同士)の情報通信をすることもできる。テレビジョ
ン装置の操作は、筐体に組みこまれたスイッチ、または別体のリモコン操作機406によ
り行うことが可能である。このリモコン装置にも出力する情報を表示する表示部407を
設けることができる。
で形成し、チャネルや音量などを表示する構成が付加される構成とすることができる。こ
の構成において、主画面403を視野角の優れたELモジュールで構成し、サブ画面40
8を低消費電力で表示可能な液晶モジュールで形成するとよい。また、低消費電力化を優
先させるためには、主画面403を液晶モジュールで形成し、サブ画面408をELモジ
ュールで形成し、サブ画面408は点滅可能とする構成とするとよい。
、筐体410、操作部であるキーボード部412、表示部411、スピーカー部413等
を含む。表示部411に表示モジュールが用いられる。図32(B)の表示部411に、
湾曲可能な表示モジュールを用いているので、表示部411が湾曲したテレビジョン装置
となっている。このように、可撓性の表示モジュールを用いることで、表示部411の形
状が平面だけに制限されることがなく、様々な形状のテレビジョン装置を作製することが
できる。
。よって本発明を用いたテレビジョン装置では、大画面の表示部を有しても低いコストで
製造することができる。
ュータのモニタをはじめ、鉄道の駅や空港などにおける情報表示盤や、街頭における広告
表示盤など大面積の表示媒体としても様々な用途に適用することができる。
用できる。図32(C)に、携帯機器の一例として、電子書籍の構成例を示す。電子書籍
は、本体421、表示部422、423、記憶媒体424、操作スイッチ425、アンテ
ナ426等を含む。表示部422に可撓性の表示モジュールを用いることで、携帯機器の
軽量化を図ることができる。
せる力を弱くできること、また素子形成層に割れやヒビなどの損傷の発生を回避できるこ
とを説明する。
0を用意した。ガラス基板500には、旭硝子社製の無アルカリガラス(商品名AN−1
00)を使用した。厚さは0.7mmであり、サイズは100mm×120mmである。
y)膜501を厚さ100nm形成した。酸化窒化シリコン膜501の形成のためのプロ
セスガスには、SiH4およびN2Oを用いた。酸化窒化シリコン膜501上に、スパッ
タリング装置により厚さ50nmのタングステン膜502を形成した。ターゲットにタン
グステンを用い、放電用ガスにアルゴンガスを用いた。タングステン膜502は剥離層と
して機能する。
まず、プラズマCVD装置で酸化窒化シリコン(SiOxNy、x>y)膜503を厚さ
600nm形成した。酸化窒化シリコン膜503を形成するプロセスガスにSiH4およ
びN2Oを用いた。また、タングステン膜502上に酸化窒化シリコン膜503を堆積さ
せる前に、酸化窒化シリコン膜503を形成するチャンバーにN2Oガスだけを供給し、
N2Oガスを励起してプラズマ化することで、タングステン膜502の表面を酸化して、
タングステン酸化物を形成した。このプラズマ処理は、タングステン膜502と酸化窒化
シリコン膜503との界面で、他の界面よりも優先して剥離を生じさせるための処理であ
る。
さ100nmの酸化窒化シリコン(SiOxNy、x<y)膜504を酸化窒化シリコン
膜503上に形成した。プロセスガスにSiH4およびN2Oを用い、プラズマCVD装
置で、厚さ100nmの酸化窒化シリコン(SiOxNy、x>y)膜505を酸化窒化
シリコン膜504上に形成した。プロセスガスにSiH4およびH2を用い、プラズマC
VD装置で、厚さ66nmの非晶質シリコン膜506を酸化窒化シリコン膜505上に形
成した。酸化窒化シリコン膜504、酸化窒化シリコン膜505および非晶質シリコン膜
506は、プラズマCVD装置の同じチャンバー内で形成し、チャンバー内に供給するプ
ロセスガスを切り替えて、これらの膜を連続して形成した。
D装置で、厚さ100nmの酸化窒化シリコン(SiOxNy、x<y)膜507を非晶
質シリコン膜506上に形成した。プロセスガスにSiH4およびN2Oを用い、プラズ
マCVD装置で、厚さ600nmの酸化窒化シリコン(SiOxNy、x>y)膜508
を酸化窒化シリコン膜507上に形成した。
たガラス基板500を切断することで、試料のサイズを20mm×100mmの短冊状に
した。図34に、短冊状に加工された試料の平面図を示す。次に、剥離のきっかけをつく
るため、UVレーザー光を照射して、図34に示すように、タングステン膜502に達す
る溝510を試料に形成した。溝510を形成することで、酸化窒化シリコン膜503と
タングステン膜502の間で剥離が生ずる。以上の方法で、剥離試験を行う試料を準備し
た。
離テープには、電気化学工業社製のエレグリップテープ(品種FA1250)を用いた。
この加熱剥離テープの基材と粘着層を合わせた厚さは150μmであり、粘着層の厚さは
50μmである。加熱剥離テープの基材はPET(ポリエチレンテレフタレート)でなる
。
膜508側に貼り付けている。加熱剥離テープを引き剥がすことで、基板500から膜5
08乃至503でなる積層膜を剥がすことができる。
ら剥離するのに必要な引っ張り力を測定した。剥離試験には、島津製作所製の小型卓上試
験機(EZ−TEST EZ−S−50N)を用いた。剥離試験方法には、日本工業規格
(JIS)の規格番号JIS Z0237に準拠する粘着テープ・粘着シート試験方法を
用いた。試料に純水を供給しながら剥離を行う場合と、純水を供給せずに剥離を行った場
合で、それぞれ、引っ張り力を測定した。なお、純水の供給は、試料を試験機に取り付け
た後、剥離部分にスポイトで純水を滴下することで行った。
っ張り力であり、横軸はストロークである。ストロークとは、力の作用点の変位を表して
いる。つまり、剥離が起こっている点の変位である。
以下になっていることが分かる。この剥離試験によって、純水を供給することで、より弱
い力で剥離を行うことができることが確認された。
イルを示している。鋸歯状のプロファイルは、次のように剥離が進行していることを示し
ている。純水を供給しないで剥離をさせると、剥離を進行させるために純水を供給する場
合よりも強い力が作用点にかかっているが、剥離がすすむと、その力が急激に減少する。
このような作用点に加わる力の増大、および急激な減少を繰り返しながら、剥離が進行す
る。
ラックが発生していることが確認された。これに対して、純水を供給しながら剥離試験を
行った試料にはクラックは発生していなかった。以上の通り、純水を供給しながら剥離を
行うことで、クラックが生じることを回避することができることが分かった。
離試験を行った。例えば、液体として、ハイドロフルオロエーテル(HFE)を用いた。
HFEを供給しながら剥離試験を行った場合は、剥離を行うために、液体を供給しない場
合よりも大きな引っ張り力を必要とした。ベンゼンの場合も、HFEと同様の結果であっ
た。
どの極性液体を供給しながら剥離を行うことで、剥離帯電による放電をなくすことができ
るとともに、剥離に必要な力を低下することができ、かつ、剥離される対象にクラックな
ど損傷の発生を回避することができる。
11 素子形成層
12 剥離層
13 支持基材
14 支持基材
15 液体
17 剥離の先端部分
18 第1の可撓性基板
19 第2の可撓性基板
21 液体保持手段
22 ローラ
100 基板
101 剥離層
101a 酸化窒化シリコン層
101b タングステン層
102 素子形成層
103 絶縁膜
103a 酸化窒化シリコン層
103b 酸化窒化シリコン層
104 nチャネル型TFT
105 pチャネル型TFT
106 アンテナ
107 絶縁膜
108 樹脂層
110 溝
111 加熱剥離フィルム
112 セパレートフィルム
113 加熱剥離フィルム
114 ローラ
115 隙間
116 液体
117 スポイト
118 ローラ
119 部分
121 ラミネートフィルム
122 ラミネートフィルム
123 フィルム
130 噴霧手段
140 容器
160 ラベル台紙
161 IDラベル
162 インレット
163 ボックス
165 IDタグ
166 IDカード
167 無記名債券
190 素子形成層
200 第1の可撓性基板
201 信号線駆動回路
202 画素部
203 走査線駆動回路
204 第2の可撓性基板
205 シール材
208 フレキシブルプリントサーキット
209 下地膜
210 配線
211 nチャネル型薄膜トランジスタ
212 pチャネル型薄膜トランジスタ
213 スイッチング用薄膜トランジスタ
214 容量素子
221 層間絶縁膜
222 画素電極
223 保護膜
224 配向膜
230 第2の可撓性基板
231 カラーフィルタ
232 ブラックマトリクス(BM)
233 対向電極
234 配向膜
240 液晶
300 素子形成層
301 第1の可撓性基板
302 画素部
303 信号線駆動回路
304 走査線駆動回路
305 シール材
306 第2の可撓性基板
307 充填材
308 薄膜トランジスタ
310 薄膜トランジスタ
311 発光素子
314 引き回し配線
315a 引き回し配線
315b 引き回し配線
316 接続端子
318 フレキシブルプリントサーキット(FPC)
319 異方性導電膜
401 筐体
402 液晶モジュール
403 主画面
404 モデム
405 受信機
406 リモコン操作機
407 表示部
408 サブ画面
409 スピーカー部
410 筐体
411 表示部
412 キーボード部
413 スピーカー部
421 本体
422 表示部
424 記憶媒体
425 操作スイッチ
426 アンテナ
500 ガラス基板
501 酸化窒化シリコン膜
502 タングステン膜
503 酸化窒化シリコン膜
504 酸化窒化シリコン膜
505 酸化窒化シリコン膜
506 非晶質シリコン膜
507 酸化窒化シリコン膜
508 酸化窒化シリコン膜
510 溝
Claims (14)
- 基板上方に、金属を含む層を形成し、
前記金属を含む層上方に、素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に溝を形成し、前記基板と前記素子を含む層との間で剥離を生じさせ、
前記剥離により生じた隙間に液体(ただし、前記金属を含む層のエッチング剤を除く。)を供給し、前記基板と前記素子を含む層を分離することを特徴とする装置の作製方法。 - 基板上方に、金属を含む層を形成し、
前記金属を含む層の表面を酸化し、
前記金属を含む層上方に、素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に溝を形成し、前記基板と前記素子を含む層との間で剥離を生じさせ、
前記剥離により生じた隙間に液体(ただし、前記金属を含む層のエッチング剤を除く。)を供給し、前記基板と前記素子を含む層を分離することを特徴とする装置の作製方法。 - 請求項1又は2において、
前記液体の供給は、前記液体を滴下することにより行うことを特徴とする装置の作製方法。 - 請求項1又は2において、
前記液体の供給は、前記液体を霧状にして噴射することにより行うことを特徴とする装置の作製方法。 - 請求項1又は2において、
前記液体の供給は、液体保持媒体を用いて行うことを特徴とする装置の作製方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
毛細管現象によって前記液体を移動させ、前記基板と前記素子を含む層を分離することを特徴とする装置の作製方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記素子は、発光素子であることを特徴とする装置の作製方法。 - 基板上方に、金属を含む層を形成し、
前記金属を含む層上方に、素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に溝を形成し、前記基板と前記素子を含む層との間で剥離を生じさせ、
前記剥離により生じた隙間に液体(ただし、前記金属を含む層のエッチング剤を除く。)を供給し、前記基板と前記素子を含む層を分離することを特徴とするELモジュールの作製方法。 - 基板上方に、金属を含む層を形成し、
前記金属を含む層の表面を酸化し、
前記金属を含む層上方に、素子を含む層を形成し、
前記素子を含む層に溝を形成し、前記基板と前記素子を含む層との間で剥離を生じさせ、
前記剥離により生じた隙間に液体(ただし、前記金属を含む層のエッチング剤を除く。)を供給し、前記基板と前記素子を含む層を分離することを特徴とするELモジュールの作製方法。 - 請求項8又は9において、
前記液体の供給は、前記液体を滴下することにより行うことを特徴とするELモジュールの作製方法。 - 請求項8又は9において、
前記液体の供給は、前記液体を霧状にして噴射することにより行うことを特徴とするELモジュールの作製方法。 - 請求項8又は9において、
前記液体の供給は、液体保持媒体を用いて行うことを特徴とするELモジュールの作製方法。 - 請求項8乃至12のいずれか一項において、
毛細管現象によって前記液体を移動させ、前記基板と前記素子を含む層を分離することを特徴とするELモジュールの作製方法。 - 請求項8乃至13のいずれか一項において、
前記素子は、発光素子であることを特徴とするELモジュールの作製方法。
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