JP5998271B1 - Ring-shaped reinforcement removal device - Google Patents

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Abstract

【課題】リング状補強部の除去時の微細な屑によるパーティクルの発生、ウェーハ損傷を防止する。【解決手段】デバイス形成面を下に向けた裏面研削ウェーハが、ダイシングテープを介して保持される下向きのウェーハ保持面を有し、かつウェーハ保持面を囲むようにダイシングリングが配置されるウェーハ保持板と、ダイシングリングを、ウェーハ保持板のウェーハ保持面より外周部分に掛止するリング掛止手段と、ダイシングテープのうち、テープ露出部分とリング状補強部との隙間に挿入される補強部剥離爪と、補強部剥離爪をこの隙間に挿入する爪挿入手段と、補強部剥離爪を隙間に挿入したまま、ウェーハ保持板の中心軸を中心にして、ウェーハ保持板と爪挿入手段とを相対的に一回転させる回転手段とを備える。【選択図】図１[PROBLEMS] To prevent generation of particles and wafer damage due to fine debris during removal of a ring-shaped reinforcing portion. Wafer holding in which a back-grinded wafer having a device forming surface facing downward has a downward wafer holding surface held via a dicing tape, and a dicing ring is disposed so as to surround the wafer holding surface The plate, the ring retaining means for retaining the dicing ring on the outer peripheral portion from the wafer holding surface of the wafer holding plate, and the reinforcing portion peeling inserted into the gap between the exposed portion of the dicing tape and the ring-shaped reinforcing portion. The claw, the claw insertion means for inserting the reinforcing part peeling claw into the gap, and the wafer holding plate and the claw inserting means relative to each other about the central axis of the wafer holding plate with the reinforcing part peeling claw inserted in the gap. And rotating means for rotating once. [Selection] Figure 1

Description

この発明は、ウェーハ裏面のうち、デバイス領域に相当する領域を囲うリング状補強部を除去するリング状補強部除去装置に関する。 The present invention relates to a ring-shaped reinforcing portion removing apparatus that removes a ring-shaped reinforcing portion that surrounds a region corresponding to a device region on the back surface of a wafer.

デバイスプロセスを経て、ＩＣ、ＬＳＩなどのデバイスが表面側に多数形成されたシリコンウェーハは、その後、ダイシング装置により個々のデバイスに分割される。近年、電子機器の小型化および軽量化を図るため、表面保護テープを貼ったシリコンウェーハを裏返し、厚さが２０〜１００μｍとなるまで、裏面研削装置によりウェーハ裏面の全域を均一に薄肉化する裏面研削が行われている。
しかしながら、このように薄肉加工された裏面研削ウェーハは剛性が低いため、後工程での取り扱いが困難となる。例えば、研削されたシリコンウェーハの裏面に、デバイスの電気的試験を行う目的で金、銀、チタンなどの金属膜を形成することが難しい。その他、搬送時にウェーハが破損するおそれもある。 A silicon wafer on which a large number of devices such as IC and LSI are formed on the surface side through the device process is then divided into individual devices by a dicing apparatus. In recent years, in order to reduce the size and weight of electronic devices, the silicon wafer with the surface protection tape attached is turned over and the entire back surface of the wafer is uniformly thinned by the back grinding device until the thickness reaches 20-100 μm. Grinding is taking place.
However, the back-grinded wafer that has been thinned in this way has low rigidity, making it difficult to handle in a subsequent process. For example, it is difficult to form a metal film of gold, silver, titanium or the like on the back surface of a ground silicon wafer for the purpose of conducting an electrical test of the device. In addition, the wafer may be damaged during transportation.

そこで、これを解消する従来技術として、例えば、特許文献１の「ウェーハの加工方法」が知られている。これは、ウェーハの裏面のうち、デバイス領域に相当する領域に、ウェーハより小径な研削砥石を搭載した裏面研削装置により円形の凹部を形成し、凹部の外周側にリング状補強部を残存させるというものであった。リング状補強部によりデバイス領域の外周側が補強され、上述した金属膜の被覆などの後加工時および搬送時における不都合が解消される。
また、特許文献１に記載の発明では、ダイシング前に研削砥石によりウェーハ裏面を外周研削したり、回転中の切削ブレードによりリング状補強部の内周に沿ってウェーハを切削していた。その他の除去技術として、リング状補強部の内周面に沿ってこれをレーザカットする方法も知られている。 Therefore, as a conventional technique for solving this problem, for example, a “wafer processing method” of Patent Document 1 is known. This means that a circular recess is formed by a back surface grinding device in which a grinding wheel having a smaller diameter than the wafer is mounted in an area corresponding to the device area in the back surface of the wafer, and a ring-shaped reinforcing portion is left on the outer peripheral side of the recess. It was a thing. The outer peripheral side of the device region is reinforced by the ring-shaped reinforcing portion, and the inconvenience at the time of post-processing such as coating of the metal film and at the time of conveyance is solved.
Moreover, in the invention described in Patent Document 1, the wafer back surface is ground by a grinding wheel before dicing, or the wafer is cut along the inner periphery of the ring-shaped reinforcing portion by a rotating cutting blade. As another removal technique, a method of laser cutting this along the inner peripheral surface of the ring-shaped reinforcing portion is also known.

特開２００７−１９３７９号公報JP 2007-19379 A

しかしながら、特許文献１の「ウェーハの加工方法」にあっては、上述した研削砥石によるウェーハ裏面の外周研削時や、回転中の切削ブレードによるリング状補強部の切断時に、微細な切り屑が多量に発生していた。また、レーザカット時にも溶けたシリコン屑が多量に飛散していた。これらの屑は、リング状補強部の除去作業中に供給される洗浄水（超純水）によってその殆どが洗い流されるものの、一部はウェーハに付着して残ってしまう。その残存した微細な屑が、リング状補強部の除去時、保護テープを剥離後のデバイス形成面（ウェーハ表面）に付着してパーティクルとなり、デバイスの歩留まりを低下させていた。   However, in the “wafer processing method” of Patent Document 1, a large amount of fine chips are produced when the outer periphery of the wafer is ground with the grinding wheel described above or when the ring-shaped reinforcing portion is cut with a rotating cutting blade. Had occurred. In addition, a large amount of melted silicon dust was scattered even during laser cutting. Most of these scraps are washed away by the cleaning water (ultra pure water) supplied during the removal work of the ring-shaped reinforcing portion, but a part of them remains attached to the wafer. When the ring-shaped reinforcing portion was removed, the remaining fine debris adhered to the device forming surface (wafer surface) after peeling off the protective tape to form particles, thereby reducing the device yield.

そこで、発明者は鋭意研究の結果、あらかじめ、ダイシングリングが支持する紫外線（ＵＶ）硬化型粘着剤付きのダイシングテープに、リング状補強部を有する裏面研削ウェーハを貼着し、その後、リング状補強部と裏面研削領域との境界部分を、例えば回転中の研削ブレードによりデバイス形成面側からリング状補強部の内周縁に沿って切断し、次に裏面研削領域のみをマスキングした状態で、リング状補強部の端面（被粘着面）に付着した紫外線硬化型粘着剤を紫外線硬化させる。その後、ウェーハ保持板の下向きのウェーハ保持面の領域に、ダイシングテープを介して、デバイス形成面を下に向けた裏面研削ウェーハを載置し、この状態で、ダイシングリングをウェーハ保持面の外周付近に掛止するとともに、ダイシングテープの外周部のうち、外部露出したテープ露出部分とリング状補強部との隙間に補強部剥離爪を差し込み、この状態で、ウェーハ保持板の中心軸を中心にしてテーブルを一回転させれば、紫外線照射により紫外線硬化型粘着剤の粘着力が低下したダイシングテープからリング状補強部が剥がれ落ちることで、上述した問題が全て解消されることを知見し、この発明を完成させた。 Therefore, as a result of intensive research, the inventor previously pasted a back-ground grinding wafer having a ring-shaped reinforcing portion on a dicing tape with an ultraviolet (UV) curable adhesive supported by the dicing ring, and then the ring-shaped reinforcement. For example, the boundary part between the part and the back grinding area is cut along the inner peripheral edge of the ring-shaped reinforcing part from the device forming surface side with a rotating grinding blade, and then only the back grinding area is masked. The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive attached to the end face (surface to be adhered) of the reinforcing portion is cured with ultraviolet light. After that, a back-ground grinding wafer with the device formation surface facing down is placed via a dicing tape in the downward holding region of the wafer holding plate. In this state, the dicing ring is placed near the outer periphery of the wafer holding surface. The reinforcing part peeling claw is inserted into the gap between the externally exposed tape exposed part and the ring-shaped reinforcing part in the outer peripheral part of the dicing tape, and in this state, the center axis of the wafer holding plate is centered. It is found that if the table is rotated once, the above-mentioned problems are all solved by peeling off the ring-shaped reinforcing portion from the dicing tape whose adhesive strength of the ultraviolet curable adhesive is reduced by ultraviolet irradiation. Was completed.

この発明は、リング状補強部の除去時に生じる微細な屑を原因としたパーティクルの発生を抑制することができるリング状補強部除去装置を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the ring-shaped reinforcement part removal apparatus which can suppress generation | occurrence | production of the particle | grains caused by the fine waste produced at the time of removal of a ring-shaped reinforcement part .

請求項１に記載の発明は、水平な上面を有するベース台と、このベース台上で、その一端部に配設された水平軸を中心に回動自在に設けられ、水平状態と傾斜状態とをとることができる回動フレームと、この回動フレームに回転軸を介して回転自在に支持され、前記水平状態ではベース台の上方でその下面が水平に保持されるウェーハ保持板と、このウェーハ保持板の下面に環状のダイシングリングを掛止するリング掛止手段と、このウェーハ保持板の下方に設けられた補強部剥離爪と、を有するリング状補強部除去装置であって、前記ウェーハ保持板の下面には、前記ダイシングリングに支持されたダイシングテープが保持され、このダイシングテープの下面には、裏面研削ウェーハがそのデバイス形成面を下に向けた状態で、裏面研削ウェーハの裏面全域に設けられた紫外線硬化型粘着剤の粘着剤層を介して貼着され、この裏面研削ウェーハはその中央部の裏面研削領域とその外周部であるリング状補強部とを有しており、この裏面研削領域とリング状補強部とはその境界部分で切断されており、裏面研削ウェーハを取り囲むように前記ダイシングリングが配置されることにより、このダイシングリングの内周縁とリング状補強部の外周縁との間にダイシングテープの下面が露出する部分を現出させ、紫外線照射により粘着力が低下した前記紫外線硬化型粘着剤が介在されたテープ露出部分とリング状補強部との隙間に、前記補強部剥離爪を挿入する爪挿入手段を有し、前記ウェーハ保持板の下面が水平に保持されたとき、この爪挿入手段により前記補強部剥離爪が前記隙間に挿入された状態を保持して、前記回転軸を中心にしてウェーハ保持板を一回転させることにより、裏面研削ウェーハからリング状補強部をウェーハ保持板の下方に除去するリング状補強部除去装置である。 The invention according to claim 1 is provided with a base table having a horizontal upper surface, and is provided on the base table so as to be rotatable about a horizontal axis disposed at one end thereof, and has a horizontal state and an inclined state. A rotating frame that can be rotated, a wafer holding plate that is rotatably supported by the rotating frame via a rotating shaft, and in which the lower surface is held horizontally above the base in the horizontal state, and the wafer A ring-shaped reinforcing portion removing apparatus, comprising: a ring hooking means for hooking an annular dicing ring on the lower surface of the holding plate; and a reinforcing portion peeling claw provided below the wafer holding plate. A dicing tape supported by the dicing ring is held on the lower surface of the plate. On the lower surface of the dicing tape, the back surface grinding wafer is placed with its device forming surface facing downward. The wafer is attached via an adhesive layer of UV curable adhesive provided on the entire back surface of the wafer, and this back-ground wafer has a back-grinding region at its center and a ring-shaped reinforcing portion at its outer periphery. The back grinding area and the ring-shaped reinforcing portion are cut at the boundary portion, and the dicing ring is arranged so as to surround the back grinding wafer, whereby the inner peripheral edge and the ring shape of the dicing ring are arranged. A portion where the lower surface of the dicing tape is exposed between the outer peripheral edge of the reinforcing portion is exposed, and the exposed portion of the tape and the ring-shaped reinforcing portion interposed with the UV curable adhesive whose adhesive strength has been reduced by UV irradiation. There is a claw insertion means for inserting the reinforcing part peeling claw in the gap, and when the lower surface of the wafer holding plate is held horizontally, the reinforcing part peeling claw is inserted into the gap by the claw insertion means. Holding the input state, by one rotation of the wafer holding plate about the said rotation axis, a ring-shaped reinforcing portion removing apparatus for removing the lower part of the wafer holding plate a ring-like reinforcing portion from the back surface grinding the wafer is there.

請求項１に記載の発明によれば、デバイス形成面を下に向けたリング状補強部付きの裏面研削ウェーハを、ダイシングテープを介して、下向きのウェーハ保持面に保持（支持）する。このとき、裏面研削ウェーハは、その裏面全体が紫外線硬化型粘着剤によりダイシングテープに貼着されている。また、リング状補強部は、あらかじめその内周縁に沿って切断され、かつリング状補強部に付着した紫外線硬化型粘着剤のみは、紫外線が照射されて粘着力が低下している。
この状態で、リング掛止手段を用いて、ダイシングリングをウェーハ保持板のウェーハ保持面より外周部分に掛止する。
次いで、ダイシングテープのうち、テープ露出部分とリング状補強部との隙間に、爪挿入手段を用いて補強部剥離爪を挿入する。 According to the first aspect of the present invention, the back ground wafer with the ring-shaped reinforcing portion with the device forming surface facing downward is held (supported) on the downward wafer holding surface via the dicing tape. At this time, the whole back surface of the back ground wafer is stuck to the dicing tape with an ultraviolet curable adhesive. Further, the ring-shaped reinforcing portion is cut along the inner peripheral edge in advance and only the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive attached to the ring-shaped reinforcing portion is irradiated with ultraviolet rays, and the adhesive strength is reduced.
In this state, the ring holding means is used to hook the dicing ring to the outer peripheral portion from the wafer holding surface of the wafer holding plate.
Next, the reinforcing part peeling claw is inserted into the gap between the exposed portion of the dicing tape and the ring-shaped reinforcing part using the claw inserting means.

その後、補強部剥離爪の隙間挿入状態を保持して、回転手段により、ウェーハ保持板の中心軸を中心にして、ウェーハ保持板と爪挿入手段とを相対的に一回転させる。これにより、ウェーハ全周にわたってリング状補強部がダイシングテープから剥がされ、リング状補強部が自重落下して除去される。
このように、デバイス形成面を下向きに保持し、この状態で、あらかじめリング状補強部の内周縁に沿って切断され、かつ紫外線照射によって粘着力が低下した紫外線硬化型粘着剤によりダイシングテープに貼着されたリング状補強部を、補強部剥離爪によりダイシングテープから剥離して除去する。このため、リング状補強部の除去時に生じる微細な屑（切粉）は、自重で落下し、残存することがなく、したがって、この微細な屑がデバイス形成面に付着してパーティクルを発生させることがない。また、リング状補強部が自重で落下するため、リング状補強部の除去に際してリング状補強部がウェーハ本体に当接して損傷を与えるおそれも皆無となる。 After that, the gap insertion state of the reinforcing part peeling claw is held, and the wafer holding plate and the claw inserting means are relatively rotated about the central axis of the wafer holding plate by the rotating means. As a result, the ring-shaped reinforcing portion is peeled off from the dicing tape over the entire circumference of the wafer, and the ring-shaped reinforcing portion is dropped and removed by its own weight.
In this way, the device forming surface is held downward, and in this state, the device is bonded to the dicing tape with an ultraviolet curable adhesive that has been cut along the inner peripheral edge of the ring-shaped reinforcing portion and whose adhesive strength has been reduced by ultraviolet irradiation. The attached ring-shaped reinforcing portion is peeled off from the dicing tape by the reinforcing portion peeling claw. For this reason, fine debris (chip) generated during the removal of the ring-shaped reinforcing portion falls by its own weight and does not remain. Therefore, the fine debris adheres to the device forming surface and generates particles. There is no. Further, since the ring-shaped reinforcing portion falls by its own weight, there is no possibility that the ring-shaped reinforcing portion abuts against the wafer main body and damages when the ring-shaped reinforcing portion is removed.

ここでいうリング状補強部除去装置とは、裏面研削された半導体ウェーハのうち、その外周部の裏面に残されたリング状補強部を除去する装置である。
裏面研削ウェーハとは、表裏面の全域が均一厚の半導体ウェーハのうち、その外周部を除いた部分の裏面を、研削砥石により均一厚で研削したウェーハである。なお、半導体ウェーハの裏面のうち、研削砥石による研削された範囲を裏面研削領域（凹部）という。また、裏面研削時、デバイス形成面には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリオレフィン（ＰＯ）などからなる表面保護テープが貼着されている。リング状補強部の除去時、表面保護テープはあらかじめ剥がしてもよいし、剥がさなくてもいい。 The ring-shaped reinforcing portion removing device referred to here is a device that removes the ring-shaped reinforcing portion left on the back surface of the outer peripheral portion of the semiconductor wafer subjected to back surface grinding.
The back-ground grinding wafer is a wafer obtained by grinding the back surface of a portion excluding the outer peripheral portion of the semiconductor wafer having a uniform thickness on the entire front and back surfaces with a grinding wheel with a uniform thickness. In addition, the range ground by the grinding wheel among the back surfaces of a semiconductor wafer is called a back surface grinding area | region (recessed part). In addition, a surface protective tape made of polyethylene terephthalate (PET), polyolefin (PO) or the like is attached to the device forming surface during back grinding. When removing the ring-shaped reinforcing portion, the surface protective tape may be peeled off in advance or may not be peeled off.

裏面研削ウェーハ（半導体ウェーハ）の種類としては、例えばシリコンウェーハ、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）ウェーハ、サファイアウェーハの他、各種の化合物半導体ウェーハを採用することができる。化合物半導体ウェーハとしては、ＧａＰ（リン化ガリウム）ウェーハ、ＧａＡｓ（ヒ化ガリウム）ウェーハ、ＩｎＰ（リン化インジウム）ウェーハ、ＧａＮ（窒化ガリウム）ウェーハなどが挙げられる。
裏面研削ウェーハの直径は限定されない。例えば５０〜４５０ｍｍである。ウェーハの厚さは、一般的に５００〜１０００μｍである。具体例を挙げれば、直径１５０ｍｍ（６インチ）のウェーハであれば厚さは６２５μｍ、直径２００ｍｍ（８インチ）のウェーハであれば厚さは７２５μｍ、直径３００ｍｍ（１２インチ）のウェーハであれば厚さは７７５μｍである。なお、裏面研削ウェーハの裏面研削領域の厚さは、一般的に裏面研削前のウェーハの厚さの約１０分の１である。例えば、３００ｍｍウェーハの場合の裏面研削領域の厚さは、約７０〜８０μｍである。
また、リング状補強部の幅（ウェーハ半径方向の長さ）は任意である。例えば、半導体ウェーハの直径の１〜２％である。 As a kind of back grinding wafer (semiconductor wafer), various compound semiconductor wafers other than a silicon wafer, a SiC (silicon carbide) wafer, a sapphire wafer can be adopted, for example. Examples of compound semiconductor wafers include GaP (gallium phosphide) wafers, GaAs (gallium arsenide) wafers, InP (indium phosphide) wafers, and GaN (gallium nitride) wafers.
The diameter of the back ground wafer is not limited. For example, it is 50-450 mm. The thickness of the wafer is generally 500 to 1000 μm. For example, if the wafer has a diameter of 150 mm (6 inches), the thickness is 625 μm, if the wafer has a diameter of 200 mm (8 inches), the thickness is 725 μm, and if the wafer has a diameter of 300 mm (12 inches), the thickness is thick. The thickness is 775 μm. In addition, the thickness of the back surface grinding area | region of a back surface grinding wafer is generally about 1/10 of the thickness of the wafer before back surface grinding. For example, the thickness of the back grinding region in the case of a 300 mm wafer is about 70 to 80 μm.
The width of the ring-shaped reinforcing portion (the length in the wafer radial direction) is arbitrary. For example, it is 1 to 2% of the diameter of the semiconductor wafer.

ダイシングテープの直径は、裏面研削ウェーハの直径より大きい。そのため、ダイシングテープの中央部に裏面研削ウェーハを貼着したとき、裏面研削ウェーハの外周縁とダイシングリングの内周縁との間に、円環状のテープ露出部分が現出する。ダイシングテープは、基材シートに紫外線を透過する素材（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニルなど）が採用されている。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、リンテック社、日立化成社、日東電工社、三井化学社製の紫外線硬化型アクリル樹脂、紫外線硬化型エポキシ樹脂などを採用することができる。紫外線硬化型粘着剤は、あらかじめダイシングテープに積層してもよいし、貼着シートとして別体として使用してもよい。裏面研削面に貼着された紫外線硬化型粘着剤は、裏面研削ウェーハから得られたデバイスを、基板や実装済みのデバイス（ＭＣＰ：マルチチップパッケージ）などに固定するために使用される。   The diameter of the dicing tape is larger than the diameter of the back ground wafer. Therefore, when a back-grinded wafer is attached to the center of the dicing tape, an annular tape exposed portion appears between the outer peripheral edge of the back-ground ground wafer and the inner peripheral edge of the dicing ring. The dicing tape employs a material (for example, polyethylene terephthalate, polyolefin, polyvinyl chloride, etc.) that transmits ultraviolet light to the base sheet. As the ultraviolet curable adhesive, for example, an ultraviolet curable acrylic resin or an ultraviolet curable epoxy resin manufactured by Lintec Corporation, Hitachi Chemical Co., Ltd., Nitto Denko Corporation, Mitsui Chemicals, Inc. can be used. The ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive may be laminated on a dicing tape in advance, or may be used as a separate sheet as an adhesive sheet. The ultraviolet curable adhesive adhered to the back grinding surface is used to fix a device obtained from the back grinding wafer to a substrate or a mounted device (MCP: multichip package).

ウェーハ保持板とは、下向きのウェーハ保持面に、ダイシングテープを介して裏面研削ウェーハが配置（載置）され、かつこのダイシングテープを支持するダイシングリングが、着脱自在に固定されるテーブルである。
ウェーハ保持板は、テーブル中心軸を中心として回転自在な回転テーブルである。
リング掛止手段としては、例えばマグネットによる磁着力を利用したものや、クランパによる把持力を利用したものなどを採用することができる。 The wafer holding plate is a table on which a back grinding wafer is disposed (placed) on a downward wafer holding surface via a dicing tape, and a dicing ring that supports the dicing tape is detachably fixed.
The wafer holding plate is a rotary table that is rotatable about the center axis of the table.
As the ring latching means, for example, one using a magnetic adhesion force by a magnet or one using a gripping force by a clamper can be employed.

補強部剥離爪の素材は任意である。例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ），テフロン（登録商標）などの各種の合成樹脂、各種の金属などを採用することができる。このうち、摩擦力が低いテフロン（登録商標）が好ましい。
補強部剥離爪の形状は任意であるものの、ダイシングテープのテープ露出部分とリング状補強部との隙間に挿入し易いように、先細りでかつ先に向かうほど薄肉化するものが好ましい。
補強部剥離爪のこの隙間への挿入角度は任意である。ただし、ウェーハ保持板のウェーハ保持面を基準として、５°未満が好ましい。５°を超えれば、補強部剥離爪の先端部によりダイシングテープを傷付けるおそれがある。特に、補強部剥離爪の隙間への好ましい挿入角度は、５°前後である。この範囲であれば補強部剥離爪の刃先角（例えば５°）を考慮し、ダイシングテープのテープ露出部分とリング状補強部との隙間に、補強部剥離爪の先端部を略水平に差し込むことができ、ダイシングテープを傷付けにくい。 The material of the reinforcing part peeling claw is arbitrary. For example, various synthetic resins such as polyether ether ketone (PEEK) and Teflon (registered trademark), various metals, and the like can be employed. Among these, Teflon (registered trademark) having a low frictional force is preferable.
Although the shape of the reinforcing part peeling claw is arbitrary, it is preferably tapered and thinned toward the tip so that it can be easily inserted into the gap between the exposed portion of the dicing tape and the ring-shaped reinforcing part.
The insertion angle of the reinforcing part peeling claw into this gap is arbitrary. However, it is preferably less than 5 ° based on the wafer holding surface of the wafer holding plate. If it exceeds 5 °, the dicing tape may be damaged by the tip of the reinforcing part peeling claw. In particular, a preferable insertion angle into the gap of the reinforcing portion peeling claw is around 5 °. If it is within this range, the cutting edge angle of the reinforcing part peeling claw (for example, 5 °) is taken into consideration, and the tip of the reinforcing part peeling claw is inserted substantially horizontally into the gap between the exposed portion of the dicing tape and the ring-shaped reinforcing part. And dicing tape is hard to be damaged.

爪挿入手段の構造は任意である。例えば、外方からこの隙間に向かって延びるガイドレール上を、補強部剥離爪が固定されたスライド部材が往復自在にスライドする構造のものなどを採用することができる。爪挿入手段の駆動方式は、作業員が操作する手動式でも、アクチュエータによる自動式でもよい。
ウェーハ保持板を回転する場合の回転駆動方式は、手動回転式でも、電動モータなどの各種のアクチュエータによる自動回転式でもよい。 The structure of the nail insertion means is arbitrary. For example, it is possible to employ a structure in which a slide member on which a reinforcing portion peeling claw is fixed slides reciprocally on a guide rail extending from the outside toward the gap. The driving method of the nail insertion means may be a manual method operated by an operator or an automatic method using an actuator.
The rotation driving method for rotating the wafer holding plate may be a manual rotation method or an automatic rotation method using various actuators such as an electric motor.

なお、ダイシングテープに裏面研削ウェーハが貼着されたダイシングリングをウェーハ保持板に固定する際には、ダイシングリングを介してダイシングリングを挟み込んだ状態で、リングホルダをマグネットに磁着する。これにより、廉価な構造でありながら、ダイシングリングをウェーハ保持板のウェーハ保持面より外周部分に確実に固定することができる。 In addition, when fixing the dicing ring in which the back grinding wafer is bonded to the dicing tape to the wafer holding plate, the ring holder is magnetically attached to the magnet while the dicing ring is sandwiched through the dicing ring. Thereby, although it is an inexpensive structure, a dicing ring can be reliably fixed to an outer peripheral part from the wafer holding surface of a wafer holding plate.

リングホルダの素材は磁性体であれば任意である。例えば、鉄（酸化鉄）、ニッケル、コバルトなどを採用することができる。
リングホルダの形状およびサイズは任意である。例えば、ダイシングリングと同一形状でかつ同一サイズのものでもよい。その他、ダイシングリングを周方向に分割した形状、サイズのものでもよい。リングホルダの使用数は１つでも複数でもよい。
マグネットの種類としては、永久磁石でも電磁石でもよい。
マグネットの使用数は任意である。１つでも２つ以上でもよい。 The material of the ring holder is arbitrary as long as it is a magnetic material. For example, iron (iron oxide), nickel, cobalt, or the like can be used.
The shape and size of the ring holder are arbitrary. For example, the same shape and the same size as the dicing ring may be used. In addition, the dicing ring may have a shape and size obtained by dividing the dicing ring in the circumferential direction. One or more ring holders may be used.
The type of magnet may be a permanent magnet or an electromagnet.
The number of magnets used is arbitrary. One or two or more may be used.

請求項２に記載の発明は、前記爪挿入手段は、前記ベース台上に固定されたスライド基台を有し、このスライド基台には、前記ウェーハ保持板の下面が水平に保持されたとき、スライド板が前記回転軸を中心とした放射方向にスライド自在に取り付けられ、このスライド板の先端部には前記補強部剥離爪が固定され、スライド板をスライドさせることにより、補強部剥離爪が、テープ露出部分とリング状補強部との前記隙間に差し込まれる請求項１に記載のリング状補強部除去装置である。 According to a second aspect of the present invention, the claw insertion means has a slide base fixed on the base table, and the lower surface of the wafer holding plate is held horizontally on the slide base. The slide plate is slidably mounted in the radial direction around the rotation axis, and the reinforcing portion peeling claw is fixed to the tip of the slide plate. By sliding the slide plate, the reinforcing portion peeling claw The ring-shaped reinforcing portion removing device according to claim 1, wherein the device is inserted into the gap between the tape exposed portion and the ring-shaped reinforcing portion .

請求項３に記載の発明は、前記補強部剥離爪の前記隙間への挿入角度は、前記ウェーハ保持板の下面が水平に保持されたとき、この下面を基準として５°未満とした請求項１または請求項２に記載のリング状補強部除去装置である。 According to a third aspect of the present invention, when the lower surface of the wafer holding plate is held horizontally, the insertion angle of the reinforcing portion peeling claw into the gap is less than 5 ° with respect to the lower surface. Or it is a ring-shaped reinforcement part removal apparatus of Claim 2 .

この装置を用いる場合、リング状補強部を有する裏面研削ウェーハの裏面全体を、紫外線硬化型粘着剤によりダイシングテープの中央部に貼着するとともに、ダイシングテープをダイシングリングに支持（展張）する。このとき、ダイシングテープの外周部には、リング状補強部の外周縁とダイシングリングの内周縁との間に、円環状のテープ露出部分が現出する。
その後、デバイス形成面を上向きにした状態で、裏面研削ウェーハのリング状補強部と裏面研削領域との境界部分を、リング状補強部の内周縁に沿って環状に切断する。このとき、切粉は残るが、この後ウェーハがデバイス形成面を下に向けた状態にひっくり返されるため、この切断時に発生した切粉は落下し、デバイス形成面に付着することはない。
切断後、ダイシングテープの上（表面）から裏面研削領域をマスキングし、この状態でダイシングテープを透過して裏面研削ウェーハの裏面全体に紫外線を照射する。これにより、リング状補強部とダイシングテープとの間に介在された紫外線硬化型粘着剤が硬化し、その粘着力が低減する。 When this apparatus is used, the entire back surface of the back ground wafer having the ring-shaped reinforcing portion is attached to the center portion of the dicing tape with an ultraviolet curable adhesive, and the dicing tape is supported (expanded) on the dicing ring. At this time, an annular exposed portion of the tape appears on the outer peripheral portion of the dicing tape between the outer peripheral edge of the ring-shaped reinforcing portion and the inner peripheral edge of the dicing ring.
Thereafter, with the device formation surface facing upward, the boundary portion between the ring-shaped reinforcing portion and the back-surface ground region of the back-grinded wafer is cut annularly along the inner peripheral edge of the ring-shaped reinforcing portion. At this time, although chips remain, the wafer is turned over so that the device formation surface faces downward, so that the chips generated during the cutting do not fall and adhere to the device formation surface.
After cutting, the back grinding area is masked from the top (front surface) of the dicing tape, and in this state, the dicing tape is transmitted and the entire back surface of the back grinding wafer is irradiated with ultraviolet rays. Thereby, the ultraviolet curable adhesive interposed between the ring-shaped reinforcing portion and the dicing tape is cured, and the adhesive force is reduced.

次に、ひっくり返されてデバイス形成面を下に向けた裏面研削ウェーハを、ダイシングテープを介して、下向きのウェーハ保持面に保持する。すなわち、リング掛止手段により、ダイシングリングをウェーハ保持板のウェーハ保持面より外周部分に掛止する。
次いで、ダイシングテープのうち、テープ露出部分とリング状補強部との隙間に、爪挿入手段を用いて補強部剥離爪を挿入する。
その後、補強部剥離爪の隙間挿入状態を保持して、ウェーハ保持板の中心軸を中心にして、ウェーハ保持板を一回転させる。これにより、ウェーハ全周にわたってリング状補強部がダイシングテープから剥がされ、リング状補強部は自重落下して除去される。
このため、リング状補強部の除去時に生じる微細な屑（切粉）は、自重で落下し、残存することがなく、したがって、この微細な屑がデバイス形成面に付着してパーティクルを発生させることがない。また、リング状補強部が自重で落下するため、リング状補強部の除去に際してリング状補強部がウェーハ本体に当接して損傷を与えるおそれも皆無となる。
なお、紫外線照射時に裏面研削領域をマスキングする紫外線遮蔽用のマスキングカバーとしては、例えば、酸化亜鉛粒子が混練された合成樹脂板、金属板などを採用することができる。 Next, the back-ground grinding wafer turned upside down with the device formation surface facing downward is held on the downward wafer holding surface via the dicing tape. That is, the dicing ring is hooked on the outer peripheral portion of the wafer holding plate by the ring hooking means.
Next, the reinforcing part peeling claw is inserted into the gap between the exposed portion of the dicing tape and the ring-shaped reinforcing part using the claw inserting means.
Thereafter, the gap insertion state of the reinforcing portion peeling claw is held , and the wafer holding plate is rotated once around the central axis of the wafer holding plate. As a result, the ring-shaped reinforcing portion is peeled off from the dicing tape over the entire circumference of the wafer, and the ring-shaped reinforcing portion falls by its own weight and is removed.
For this reason, fine debris (chip) generated during the removal of the ring-shaped reinforcing portion falls by its own weight and does not remain. Therefore, the fine debris adheres to the device forming surface and generates particles. There is no. Further, since the ring-shaped reinforcing portion falls by its own weight, there is no possibility that the ring-shaped reinforcing portion abuts against the wafer main body and damages when the ring-shaped reinforcing portion is removed.
In addition, as a masking cover for shielding ultraviolet rays for masking the back grinding area when irradiated with ultraviolet rays, for example, a synthetic resin plate, a metal plate or the like in which zinc oxide particles are kneaded can be employed.

請求項１〜請求項３に記載の発明によれば、デバイス形成面を下に向けた裏面研削ウェーハを、ダイシングテープを介して、下向きのウェーハ保持面に保持する。このとき、デバイス形成面を下に向けたリング状補強部付きの裏面研削ウェーハを、ダイシングテープを介して、下向きのウェーハ保持面に保持（支持）する。裏面研削ウェーハは、その裏面全体が紫外線硬化型粘着剤によってダイシングテープに貼着されている。また、リング状補強部は、あらかじめその内周縁に沿って切断され、かつリング状補強部の端面（マスキングテープ貼着側の面）に付着する紫外線硬化型粘着剤のみは、前処理として紫外線の照射により粘着力が低下したものとする。
この状態で、リング掛止手段によってウェーハ保持板のウェーハ保持面より外周部分にダイシングリングを掛止後、ダイシングテープのうち、テープ露出部分とリング状補強部との隙間に、爪挿入手段によって補強部剥離爪を挿入する。 According to the first to third aspects of the invention, the back ground wafer with the device forming surface facing downward is held on the downward wafer holding surface via the dicing tape. At this time, the back ground wafer with the ring-shaped reinforcing portion with the device formation surface facing downward is held (supported) on the downward wafer holding surface via the dicing tape. As for the back grinding wafer, the whole back surface is stuck on the dicing tape with the ultraviolet curing adhesive. Further, the ring-shaped reinforcing portion is cut in advance along the inner peripheral edge thereof, and only the ultraviolet curable adhesive that adheres to the end surface of the ring-shaped reinforcing portion (the surface on the side where the masking tape is applied) is subjected to ultraviolet rays as a pretreatment. It is assumed that the adhesive strength has been reduced by irradiation.
In this state, after the dicing ring is hooked on the outer peripheral portion from the wafer holding surface of the wafer holding plate by the ring hooking means, the gap between the exposed portion of the dicing tape and the ring-shaped reinforcing portion is reinforced by the nail insertion means. Insert the parting nail.

この爪挿入状態のまま、回転手段により、ウェーハ保持板の中心軸を中心にして、ウェーハ保持板を一回転させることで、ウェーハ全周にわたってリング状補強部がダイシングテープから剥がされ、リング状補強部が自重落下して除去される。
このように、デバイス形成面を下向きに保持し、この状態で、あらかじめリング状補強部の内周縁に沿って切断され、かつ紫外線照射によって粘着力が低下した紫外線硬化型粘着剤によりダイシングテープに貼着されたリング状補強部を、補強部剥離爪によりダイシングテープから剥離して除去する。このため、リング状補強部の除去時に生じる微細な屑（切粉）は、自重で落下し、残存することがなく、したがって、この微細な屑がデバイス形成面に付着してパーティクルを発生させることがない。また、リング状補強部が自重で落下するため、リング状補強部の除去に際してリング状補強部がウェーハ本体に当接して損傷を与えるおそれも皆無となる。 With the claw inserted, the rotating means rotates the wafer holding plate once around the central axis of the wafer holding plate, so that the ring-shaped reinforcing portion is peeled off from the dicing tape over the entire circumference of the wafer, and the ring-shaped reinforcing is performed. The part is dropped by its own weight and removed.
In this way, the device forming surface is held downward, and in this state, the device is bonded to the dicing tape with an ultraviolet curable adhesive that has been cut along the inner peripheral edge of the ring-shaped reinforcing portion and whose adhesive strength has been reduced by ultraviolet irradiation. The attached ring-shaped reinforcing portion is peeled off from the dicing tape by the reinforcing portion peeling claw. For this reason, fine debris (chip) generated during the removal of the ring-shaped reinforcing portion falls by its own weight and does not remain. Therefore, the fine debris adheres to the device forming surface and generates particles. There is no. Further, since the ring-shaped reinforcing portion falls by its own weight, there is no possibility that the ring-shaped reinforcing portion abuts against the wafer main body and damages when the ring-shaped reinforcing portion is removed.

この発明の実施例１に係るリング状補強部除去装置の斜視図である。It is a perspective view of the ring-shaped reinforcement part removal apparatus which concerns on Example 1 of this invention. この発明の実施例１に係るリング状補強部除去装置の平面図である。It is a top view of the ring-shaped reinforcement part removal apparatus which concerns on Example 1 of this invention. この発明の実施例１に係るリング状補強部除去装置の側面図である。It is a side view of the ring-shaped reinforcement part removal apparatus which concerns on Example 1 of this invention. この発明の実施例１に係るリング状補強部除去装置のウェーハ保持板を上方回動した状態を示す側面図である。It is a side view which shows the state which rotated the wafer holding plate of the ring-shaped reinforcement part removal apparatus concerning Example 1 of this invention upward. この発明の実施例１に係るリング状補強部除去装置を利用したリング状補強部の除去作業の開始状態を示す要部拡大断面である。It is a principal part expanded cross section which shows the start state of the removal operation | work of the ring-shaped reinforcement part using the ring-shaped reinforcement part removal apparatus which concerns on Example 1 of this invention. この発明の実施例１に係るリング状補強部除去装置を利用したリング状補強部の除去作業の完了状態を示す要部拡大断面である。It is a principal part expanded section which shows the completion state of the removal operation | work of the ring-shaped reinforcement part using the ring-shaped reinforcement part removal apparatus which concerns on Example 1 of this invention.

以下、この発明の実施例を具体的に説明する。なお、説明の都合上、リング状補強部除去装置の左方向をＸ１方向、右方向をＸ２方向、前方向をＹ１方向、後方向をＹ２方向、下方向をＺ１方向、上方向をＺ２方向とする。   Examples of the present invention will be specifically described below. For convenience of explanation, the left direction of the ring-shaped reinforcing portion removing device is the X1 direction, the right direction is the X2 direction, the forward direction is the Y1 direction, the backward direction is the Y2 direction, the downward direction is the Z1 direction, and the upward direction is the Z2 direction. To do.

図１、図２および図６において、１０はこの発明の実施例１に係るリング状補強部除去装置で、このリング状補強部除去装置１０は、ダイシングリング１１が支持するダイシングテープ１２に、裏面研削領域１４ａのみが紫外線硬化型粘着剤層１３を介して貼着された裏面研削ウェーハ１４の外周部から、補強部剥離爪１５によりリング状補強部１６を剥離除去するものである。
以下、これらの構成体を具体的に説明する。
裏面研削ウェーハ１４は、直径３００ｍｍ、厚さ７７５μｍのシリコンウェーハである。裏面研削ウェーハ１４には、その表面側に格子状に配列された複数のデバイスが形成されている。また、ウェーハ裏面には、外周部を除く全域に裏面研削が施されている。具体的には、シリコンウェーハのデバイス形成面１４ｂ（表面）に表面保護テープを貼り、表面保護テープを吸着側としてシリコンウェーハを裏面研削装置のチャックテーブルに真空吸着する。この状態を保持して、シリコンウェーハより小径な研削砥石によってウェーハ裏面の中央部一帯のみを均一に研削する。得られた裏面研削ウェーハ１４の裏面研削領域（凹部）１４ａの厚さは７０μｍである。 1, 2, and 6, reference numeral 10 denotes a ring-shaped reinforcing portion removing device according to Embodiment 1 of the present invention. The ring-shaped reinforcing portion removing device 10 is attached to a dicing tape 12 supported by a dicing ring 11 on the back surface. The ring-shaped reinforcing portion 16 is peeled and removed by the reinforcing portion peeling claw 15 from the outer peripheral portion of the back ground wafer 14 to which only the grinding region 14 a is attached via the ultraviolet curable adhesive layer 13.
Hereinafter, these components will be specifically described.
The back ground wafer 14 is a silicon wafer having a diameter of 300 mm and a thickness of 775 μm. A plurality of devices arranged in a grid pattern are formed on the front surface side of the back grinding wafer 14. Further, the back surface of the wafer is subjected to back surface grinding except for the outer peripheral portion. Specifically, a surface protection tape is applied to the device forming surface 14b (front surface) of the silicon wafer, and the silicon wafer is vacuum-sucked to the chuck table of the back surface grinding apparatus with the surface protection tape as the suction side. This state is maintained, and only the central portion of the back surface of the wafer is uniformly ground with a grinding wheel having a smaller diameter than that of the silicon wafer. The thickness of the back grinding region (concave portion) 14a of the obtained back ground wafer 14 is 70 μm.

次に、図１〜図５を参照して、リング状補強部除去装置１０の構成を詳しく説明する。
図１および図２に示すように、リング状補強部除去装置１０は、平面視して矩形状のベース台１７を有している。ベース台１７の四隅には、ベース台１７の上面の水平出しを行う短尺なねじ脚１８が４つ配設されている。
ベース台１７の中央部の上面には、ベース台１７の中心線上に交差部分が配置され、かつ厚肉な金属板を平面視して十字状に組んだ皿受けフレーム１９が立設されている。皿受けフレーム１９の各先端部の上縁面には、位置決め突起１９ａが配設されている。皿受けフレーム１９には、除去後に自然落下したリング状補強部１６の受け皿２０が載置される。
また、ベース台１７の上面の外周部には、上記中心線を中心とした周方向に１２０°ピッチで、後述のウェーハ保持板２１を回転自在に支持する３つの軸受２２が配設されている。各軸受２２は、Ｌ字ブラケット２３と、Ｌ字ブラケット２３の上端部にローラ軸２４を介して回転自在に取り付けられたガイドローラ２５とを有している。このとき、各軸受２２のローラ軸２４は、その軸線がベース台１７の中心線に向かうように（放射状に）配置されている。そのため、各ガイドローラ２５上に載置されたウェーハ保持板２１は、後述する回転軸２６を中心にして回転自在に支持される。 Next, with reference to FIGS. 1-5, the structure of the ring-shaped reinforcement part removal apparatus 10 is demonstrated in detail.
As shown in FIGS. 1 and 2, the ring-shaped reinforcing portion removing device 10 has a rectangular base base 17 in plan view. Four short screw legs 18 for leveling the upper surface of the base table 17 are arranged at the four corners of the base table 17.
On the upper surface of the central portion of the base stand 17, an intersecting portion is arranged on the center line of the base stand 17, and a dish receiving frame 19 that is assembled in a cross shape in plan view on a thick metal plate is erected. . A positioning projection 19 a is disposed on the upper edge surface of each tip of the dish receiving frame 19. A tray 20 of the ring-shaped reinforcing portion 16 that has naturally dropped after removal is placed on the tray receiving frame 19.
In addition, three bearings 22 for rotatably supporting a wafer holding plate 21 to be described later are arranged at a 120 ° pitch in the circumferential direction around the center line on the outer peripheral portion of the upper surface of the base table 17. . Each bearing 22 includes an L-shaped bracket 23 and a guide roller 25 that is rotatably attached to an upper end portion of the L-shaped bracket 23 via a roller shaft 24. At this time, the roller shafts 24 of the respective bearings 22 are arranged (radially) so that the axis thereof is directed toward the center line of the base table 17. Therefore, the wafer holding plate 21 placed on each guide roller 25 is supported so as to be rotatable about a rotation shaft 26 described later.

ベース台１７のＹ１−Ｙ２側の両辺部の各長さ方向の中間部には、ベース台１７の中心線を跨ぐように、ウェーハ保持板２１を水平回転自在に支持する門型フレーム２７が立設されている。門型フレーム２７は、Ｙ２側に配置された軸支側脚板２８と、この軸支側脚板２８の上端部に、Ｘ１−Ｘ２方向に延びる水平軸２９を介して基端部が回動自在に連結された厚肉な角材からなる回動フレーム３０と、Ｙ１側に配置され、かつ回動フレーム３０の先端部を受ける受部側脚板３１とを有している。
回動フレーム３０の基端部の上面には、上方回動した回動フレーム３０を傾斜状態で支持する回動ストッパ３２が固定されている。回動ストッパ３２は、回動フレーム３０の上面に固定される固定枠部３２ａと、固定枠部３２ａの上面を基準にして１３５°だけ外方に屈曲し、かつ外面が軸支側脚板２８の上端部の外面に当接する先端枠部３２ｂとからなる。また、先端枠部３２ａの裏面には、矩形状の緩衝板３３が固定され、これに当接する別の緩衝板３３が、軸支側脚板２８の上端部の外面に固定されている。また、回動フレーム３０の先端部のＸ１側の面には水平方向に延びる棒ハンドル３４が突設されている。 A gate-type frame 27 that supports the wafer holding plate 21 so as to be horizontally rotatable is provided so as to straddle the center line of the base table 17 at the intermediate portions in the length direction of both sides on the Y1-Y2 side of the base table 17. It is installed. The gate-type frame 27 is pivotable at its base end portion via a shaft support side leg plate 28 disposed on the Y2 side and a horizontal shaft 29 extending in the X1-X2 direction at the upper end portion of the shaft support side leg plate 28. The rotating frame 30 is formed of a connected thick square member, and the receiving side leg plate 31 is disposed on the Y1 side and receives the tip of the rotating frame 30.
A rotation stopper 32 is fixed to the upper surface of the base end portion of the rotation frame 30 to support the rotation frame 30 rotated upward in an inclined state. The rotation stopper 32 is fixed to the upper surface of the rotation frame 30 and is bent outward by 135 ° with respect to the upper surface of the fixed frame portion 32a. It consists of the front-end | tip frame part 32b contact | abutted on the outer surface of an upper end part. In addition, a rectangular buffer plate 33 is fixed to the back surface of the distal end frame portion 32 a, and another buffer plate 33 in contact with this is fixed to the outer surface of the upper end portion of the pivot support leg plate 28. Further, a bar handle 34 extending in the horizontal direction protrudes from a surface on the X1 side of the distal end portion of the rotating frame 30.

また、受部側脚板３１の上端面の中央部には嵌合突起３５が突設され、これに嵌り合う嵌合孔３６が回動フレーム３０の先端部の対応する位置に形成されている。したがって、回動フレーム３０を下方回動して水平状態に戻したとき、嵌合突起３５と嵌合孔３６とが嵌り合って位置決めされる。
さらに、回動フレーム３０の長さ方向の中間部には、ボス３７を介して、回動フレーム３０の厚さ方向に延びる回転軸２６が回転自在に連結されている。回転軸２６の下端部には、ウェーハ保持板２１の中心部の上面が固定されている。また、回転軸２６の上端部２６ａには、外周部の一部分にボール状の摘み部３８が取り付けられた円形の円板ハンドル３９の中央部が固定されている。摘み部３８を摘み、回転軸２６を中心にして円板ハンドル３９を回転させることで、ウェーハ保持板２１が円板ハンドル３９と一体的に回転する。これらのボス３７、回転軸２６、摘み部３８および円板ハンドル３９によって、ウェーハ保持板２１の中心軸を中心にして、ウェーハ保持板２１と補強部剥離爪１５とを相対的に一回転させる回転手段４０が構成される。 In addition, a fitting protrusion 35 is provided at the center of the upper end surface of the receiving portion side leg plate 31, and a fitting hole 36 that fits into this is formed at a position corresponding to the tip of the rotating frame 30. Therefore, when the rotating frame 30 is rotated downward and returned to the horizontal state, the fitting protrusion 35 and the fitting hole 36 are fitted and positioned.
Further, a rotating shaft 26 extending in the thickness direction of the rotating frame 30 is rotatably connected to an intermediate portion in the length direction of the rotating frame 30 via a boss 37. The upper surface of the central portion of the wafer holding plate 21 is fixed to the lower end portion of the rotating shaft 26. Further, a central portion of a circular disc handle 39 having a ball-shaped knob 38 attached to a part of the outer peripheral portion is fixed to the upper end portion 26a of the rotating shaft 26. By picking the knob 38 and rotating the disc handle 39 around the rotation shaft 26, the wafer holding plate 21 rotates integrally with the disc handle 39. The boss 37, the rotation shaft 26, the knob 38, and the disc handle 39 rotate the wafer holding plate 21 and the reinforcing portion peeling claw 15 to make a relative rotation about the central axis of the wafer holding plate 21. Means 40 are configured.

次に、図１、図２および図５を参照して、ウェーハ保持板２１を詳細に説明する。
図２および図５に示すように、ウェーハ保持板２１は、ダイシングリング１１より大径で、かつ裏面側に裏面研削ウェーハ１４を保持する厚肉な円板である。ウェーハ保持板２１の中央部は、裏面研削ウェーハ１４のうち、リング状補強部１６を除いた裏面研削領域１４ａのみを保持するウェーハ保持領域部２１ａを構成している。また、ウェーハ保持板２１の外周部分は、ダイシングリング１１を掛止するリング掛止領域部２１ｂを構成している。さらに、ウェーハ保持板２１のウェーハ保持領域部２１ａとリング掛止領域部２１ｂとの間の部分は、ダイシングテープ１２の外周部のうち、外部露出したテープ露出部分１２ａが配置されるテープ露出領域部２１ｃを構成している。ダイシングテープ１２としては、表面に紫外線硬化型粘着剤層１３が形成されたものが採用されている。 Next, the wafer holding plate 21 will be described in detail with reference to FIG. 1, FIG. 2, and FIG.
As shown in FIGS. 2 and 5, the wafer holding plate 21 is a thick disk that has a larger diameter than the dicing ring 11 and holds the back-grinded wafer 14 on the back side. The central portion of the wafer holding plate 21 constitutes a wafer holding region portion 21 a that holds only the back grinding region 14 a of the back grinding wafer 14 excluding the ring-shaped reinforcing portion 16. Further, the outer peripheral portion of the wafer holding plate 21 constitutes a ring latching region portion 21 b that latches the dicing ring 11. Further, the portion of the wafer holding plate 21 between the wafer holding region portion 21a and the ring hooking region portion 21b is a tape exposed region portion in which the externally exposed tape exposed portion 12a is disposed in the outer peripheral portion of the dicing tape 12. 21c is configured. As the dicing tape 12, one having an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 13 formed on the surface is employed.

リング掛止領域部２１ｂは、ダイシングリング１１の幅の約２倍の幅を有する円環状の板部分である。リング掛止領域部２１ｂの裏面の内周部分には、その周方向の全域にわたって、ダイシングリング１１を収納するリング収納溝４１が、リング掛止領域部２１ｂの内周面を切欠して形成されている。このリング収納溝４１の深さは、ダイシングリング１１の厚さと略同一である。また、リング掛止領域部２１ｂの外周部分には、その周方向に４５°ピッチで、合計８つのマグネット（永久磁石）４２が埋設されている。これらのマグネット４２には、ダイシングリング１１をリング掛止領域部２１ｂの裏面に押し付けるリングホルダ４３が磁着される。リングホルダ４３は、幅をリング掛止領域部２１ｂと同一とし、かつ厚さをダイシングリング１１と同一とした円環状の鉄板である。これらのマグネット４２とリングホルダ４３とによりリング掛止手段４４が構成されている。
また、リング掛止領域部２１ｂの裏面うち、リング収納溝４１の外周縁の一帯には、その周方向へ１８０°ピッチで、リング掛止領域部２１ｂに挿入されたダイシングリング１１を取り外し易くする一対の指掛け用のザグリ穴４５が形成されている。
テープ露出領域部２１ｃには、ウェーハ保持板２１の周方向に４５°ピッチで、円弧状の長穴２１ｄが４つ形成されている。各長穴２１ｄを通して、ダイシングテープ１２のテープ露出部分１２ａが見える。 The ring retaining region portion 21 b is an annular plate portion having a width that is approximately twice the width of the dicing ring 11. A ring storage groove 41 for storing the dicing ring 11 is formed on the inner peripheral portion of the back surface of the ring latching region portion 21b by notching the inner peripheral surface of the ring latching region portion 21b. ing. The depth of the ring storage groove 41 is substantially the same as the thickness of the dicing ring 11. In addition, a total of eight magnets (permanent magnets) 42 are embedded in the outer peripheral portion of the ring retaining region portion 21b at a 45 ° pitch in the circumferential direction. A ring holder 43 that presses the dicing ring 11 against the back surface of the ring hooking region 21b is magnetically attached to these magnets 42. The ring holder 43 is an annular iron plate having the same width as that of the ring latching region 21 b and the same thickness as that of the dicing ring 11. The magnet 42 and the ring holder 43 constitute a ring hooking means 44.
In addition, the dicing ring 11 inserted in the ring latching region 21b is easily removed from the back surface of the ring latching region 21b on the outer peripheral edge of the ring storage groove 41 at a 180 ° pitch in the circumferential direction. A pair of counterbore holes 45 for hooking fingers are formed.
Four arc-shaped long holes 21d are formed in the tape exposed region portion 21c at a 45 ° pitch in the circumferential direction of the wafer holding plate 21. The tape exposed portion 12a of the dicing tape 12 can be seen through each slot 21d.

次に、図２、図５および図６を参照して、補強部剥離爪１５を詳しく説明する。
図２、図５および図６に示すように、補強部剥離爪１５は、ダイシングテープ１２の外周部のうち、外部露出したテープ露出部分１２ａとリング状補強部１６との隙間ａに、手動式の爪スライド機構部（爪挿入手段）４６により挿入される薄肉な板片である。
補強部剥離爪１５は、短冊状の細長い爪固定板１５ａと、爪固定板１５ａの厚肉な先端部に固定され、かつ先端に向かって徐々に板幅が減少し、かつ刃角が５°のテフロン（登録商標）からなる爪先部１５ｂとを有している。 Next, the reinforcing portion peeling claw 15 will be described in detail with reference to FIGS.
As shown in FIGS. 2, 5, and 6, the reinforcing portion peeling claw 15 is manually operated in a gap a between the exposed tape exposed portion 12 a and the ring-shaped reinforcing portion 16 in the outer peripheral portion of the dicing tape 12. It is a thin plate piece inserted by the nail slide mechanism part (nail insertion means) 46.
The reinforcing portion peeling claw 15 is fixed to a strip-like elongated claw fixing plate 15a and a thick tip portion of the claw fixing plate 15a, the plate width gradually decreases toward the tip, and the blade angle is 5 °. And a toe portion 15b made of Teflon (registered trademark).

図２および図５に示すように、爪スライド機構部４６は、ベース台１７のＸ２−Ｙ１側の隅部上に固定され、かつ補強部剥離爪１５を手動により前記隙間ａへスライドさせるスライド基台４７を本体とする。スライド基台４７は、その前後方向に長い矩形状の部材で、その底面とベース台１７の上面との間には、ベース台１７の表面を基準として補強部剥離爪１５を、５°だけ上方傾斜させる傾斜スペーサＳが挿着されている。また、スライド基台４７の内壁には、ベース台１７の中心線を中心とした放射方向に長いスライドガイド４８が設けられている。このスライドガイド４８には、その長さ方向へ長い矩形状のスライド板４９がスライド自在に取り付けられている。
スライド板４９は、スライド基台４７の底面と平行な板材で、かつ縦長矩形状の厚肉な板材で、その先端上部には補強部剥離爪１５の基端部が固定されている。スライド板４９の裏面には、スライドガイド４８の長さ方向に長いラックが固定されている。このラックに歯合するピニオンが、スライド基台４７の両側板間に横架されたノブ軸５０に固定されている。ノブ軸５０のＸ１側の端部は、スライド基台４７のＸ１側の側面から突出し、この突出部分にノブ５１が固定されている。したがって、作業者がノブ５１を回転させることで、スライド板４９がスライドガイド４８に沿ってスライドする。これにより、補強部剥離爪１５の爪先部が、テープ露出部分１２ａとリング状補強部１６との隙間ａに５°の挿入角度で差し込まれる。 As shown in FIGS. 2 and 5, the claw slide mechanism 46 is fixed on the corner of the base base 17 on the X2-Y1 side and slides the reinforcing portion peeling claw 15 manually into the gap a. The base 47 is a main body. The slide base 47 is a rectangular member that is long in the front-rear direction. Between the bottom surface of the slide base 47 and the upper surface of the base base 17, the reinforcing part peeling claw 15 is raised by 5 ° with respect to the surface of the base base 17. A tilting spacer S for tilting is inserted. A slide guide 48 that is long in the radial direction about the center line of the base base 17 is provided on the inner wall of the slide base 47. A rectangular slide plate 49 that is long in the length direction is slidably attached to the slide guide 48.
The slide plate 49 is a plate material which is parallel to the bottom surface of the slide base 47 and is a vertically long rectangular thick plate material, and the base end portion of the reinforcing portion peeling claw 15 is fixed to the upper end of the slide plate 49. A rack that is long in the length direction of the slide guide 48 is fixed to the back surface of the slide plate 49. A pinion that meshes with the rack is fixed to a knob shaft 50 that is horizontally mounted between both side plates of the slide base 47. The end of the knob shaft 50 on the X1 side protrudes from the side surface of the slide base 47 on the X1 side, and the knob 51 is fixed to this protruding portion. Accordingly, when the operator rotates the knob 51, the slide plate 49 slides along the slide guide 48. Thereby, the toe portion of the reinforcing portion peeling claw 15 is inserted into the gap a between the tape exposed portion 12a and the ring-shaped reinforcing portion 16 at an insertion angle of 5 °.

次に、図１〜図６を参照して、この発明の実施例１に係るリング状補強部除去装置１０を使用した裏面研削ウェーハ１４のリング状補強部１６の除去方法を説明する。
図２および図６に示すように、リング状補強部除去装置１０により処理される裏面研削ウェーハ１４は、あらかじめダイシングリング１１に支持されたダイシングテープ１２に貼着される。
具体的には、裏面研削ウェーハ１４の裏面全体を、紫外線硬化型粘着剤層１３を介してダイシングテープ１２の中央部に貼着するとともに、ダイシングテープ１２をダイシングリング１１に支持する。このとき、ダイシングテープ１２の外周部には、リング状補強部１６の外周縁とダイシングリング１１の内周縁との間に、円環状のテープ露出部分１２ａが現出する。
その後、デバイス形成面１４ｂを上向きに保持した状態で、裏面研削ウェーハ１４のリング状補強部１６と裏面研削領域１４ａとの境界部分を、リング状補強部１６の内周縁に沿って高速回転中の研削ブレードにより環状に切断する。
次に、ダイシングテープ１２の上から裏面研削領域１４ａのみを紫外線遮蔽マスクによりマスキングする。
その後、この状態で、ダイシングテープ１２の上方から裏面研削ウェーハ１４の裏面全域に紫外線を照射する。これにより、ダイシングテープ１２を透過した紫外線が、リング状補強部１６とダイシングテープ１２との間に介在された紫外線硬化型粘着剤層１３を硬化し、その粘着力が低減する。
次いで、図１および図４に示すように、作業者が棒ハンドル３４を握り、水平軸２９を中心にして回動フレーム３０を、回動ストッパ３２の緩衝板３３が、軸支側脚板２８の別の緩衝板３３に当接するまで上方回動させる。これにより、ウェーハ保持板２１は、ウェーハ保持面２１Ａが斜め上方を向いた開放状態に保たれる。 Next, with reference to FIGS. 1-6, the removal method of the ring-shaped reinforcement part 16 of the back surface grinding wafer 14 using the ring-shaped reinforcement part removal apparatus 10 which concerns on Example 1 of this invention is demonstrated.
As shown in FIGS. 2 and 6, the back ground wafer 14 processed by the ring-shaped reinforcing portion removing apparatus 10 is attached to a dicing tape 12 supported in advance by a dicing ring 11.
Specifically, the entire back surface of the back ground wafer 14 is adhered to the center portion of the dicing tape 12 via the ultraviolet curable adhesive layer 13, and the dicing tape 12 is supported on the dicing ring 11. At this time, an annular tape exposed portion 12 a appears on the outer peripheral portion of the dicing tape 12 between the outer peripheral edge of the ring-shaped reinforcing portion 16 and the inner peripheral edge of the dicing ring 11.
Thereafter, with the device forming surface 14b held upward, the boundary portion between the ring-shaped reinforcing portion 16 and the back-surface ground region 14a of the back-grinded wafer 14 is rotating at high speed along the inner peripheral edge of the ring-shaped reinforcing portion 16. Cut into an annular shape with a grinding blade.
Next, only the back grinding area 14a is masked from above the dicing tape 12 with an ultraviolet shielding mask.
Thereafter, in this state, the entire back surface of the back-grinded wafer 14 is irradiated with ultraviolet rays from above the dicing tape 12. Thereby, the ultraviolet-ray which permeate | transmitted the dicing tape 12 hardens | cures the ultraviolet curing adhesive layer 13 interposed between the ring-shaped reinforcement part 16 and the dicing tape 12, and the adhesive force reduces.
Next, as shown in FIGS. 1 and 4, the operator grasps the rod handle 34, the rotating frame 30 around the horizontal shaft 29, the buffer plate 33 of the rotating stopper 32, and the pivot support side leg plate 28. It is rotated upward until it comes into contact with another buffer plate 33. As a result, the wafer holding plate 21 is maintained in an open state in which the wafer holding surface 21A faces obliquely upward.

その後、図２、図５および図６に示すように、裏面研削ウェーハ１４のデバイス形成面１４ｂ側を下に向けて、ダイシングテープ１２を介して、ウェーハ保持板２１の下向きのウェーハ保持面２１Ａの領域に、裏面研削ウェーハ１４の裏面研削領域１４ａのみを保持（載置）するとともに、ダイシングリング１１をリング収納溝４１に挿入する。その後、ダイシングリング１１にリングホルダ４３を重ね合わせることで、磁性体であるリングホルダ４３が、８つのマグネット４２に磁着され、裏面研削ウェーハ１４がダイシングテープ１２を介してウェーハ保持面２１Ａに間接的に保持される。このとき、裏面研削ウェーハ１４のリング状補強部１６は、ダイシングテープ１２と非接着状態で、かつウェーハ保持板２１のテープ露出領域部２１ｃの内周側付近に配置される。また、ダイシングリング１１がリング収納溝４１に収納されることで、ダイシングテープ１２のテープ露出部分１２ａは、図６のように、ウェーハ保持面２１Ａの外周縁を支点として、リング収納溝４１の厚さ分だけ所定のテンションで斜め上方へ屈曲されることになる。そのため、ダイシングテープ１２の外周部のうち、テープ露出部分１２ａとリング状補強部１６との間には、ウェーハ外方に向かうほど徐々に間隔が広がって行く“隙間ａ”が現出される。   Thereafter, as shown in FIGS. 2, 5, and 6, the wafer holding surface 21 </ b> A facing downward on the wafer holding plate 21 is interposed via the dicing tape 12 with the device forming surface 14 b side of the back ground wafer 14 facing downward. Only the back grinding area 14 a of the back grinding wafer 14 is held (placed) in the area, and the dicing ring 11 is inserted into the ring housing groove 41. Thereafter, the ring holder 43 is superposed on the dicing ring 11, whereby the ring holder 43, which is a magnetic material, is magnetically attached to the eight magnets 42, and the back ground wafer 14 is indirectly attached to the wafer holding surface 21 </ b> A via the dicing tape 12. Retained. At this time, the ring-shaped reinforcing portion 16 of the back-grinded wafer 14 is disposed in a non-bonded state with the dicing tape 12 and in the vicinity of the inner peripheral side of the tape exposed region portion 21 c of the wafer holding plate 21. Further, since the dicing ring 11 is accommodated in the ring accommodating groove 41, the tape exposed portion 12a of the dicing tape 12 has a thickness of the ring accommodating groove 41 with the outer peripheral edge of the wafer holding surface 21A as a fulcrum as shown in FIG. It will be bent obliquely upward with a predetermined tension. Therefore, in the outer peripheral portion of the dicing tape 12, a “gap a” is formed between the tape exposed portion 12 a and the ring-shaped reinforcing portion 16 so that the gap gradually increases toward the outside of the wafer.

次に、図１および図３に示すように、作業者が棒ハンドル３４を握り、水平軸２９を中心にして回動フレーム３０を元の水平状態まで戻す。そのとき、受部側脚板３１の嵌合突起３５に回動フレーム３０の嵌合孔３６が嵌り合い、回動フレーム３０があらかじめ設定された位置に位置決めされる。
次に、図５および図６に示すように、前記隙間ａに対して、爪スライド機構部４６を用いて補強部剥離爪１５を挿入する。具体的には、作業者がノブ５１を爪突出方向へ回転させることで、傾斜スペーサＳにより５°だけ上方傾斜したスライド板４９が、スライドガイド４８に沿ってスライドする。これにより、刃角が５°の補強部剥離爪１５の爪先部１５ｂが、テープ露出部分１２ａとリング状補強部１６との隙間ａに挿入角度５°（ほぼ水平状態）で差し込まれ、その差し込み部分のみの紫外線硬化型粘着剤層１３が剥がされる。よって、ダイシングテープ１２をほとんど傷付けることなく、爪先部１５ｂを隙間ａに挿入することができる。 Next, as shown in FIGS. 1 and 3, the operator holds the bar handle 34 and returns the rotating frame 30 to the original horizontal state around the horizontal shaft 29. At that time, the fitting hole 35 of the rotating frame 30 is fitted into the fitting protrusion 35 of the receiving portion side leg plate 31, and the rotating frame 30 is positioned at a preset position.
Next, as shown in FIGS. 5 and 6, the reinforcing portion peeling claw 15 is inserted into the gap a using the claw slide mechanism portion 46. Specifically, when the operator rotates the knob 51 in the claw protruding direction, the slide plate 49 inclined upward by 5 ° by the inclined spacer S slides along the slide guide 48. As a result, the toe portion 15b of the reinforcing portion peeling claw 15 having a blade angle of 5 ° is inserted into the gap a between the tape exposed portion 12a and the ring-shaped reinforcing portion 16 at an insertion angle of 5 ° (substantially horizontal state). Only a portion of the UV curable pressure-sensitive adhesive layer 13 is peeled off. Therefore, the toe portion 15b can be inserted into the gap a with almost no damage to the dicing tape 12.

その後、この隙間ａへの補強部剥離爪１５の挿入状態を維持したまま、ボール状の摘み部３８を摘み、回転軸２６（ウェーハ保持板２１の中心軸）を中心にして円板ハンドル３９を一回転させる。これにより、３つの軸受２２の各ガイドローラ２５によって外周部が下方より３点支持されたウェーハ保持板２１は、円板ハンドル３９と一体的に一回転する。その結果、この紫外線硬化型粘着剤層１３の部分的な剥離が、裏面研削ウェーハ１４の全周にわたって施される。これにより、リング状補強部１６がダイシングテープ１２から完全に剥がされる。よって、リング状補強部１６が自重落下して受け皿２０に収納され、裏面研削ウェーハ１４の外周部からリング状補強部１６が除去される。この剥離に際しては、切断面に残っていた場合でもこのシリコンの切粉は自重で落下し裏面研削ウェーハ１４に付着することがない。また、このとき、リング状補強部１６が裏面研削ウェーハ１４の本体部分に当接することがなく、損傷することもない。
その後、ザグリ穴４５に指先を差し込んでダイシングリング１１をリング収納溝４１から外すとともに、長穴２１ｄに差し込まれた指などによりダイシングテープ１２を押すことで、ウェーハ保持板２１のウェーハ保持面２１Ａから、ダイシングテープ１２付きのダイシングリング１１を取り外す。 Thereafter, while maintaining the insertion state of the reinforcing portion peeling claw 15 in the gap a, the ball-shaped knob 38 is picked, and the disc handle 39 is moved around the rotating shaft 26 (the central axis of the wafer holding plate 21). Rotate once. Thus, the wafer holding plate 21 whose outer peripheral portion is supported at three points from below by the guide rollers 25 of the three bearings 22 rotates integrally with the disc handle 39. As a result, partial peeling of the ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive layer 13 is performed over the entire circumference of the back-grinded wafer 14. As a result, the ring-shaped reinforcing portion 16 is completely peeled off from the dicing tape 12. Accordingly, the ring-shaped reinforcing portion 16 falls by its own weight and is stored in the tray 20, and the ring-shaped reinforcing portion 16 is removed from the outer peripheral portion of the back-grinded wafer 14. At the time of this peeling, even if it remains on the cut surface, the silicon chips fall by their own weight and do not adhere to the back-grinded wafer 14. At this time, the ring-shaped reinforcing portion 16 does not come into contact with the main body portion of the back grinding wafer 14 and is not damaged.
Thereafter, the fingertip is inserted into the counterbore hole 45 to remove the dicing ring 11 from the ring housing groove 41, and the dicing tape 12 is pushed by a finger inserted into the elongated hole 21d, so that the wafer holding surface 21A of the wafer holding plate 21 is removed. Then, the dicing ring 11 with the dicing tape 12 is removed.

このように、簡易な構造のリング状補強部除去装置１０を採用したことで、装置コストの低減が図れるとともに、リング状補強部１６の除去時の切粉を原因としてデバイス形成面に付着するパーティクルの発生を抑制することができる。また、この除去時での剥離されたリング状補強部がウェーハの本体部分に当接することがなく、本体部分の損傷をなくすことができる。さらには、従来手段のレーザ切断装置などと比較して、装置コストの低減およびリング状補強部１６の除去時間の短縮をそれぞれ図ることができる。
また、ダイシングテープ１２に裏面研削ウェーハ１４が貼着されたダイシングリング１１をウェーハ保持板２１に固定する際、ダイシングリング１１を挟み込んだ状態で、リングホルダ４３をマグネット４２に磁着する構成を採用している。その結果、廉価な構成で、かつ確実にダイシングリング１１をウェーハ保持板２１の外周部に掛止することができる。 Thus, by adopting the ring-shaped reinforcing portion removing apparatus 10 having a simple structure, the apparatus cost can be reduced, and particles adhering to the device forming surface due to chips at the time of removing the ring-shaped reinforcing section 16. Can be suppressed. Further, the peeled ring-shaped reinforcing portion at the time of removal does not come into contact with the main body portion of the wafer, and damage to the main body portion can be eliminated. Furthermore, compared with a conventional laser cutting apparatus, the apparatus cost can be reduced and the removal time of the ring-shaped reinforcing portion 16 can be shortened.
Further, when the dicing ring 11 having the back grinding wafer 14 bonded to the dicing tape 12 is fixed to the wafer holding plate 21, the ring holder 43 is magnetically attached to the magnet 42 while the dicing ring 11 is sandwiched. doing. As a result, the dicing ring 11 can be securely hooked to the outer peripheral portion of the wafer holding plate 21 with an inexpensive configuration.

この発明は、裏面研削された半導体ウェーハからリング状補強部を除去する技術として有用である。   The present invention is useful as a technique for removing a ring-shaped reinforcing portion from a back-ground ground semiconductor wafer.

１０ リング状補強部除去装置、
１１ ダイシングリング、
１２ ダイシングテープ、
１２ａ テープ露出部分、
１３ 紫外線硬化型粘着剤層（紫外線硬化型紫外線粘着剤）、
１４ 裏面研削ウェーハ、
１４ａ 裏面研削領域、
１４ｂ デバイス形成面、
１５ 補強部剥離爪、
１６ リング状補強部、
２１ ウェーハ保持板、
２１Ａ ウェーハ保持面、
４０ 回転手段、
４２ マグネット、
４３ リングホルダ、
４４ リング掛止手段、
４６ 爪挿入手段、
ａ 隙間。 10 Ring-shaped reinforcement removing device,
11 Dicing ring,
12 Dicing tape,
12a Exposed part of tape,
13 UV curable adhesive layer (UV curable UV adhesive),
14 Back grinding wafer,
14a Back grinding area,
14b Device forming surface,
15 Reinforcement peeling nail,
16 Ring-shaped reinforcement,
21 Wafer holding plate,
21A Wafer holding surface,
40 rotating means,
42 magnets,
43 Ring holder,
44 Ring retaining means,
46 nail insertion means,
a Clearance.

Claims (3)

水平な上面を有するベース台と、
このベース台上で、その一端部に配設された水平軸を中心に回動自在に設けられ、水平状態と傾斜状態とをとることができる回動フレームと、
この回動フレームに回転軸を介して回転自在に支持され、前記水平状態ではベース台の上方でその下面が水平に保持されるウェーハ保持板と、
このウェーハ保持板の下面に環状のダイシングリングを掛止するリング掛止手段と、
このウェーハ保持板の下方に設けられた補強部剥離爪と、を有するリング状補強部除去装置であって、
前記ウェーハ保持板の下面には、前記ダイシングリングに支持されたダイシングテープが保持され、
このダイシングテープの下面には、裏面研削ウェーハがそのデバイス形成面を下に向けた状態で、裏面研削ウェーハの裏面全域に設けられた紫外線硬化型粘着剤の粘着剤層を介して貼着され、
この裏面研削ウェーハはその中央部の裏面研削領域とその外周部であるリング状補強部とを有しており、
この裏面研削領域とリング状補強部とはその境界部分で切断されており、
裏面研削ウェーハを取り囲むように前記ダイシングリングが配置されることにより、このダイシングリングの内周縁とリング状補強部の外周縁との間にダイシングテープの下面が露出する部分を現出させ、
紫外線照射により粘着力が低下した前記紫外線硬化型粘着剤が介在されたテープ露出部分とリング状補強部との隙間に、前記補強部剥離爪を挿入する爪挿入手段を有し、
前記ウェーハ保持板の下面が水平に保持されたとき、この爪挿入手段により前記補強部剥離爪が前記隙間に挿入された状態を保持して、前記回転軸を中心にしてウェーハ保持板を一回転させることにより、裏面研削ウェーハからリング状補強部をウェーハ保持板の下方に除去するリング状補強部除去装置。 A base table having a horizontal upper surface;
On this base table, a rotation frame provided so as to be rotatable around a horizontal axis disposed at one end thereof, and capable of taking a horizontal state and an inclined state;
A wafer holding plate that is rotatably supported by the rotating frame via a rotation shaft, and in the horizontal state, the lower surface thereof is held horizontally above the base table;
A ring hooking means for hooking an annular dicing ring on the lower surface of the wafer holding plate;
A reinforcing part peeling claw provided below the wafer holding plate, and a ring-shaped reinforcing part removing device having:
On the lower surface of the wafer holding plate, a dicing tape supported by the dicing ring is held,
On the lower surface of this dicing tape, the back-grinded wafer is attached via an adhesive layer of an ultraviolet curable pressure-sensitive adhesive provided on the entire back surface of the back-grinded wafer, with its device forming surface facing down.
This back-grinded wafer has a back-grinding area at the center and a ring-shaped reinforcing part at the outer periphery,
This back grinding area and the ring-shaped reinforcing part are cut at the boundary part,
By arranging the dicing ring so as to surround the back-grinded wafer, a portion where the lower surface of the dicing tape is exposed appears between the inner peripheral edge of the dicing ring and the outer peripheral edge of the ring-shaped reinforcing portion,
A claw insertion means for inserting the reinforcing part peeling claw in a gap between the tape-exposed part and the ring-shaped reinforcing part intervening the ultraviolet curable adhesive whose adhesive strength is reduced by ultraviolet irradiation;
When the lower surface of the wafer holding plate is held horizontally, the claw inserting means holds the state where the reinforcing part peeling claw is inserted into the gap, and the wafer holding plate is rotated once around the rotation axis. A ring-shaped reinforcing portion removing device that removes the ring-shaped reinforcing portion from the back-grinded wafer below the wafer holding plate . 前記爪挿入手段は、
前記ベース台上に固定されたスライド基台を有し、
このスライド基台には、前記ウェーハ保持板の下面が水平に保持されたとき、スライド板が前記回転軸を中心とした放射方向にスライド自在に取り付けられ、
このスライド板の先端部には前記補強部剥離爪が固定され、
スライド板をスライドさせることにより、補強部剥離爪が、テープ露出部分とリング状補強部との前記隙間に差し込まれる請求項１に記載のリング状補強部除去装置。 The nail insertion means includes
A slide base fixed on the base base;
In this slide base, when the lower surface of the wafer holding plate is held horizontally, the slide plate is slidably attached in a radial direction around the rotation axis,
The reinforcing part peeling claw is fixed to the tip of the slide plate,
The ring-shaped reinforcing portion removing device according to claim 1, wherein the reinforcing portion peeling claw is inserted into the gap between the tape exposed portion and the ring-shaped reinforcing portion by sliding the slide plate . 前記補強部剥離爪の前記隙間への挿入角度は、前記ウェーハ保持板の下面が水平に保持されたとき、この下面を基準として５°未満とした請求項１または請求項２に記載のリング状補強部除去装置。 The ring shape according to claim 1 or 2, wherein an insertion angle of the reinforcing part peeling claw into the gap is less than 5 degrees with respect to the lower surface when the lower surface of the wafer holding plate is held horizontally. Reinforcement removal device .
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