JP5939118B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置するための載置部と、
前記載置部に載置された基板を前記溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱するための基板加熱部と、
前記載置部に載置された基板よりも上方の位置に設けられ、液溜めの空間を形成するように底部及び側周面を備えると共に開口部が形成された液溜め部と、
前記液溜め部に溶剤を供給するための溶剤供給部と、
前記液溜め部に貯留された溶剤を加熱して気化させるための溶剤加熱部と、
前記載置部に載置された基板と前記液溜め部との間に設けられ、前記溶剤の気化により得られた溶剤蒸気を前記処理容器内に自然拡散させるための拡散部材と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気部と、を備えたことを特徴とする。
基板を処理容器内の載置部に載置する工程と、
前記載置部に載置された基板よりも上方の位置に設けられた液溜めの空間を形成するように底部及び側周面を備えると共に開口部が形成された液溜め部に溶剤を供給する工程と、
前記載置部に載置された基板を前記溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱した後、前記液溜め部に貯留された溶剤を加熱して気化させ、前記載置部に載置された基板と前記液溜め部との間に設けられた拡散部材により、前記溶剤の気化により得られた溶剤蒸気を前記処理容器内に自然拡散させて基板の表面に供給する工程と、
この工程の後、前記処理容器内の雰囲気を排気する工程と、を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上述の基板処理方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする。
キャリアブロックS1は、半導体ウエハ(以下ウエハという)Wが複数収納されたキャリアCを装置内に搬入出する役割を有し、キャリアCの載置台11と、開閉部12と、開閉部12を介してキャリアCからウエハWを搬送するための搬送機構13とを備えている。
各支持梁52の上面側には、液溜め部53が設けられる。図5も参照しながら説明すると、液溜め部53は上面が開口した扁平な円筒形状に形成されており、例えば材質としてステンレスが用いられる。液溜め部53の外底面には、熱の伝導を防止するためのシリコンプレート54が設けられている。液溜め部53は、上方から見て蓋体5の中心部にて支持梁52が交差する位置と、各支持梁52上で蓋体5の側壁部26の近傍の位置とに設けられている。即ち液溜め部53は、蓋体5の中心部と、側壁部26の近傍にて周回りに等間隔な8か所の部位と、に設けられている。各液溜め部53は蓋体5の天板部25と隙間を介して対向する高さ位置に配置される。
まず図6に示すように蓋体5が上昇され処理容器3が開口された後、搬送領域R5のメインアームA5によりウエハWが搬入される。ウエハWは、メインアームA5と突き上げピン45との協働作用により、メインアームA5より受け渡されてステージ41上に載置される。そして、蓋体5が下降され、基体4と密接されて処理容器3が閉じられる。その後、加熱ヒータ43により、ステージ41上のウエハWが溶剤の露点温度より高く、溶剤の沸点よりも低い温度、例えば50℃に加熱されると共に、拡散板51が溶剤の露点温度よりも高い温度であって、ステージ41上のウエハWよりも低い温度例えば40℃に加熱される。こうしてウエハWと拡散板51の温度を上昇させる。この時処理容器3の発する熱によりLED65では、その発熱による温度上昇を抑えるためLED冷却機構66により冷却される。
一方、図7に示すように、溶剤供給部である溶剤ノズル6から溶剤が液溜め部53に供給され貯留される。液溜め部53への一回の供給量は、一枚のウエハWのスムージング処理を達成する量、つまり液溜め部53から溶剤が蒸発し切った時にスムージングが終了する量に設定されている。
液溜め部53の配置レイアウトは図の例に限らず、マトリックス状に配置されていてもよい。また液溜め部53の配置数は一個でもよいが複数であればより好ましい。さらに溶剤を加熱するための溶剤加熱部は、例えば溶剤にレーザーを照射するレーザー照射部であってもよいし、あるいは液溜め部53の周囲あるいは底部に配置されたヒータでもよい。
3 処理容器
4 基体
5 蓋体
31 ガス供給口
32 開放弁
33 排気口
41 ステージ
43 加熱ヒータ
51 拡散板
53 液溜め部
64 液溜め部冷却機構
65 LED
100 制御部
W ウエハ
Claims (10)
- 基板に形成されたパターンマスクの荒れを処理容器内にて溶剤の蒸気により改善する処理を行う基板処理装置において、
前記処理容器内に設けられ、前記基板を載置するための載置部と、
前記載置部に載置された基板を前記溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱するための基板加熱部と、
前記載置部に載置された基板よりも上方の位置に設けられ、液溜めの空間を形成するように底部及び側周面を備えると共に開口部が形成された液溜め部と、
前記液溜め部に溶剤を供給するための溶剤供給部と、
前記液溜め部に貯留された溶剤を加熱して気化させるための溶剤加熱部と、
前記載置部に載置された基板と前記液溜め部との間に設けられ、前記溶剤の気化により得られた溶剤蒸気を前記処理容器内に自然拡散させるための拡散部材と、
前記処理容器内の雰囲気を排気するための排気部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 前記溶剤供給部は、一枚の基板を処理するのに必要な量だけ溶剤を液溜め部に供給し、前記液溜め部に貯留された溶剤の蒸発が終了した後に、前記排気部による排気を行うように制御信号を出力する制御部を備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
- 前記液溜め部は、横方向に複数配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記液溜め部の溶剤の蒸発が終了した後、液溜め部の温度を下げるための冷却機構を備えることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記溶剤加熱部は、前記液溜め部の上方側に配置された輻射光源部であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 基板に形成されたパターンマスクの荒れを処理容器内にて溶剤の蒸気により改善する処理を行う基板処理方法において、
基板を処理容器内の載置部に載置する工程と、
前記載置部に載置された基板よりも上方の位置に設けられた液溜めの空間を形成するように底部及び側周面を備えると共に開口部が形成された液溜め部に溶剤を供給する工程と、
前記載置部に載置された基板を前記溶剤の露点温度よりも高い温度に加熱した後、前記液溜め部に貯留された溶剤を加熱して気化させ、前記載置部に載置された基板と前記液溜め部との間に設けられた拡散部材により、前記溶剤の気化により得られた溶剤蒸気を前記処理容器内に自然拡散させて基板の表面に供給する工程と、
この工程の後、前記処理容器内の雰囲気を排気する工程と、を含むことを特徴とする基板処理方法。 - 前記液溜め部には、1枚の基板を処理するのに必要な量だけ溶剤が供給され、前記液溜め部に貯留された溶剤の蒸発が終了した後に、前記排気部による排気を行う工程を含むことを特徴とする請求項6記載の基板処理方法。
- 溶剤の蒸発が終了した後、前記液溜め部を強制的に冷却する工程を含むことを特徴とする請求項6または7に記載の基板処理方法。
- 溶剤を加熱して気化させる工程は、液溜め部の上方側に配置された輻射光源部からの輻射光の照射により溶剤を加熱する工程であることを特徴とする請求項6ないし8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板に形成されたパターンマスクの荒れを処理容器内にて溶剤の蒸気により改善する処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項6ないし9のいずれか一項に記載された基板処理方法を実行するようにステップ群が組み込まれていることを特徴とする記憶媒体。
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