JP5683125B2 - 電極の敷設方法とその構造 - Google Patents
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Description
該透明導電層が、複数のパターンを隣接して設けてなり、
該ポリイミド層が、複数の溝を具えた絶縁ユニットを具えてなり、パターンの間を横に跨ぐように接続するために供し、
該導電層が、溝にそれぞれ対応して設けられる複数の電導線を具えてなり、導電層の電導線が光学式保障式の光マスクで過度の露光、或いは過度の現像が少なくとも一以上が形成され、
該保護層が、透光率を高め、基板、透明導電層、ポリイミド層と、導電層を保護するために供する電極の敷設方法とその構造によって課題を解決できる点に着眼し、かかる知見に基づいて本発明を完成させた。
請求項1に記載の電極の敷設方法は、基板と、該基板上に形成された透明導電層と、該基板上に形成されたポリイミド層と、該基板上に形成された導電層と、該基板上に形成された保護層とを含んでなり、
該透明導電層が、複数のパターンを隣接して設けてなり、
該ポリイミド層が、複数の溝を具えた絶縁ユニットを具えてなり、パターンの間を横に跨ぐように接続するために供し、
該導電層が、溝にそれぞれ対応して設けられる複数の電導線を具えてなり、導電層の電導線が光学式保障式の光マスクで過度の露光、或いは過度の現像が少なくとも一以上が形成され、
該保護層が、透光率を高め、基板、透明導電層、ポリイミド層と、導電層を保護するために供する。
基板上に導電フィルムを形成し、
基板上にフォトレジストを塗布し、
対応したパターンを具えた光マスクを具え、光マスクを通してフォトレジスト上に露光させ、
パターンを現像、エッチング、剥離して、隣接するパターンを形成するために供する。
ハーフトーン(Half tone)のパターンを具えた光マスクを供し、
該光マスクがハーフトーンのパターンを利用してフォトレジスト上に反射し、ハーフトーンのパターンをフォトレジスト上に現像して、パターンのブロック間を跨ぐように接続する溝を形成するために供し、
フォトレジストを焼き付ける工程から形成される。
該第一電極ブロックが、基板に設けられ、第一導線を通して直列に電気的に接続し、
該第二電極ブロックが、基板に設けられ、且つ第二電極ブロックがそれぞれ第一導線の両側に設けられ、
該絶縁ユニットが、第一導線上に垂直に設けられ、且つ絶縁ユニットが溝を具えてなり、
第二電極ブロックが第二導電を具えた絶縁ユニットで直列に電気的に接続する。
該透明導電層が、複数のパターンを隣接して設けてなり、
該ポリイミド層が、複数の溝を具えた絶縁ユニットを具えてなり、パターンの間を横に跨ぐように接続するために供し、
該導電層が、溝にそれぞれ対応して設けられる複数の電導線を具えてなり、導電層の電導線が光学式保障式の光マスクで過度の露光、或いは過度の現像が少なくとも一以上が形成され、
該保護層が、透光率を高め、基板、透明導電層、ポリイミド層と、導電層を保護するために供する電極の敷設方法とその構造と特徴を詳述するために具体的な実施例を挙げ、図示を参照にして以下に説明する。
12 第一電極ブロック
14 第二電極ブロック
16 絶縁ユニット
18 第一導線
20 溝
22 第二導線
PL 保護層
ECL 透明導電層
SL 基板層
PI ポリイミド層
CL 導電層
Claims (13)
- 基板と、該基板上に形成された透明導電層と、該基板上に形成されたポリイミド層と、該基板上に形成された導電層と、該基板上に形成された保護層とを含んでなり、
該透明導電層が、複数のパターンを隣接して設けてなり、
該ポリイミド層が、複数の溝を具えた絶縁ユニットを具えてなり、パターンの間を横に跨ぐように接続するために供し、
該導電層が、溝にそれぞれ対応して設けられる複数の電導線を具えてなり、導電層の電導線が光学式補償式の光マスクで過度の露光、或いは過度の現像のうちの少なくとも一以上により形成され、
該保護層が、透光率を高め、基板、透明導電層、ポリイミド層と、導電層を保護するために供することを特徴とする電極の敷設方法。 - 前記透明導電層の形成には次の段階を具えてなり、
基板上に導電フィルムを形成し、
基板上にフォトレジストを塗布し、
対応したパターンブロックのパターンを具えた光マスクを設け、光マスクを通してフォトレジスト上に露光させ、
パターンを現像、エッチング、剥離して、隣接するパターンを形成するために供することを特徴とする請求項1に記載の電極の敷設方法。 - 前記ポリイミド層が、基板上にフォトレジストを塗布し、
ハーフトーン(Half tone)のパターンを具えた光マスクを供し、
該光マスクがハーフトーンのパターンを利用してフォトレジスト上に反射し、ハーフトーンのパターンをフォトレジスト上に現像して、パターンのブロック間を跨ぐように接続する溝を形成するために供し、
フォトレジストを焼き付ける工程から形成されることを特徴とする請求項2に記載の電極の敷設方法。 - 前記導電層が、基板上に導電材料を設け、基板上にフォトレジストを塗布して被覆し、光学補償の光マスクを供し、該光マスクが電導線の線路に対応してフォトレジスト上に過度に露光させて、電導線のパターンを現像し、互いに隣接するパターンブロックを形成するために供し、電導線が過度の現像で発生される工程を含んでなることを特徴とする請求項3に記載の敷設方法。
- 前記保護層が、フォトレジスト、或いは有機物を少なくとも一以上基板上に塗布し、フォトレジスト、及び有機物を焼き付けて硬質の保護膜を形成することを特徴とする請求項4に記載の電極の敷設方法。
- 前記保護層が、保護エリアを具えた光マスクを供し、該光マスクを通して保護エリアがフォトレジスト、或いは有機物上に露光し、フォトレジスト、或いは有機物上の保護エリアに現像されることを特徴とする請求項5に記載の電極の敷設方法。
- 前記光マスクのハーフトーンのパターンが、光マスクの表面の非透光エリアの線の幅がハーフトーンのパターンの線の幅よりも広く形成されることを特徴とする請求項3に記載の電極の敷設方法。
- 前記光マスクのハーフトーンのパターンが、光マスクの表面に複数の孔を平均に形成する工程を含んで形成することを特徴とする請求項3に記載の電極の敷設方法。
- 前記光マスクのハーフトーンのパターンが、露光時に交戦がハーフトーンのパターンが形成する干渉と回折により、溝のフォトレジストを現像後、溝が絶縁ユニットの高さよりも低く形成される工程を含んで形成することを特徴とする請求項3に記載の電極の敷設方法。
- 前記導電層が、露光に要する光エネルギーを調整し、光学補償の光マスクにより光エネルギーと光マスクとの間に相互作用が発生して電導線のクリティカル・ディメンションロス(Critical Dimension Loss)を補償する工程を含んで形成されることを特徴とする請求項4に記載の電極の敷設方法。
- 基板層と、
該基板層の少なくとも一側面に設けられ、かつ複数の隣接するパターンブロックを具えてなる透明導電層と、
該基板層と該透明導電層の一側面に設けられ、かつ該パターンブロックとの間を横に架接するために供する複数のブリッジ式の溝を具えた絶縁ユニットを具えてなるポリイミド層と、
該ポリイミド層の一側面に隣接して設けられ、かつ複数の該溝に対応するように設けられた複数の電気導線を具えてなるとともに、該電気導線が光学補償式の光マスクで、過度の露光、及び過度の現像のうちの少なくとも一つにより形成されることを特徴とする電極の構造。 - 前記電極が、少なくとも一側面以上に保護層を設けてなることを特徴とする請求項11に記載の電極の構造。
- 前記保護層が、有機物層、フォトレジスト層、防反射層(AR)、アンチグレア層(AG)、或いは上述の組み合わせからなることを特徴とする請求項12に記載の電極の構造。
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