JP5644218B2 - データベース制御方法、情報処理装置及びデータベース制御プログラム - Google Patents
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Description
(第1の実施の形態)
図1は、第1の実施の形態におけるデータベースの一例を示す図である。
ノード名と値は、たとえば、各種のプロセスにおける実施条件名とその値を示し、たとえば、半導体製造プロセスにおけるイオン注入工程時のエネルギー、ドーズ量、基板の回転角などである。
図2は、XMLにより記述されたデータベースの一例を示す図である。
情報処理装置10は、入力部11、出力部12、データベース制御部13、データベース14aを格納した記憶部14を有している。
データベース制御部13は、入力部11で入力された探索条件をもとに、データベース14aを探索し、データを抽出する。また、データベース14aの探索の際、データベース制御部13は、以下に示すように、データベース14aの特定のノード群を他のノードに追加するように制御する。
図4では、図1、図2で示したような、異なる複数の種類の名前のノードを有する階層における探索処理の例を示している。
たとえば、A=10、B=5という探索条件が入力された場合、データベース制御部13は、ノードN4に関連付けられたデータD3と、ノードN4に追加されたノードN6に関連付けられたデータD5を抽出する。
以下、半導体製造プロセスにおけるイオン注入工程時の基板の不純物濃度分布をシミュレーションする場合を例にして、データベースの制御方法を説明する。
図5は、情報処理装置の一例を示す図である。
情報処理装置100は、CPU(Central Processing Unit)101によって装置全体が制御されている。CPU101には、バス108を介してRAM(Random Access Memory)102と複数の周辺機器が接続されている。CPU101は、RAM102などを用いて、図3に示したデータベース制御部13の機能を実現する。
N(x)=Φ(rN1(x)+(1−r)N2(x)) (1)
式(1)において、Φはドーズ量、rはドーズレシオである。またN1(x)はアモルファス成分の濃度を表すピアソン関数、N2(x)はチャネリング成分の濃度を表すピアソン関数である。
図6は、シミュレーションで用いられるイオン注入データベースの一例を示す図である。
“energy”及び“dose”はノード名であり、“energy”はイオン注入工程におけるイオン注入エネルギーを示し、“dose”はドーズ量を示している。
図6に示した例では、イオン注入エネルギーが0.5,1,3,5keVの注入条件下におけるドーズ依存性のデータは、イオン注入エネルギーが10keVのもので代用される。一方、図6のイオン注入エネルギーが20keVのノードのように、ドーズ依存性のデータがあるイオン注入エネルギーのノードは、XML表記ではタグ</energy>というデータが関連付けられていないダミーノードで区切られている。
処理の流れは、図4に示したフローチャートと同様である。
まず、探索条件の入力が行われる。イオン注入シミュレーションの場合、探索条件として、たとえば、イオン注入エネルギー、ドーズ量などが、ユーザによるキーボード105aなどの操作により入力インタフェース105を介して入力される。
CPU101はイオン注入データベースの各階層において、最初に読み込まれるノードのノード名を、その階層の固有名と認識する。図6に示した例では、<energy value=“0.5”>で示されるノードの、ノード名“energy”が固有名として認識される。
たとえば、イオン注入エネルギーが4keV、ドーズ量が3e14m3、という探索条件が入力された場合について説明する。図6に示すイオン注入データベースの場合、イオン注入エネルギーが4keV、つまり値が“4”というノードがないため、CPU101の制御のもと、近い値をもつ2つのノードが選択される。図6に示すイオン注入データベースの場合、たとえば、ノード名“energy”で、値が“3”と“5”の2つのノードが選択される。
次にCPU101は、選択されたノードに関連付けられたデータを、たとえば、以下のように補間計算を行って抽出する。
図7では、ノード名“energy”、値“3”,“5”であるノードN10,N11と、それらに追加された、ノード名“dose”のノードn10,n11,n12,n13,n14が示されている。また、ノードn10〜n14の中で、ノード名“dose”、値“1e14”,“1e15”であるノードn12,n13が選択されている。
以上のようにして、イオン注入データベースから、探索条件に合ったデータの抽出が行われる。
図8は、算出された不純物濃度分布の一例を示す図である。
まず、本実施の形態におけるイオン注入データベースとの比較のため、代用するノード名“dose”のノード群を、予めノード名“energy”の各ノードの下層に配置したイオン注入データベースを示す。
ここでは、ノード名“energy”、値“10”のノードの下層に、イオン注入エネルギーが10keVの注入条件下におけるドーズ依存性を示すノード名“dose”のノードのノード群200が配置されている。
D1〜D6 データ
10 情報処理装置
11 入力部
12 出力部
13 データベース制御部
14 記憶部
14a データベース
Claims (5)
- データベース制御部が、複数の階層を有するデータベースの探索時に、前記データベースに含まれる第1の階層において最初に調査する第1のノードの第1のノード名を、前記第1の階層の固有名と認識し、
前記第1の階層に含まれる第2のノードの第2のノード名を調査し、前記第2のノード名が前記固有名と同じであれば前記第1の階層に含まれる第3のノードの第3のノード名を調査し、前記第2のノード名または前記第3のノード名が前記固有名と異なる場合には、前記第2のノードまたは前記第3のノードを、前記固有名を持つ前記第1のノードまたは前記第2のノードに関連付けることを特徴とするデータベース制御方法。 - 前記データベースは、前記第1の階層において、ダミーノードによってノードの関連付けを行う領域が区切られており、前記データベース制御部は、前記データベースの探索時に、前記ダミーノードを参照して、前記関連付けを行う領域を認識することを特徴とする請求項1記載のデータベース制御方法。
- 前記データベースの前記第1の階層において、前記第1の階層の前記固有名と異なるノード名を有するノード群は、前記第1の階層の前記固有名を持つ複数のノードの何れかに関連付けられており、前記データベース制御部は、前記ノード群が、前記ノード群の直前に配置されている前記固有名を持つノードと関連付けられていると認識することを特徴とする請求項1または2に記載のデータベース制御方法。
- 同一階層上に異なる複数の種類のノード名のノードを備えた複数の階層を有するデータベースを格納する記憶部と、
前記データベースの探索時に、前記データベースに含まれる第1の階層において最初に調査する第1のノードの第1のノード名を、前記第1の階層の固有名と認識し、前記第1の階層に含まれる第2のノードの第2のノード名を調査し、前記第2のノード名が前記固有名と同じであれば前記第1の階層に含まれる第3のノードの第3のノード名を調査し、前記第2のノード名または前記第3のノード名が前記固有名と異なる場合には、前記第2のノードまたは前記第3のノードを、前記固有名を持つ前記第1のノードまたは前記第2のノードに関連付けるデータベース制御部と、
を有することを特徴とする情報処理装置。 - コンピュータを、
複数の階層を有するデータベースの探索時に、前記データベースに含まれる第1の階層において最初に調査する第1のノードの第1のノード名を、前記第1の階層の固有名と認識し、前記第1の階層に含まれる第2のノードの第2のノード名を調査し、前記第2のノード名が前記固有名と同じであれば前記第1の階層に含まれる第3のノードの第3のノード名を調査し、前記第2のノード名または前記第3のノード名が前記固有名と異なる場合には、前記第2のノードまたは前記第3のノードを、前記固有名を持つ前記第1のノードまたは前記第2のノードに関連付けるデータベース制御部として機能させることを特徴とするデータベース制御プログラム。
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JP2010157709A JP5644218B2 (ja) | 2010-07-12 | 2010-07-12 | データベース制御方法、情報処理装置及びデータベース制御プログラム |
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