JP5566966B2 - 半導体光素子 - Google Patents
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Description
[特許文献]
特許文献1 特開2005−317695号公報
[非特許文献]
非特許文献1 Geert Morthier、「Intensity Noise And Linewidth Of Laser Diodes With Integrated Semiconductor Optical Amplifier」、IEEE Photonics Tecnology Letters、米国、IEEE、2002年12月、Vol.14、No.12、P.1644−1646
Claims (8)
- 複数のレーザ素子と、
前記複数のレーザ素子のそれぞれに導波路を介して接続され、前記複数のレーザ素子が出力するレーザ光を合流する光合流器と、
前記光合流器から出力されるレーザ光を増幅する半導体光増幅器と、
前記光合流器及び前記半導体光増幅器と同一の基板上において、前記複数のレーザ素子のそれぞれと前記光合流器との間の経路上にそれぞれ形成された複数の波長選択フィルタと、
を備え、
前記複数のレーザ素子のそれぞれは、互いに異なる波長のレーザ光を出力する波長可変光源であり、
前記複数の波長選択フィルタのそれぞれは、対応するレーザ素子が出力するレーザ光を選択的に通過させ、
前記複数の波長選択フィルタが通過させる前記レーザ光の波長帯域は、対応するレーザ素子の可変波長帯域の全域を含み、
前記複数の波長選択フィルタのそれぞれは、前記半導体光増幅器により発生され、前記光合流器から対応するレーザ素子へと向かう自然放出光を、当該レーザ素子が出力するレーザ光の波長以外の遮断波長帯域において減衰させる半導体光素子。 - 前記複数の波長選択フィルタのそれぞれは、前記基板上に形成されたリングフィルタである請求項1に記載の半導体光素子。
- 前記複数の波長選択フィルタのそれぞれは、通過させる波長帯域が可変である請求項2に記載の半導体光素子。
- 複数のレーザ素子と、
前記複数のレーザ素子のそれぞれに導波路を介して接続され、前記複数のレーザ素子が出力するレーザ光を合流する光合流器と、
前記光合流器から出力されるレーザ光を増幅する半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器と同一の基板上において、前記光合流器と前記半導体光増幅器との間の経路上に形成された波長選択フィルタと、
を備え、
前記複数のレーザ素子のそれぞれは、互いに異なる波長のレーザ光を出力する波長可変光源であり、
前記波長選択フィルタは、前記複数のレーザ素子のうち選択されたレーザ素子からのレーザ光の波長を選択的に透過させる可変波長選択フィルタであり、
前記波長選択フィルタが透過させる前記レーザ光の波長帯域は、前記選択されたレーザ素子の可変波長帯域の全域を含み、
前記波長選択フィルタは、前記半導体光増幅器により発生され、前記半導体光増幅器から前記選択されたレーザ素子へと向かう自然放出光を、前記選択されたレーザ素子が出力するレーザ光の波長以外の遮断波長帯域において減衰させる半導体光素子。 - 前記波長選択フィルタは、直列に接続された第1リングフィルタおよび第2リングフィルタを含む請求項4に記載の半導体光素子。
- 前記第1リングフィルタおよび前記第2リングフィルタは、互いに波長帯域における間隔が異なる複数の波長においてレーザ光を通過させ、
前記第1リングフィルタおよび前記第2リングフィルタを制御して、前記第1リングフィルタおよび前記第2リングフィルタの両方により、前記複数のレーザ素子のうち選択されたレーザ素子からのレーザ光を通過させる
請求項5に記載の半導体光素子。 - 前記第1リングフィルタは、前記光合流器の出力端から受けたレーザ光を、前記光合流器の出力端に対して前記基板上でオフセットした出力端からレーザ光を出力し、
前記第2リングフィルタは、前記第1リングフィルタの出力端から受けた光を、前記基板上において前記第1リングフィルタと反対方向にオフセットした出力端からレーザ光を出力する
請求項5または6に記載の半導体光素子。 - レーザ素子と、
前記レーザ素子から出力されるレーザ光を増幅する半導体光増幅器と、
前記半導体光増幅器と同一の基板上において、前記レーザ素子と前記半導体光増幅器との間の経路上に形成された波長選択フィルタと、
を備え、
前記波長選択フィルタは、前記レーザ素子からのレーザ光の波長を選択的に透過させ、
前記波長選択フィルタが通過させる前記レーザ光の波長帯域は、前記レーザ素子の波長帯域の全域を含み、
前記波長選択フィルタは、前記半導体光増幅器から前記レーザ素子へと向かう自然放出光を、当該レーザ素子が出力するレーザ光の波長以外の遮断波長帯域において減衰させる半導体光素子。
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JP2011161874A JP5566966B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | 半導体光素子 |
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JP2011161874A Active JP5566966B2 (ja) | 2011-07-25 | 2011-07-25 | 半導体光素子 |
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