JP5460374B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
回路基板に一括して半導体チップを集合体実装するため、半導体チップの密着した集合体をマトリクス状に配置変換する装置、及び、製造方法が種々提案されている。
以下この従来技術の製造方法について図33に基づいて簡単に説明する。
これによって、大口径半導体ウェハ112に作成された半導体チップ101に対する半導体装置の組み立て方法は、一度に全部、或いは任意のブロックずつの実施が可能である。
図1から図3は、本発明の半導体装置の製造方法によって加工される半導体ウェハの構成を説明するための図面である。図1は、粘着シートであるエキスパンドシート9上に被着した半導体ウェハ1をマトリックス状に切断する工程を示す平面図である。半導体ウェハ1をダイシングライン3により、ダイシングして各半導体素子2(以後半導体チップ2と記載)の密着集合体を形成するダイシング方法は、ステルスダイシングを用いることが望ましい。即ち、ステルスダイシングは、従来のダイシングに比べウェハ表層部へのダメージがなく、アクティブ領域への熱影響やデブリ汚染がなく、チップエッジにおけるマイクロクラック発生による抗折強度低下等の信頼性低下を防ぐことが可能なのである。
さらに、図6は半導体ウェハ行の整列配置状態を示すもので、図3で説明した半導体ウェハ列Y1〜Y9の間は全て規制前の幅H1のままである。
実施例2は、実施例1と基本的に同一の製造方法によるものであり、エキスパンドシート9のエキスパンドによって、間隔H1のマトリックス形状に引き伸ばされた半導体チップ2を、実際の実装間隔であるH2のマトリックス形状に形成する半導体ウェハ1の整列配置を行うのに、スペーサ部SKsと、切断カッタ部SKcを備えた整列用スキージSKによって行う点はおなじである。
図17に示す実施例3は、図14に示す実施例2と基本的に同一の製造方法によるものであり、吸着装置90を用いて半導体チップの整列配置を行うことは同じである。従って実施例3における半導体素子製造装置の部分断面である図16において、実施例2の半導体素子製造装置の部分断面である図14と同じ要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
実施例4は、実施例1及び実施例2と基本的に同一の製造方法によるものであり、エキスパンドシート9のエキスパンドによって、間隔H1のマトリックス形状に引き伸ばされた半導体チップ2を、実際の実装間隔であるH2のマトリックス形状に形成する半導体ウェハ1の整列配置を行うのに、スペーサ部SKsと、切断カッタ部SKcを備えた整列用スキージSKによって行う点、及び吸着装置によって保持移動する点はおなじである。
図18において載置台60とその載置台60に被着されたエキスパンドシート9及び、エキスパンドシート9に被着されてエキスパンドされた半導体ウェハ1は実施例1と同じであう。しかし整列装置500が実施例1の整列装置50と異なるところは、載置台60を矢印Sで示方向に半導体チップ行の、1行分ずつを移動させる機能を有し、さらに整列用スキージSKの伸縮範囲を半導体チップ2の1個分の幅を拡張する範囲に限定していることである。また整列装置500の位置決め用凹部510の範囲が規制拡張範囲であり、この範囲に位置する1列分の半導体チップ行が整列用スキージSKにより幅H2の規制拡張が行われることになる。
2、2a、2b、2c、2a、2a、2a3、2a4、
101 半導体チップ
3 ダイシングライン
9 エキスパンドシート
9a 切断部
50、500 整列装置
51、510 位置決め用凹部
60 載置台
61 微粘着シート
80 真空吸着シート
81 位置決め用凹部
90、900 吸着装置
91 吸着部本体
92 整列ガイド部
93 凹部
94 凸部
95、95p、95n 吸着孔
109 粘着フィルム
111 吸着コレット
114 回路基板
200、201,202 配置治具装置
300 大判回路基板
310 透明樹脂
320、330 カラー発光装置
SK,SK1〜SK9 整列用スキージ
SKs スペーサ部
SKc 切断カッタ部
X,X1〜X9 半導体ウェハ行
Y、Y1〜Y9 半導体ウェハ列
Claims (7)
- 半導体ウェハを切断分離してマトリックス状に整列配置する半導体素子の製造方法において、エキスパンドシート上に被着した半導体ウェハをマトリックス状に切断する工程と、切断された半導体ウェハの少なくとも1軸方向の各行間にスペーサ部材を挿入して各行間をスペーサ部材の幅に拡張する工程と、拡張された1軸方向の各行間を保持する工程と、拡張された1軸方向に配設保持された半導体素子からエキスパンドシートを剥離する工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 半導体ウェハを切断分離してマトリックス状に整列配置する半導体素子の製造方法において、エキスパンドシート上に被着した半導体ウェハをマトリックス状に切断する工程と、切断された半導体ウェハのX軸方向の各行間にスペーサ部材を挿入して各行間をスペーサ部材の幅に拡張する工程と、拡張されたX軸方向の各行間を保持する工程と、半導体ウェハのY軸方向の各列間にスペーサ部材を挿入して各列間隔をスペーサ部材の幅に拡張する工程と、拡張されたY軸方向の各列間を保持する工程と、マトリックス状に配設保持された半導体素子からエキスパンドシートを剥離する工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
- 前記スペーサ部材には切断カッタ部が設けられており、半導体ウェハの行及び列間隔を拡張すると同時にエキスパンドシートの切断を行うことを特徴とする請求項2記載の半導体素子の製造方法。
- 前記X軸方向の各行間を保持する工程及びY軸方向の各列間を保持する工程は、スペーサ部材によって拡張された半導体素子を微粘着シートに圧着する工程である請求項2または3に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記エキスパンドシートを剥離する工程はマトリックス状に整列配置された半導体素子を吸着装置に吸着固定して行うことを特徴とする請求項2から4のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
- 前記X軸方向の各行間を拡張する工程及びY軸方向の各列間を拡張する工程は、前記スペーサ部材を通過させる凹部と、半導体チップを抑える凸部とを櫛歯状に備えた整列ガイド部材を用いて行うことを特徴とする請求項2から5のいずれかに記載の半導体素子の製造方法。
- 前記整列ガイド部材の半導体チップを抑える凸部には真空吸着手段を有する請求項6記載の半導体素子の製造方法。
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