JP5432457B2 - ダイヤモンド状炭素被膜の製造方法 - Google Patents
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Description
また本発明では、炭化水素とともに、シリコン及び炭素を含む物質の他に水素を併せて導入することが好ましい。
図1の装置において、基材5としてSUS304板をチャンバー1内にセットし、チャンバー1内を1×10−1Paまで減圧した後、アセチレンガスとテトラメチルシランガスをチャンバー内に導入した。このとき、アセチレンガス(C2H2)とテトラメチルシランガス(TMS)の流量比率を0〜40%範囲で変えて導入を行なった。そして4Paの圧力で、5kVの電圧を印加することによって、プラズマ化学気相成長法により膜厚1μmのダイヤモンド状炭素被膜を基材5の表面に合成した。このように合成して得たダイヤモンド状炭素被膜の摩擦係数と、テトラメチルシランガスの導入比率(TMS/(TMS+C2H2)との関係を図3のグラフに示す。尚、ダイヤモンド状炭素被膜の摩擦係数の測定法は後述する。
試験例1と同様に、アセチレンガス(C2H2)とテトラメチルシランガス(TMS)の流量比率を変えてチャンバー1内への導入を行ない、また印加電圧を5kVと0.5kVの2種類で変えて、ダイヤモンド状炭素被膜の合成を行なった。このように合成して得たダイヤモンド状炭素被膜の硬度と、テトラメチルシランガスの導入比率(TMS/(TMS+C2H2)との関係を図4のグラフに示す。尚、ダイヤモンド状炭素被膜の硬度の測定法は後述する。
試験例1と同様に、アセチレンガス(C2H2)とテトラメチルシランガス(TMS)の流量比率を変えてチャンバー1内への導入を行ない、また印加電圧を5kVと0.5kVの2種類で変えて、ダイヤモンド状炭素被膜の合成を行なった。このように合成して得たダイヤモンド状炭素被膜の−C−Si−結合の導入割合と、テトラメチルシランガスの導入比率(TMS/(TMS+C2H2)との関係を図5のグラフに示す。尚、ダイヤモンド状炭素被膜の−C−Si−結合の導入割合の測定法は後述する。
炭化水素としてアセチレンを、シリコン及び炭素を含む物質としてテトラメチルシランを用いた。そして図1の装置において、基材5としてSUS304板をチャンバー1内にセットし、チャンバー1内を1×10−1Paまで減圧した後、アセチレンガスを48sccmの流量で、テトラメチルシランガスを12sccmの流量で、それぞれチャンバー1内に供給することによって、テトラメチルシランガスを20容積%含む混合ガスを導入し、4Paの圧力で、5kVの電圧を印加することによって、20分間、プラズマ化学気相成長法によりダイヤモンド状炭素被膜を基材5の表面に合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンのみを用い、アセチレンガスを60sccmの流量で導入するようにした他は、実施例1と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンとテトラメチルシランを用い、印加電圧を10kVに設定するようにした他は、実施例1と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンのみを用い、アセチレンガスを60sccmの流量で導入するようにした他は、実施例2と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンとテトラメチルシランを用い、印加電圧を1kVに設定するようにした他は、実施例1と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンのみを用い、アセチレンガスを60sccmの流量で導入するようにした他は、実施例3と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンとテトラメチルシランを用い、印加電圧を0.5kVに設定するようにした他は、実施例1と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成は中性ラジカルプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンのみを用い、アセチレンガスを60sccmの流量で導入するようにした他は、比較例4と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成は中性ラジカルプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンとテトラメチルシランを用い、印加電圧を0.1kVに設定するようにした他は、実施例1と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成は中性ラジカルプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンのみを用い、アセチレンガスを60sccmの流量で導入するようにした他は、比較例6と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成は中性ラジカルプロセス主体で行なわれるものであった。
炭化水素としてアセチレンを、シリコン及び炭素を含む物質としてテトラメチルシランを用いた。そして図1の装置において、基材5としてSUS304板をチャンバー1内にセットし、チャンバー1内を1×10−1Paまで減圧した後、アセチレンガスを54sccmの流量で、テトラメチルシランガスを6sccmの流量で、それぞれチャンバー1内に供給することによって、テトラメチルシランガスを10容積%含む混合ガスを導入し、4Paの圧力で、5kVの電圧を印加することによって、20分間、プラズマ化学気相成長法によりダイヤモンド状炭素被膜を基材5の表面に合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンとテトラメチルシランを用い、印加電圧を0.5kVに設定するようにした他は、実施例4と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成は中性ラジカルプロセス主体で行なわれるものであった。
炭化水素としてアセチレンを、シリコン及び炭素を含む物質としてテトラメチルシランを用い、ヘリウムガス雰囲気でプラズマ化学気相成長法によりダイヤモンド状炭素被膜を合成するようにした。すなわち図1の装置において、基材5としてSUS304板をチャンバー1内にセットし、チャンバー1内を1×10−1Paまで減圧した後、アセチレンガスを48sccmの流量で、テトラメチルシランガスを12sccmの流量で、ヘリウムガスを10sccmの流量で、それぞれチャンバー1内に導入し、4Paの圧力で、5kVの電圧を印加することによって、20分間、プラズマ化学気相成長法によりダイヤモンド状炭素被膜を基材5の表面に合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
テトラメチルシランを用いず、アセチレンガスを60sccmの流量で、ヘリウムガスを10sccmの流量でそれぞれ導入するようにした他は、実施例5と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
炭化水素としてアセチレンを、シリコン及び炭素を含む物質としてテトラメチルシランを用い、さらに水素を併用して、プラズマ化学気相成長法によりダイヤモンド状炭素被膜を合成するようにした。すなわち図1の装置において、基材5としてSUS304板をチャンバー1内にセットし、チャンバー1内を1×10−1Paまで減圧した後、アセチレンガスを24sccmの流量で、テトラメチルシランガスを6sccmの流量で、水素ガスを30sccmの流量で、それぞれチャンバー1内に導入し、4Paの圧力で、5kVの電圧を印加することによって、20分間、プラズマ化学気相成長法によりダイヤモンド状炭素被膜を基材5の表面に合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
テトラメチルシランを用いず、アセチレンガスを30sccmの流量で、水素ガスを30sccmの流量でそれぞれ導入するようにした他は、実施例6と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
炭化水素としてアセチレンを、シリコン及び炭素を含む物質としてテトラメチルシランを用いた。そして電源としてパルス電源を用い、定常電圧5kV、立上りピーク電圧15kV、パルス幅5μsec、デューティー比5%のパルス電圧を印加するようにした他は、実施例1と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
アセチレンのみを用い、アセチレンガスを60sccmの流量で導入するようにした他は、実施例7と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜を合成した。このとき、合成はイオンプロセス主体で行なわれるものであった。
炭化水素としてアセチレンを、シリコン及び炭素を含む物質としてテトラメチルシランを用いた。そして図1の装置において、基材5としてバリカン刃の可動刃をチャンバー1内にセットし、チャンバー1内を1×10−1Paまで減圧した後、アセチレンガスを54sccmの流量で、テトラメチルシランガスを6sccmの流量で、それぞれチャンバー1内に供給することによって、テトラメチルシランガスを10容積%含む混合ガスを導入し、4Paの圧力で、5kVの電圧を印加することによって、20分間、プラズマ化学気相成長法によりダイヤモンド状炭素被膜をバリカン刃の可動刃の摺動部に形成した。
アセチレンガスを48sccmの流量で、テトラメチルシランガスを12sccmの流量で、それぞれチャンバー1内に供給することによって、テトラメチルシランガスを20容積%含む混合ガスを導入し、0.5kVの電圧を印加するようにした他は、実施例8と同様にしてダイヤモンド状炭素被膜をバリカン刃の可動刃の摺動部に形成した。
Claims (4)
- 炭化水素からダイヤモンド状炭素被膜を合成するにあたって、シリコン及び炭素を含む
物質の導入割合が、炭化水素との合計量に対して7〜10容積%の範囲となるように、炭
化水素とともに、シリコン及び炭素を含む物質を導入し、イオンプロセス主体での合成を
可能にする1kV以上の高電圧を印加するプラズマ化学気相成長法により、ヘリウムガス
の雰囲気下でプラズマを発生させて、炭化水素とシリコン及び炭素を含む物質とからダイ
ヤモンド状炭素被膜を合成することを特徴とするダイヤモンド状炭素被膜の製造方法。 - 上記高電圧の印加は、10kV未満で行なうことを特徴とする請求項1に記載のダイヤ
モンド状炭素被膜の製造方法。 - 炭化水素とともに、シリコン及び炭素を含む物質の他に水素を併せて導入することを特
徴とする請求項1又は2に記載のダイヤモンド状炭素被膜の製造方法。 - 上記の高電圧の印加は、高圧パルス電源によるものであることを特徴とする請求項1乃
至3のいずれか1項に記載のダイヤモンド状炭素被膜の製造方法。
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