JP5328020B2 - メモリ装置及びメモリアクセス方法 - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 381
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 35
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
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Description
以下、本発明の第1の実施形態によるメモリ装置を図面を参照して説明する。図1は同実施形態の構成を示すブロック図である。この図において、符号1は、OTP(One Time Programmable)メモリで構成するメモリブロックである。図1に示す例では、メモリブロック1は、16個のメモリセットから構成する。メモリセットは、n(nは、自然数)ビット(例えば、8ビット)のデータビットと、1ビットのマークビットからなる。各メモリセットには、アドレスが付与されており、アドレスを指定することによって、メモリセットそれぞれを一意に特定することができる。メモリブロック1は、16個のメモリセットのうち、m1個(m1は自然数)のメモリセットで構成し、OTPメモリとして動作するOTPメモリブロックと、m2個(m2は、自然数であり、m2=16−m1となる)のメモリセットで構成し、擬似MTPメモリとして動作する擬似MTPメモリブロックとからなる。ここでは、m1=2、m2=16−2=14であるものとして説明する。
次に、本発明の第2の実施形態によるメモリ装置を図面を参照して説明する。図2は同実施形態の構成を示すブロック図である。この図において、符号1は、OTP(One Time Programmable)メモリで構成するメモリブロックであり、第1の実施形態で説明したメモリブロック1と同様の構成である。符号31は、ブロック選択信号を入力し、このブロック選択信号に基づいて、読み出すべきデータがOTPメモリブロックであるか、擬似MTPメモリブロックであるかを選択し、選択したメモリブロックからデータビットを読み出して、読み出したデータを出力する読み出し部である。
次に、本発明の第3の実施形態によるメモリ装置を図面を参照して説明する。図3は同実施形態の構成を示すブロック図である。この図において、符号1は、OTP(One Time Programmable)メモリで構成するメモリブロックである。図3に示す例では、メモリブロック1は、16個のメモリセットで構成し、n(nは、自然数)ビット(例えば、8ビット)のデータビットと、1ビットのマークビットからなる。各メモリセットには、アドレスが付与されており、アドレスを指定することによって、メモリセットそれぞれを一意に特定することができる。メモリブロック1は、16個のメモリセットのうち、m1個(m1は自然数)のメモリセットで構成し、OTPメモリとして動作する第1のOTPメモリブロックと、m3個(m3は自然数)のメモリセットで構成し、OTPメモリとして動作する第2のOTPメモリブロックと、m2個(m2は、自然数であり、m2=16−m1−m3となる)のメモリセットで構成し、擬似MTPメモリとして動作する擬似MTPメモリブロックとからなる。図3に示すメモリブロック構成とすることにより、1つのメモリブロック1で2系統のデータの読み書きを実現する。ここでは、m1=2、m3=3、m2=16−2−3=11であるものとして説明する。
次に、本発明の第4の実施形態によるメモリ装置を図面を参照して説明する。図4は同実施形態の構成を示すブロック図である。この図において、符号1は、OTP(One Time Programmable)メモリで構成するメモリブロックである。図4に示す例では、メモリブロック1は、16個のメモリセットで構成し、n(nは、自然数)ビット(例えば、8ビット)のデータビットと、1ビットのマークビットからなる。各メモリセットには、アドレスが付与されており、アドレスを指定することによって、メモリセットそれぞれを一意に特定することができる。メモリブロック1は、16個のメモリセットのうち、m1個(m1は自然数)のメモリセットで構成し、OTPメモリとして動作するOTPメモリブロックと、m2個(m2は、自然数であり、m2=16−m1となる)のメモリセットで構成し、擬似MTPメモリとして動作する擬似MTPメモリブロックとからなる。ここでは、m1=2、m2=16−2=14であるものとして説明する。
Claims (4)
- 消去したデータであることを示すマークビットを記憶するマークビット記憶領域と、記憶するべきデータを記憶するデータビット記憶領域とからなるメモリセットを複数有し、前記メモリセットのうち、所定数のメモリセットをOTPメモリとして動作させるOTPメモリブロックと、前記メモリセットのうち、前記OTPメモリブロックを除くメモリセットを擬似MTPメモリとして動作させる擬似MTPメモリブロックとからなるOTP(One Time Programmable)メモリで構成するメモリ装置であって、
前記マークビットを参照して、データを読み書きするべき前記メモリセットのアドレスを求めるアドレス検索手段と、
前記アドレス検索手段によって求めたアドレスで示されるメモリセットのデータビット領域に記憶されているデータを読み出す読み出し手段と、
前記擬似MTPメモリブロックのうち、前記アドレス検索手段によって求めたアドレスに基づいて、新たにデータを書き込むべきメモリセットを特定し、該メモリセットのデータビット領域に書き込むべきデータを書き込む書き込み手段と、
前記アドレス検索手段によって求めたアドレスのメモリセットのマークビット記憶領域に前記マークビットを書き込むマークビット書き込み手段と
を備え、
前記OTPメモリブロックのマークビット記憶領域には、予め前記マークビットが書き込まれているとともに、
前記複数のメモリセットは、2系統のデータを読み書きできるように構成され、
前記アドレス検索手段は、第1の系統が選択された場合は、アドレス値が小さい方から大きい方へ検索を行い、第2の系統が選択された場合は、アドレス値が大きい方から小さい方へ検索を行って、前記データを読み書きするべき前記メモリセットのアドレスを求めることを特徴とするメモリ装置。 - 前記読み出し手段と、前記書き込み手段は、所定数の前記メモリセットの前記データビ
ット記憶領域に対してデータを読み書きするように構成され、
前記マークビット書き込み手段は、前記アドレス検索手段によって求めたアドレスを先
頭として、前記所定数の前記メモリセットのマークビット記憶領域に前記マークビットを
書き込むことを特徴とする請求項1に記載のメモリ装置。 - 消去したデータであることを示すマークビットを記憶するマークビット記憶領域と、記
憶するべきデータを記憶するデータビット記憶領域とからなるメモリセットを複数有し、
前記メモリセットのうち、所定数のメモリセットをOTPメモリとして動作させるOTP
メモリブロックと、前記メモリセットのうち、前記OTPメモリブロックを除くメモリセ
ットを擬似MTPメモリとして動作させる擬似MTPメモリブロックとからなるOTP(
One Time Programmable)メモリで構成し、前記OTPメモリブロックのマークビット記憶領域には、予め前記マークビットが書き込まれているメモリ装置におけるメモリアクセス方法であって、
前記マークビットを参照して、データを読み書きするべき前記メモリセットのアドレス
を求めるアドレス検索ステップと、
前記アドレス検索ステップによって求めたアドレスで示されるメモリセットのデータビ
ット領域に記憶されているデータを読み出す読み出しステップと、
前記擬似MTPメモリブロックのうち、前記アドレス検索ステップによって求めたアド
レスに基づいて、新たにデータを書き込むべきメモリセットを特定し、該メモリセットの
データビット領域に書き込むべきデータを書き込む書き込みステップと、
前記アドレス検索ステップによって求めたアドレスのメモリセットのマークビット記憶
領域に前記マークビットを書き込むマークビット書き込みステップと
を有し、
前記複数のメモリセットは、2系統のデータを読み書きできるように構成され、
前記アドレス検索ステップは、第1の系統が選択された場合は、アドレス値が小さい方から大きい方へ検索を行い、第2の系統が選択された場合は、アドレス値が大きい方から小さい方へ検索を行って、前記データを読み書きするべき前記メモリセットのアドレスを求めることを特徴とするメモリアクセス方法。 - 前記読み出しステップと、前記書き込みステップは、所定数の前記メモリセットの前記
データビット記憶領域に対してデータを読み書きするように構成され、
前記マークビット書き込みステップは、前記アドレス検索ステップによって求めたアド
レスを先頭として、前記所定数の前記メモリセットのマークビット記憶領域に前記マーク
ビットを書き込むことを特徴とする請求項3に記載のメモリアクセス方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009006703A JP5328020B2 (ja) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | メモリ装置及びメモリアクセス方法 |
TW99100815A TWI470429B (zh) | 2009-01-15 | 2010-01-13 | 記憶體裝置及記憶體存取方法 |
US12/687,630 US8335098B2 (en) | 2009-01-15 | 2010-01-14 | Memory device including OTP memory block and pseudo MTP memory block and memory access method |
CN201010005538.3A CN101783181B (zh) | 2009-01-15 | 2010-01-15 | 存储器装置及存储器存取方法 |
KR1020100003790A KR101466420B1 (ko) | 2009-01-15 | 2010-01-15 | 메모리 장치 및 메모리 액세스 방법 |
US13/357,712 US8553443B2 (en) | 2009-01-15 | 2012-01-25 | Memory device and memory access method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009006703A JP5328020B2 (ja) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | メモリ装置及びメモリアクセス方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010165165A JP2010165165A (ja) | 2010-07-29 |
JP5328020B2 true JP5328020B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=42318978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009006703A Active JP5328020B2 (ja) | 2009-01-15 | 2009-01-15 | メモリ装置及びメモリアクセス方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8335098B2 (ja) |
JP (1) | JP5328020B2 (ja) |
KR (1) | KR101466420B1 (ja) |
CN (1) | CN101783181B (ja) |
TW (1) | TWI470429B (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5328020B2 (ja) * | 2009-01-15 | 2013-10-30 | セイコーインスツル株式会社 | メモリ装置及びメモリアクセス方法 |
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-
2009
- 2009-01-15 JP JP2009006703A patent/JP5328020B2/ja active Active
-
2010
- 2010-01-13 TW TW99100815A patent/TWI470429B/zh active
- 2010-01-14 US US12/687,630 patent/US8335098B2/en active Active
- 2010-01-15 CN CN201010005538.3A patent/CN101783181B/zh active Active
- 2010-01-15 KR KR1020100003790A patent/KR101466420B1/ko active IP Right Grant
-
2012
- 2012-01-25 US US13/357,712 patent/US8553443B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101783181A (zh) | 2010-07-21 |
US20120163062A1 (en) | 2012-06-28 |
TW201102814A (en) | 2011-01-16 |
US8335098B2 (en) | 2012-12-18 |
US20100177547A1 (en) | 2010-07-15 |
CN101783181B (zh) | 2014-12-17 |
US8553443B2 (en) | 2013-10-08 |
TWI470429B (zh) | 2015-01-21 |
JP2010165165A (ja) | 2010-07-29 |
KR20100084132A (ko) | 2010-07-23 |
KR101466420B1 (ko) | 2014-11-28 |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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R250 | Receipt of annual fees |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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