JP5169195B2 - 有機el装置、電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、有機EL装置、電子機器に関する。
電子と正孔との再結合により発光が生じる現象を用いた発光素子として、有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子と称す)が知られている。有機EL素子は、正孔を供給する陽極及び電子を供給する陰極の間に、有機EL材料からなる有機発光層を含む有機機能層を有するものであり、供給された正孔及び電子が有機発光層内で再結合して発光するようになっている。
有機EL素子を備えたデバイスとしては、有機エレクトロルミネッセンス装置(以下、有機EL装置と称す)がある(例えば特許文献1、2)。有機EL装置は、例えばTFTがマトリクス状に配置されたTFT基板を有しており、TFTを覆って層間絶縁膜が設けられている。層間絶縁膜は、TFTのドレイン上が開口されており、開口内側にはTFTのドレインと導通するソース電極が埋設されている。ソース電極及び層間絶縁膜を覆って保護膜や坦化層等の下地層が設けられており、下地層はソース電極上が開口されている。開口内側にはソース電極と導通する導電膜が設けられており、導電膜は平坦化層上の所定位置(画素開口)まで引き出されて、画素開口において画素電極となっている。画素電極は、有機EL素子の電極(陽極)として機能するものであり、この上に有機機能層及び陰極が形成されている。
このような有機EL装置は、陽極側から発光光を取り出すボトムエミッション型と、陰極側から取り出すトップエミッション型に大別される。トップエミッション型の有機EL装置には、陽極側に発せられた光を陰極側に反射させる反射膜が設けられている。具体的には、平坦化層上の画素開口と対応する位置に反射膜(例えばアルミニウム膜)が形成されており、ソース電極と導通する導電膜は、反射膜上まで引き出されている。
また、フルカラー表示のトップエミッション型有機EL装置の場合には、陰極を半透過反射膜として、陰極及び反射膜が共振器を構成するものも考えられている(例えば特許文献3)。詳しくは、フルカラー表示の最小単位が複数の単色表示(例えば赤、緑、青)から構成されており、一つの単色表示に一つの有機EL素子が対応している。例えば、導電膜の形成材料を、赤と対応する部分には3回、緑と対応する部分には2回、青と対応する部分には1回成膜することにより、対応する色ごとに画素電極の厚みを変えることができる。これにより、陰極及び反射膜の間の光学的距離、すなわち共振波長を調整することができるので、それぞれの色に対応した波長光を陰極側から射出させることができ、良好な表示が得られるようになっている。
特開2002−132186号公報 特開2003−76301号公報 特開2007−26849号公報
ところが、複数層の導電膜からなる画素電極を採用した場合には、画素電極の周辺部に段切れを生じるおそれがあり、特に、最も薄い画素電極(例えば青)において顕著である。すなわち、画素電極を形成する部分の下層には反射膜が設けられており、反射膜上と反射膜周辺部上とが段差となっている。段差において形成材料の段切れを生じた場合に、緑や赤と対応する画素電極では、段切れした部分に2回目以降の成膜時に形成材料が埋め込まれることが多いが、青は1回しか成膜しないので段切れが補修されることなく残ってしまう。画素電極に段切れを生じると、この画素電極と対応する有機EL素子を発光させることができなくなり、ここが暗点等の表示不良となってしまう。一つの単色表示(例えば青)が暗点となると、これに赤や緑を組み合わせても所望のフルカラー表示が得られないので、表示品質が損なわれてしまう。
本発明は、前記の従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、表示品質や画像品質が高い良好な有機EL装置を提供することを目的の一つとする。
本発明の有機EL装置は、透光性の第1電極と、半透過反射膜と、前記第1電極と前記半透過反射膜との間に配置された有機発光層と、前記第1電極前記半透過反射膜と反対側に設けられた反射膜と、前記反射膜の端部の段差を覆って設けられた接続導電部と、を有する複数の発光画素を備え、前記複数の発光画素間に隔壁が設けられており、前記接続導電部は、複数層の透光性の導電膜からなっているとともに、前記発光画素のスイッチング素子と電気的に接続されており、前記第1電極は、前記接続導電部を構成する導電膜のうちの単層または2層以上が選択されパターニングされて形成されており、前記複数の発光画素のうち1色に対応する部分において、前記複数層の導電膜のうち、第1の導電膜は、前記反射膜の周縁部を覆って前記隔壁の開口外側に形成され、第2の導電膜は、前記第1の導電膜上に積層されており、前記第1の導電膜よりも前記隔壁の開口の中央部側まで形成されているとともに前記隔壁の開口外側に形成され、第3の導電膜は、前記第2の導電膜上に積層されており、前記隔壁の開口内側全体に形成されており、前記第1の導電膜の膜厚は前記第2の導電膜の膜厚よりも厚く、前記第2の導電膜の膜厚は前記第3の導電膜の膜厚よりも厚く、前記第1の導電膜は前記複数層の透光性の導電膜のうち、最も前記反射膜側に設けられ、かつ最も厚い導電膜であることを特徴とする。
通常、反射膜の周辺部に複数層の導電膜からなる接続導電部が設けられており、これら導電膜のいくつか(例えば1層)は、反射膜の端部の段差をのり越えて反射膜の中央部側に引き出されている。中央部側に引き出された導電膜のうち画素と対応する部分は、画素電極として機能するようになっている。一般に、段差を薄い導電膜で被覆しようとすると、ここに段切れを生じやすいことが知られている。
本発明では、反射膜の端部の段差を覆う接続導電部が複数層の導電膜からなっているので、接続導電部の一部(例えば1層の導電膜)で前記段差を被覆する場合よりも厚い膜で前記段差を覆うことができる。したがって、ステップカバレッジ性が格段に改善され、ここに段切れを生じることが防止される。よって、第1電極がスイッチング素子と良好に接続されようになり、有機発光層を良好に発光させることができるようになるので、暗点等のない良好な有機EL装置となる。
また、前記接続導電部を構成する複数層の導電膜のうち最も厚い導電膜は、最も前記反射膜側に配置されていることが好ましく、この場合には、前記接続導電部を構成する複数層の導電膜のうち反射膜側に配置された導電膜の膜厚が、この導電膜より半透過反射膜側に配置された導電膜の膜厚以上となっていることがより好ましい。
段切れしていない導電膜が一層でも接続導電部に含まれていれば、第1電極とスイッチング素子とを導通させることができる。本発明のように、最も厚い導電膜が最も反射膜側に配置されていれば、これより薄い導電膜が配置されている場合よりも段切れを生じることが低減されるので、第1電極がスイッチング素子に良好に接続されるようになる。
また、段切れを生じていない導電膜上に、例えば下層と同じ材料からなる導電膜を積層すれば、上層は下層との親和性により段切れを生じにくいので、接続導電部を構成する導電膜のいずれにおいても段切れが低減される。これにより、接続導電部は、高信頼性となるとともにその低抵抗化が図られ、有機発光層を良好に発光させることが可能となる。
また、反射膜側に配置された導電膜の膜厚が、該導電膜より半透過反射膜側に配置された導電膜の膜厚以上となっていれば、さらに良好な接続導電部とすることができる。すなわち、段切れを生じた導電膜上に、これと同じ導電材料からなる導電膜を積層すると、段切れに導電膜材料を埋め込むことや、下層との親和性により周囲から内側に向かって段切れの一部あるいは全部を導電材料に覆わせることができる。これにより、段切れを無くすことや小さくすること等の補修を行うことができる。段切れ上に導電膜材料を厚く成膜すれば薄く成膜するよりも段切れが良好に補修されるので、段切れを生じた導電膜上に形成する導電膜のうち膜厚が厚いものを下層側に配置することにより、接続導電部の上層側の導電膜に段切れを生じることが防止される。
また、前記接続導電部が3層以上の導電膜からなり、該導電膜のうちの前記第1電極を構成しない導電膜は、前記反射膜の周縁部上における該導電膜の端部の位置が導電膜ごとに異ならせて形成されていることが好ましい。
このようにすれば、前記第1電極を構成しない導電膜の端部は上層と下層との段差となっており、段差の位置が互いに異なるようになる。したがって、前記第1電極を構成しない導電膜の端部が同じ位置とされた場合よりも、段差のそれぞれが小さくなる。よって、該段差における第1電極を構成する導電膜のステップカバレッジ性が改善され、第1電極を構成する導電膜に段切れを生じることが防止される。
また、複数の発光画素を備えているとともに、該発光画素間に隔壁が設けられており、前記反射膜の端部が該隔壁に覆われていることが好ましく、この場合には、前記接続導電部を構成する複数層の導電膜のうちの前記第1電極を構成しない導電膜の端部が前記隔壁に覆われていることがより好ましい。
このようにすれば、隔壁間の全体に、すなわち有機発光層側から反射膜側に光が発せられる領域の全体に、反射膜が配置されるようになり、反射膜の下地側への光漏れを生じることなく発光光を半透過反射膜側に反射させることができる。また、反射膜の端部における反射膜とその下地との段差を隔壁で覆うことができ、段差での光の反射等により表示品質が損なわれることを回避することができる。また、前記第1電極を構成しない導電膜の端部が前記隔壁に覆われているようにすれば、導電膜間の段差での光の反射等により表示品質が損なわれることも回避することができる。
また、発光波長の異なる複数の発光画素を備え、前記複数の発光画素の各々は、該発光画素を構成する第1電極の厚さが、前記接続導電部のうちの選択された導電膜の膜厚により前記複数の発光画素ごとに異なっており、該発光画素の発光波長は、該発光画素を構成する半透過反射膜と反射膜との間の光学的距離により定まる共振波長とされ、該光学的距離は、該発光画素を構成する第1電極の厚さにより調整されていることが好ましい。
このようにすれば、例えば、赤(R)、緑(G)、青(B)の各色に対応する発光波長を有する発光画素を形成することで、フルカラー表示が可能な有機EL装置とすることができる。
また、前記半透過反射膜における反射膜と反対側に、該半透過反射膜を有する発光画素の発光波長に対応した波長の光を透過するカラーフィルタ層が設けられていることが好ましい。
このようにすれば、また、カラーフィルタ層によって外光を吸収できるので、より外光反射の少ない有機EL装置とすることができる。すなわち、カラーフィルタ層で吸収できなかった光(カラーフィルタ層の透過波長に対応する光)は、半透過反射膜と反射膜とが構成する共振器によって吸収されるので、ほとんど表示に影響しない。すなわち、カラーフィルタ層の透過波長は共振器の共振波長とほぼ一致しているため、共振器は、カラーフィルタ層を透過した光に対して透過率が非常に高く、反射率が非常に低いものとなる。このため、カラーフィルタ層を透過して共振器内に入射した外光は、そのまま共振器内で吸収され外部にはほとんど反射されなくなる。
また、前記カラーフィルタ層には、3種類の互いに異なる波長の光をそれぞれ透過させる3種類の色材部が設けられているとともに、前記接続導電部は3層の導電膜からなり、該導電膜のうちの1層からなる第1電極を有する発光画素と、該導電膜のうちの2層からなる第1電極を有する発光画素と、前記接続導電部からなる第1電極を有する発光画素と、を備えていることが好ましい。
このようにすれば、有機EL装置を製造する際に通常行われるプロセスをほとんど流用して、本発明の有機EL装置を構成することができる。すなわち、通常はソース電極から反射膜の周辺部まで3層の導電膜からなる接続導電部が形成されているが、この接続導電部が形成される部分まで反射膜を広げて形成すれば、端的には通常と同様のパターニングにより、反射膜の周縁部及び周辺部に連続して接続導電部が形成される。このようにプロセスコストを増加させることなく良好な有機EL装置とすることができるとともに、実績のあるプロセスを用いることで高信頼性の有機EL装置とすることができる。
本発明の電子機器は、前記の本発明の有機EL装置を備えていることを特徴とする。
前記のように、本発明の有機EL装置は、暗点等のない良好なものとなっているので、これを備えた本発明の電子機器も良好なものとなる。
以下、本発明の一実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、構造の特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造はその寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせて示す場合がある。なお、本実施形態の有機EL装置においては、マトリクス状に発光画素が配置されている。一つの配列方向には、赤色光、緑色光、青色光に対応する発光画素が周期的に配置されており、前記配列方向と直交する方向には、赤色光、緑色光、青色光のいずれか1種類に対応する発光画素が並んでいる。これにより、単色光(赤、緑、青)の組み合わせでフルカラー表示を行うことが可能となっている。このような表示装置においては、単色光に対応する発光画素がサブ画素と称される場合もある。
図1は、本実施形態の有機EL装置1を概略して示す側断面構成図であり、前記配列方向に沿う断面のうち6つの発光画素を含む領域を示している。すなわち、(赤、緑、青)に対応する発光画素(サブ画素)の組が2組含まれるように図示している。なお、本発明の特徴部分である第1電極22等については、後に拡大図を参照しつつ詳細に説明することとし、図1にはその構造を簡略化して示している。
図1に示すように有機EL装置1は、TFTアレイ基板21上に、画素電極(第1電極)22と、有機機能層23と、共通電極(半透過反射膜)24と、が順に形成された有機EL基板2を備えている。また、有機EL基板2に対向する透明基板31の有機EL基板2側に、カラーフィルタ層32が形成されたカラーフィルタ基板3を備えている。なお、有機EL基板2及びカラーフィルタ基板3は、TFTアレイ基板21の周縁部と透明基板31の周縁部との間に設けられたシール材(図示略)により貼り合わせられて封止されている。
有機EL基板2は、平坦膜等の下地層を含んだTFTアレイ基板21と、この上に選択的に設けられた反射膜26と、反射膜26上に設けられた画素電極22と、画素電極22間に設けられた隔壁25と、画素電極22及び隔壁25を一括して覆う有機機能層23と、有機機能層23を覆って設けられた共通電極24と、を備えて構成されている。また、ここでは、隔壁25上方に位置する部分の有機機能層23上には補助配線27が形成されており、反射膜26と画素電極22との間に絶縁膜28が形成されている。画素電極22と有機機能層23と共通電極24とが、有機EL素子を構成している。共通電極24は電極として機能するとともに半透過反射膜としても機能するようになっており、共通電極24と反射膜26とを含んだこれらの間が共振器を構成している。ここでは、画素電極22が陽極として、共通電極24が陰極としてそれぞれ機能するようになっている。
ここではTFT基板21の詳細な構成を図示しないが、TFT基板21にはデータ線駆動回路から延びる複数のデータ線と、走査線駆動回路から延びる複数の走査線とが格子状に配置されている。データ線と走査線とにより区画する部分が発光画素となっており、ここに、前記有機EL素子が設けられているとともに、スイッチング素子やドライビング素子等として機能するTFTが設けられている。有機EL素子の画素電極22は前記TFTと電気的に接続されている。
反射膜26は、アルミニウム膜や銀膜等の光反射性金属膜からなるものであり、ここでは、AlNdからなる厚さ80nm程度の反射膜26を採用している。また、本実施形態の反射膜26は、前記した発光画素の配列方向と直交する方向、すなわち(赤、緑、青)のうち一種類に対応する発光画素が並んだ方向に沿って、複数の発光画素(サブ画素)にわたってストライプ状に延設されている。また、反射膜26と画素電極22との間に絶縁膜28を介することにより、複数の画素電極22間で導通しないようになっている。絶縁膜28は、例えばSiNからなり厚さが50nm程度のものである。
画素電極22は、透光性を有し仕事関数が高い(例えば5eV以上)導電材料、具体的にはITO(インジウム錫酸化物)等からなっており、画素電極22から有機機能層23に正孔(キャリア)が効率的に供給されるようになっている。一つの画素電極22は、カラーフィルタ基板3に設けられた3種類の色材部(後述する)のいずれか一つと対応している。また、対応する色材部を透過させる光の波長に応じて画素電極22ごとに厚さを異ならせてある。
共通電極24は、透光性を有しかつ仕事関数が低い(例えば5eV以下)導電材料からなっている。仕事関数が低い材料としては、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物であるフッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体等が挙げられる。本実施形態ではマグネシウム・銀からなる共通電極24を採用しており、共通電極24から有機機能層23に電子(キャリア)が効率的に供給されるようになっている。また、共通電極24にアルミニウム等からなる低抵抗の補助配線27が併設されていることにより、共通電極24は低消費電力で機能するようになっている。また、共通電極24は、有機機能層23側からの光の一部を透過し、残りの光の一部又は全部を反射膜26側に反射する半透過反射膜としても機能するようになっている。一般に、透光性導電膜からなる共通電極は、前記のような半透過反射膜としての機能を有している。
有機機能層23は、有機EL材料からなる有機発光層を有するものである。一般に有機機能層は、陽極側から正孔注入層、有機発光層が順次積層された構造が知られており、この他にも正孔注入層と有機発光層との間に正孔輸送層を設けた構造や、正孔注入層に替えて正孔注入輸送層を設けた構造、さらに低分子系材料等を用いて蒸着法で形成する場合等に有機発光層の陰極側に電子注入(輸送)層を設けた構造等を用いることができる。画素電極22と共通電極24との間に電圧が印加されると、画素電極22から正孔注入層に正孔が注入され、正孔輸送層を介して有機発光層に輸送される。また、共通電極24から電子注入層に電子が注入され、この電子は電子注入(輸送)層を介して有機発光層に輸送される。有機発光層に輸送された正孔と電子とが再結合することにより、有機発光層が発光するようになっている。
有機機能層23の材料としては、公知のものをもちいることができ、具体的には以下のようなものが挙げられる。
正孔注入層の材料として、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体等が挙げられる。
正孔輸送層の材料としては、TAPC、TPD、α−NPD、m−MTDATA、2−TNATA、TCTA、スピロ-TAD、(DTP)DPPD、HTM1、TPTE1、NTPA、TFLTF、ポリフルオレン誘導体(PF)やポリパラフェニレンビニレン誘導体(PPV)、ポリパラフェニレン誘導体(PPP)、ポリビニカルバゾール(PVK)、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン(PMPS)等のポリシラン系有機高分子材料等が挙げられる。
有機発光層の材料としては、前記した正孔輸送層の形成材料の他、ペニレン系色素や、クマリン系色素、ローダミン系色素などの有機高分子材料、あるいはこれら有機高分子材料に例えばルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドンなどの低分子有機材料をドープしたもの、CBP(4.4.―ジカルバゾール−4,4−ビフェニル)誘導体、PtOEP(白金ポルフィリン錯体)誘導体、Ir(ppy)3(イリジウム錯体)誘導体、FIrpic(イリジウム錯体)誘導体等の燐光材料等が挙げられる。なお、本発明では、有機発光層は発光する色が白色となるように形成されていることが好ましい。
電子輸送層の材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体等が挙げられる。
有機発光層から画素電極22側に発せられた光は、画素電極22を透過して反射膜26に反射され、共通電極24側から取り出し可能となっている。共通電極24は半透過反射膜として機能するので、所定範囲の波長以外の光は反射膜26側に反射され共通電極24と反射膜26との間で往復する。このようにして、共通電極24と反射膜26との間の光学的距離に対応した共振波長の光だけが増幅されて取り出される。すなわち、共通電極24と反射膜26とを含んだこれらの間が共振器として機能するようになっており、発光輝度が高くしかもスペクトルがシャープな光を射出させることが可能となっている。なお、前記光学的距離は、共通電極24と反射膜26との間に含まれる層の光学的距離の和によって求められ、各層の光学的距離は、その膜厚と屈折率との積によって求められる。
カラーフィルタ基板3は、アクリルやガラス等からなる透明基板31の有機EL基板2側に選択的に設けられたクロム等の非透光性材料からなる遮光部33と、遮光部33の有機EL基板2側に設けられた隔壁34と、隔壁34の間に設けられたカラーフィルタ層32と、を備えて構成されている。また、透明基板31の有機EL基板2と反対側には、図示略の反射防止フィルムが貼設されている。カラーフィルタ層32は、顔料等を含有した透明樹脂等からなる色材部を有するものであり、本実施形態では、周期的に配置された赤色部(色材部)321と緑色部(色材部)322と青色部(色材部)323とから構成されている。
また、有機EL素子側から各色材部に発せられた光の波長が、各色材部に対応する波長となるように、各色材部に画素電極22の厚みが調整されている。すなわち、画素電極22の厚さにより前記共振器の光学的距離が調整され、共振器の共振波長が色材部に対応する所定の波長となるようにされている。以下、画素電極22の構造を詳細に説明する。
図2(a)〜(c)は、有機EL装置1の画素電極22付近を拡大して示す側断面図であり、図2(a)は青色部323に対応する部分、図2(b)は緑色部322に対応する部分、図2(b)は赤色部321に対応する部分、をそれぞれ図示している。図2(a)〜(c)に示すように、いずれの色材部に対応する部分でも、反射膜26上を除く部分の構造は同じになっている。すなわち、基板211上に前記走査線から分岐されたゲート電極212が設けられており、ゲート電極212を覆ってゲート絶縁膜213が設けられている。ゲート絶縁膜213上におけるゲート電極212と重ね合わされる部分には、半導体層214が設けられている。ゲート絶縁膜213及び半導体層214を覆って層間絶縁膜215が設けられており、層間絶縁膜215には、これを貫通して半導体層214を露出させる開口部が設けられている。この開口部の内側、及び開口部の周辺部上の層間絶縁膜215にはソース電極216が設けられている。半導体層214は、ゲート電極212と重ね合わされる部分がチャネルとなっており、これを挟む片方がソース電極216と接触して導通するようになっている。また、半導体層214の他方は、前記データ線と電気的に接続されている。
層間絶縁膜215及びソース電極216を覆って、例えばSiNからなる絶縁膜217が設けられており、絶縁膜217を覆って、例えばアクリル系樹脂からなる平坦化層218が設けられている。平坦化層218は、ソース電極216上が開口されているとともに、平坦化層218上の所定位置には反射膜26が形成されている。前記したソース電極216上の開口内側を含む平坦化層218及び反射膜26を覆って、例えばSiNからなる絶縁膜28が設けられている。
絶縁膜217及び絶縁膜28には、これを貫通してソース電極216を露出させる開口部が設けられている。この開口部の内側に露出したソース電極216を覆って、順に導電膜22A、22B、22Cが設けられており、これら3層の導電膜22A、22B、22Cからなる接続導電部が設けられている。ここでは、導電膜22A、22B、22CはいずれもITOからなるものであり、それぞれの膜厚としては、例えば導電膜22Aが50nm程度、導電膜22Bが50nm程度、導電膜22Cが30nm程度である。
接続導電部は、絶縁膜217の開口部側壁及び絶縁膜28の開口部側壁に沿うとともに、反射膜26側に延設されている。そして、反射膜26の端部、すなわち周縁部上と周辺部の絶縁膜28上との段差をのり越えて、反射膜26上の周縁部まで連続して設けられている。接続導電部を構成する導電膜22A、22B、22Cのうちいくつかは反射膜26上の周縁部より中央部側まで引き出されている。また、接続導電部を覆って隔壁25が設けられており、隔壁25は反射膜26の中央部上が開口されている。隔壁25の開口側壁は、反射膜26側から離れるにつれて口径が大きくなるテーパ状となっている。また、この開口内側には、有機機能層23が設けられている。
図2(a)に示すように、青色部323に対応する部分では、導電膜22Aは反射膜26の周縁部のみを覆って、隔壁25の開口外側に形成されている。また、導電膜22Bは、導電膜22Aと絶縁膜28との段差を越えて、導電膜22Aよりも中央部側まで形成されているとともに、隔壁25の開口外側に形成されている。また、導電膜22Cは、導電膜22Aと絶縁膜28との段差、及び導電膜22Aと導電膜22Bとの段差を越えて、反射膜26上の中央部まで形成されており、隔壁25の開口内側全体に設けられている。すなわち、隔壁25の開口内側における導電膜22Cが画素電極22として機能するようになっている。青色部323に対応する部分の画素電極22の厚さは、導電膜22Cの厚さ(例えば30nm程度)となっている。
図2(b)に示すように、緑色部322に対応する部分でも、導電膜22Aは反射膜26の周縁部のみを覆って、隔壁25の開口外側に形成されている。また、導電膜22B及び導電膜22Cは、導電膜22Aと絶縁膜28との段差を越えて、反射膜26上の中央部まで形成されており、隔壁25の開口内側全体に設けられている。すなわち、隔壁25の開口内側における導電膜22B及び導電膜22Cからなる2層膜が画素電極22として機能するようになっている。緑色部322に対応する部分の画素電極22の厚さは、導電膜22Bの厚さ(例えば50nm程度)と導電膜22Cの厚さ(例えば30nm程度)との和(例えば80nm程度)となっている。
図2(c)に示すように、赤色部321に対応する部分では、導電膜22A、導電膜22B及び導電膜22C、すなわち接続導電部の全ての層が反射膜26上の中央部まで形成されており、隔壁25の開口内側全体に設けられている。すなわち、隔壁25の開口内側における導電膜22A、導電膜22B及び導電膜22Cからなる3層膜が画素電極22として機能するようになっている。赤色部321に対応する部分の画素電極22の厚さは、導電膜22Aの厚さ(例えば50nm)と導電膜22Bの厚さ(例えば50nm程度)と導電膜22Cの厚さ(例えば30nm程度)との和(例えば130nm程度)となっている。
以上のような構成の有機EL装置1は、TFT基板21に設けられたTFTをスイッチング素子として機能させて、それぞれのTFTと導通するソース電極216に所定のタイミングで電気信号を伝達することができるようになっている。ソース電極216に伝達された電気信号は、接続導電部を介してそれぞれの有機EL素子の画素電極22に伝達される。これにより、画素電極22及び共通電極24の間に電気信号に応じた電圧が印加され、有機EL素子(発光素子)は電気信号に応じて発光する。有機EL素子から発せられた光は、共通電極24と反射膜26との間、すなわち共振器により発光輝度が高くしかもスペクトルがシャープな光とされて、共通電極24からカラーフィルタ基板3側に射出される。これら射出光は、カラーフィルタ層32の赤色部321、緑色部、322、青色部323のいずれかを通って所定の色光とされる。それぞれの色材部を通る光は、これを射出した有機EL素子側において画素電極22の厚さにより波長(共振波長)が調整されており、良好な色光となって表示側に射出される。このように有機EL装置1は、良好な表示が得られるようになっている。
なお、画素電極は、接続導電部を構成する導電膜のうちのいくつかからなっていればよい。例えば互いに厚さが異なる3種類の導電膜を採用した場合等には、(R、G、B)と対応させて3種類のいずれか単層を画素電極とすれば、互いに厚さが異なる3種類の画素電極とすることができる。また、3層以上の導電膜からなる接続導電部を採用した場合に、接続導電部を構成し、かつ第1電極を構成しない導電膜の端部の位置としては、前記実施形態では、下層側の導電膜ほど画素開口から離れているが、下層側ほど画素開口に近づくようにしてもよい。
[製造例]
次に、前記有機EL装置1の製造方法について、本発明の特徴部分である画素電極22の形成方法の一例を説明する。
画素電極22の形成に先立ち、TFT基板21等を形成しておく。例えば基板211上に走査線を形成するとともにその一部をゲート電極212とし、これを覆ってゲート絶縁膜213を形成する。次いで、ゲート絶縁膜213上にデータ線を形成するとともに、データ線に一端が電気的に接続された半導体層214を形成する。次いで、半導体層214を覆って層間絶縁膜215を形成した後、層間絶縁膜215を貫通して半導体層214の他端側を露出させる開口部を形成する。次いで、この開口部の内側、及び開口部周辺の層間絶縁膜215上にソース電極216を形成する。次いで、ソース電極216及び層間絶縁膜215を覆って絶縁膜217、平坦化層218を順に形成する。絶縁膜217の厚さとしては、例えば200nm程度とし、平坦化層218の厚さとしては例えば3000nm程度とする。これらの形成には、公知の形成材料や形成方法を用いることができる。
次いで、平坦化層218上の所定位置に反射膜26を形成する。例えば、発光画素の大きさが、前記した発光画素の配列方向において220μm程度であり、配列方向の直交方向において70μm程度である場合には、反射膜の大きさとしては、通常は配列方向において170μm程度、配列方向の直交方向において60μm程度である。本発明では配列方向において幅が広い、例えば幅が185μm程度の反射膜26を形成する。これにより、画素開口を小さくすることなく後述するように良好な画素電極22を形成することができる。
次いで、平坦化層218を貫通してソース電極216上の絶縁膜217を露出させる開口部を形成する。次いで、開口部内側を含む平坦化層218及び反射膜26を覆って絶縁膜28を、例えば50nm程度の厚さに形成する。次いで、絶縁膜217及び絶縁膜28を貫通してソース電極216を露出させる開口部を形成する。
次いで、露出したソース電極216上と反射膜26上の周縁部とを覆う接続導電部を形成する。ここでは、接続導電部を構成する3層の導電膜22A、22B、22Cを、膜厚が厚いものから順に形成して、接続導電部を形成する。
導電膜22Aは、青色部323と対応する部分の反射膜26上、及び緑色部322と対応する部分の反射膜26上においては、反射膜26の周縁部のみを覆うようにする。例えば、導電膜22Aの非形成領域をマスクパターンで覆った状態で、導電膜22Aの形成材料を蒸着法等で成膜する方法や、ソース電極216上及び絶縁膜28上の全面を覆って導電膜22Aの形成材料をスパッタリング法等で成膜した後、この膜をフォトリソグラフィ法及びエッチング技術等を用いてパターニングする方法等を用いることができる。最も厚い導電膜22Aから形成すれば、薄い導電膜から形成する場合よりも、反射膜26の周辺部と周縁部との段差において段切れを生じることが低減される。
そして、導電膜22Aを覆うとともに、導電膜22Aよりも反射膜26の中央部側を覆う導電膜22Bを形成する。導電膜22Bは、緑色部322と対応する部分の反射膜26上全面を覆うととともに、青色部323と対応する部分の反射膜26上においてはその周縁部のみを覆うようにする。なお、導電膜22Bの形成方法としては、導電膜22Aと同様の方法を用いることができる。前記段差において導電膜22Aに段切れを生じていた場合には、この段切れ部分に導電膜22Bの形成材料を埋め込むことや、導電膜22Aとの親和性により、前記形成材料で段切れ部分の周辺から内側を覆うことができる。これにより、段切れ部分を補修することができ、導電膜22Bに段切れを生じることが格段に低減される。
そして、導電膜22Bを覆うとともに、青色部323と対応する部分の反射膜26上全面を覆う導電膜22Cを形成する。導電膜22Cは、段切れが極めて少ない導電膜22Bを下地として形成するので、導電膜22Bと導電膜22Cの形成材料の親和性により、導電膜22Cに段切れを生じることが防止される。また、導電膜22Bは、導電膜22Aよりも反射膜26上の中央部側まで形成しており、導電膜22Bと絶縁膜28との段差は、導電膜22Bと導電膜22Aとの段差、及び導電膜22Aと絶縁膜28との段差に分割されている。したがって、導電膜22Cで覆うそれぞれの段差は、導電膜22Bと絶縁膜28とが一つの段差となっている場合よりも小さくなる。これにより、導電膜22Cに段切れを生じることが低減される。
以上のようにして、接続導電部を形成するとともに、青色部323と対応する部分には導電膜22Cからなる画素電極22を、緑色部322と対応する部分には導電膜22B及び導電膜22Cからなる画素電極22を、赤色部321と対応する部分には導電膜22A、導電膜22B及び導電膜22Cからなる画素電極22を、形成することができる。
本発明の有機EL装置にあっては、[製造例]で説明したように、反射膜26の周辺部と周縁部との段差において接続導電部に段切れを生じることが防止されている。したがって、接続導電部の一部と一体に形成された画素電極22に、TFT基板21のTFTから電気信号を良好に伝達することが可能となり、有機EL素子を良好に発光させることができる。これにより、暗点等の表示不良が防止され、高品質の表示が得られる有機EL装置となっている。
[電子機器]
次に、本発明の有機EL装置を備えた電子機器の例について説明する。
図9は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図9に示すように、携帯電話機1300は、複数の操作ボタン1302と、受話口1303と、送話口1304と、本発明の有機EL装置からなる表示部1301と、を備えている。この携帯電話機1300によれば、本発明の有機EL装置を備えているので、表示品位に優れ、明るい画面の有機EL表示部を備えた電子機器を実現することができる。
なお、本発明における有機EL装置を備えた電子機器としては、前記携帯電話機の他に、例えばデジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、テレビ、携帯用テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、PDA、携帯用ゲーム機、ページャ、電子手帳、電卓、時計、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等、車載用オーディオ機器や自動車用計器、カーナビゲーション装置等の車載用ディスプレイ等を挙げることができる。
本発明に係る有機EL装置を概略して示す断面構成図である。 有機EL装置の要部を拡大して示す断面図である。 本発明に係る電子機器の構成を示す斜視図である。
符号の説明
1・・・有機EL装置、22・・・画素電極(第1電極)、23・・・有機機能層、24・・・共通電極(半透過反射膜)、26・・・反射膜、32・・・カラーフィルタ層、321・・・赤色部(色材部)、322・・・緑色部(色材部)、233・・・青色部(色材部)

Claims (8)

  1. 透光性の第1電極と、
    半透過反射膜と、
    前記第1電極と前記半透過反射膜との間に配置された有機発光層と、
    前記第1電極前記半透過反射膜と反対側に設けられた反射膜と、
    前記反射膜の端部の段差を覆って設けられた接続導電部と、を有する複数の発光画素を備え、
    前記複数の発光画素間に隔壁が設けられており、
    前記接続導電部は、複数層の透光性の導電膜からなっているとともに、前記発光画素のスイッチング素子と電気的に接続されており、前記第1電極は、前記接続導電部を構成する導電膜のうちの単層または2層以上が選択されパターニングされて形成されており、
    前記複数の発光画素のうち1色に対応する部分において、前記複数層の導電膜のうち、
    第1の導電膜は、前記反射膜の周縁部を覆って前記隔壁の開口外側に形成され、
    第2の導電膜は、前記第1の導電膜上に積層されており、前記第1の導電膜よりも前記隔壁の開口の中央部側まで形成されているとともに前記隔壁の開口外側に形成され、
    第3の導電膜は、前記第2の導電膜上に積層されており、前記隔壁の開口内側全体に形成されており、
    前記第1の導電膜の膜厚は前記第2の導電膜の膜厚よりも厚く、
    前記第2の導電膜の膜厚は前記第3の導電膜の膜厚よりも厚く、
    前記第1の導電膜は前記複数層の透光性の導電膜のうち、最も前記反射膜側に設けられ、かつ最も厚い導電膜であることを特徴とする有機EL装置。
  2. 前記接続導電部が3層以上の導電膜からなり、該導電膜のうちの前記第1電極を構成しない導電膜は、前記半反射膜の周縁部上における該導電膜の端部の位置が導電膜ごとに異ならせて形成されていることを特徴とする請求項に記載の有機EL装置。
  3. 前記反射膜の端部が前記隔壁に覆われていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。
  4. 前記接続導電部を構成する複数層の透光性の導電膜のうちの前記第1電極を構成しない導電膜の端部が前記隔壁に覆われていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の有機EL装置。
  5. 発光波長の異なる複数の発光画素を備え、
    前記複数の発光画素の各々は、該発光画素を構成する第1電極の厚さが、前記接続導電部のうちの選択された導電膜の膜厚により前記複数の発光画素ごとに異なっており、該発光画素の発光波長は、該発光画素を構成する半透過反射膜と反射膜との間の光学的距離により定まる共振波長とされ、該光学的距離は、該発光画素を構成する第1電極の厚さにより調整されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の有機EL装置。
  6. 前記半透過反射膜前記反射膜と反対側に、該半透過反射膜を有する発光画素の発光波長に対応した波長の光を透過するカラーフィルタ層が設けられていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の有機EL装置。
  7. 前記カラーフィルタ層には、3種類の互いに異なる波長の光をそれぞれ透過させる3種類の色部材が設けられているとともに、前記接続導電部は3層の導電膜からなり、該導電膜のうちの1層からなる第1電極を有する発光画素と、該導電膜のうちの2層からなる第1電極を有する発光画素と、前記接続導電部からなる第1電極を有する発光画素と、を備えていることを特徴とする請求項に記載の有機EL装置。
  8. 請求項1〜7のいずれか一項に記載の有機EL装置を備えていることを特徴とする電子機器。
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