JP5094557B2 - スパッタリング装置及びスパッタリング方法 - Google Patents
スパッタリング装置及びスパッタリング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5094557B2 JP5094557B2 JP2008137928A JP2008137928A JP5094557B2 JP 5094557 B2 JP5094557 B2 JP 5094557B2 JP 2008137928 A JP2008137928 A JP 2008137928A JP 2008137928 A JP2008137928 A JP 2008137928A JP 5094557 B2 JP5094557 B2 JP 5094557B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- film formation
- sputtering
- cathode
- vacuum chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
しかしながら、従来のダメージレススパッタ法においては、成膜速度が遅い、放電が不安定になる等の課題がある。
また、本発明の他の目的は、安定した放電が可能な低ダメージのスパッタリング技術を提供することにある。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記スリット機構は、その開口部が、第2のカソード部に装着された第2のターゲットの粒子放出面の延長線に対して当該粒子放出面の法線方向に離れる側に位置するものである。
請求項3記載の発明は、請求項1又は2のいずれか1項記載の発明において、前記保持機構が、当該スパッタ粒子の飛翔方向と交差する方向に往復移動可能に構成されているものである。
請求項4記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項記載の発明において、前記第1のカソード部に保持されるターゲットとして、前記第2のカソード部に保持されるターゲットより前記成膜対象物の移動方向に対して直交する部分の長さの短いものを用いるものである。
請求項5記載の発明は、請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のスパッタリング装置を用いるスパッタリング方法であって、前記保持機構を前記真空槽内の一端部の第1の成膜位置から他端部に向って移動させることにより、前記第1のカソード部によって前記成膜対象物の成膜面上に成膜を行う第1のスパッタリング工程と、前記第1のスパッタリング工程の後、前記保持機構を前記真空槽内の他端部の第2の成膜位置から一端部に向って移動させることにより、前記第2のカソード部によって前記成膜対象物の成膜面上に成膜を行う第2のスパッタリング工程とを有するものである。
特に、本発明装置によれば、簡素な構成で効率良く第1及び第2のスパッタリング工程を行い、低ダメージのスパッタリング成膜を行うことができる。
図1は、本発明に係るスパッタリング装置の実施の形態の内部構成を示す断面図である。
図1に示すように、本実施の形態のスパッタリング装置1は、図示しない真空排気系に接続された真空槽2を有している。なお、この真空槽2は、接地状態となっている。
真空槽2内の例えば上部には、平板状の基板(成膜対象物)20を保持する基板ホルダー(保持機構)3が配設されている。
一方、真空槽2内の例えば下部には、以下に説明するスパッタ源4が配設されている。
第1のカソード部6は、例えば永久磁石からなる磁気回路生成部を有するバッキングプレート61を備え、このバッキングプレート61に平板状の第1のターゲット21が取り付けられて構成されている。
本発明の場合、特に限定されることはないが、第1のターゲット21の粒子放出面21aの基板20の成膜面20aに対する角度θを、60°〜80°に設定することが好ましい。
また、基板20に対するダメージをより低減する観点からは、第1のターゲット21として、以下に説明する第2のターゲット22より幅の狭い(図1において紙面に対して垂直方向の長さが短い)ものを用いることが好ましい。
なお、第2のカソード部7は電源12に接続され、この電源12から所定の電力が供給されるようになっている。
なお、第1のターゲット21から放出される高エネルギーのスパッタ粒子40bは、防着部材2aに付着するため、真空槽2の内壁には付着しない。
Claims (5)
- 真空槽と、
前記真空槽内において成膜対象物を保持して当該真空槽の一端部から他端部に向って又は他端部から一端部に向って往復移動可能な保持機構と、
前記真空槽内においてそれぞれ平板状のターゲットを保持する第1及び第2のカソード部を有するスパッタ源と、スパッタ粒子を通過させるための開口部を有するスリット機構とを備え、
前記スパッタ源は、第1及び第2のカソード部をそれぞれ取り付けるための第1及び第2の取付面を有する支持部を備え、
前記第1のカソード部は、当該第1のターゲットの粒子放出面が前記成膜対象物の成膜面に対して対向せず、かつ、当該第1のターゲットの粒子放出面が前記成膜対象物の成膜面に対して60°〜80°の角度となるように前記支持部の第1の取付面に取り付けられ、
前記第2のカソード部は、当該第2のターゲットの粒子放出面が前記成膜対象物の成膜面に対して対向するように前記支持部の第2の取付面に取り付けられ、
前記スリット機構は、当該開口部が前記成膜対象物の成膜面に対向する位置で前記第1のカソード部の第1のターゲットから放出されるスパッタ粒子の飛翔領域に配置され、
前記保持機構を前記真空槽内の一端部から他端部に向って移動させることにより、前記第1のカソード部によって前記成膜対象物の成膜面上に成膜を行う一方で、前記保持機構を前記真空槽内の他端部から一端部に向って移動させることにより、前記第2のカソード部によって前記成膜対象物の成膜面上に成膜を行うように構成されているスパッタリング装置。 - 前記スリット機構は、その開口部が、第2のカソード部に装着された第2のターゲットの粒子放出面の延長線に対して当該粒子放出面の法線方向に離れる側に位置する請求項1記載のスパッタリング装置。
- 前記保持機構が、当該スパッタ粒子の飛翔方向と交差する方向に往復移動可能に構成されている請求項1又は2のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 前記第1のカソード部に保持されるターゲットとして、前記第2のカソード部に保持されるターゲットより前記成膜対象物の移動方向に対して直交する部分の長さの短いものを用いる請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のスパッタリング装置。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のスパッタリング装置を用いるスパッタリング方法であって、
前記保持機構を前記真空槽内の一端部の第1の成膜位置から他端部に向って移動させることにより、前記第1のカソード部によって前記成膜対象物の成膜面上に成膜を行う第1のスパッタリング工程と、
前記第1のスパッタリング工程の後、前記保持機構を前記真空槽内の他端部の第2の成膜位置から一端部に向って移動させることにより、前記第2のカソード部によって前記成膜対象物の成膜面上に成膜を行う第2のスパッタリング工程と、
を有するスパッタリング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008137928A JP5094557B2 (ja) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008137928A JP5094557B2 (ja) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009287047A JP2009287047A (ja) | 2009-12-10 |
JP5094557B2 true JP5094557B2 (ja) | 2012-12-12 |
Family
ID=41456548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008137928A Active JP5094557B2 (ja) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5094557B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011187835A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007010798A1 (ja) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Ulvac, Inc. | スパッタリング装置、透明導電膜の製造方法 |
JP2007095338A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
JP2008056975A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Seiko Epson Corp | 成膜装置 |
-
2008
- 2008-05-27 JP JP2008137928A patent/JP5094557B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009287047A (ja) | 2009-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR900001825B1 (ko) | 성막 지향성을 고려한 스퍼터링장치 | |
JP6168944B2 (ja) | 成膜マスク | |
US20040231973A1 (en) | Sputter source, sputtering device, and sputtering method | |
JP2005213616A (ja) | 蒸着方法および装置ならびにプラズマディスプレイパネルの製造方法 | |
KR20010020525A (ko) | 스퍼터 코팅 시스템 및 기판 전극을 사용하는 방법 | |
JP5094557B2 (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
JP5002532B2 (ja) | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 | |
JP2016011445A (ja) | スパッタリング方法 | |
JPH05311419A (ja) | マグネトロン型スパッタ装置 | |
KR101686318B1 (ko) | 스퍼터링을 이용한 전자파 차단 차폐막 형성 방법 및 그 장치 | |
JP2008214709A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
JP2021001382A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置用のカソードユニット | |
KR20200014170A (ko) | 성막 장치 및 전자 디바이스의 제조 방법 | |
JP2001348663A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP5003667B2 (ja) | 薄膜の製造方法および薄膜製造装置 | |
KR101590024B1 (ko) | 스퍼터링용 마스크 | |
JPH07150340A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JP2010031371A (ja) | スパッタリング装置、およびスパッタリング装置を介してターゲットから基板上へ材料をスパッタリングする方法 | |
KR101105842B1 (ko) | 환상형 타겟 마그네트론 스퍼터링 장치 | |
JP2010255011A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP2005146369A (ja) | スパッタリング装置および方法 | |
JP2003213410A5 (ja) | ||
JP2008144214A (ja) | 成膜装置 | |
WO2017088212A1 (zh) | 磁控溅射镀膜装置及其靶装置 | |
JPS61170566A (ja) | スパツタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110118 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120409 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120501 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120627 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120627 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120918 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5094557 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150928 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |