JP4837718B2 - 半導体デバイス検査装置 - Google Patents
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Description
前記第一の電流計と前記第二の電流計との間にバイアス電圧を印加する手段を備えることもできる。前記差を求める手段は、その利得あるいはオフセットが外部から設定可能であることが望ましい。
観測された補償電流をCADデータから得られるその領域のホール数で規格化することで、ホール1個あたりの平均電流が求められる。
続いて、同じ検査対象試料5内で、ホールが形成されていないことを除いて同材料かつ同構造のダミー領域を選択し、同一条件で測定を行う(S3)。データ処理装置11は、このダミー領域から得られた測定値をバックグラウンド値として取り込み、検査領域から得られた測定値から減算する(S4)。データ処理装置11はさらに、この減算された値が所定の範囲内かどうかを調べ、範囲内であればその検査領域が良好であると判断する(S6)。減算された値が所定の範囲から外れている場合には、その領域にホールが正しく形成されていない不良があると判断する(S7)。
2 電子ビーム
3 コンデンサレンズ
4 アパーチャー
5 検査対象試料
6 可動ステージ
7 電極
8 電流測定装置
9 移動距離測定装置
10 ファラデーカップ
11 データ処理装置
12 ステージ制御部
13 ビーム制御部
Claims (2)
- 電子ビームを半導体デバイスに照射してそのときに半導体デバイスに生じる電流を測定する手段を有する半導体デバイス検査装置において、
前記測定する手段による測定値のうち、電子ビーム照射の開始の後に半導体デバイスに生じる電流が安定した時期の電流値を選択する手段を有し、
前記選択する手段は、前記測定する手段の出力波形を観察し、前記波形における平均値からの変動が所望値以内の領域を前記安定した時期と判定するものであることを特徴とする半導体デバイス検査装置。 - 電子ビーム照射によって半導体デバイスに生じる電流が前記安定した時期の状態となるまでの待ち時間を記憶する手段と、
前記記憶する手段で記憶された時間に従って測定開始時間を変更する手段とを有していることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイス検査装置。
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